Продукція > IDH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDH-DB/DC12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DB SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-DD/DS-12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-SSR-20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5 | Infineon technologies | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A | на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 IDH02G65C | Infineon | SCHOTTKY 650V 2A TO220-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02SG120 | Infineon technologies | на замовлення 423 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH02SG120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02SG120XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Not For New Designs Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 5 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 IDH03G65C | Infineon | SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | на замовлення 68889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04E120 | INF | TO-220 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 Код товару: 177207
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V | на замовлення 6077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60C Код товару: 57914
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH04S60C | Infineon | SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | на замовлення 18279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V | на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05S120 | Infineon | SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05S120AKSA1 - IDH05S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202 Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C | на замовлення 12303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05SG60CXKSA1 - IDH05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1 Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Last Time Buy Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |

