Продукція > IDH

Description: HEAD ADAPTER DB SERIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH-DD/DS-12

Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH-NR-12

JST

Category: Crimping Tools - Others
Description: Adapter; IDC; NR
Related items: IDB-12
Type of crimping tool accessories: adapter
Kind of connector: IDC
Application - series/manufacturer: NR

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	25932.51 грн
2+	22464.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH-SSR-20

Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	60851.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	162.69 грн
10+	94.36 грн
100+	86.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V

на замовлення 1037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	87.33 грн

Мінімальне замовлення: 229

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	43.97 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.95 грн
10+	74.57 грн
100+	53.20 грн
500+	41.21 грн
1000+	32.28 грн
2500+	30.47 грн
5000+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA2 IDH02G65C

SCHOTTKY 650V 2A TO220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH02SG120

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02SG120

на замовлення 423 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02SG120XKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.03 грн
10+	111.45 грн
100+	76.70 грн
500+	66.17 грн
1000+	53.69 грн
5000+	51.60 грн
10000+	50.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 5
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.05 грн
10+	130.96 грн
100+	104.93 грн
500+	80.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

5th Generation thinQ SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2 IDH03G65C

SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60C

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

на замовлення 68889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	75.13 грн

Мінімальне замовлення: 288

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.40 грн
10+	91.92 грн
100+	73.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.69 грн
10+	133.10 грн
100+	92.73 грн
500+	74.60 грн
2500+	71.82 грн
5000+	60.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04E120

INF

TO-220

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	99.43 грн
132+	97.80 грн
148+	87.70 грн
500+	56.73 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	183.27 грн
134+	96.37 грн
160+	80.97 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	105.82 грн
50+	104.09 грн
100+	93.35 грн
500+	60.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.76 грн
10+	133.40 грн
100+	80.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V

на замовлення 1636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.84 грн
50+	107.58 грн
100+	88.51 грн
500+	70.28 грн
1000+	59.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.45 грн
10+	98.62 грн
100+	64.63 грн
500+	44.97 грн
1000+	42.88 грн
2500+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	174.81 грн
77+	168.15 грн
100+	162.44 грн
250+	151.90 грн
500+	136.82 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6

Infineon SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 2114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.69 грн
10+	78.58 грн
100+	61.15 грн
500+	48.81 грн
1000+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	141.97 грн
113+	115.08 грн
120+	107.56 грн
500+	91.48 грн
1000+	79.04 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	108.70 грн
10+	91.62 грн
100+	78.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.21 грн
10+	88.67 грн
100+	79.64 грн
500+	58.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V

на замовлення 6077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.29 грн
50+	78.33 грн
100+	70.40 грн
500+	52.99 грн
1000+	48.79 грн
2000+	45.26 грн
5000+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	101.22 грн
152+	85.31 грн
178+	72.82 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1
Код товару: 177207

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60C
Код товару: 57914

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60C

SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60CAKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 18279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

183+	118.79 грн

Мінімальне замовлення: 183

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.76 грн
10+	113.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.99 грн
10+	101.03 грн
100+	83.67 грн
500+	71.12 грн
1000+	55.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.61 грн
50+	110.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	310.59 грн
10+	170.09 грн
25+	168.43 грн
50+	158.77 грн
100+	136.56 грн
250+	123.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	171.53 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.38 грн
10+	137.11 грн
100+	108.07 грн
500+	87.85 грн
1000+	80.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	289.88 грн
82+	158.75 грн
83+	157.20 грн
84+	148.19 грн
100+	127.45 грн
250+	114.83 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	55.82 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	400.18 грн
64+	203.84 грн
100+	184.80 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.63 грн
50+	126.79 грн
100+	114.85 грн
500+	88.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	52.10 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.11 грн
10+	149.67 грн
100+	136.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	428.72 грн
50+	218.38 грн
100+	197.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.97 грн
10+	216.38 грн
100+	172.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	122.61 грн
500+	117.23 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.66 грн
10+	218.10 грн
25+	185.46 грн
100+	147.81 грн
500+	119.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH05S120

SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05S120AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05S120AKSA1 - IDH05S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	372.56 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

IDH05S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05S60CAKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.13 грн
10+	219.70 грн
25+	181.98 грн
100+	161.06 грн
250+	158.97 грн
500+	135.26 грн
1000+	130.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

на замовлення 12303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	153.31 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05SG60CXKSA1 - IDH05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	152.11 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.14 грн
10+	191.97 грн
100+	151.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.21 грн
10+	227.72 грн
100+	155.48 грн
250+	144.33 грн
500+	124.81 грн
1000+	119.92 грн
2500+	115.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 2452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.80 грн
10+	101.03 грн
100+	74.60 грн
500+	64.15 грн
1000+	56.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.87 грн
28+	26.82 грн
29+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	223.71 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.52 грн
10+	91.92 грн
100+	82.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.67 грн
50+	94.31 грн
100+	85.03 грн
500+	64.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	52.14 грн

Мінімальне замовлення: 248

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.28 грн
10+	138.28 грн
100+	103.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.02 грн
50+	95.52 грн
100+	86.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.97 грн
10+	101.83 грн
100+	79.48 грн
500+	64.77 грн
1000+	56.41 грн
2500+	56.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60C

Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V

на замовлення 8468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	157.11 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH06S60CAKSA1 - IDH06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	191.97 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60C

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

206+	157.03 грн
500+	150.58 грн

Мінімальне замовлення: 206

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.50 грн
10+	136.31 грн
100+	108.07 грн
500+	86.46 грн
1000+	81.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	82.75 грн
10+	81.56 грн
25+	73.78 грн
50+	69.39 грн
100+	63.07 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	306.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.64 грн
10+	169.20 грн
100+	165.94 грн
500+	117.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	349.31 грн
10+	321.81 грн
25+	203.84 грн
50+	179.22 грн
100+	155.46 грн
250+	147.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	325.68 грн
44+	300.04 грн
68+	190.05 грн
75+	167.10 грн
100+	144.95 грн
250+	137.75 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	77.23 грн
170+	76.12 грн
188+	68.86 грн
193+	64.77 грн
196+	58.86 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

IDH08G120C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.43 грн
50+	169.11 грн
100+	153.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	262.74 грн
10+	221.26 грн
100+	168.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH08G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	331.07 грн
10+	161.97 грн
100+	129.69 грн
500+	119.23 грн
1000+	111.56 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: thinQ 5G 650V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2
Код товару: 188944

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	149.64 грн
93+	138.95 грн
99+	131.49 грн
121+	103.32 грн
250+	94.72 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.41 грн
10+	174.89 грн
100+	130.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	146.27 грн
90+	143.69 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.58 грн
10+	189.23 грн
100+	133.17 грн
250+	125.50 грн
500+	117.83 грн
1000+	101.10 грн
2500+	95.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	158.15 грн
10+	146.86 грн
25+	138.98 грн
100+	109.21 грн
250+	100.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	299.19 грн
46+	286.34 грн
50+	275.43 грн
100+	256.58 грн
250+	230.37 грн
500+	215.13 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	319.44 грн
57+	226.94 грн
69+	189.30 грн
1000+	165.94 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.30 грн
50+	120.07 грн
100+	108.66 грн
500+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.23 грн
10+	125.08 грн
100+	98.31 грн
500+	81.58 грн
1000+	75.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.52 грн
10+	139.10 грн
100+	126.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Rochester Electronics, LLC

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S120

Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH08S120

SCHOTTKY 1200V 7.5A TO220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S120AKSA1

Description: INFINEON - IDH08S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 7.5A, 27nC, TO-220
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 27
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 7.5
Produktpalette: thinQ 2G 1200V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.10 грн
10+	113.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IDH08S120AKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60CAKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60CAKSA1

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH08SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	375.00 грн
10+	336.76 грн
100+	275.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	346.44 грн
46+	282.96 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	519.49 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.11 грн
10+	300.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

на замовлення 1656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.51 грн
50+	148.83 грн
100+	147.30 грн
500+	133.31 грн
1000+	124.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.65 грн
10+	174.80 грн
100+	138.05 грн
500+	113.65 грн
1000+	106.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 310 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA1 - IDH09G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	174.89 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.46 грн
10+	290.40 грн
100+	251.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	196.04 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	169.55 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.06 грн
10+	263.00 грн
100+	184.77 грн
250+	174.31 грн
500+	163.85 грн
1000+	140.84 грн
2500+	132.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA1

Rectifier Diode Schottky 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	262.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	404.28 грн
10+	357.10 грн
100+	312.36 грн
500+	289.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.62 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	362.79 грн
10+	209.28 грн
100+	154.79 грн
500+	139.45 грн
1000+	122.02 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 71A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 89W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	333.51 грн
10+	170.82 грн
100+	155.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	174.16 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.20 грн
50+	136.82 грн
100+	130.74 грн
500+	119.01 грн
1000+	100.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.04 грн
10+	154.75 грн
100+	122.02 грн
500+	119.92 грн
1000+	104.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.17 грн
101+	127.88 грн
106+	122.20 грн
500+	111.22 грн
1000+	94.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V

на замовлення 381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	313.76 грн
50+	155.01 грн
100+	140.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5ZXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5ZXKSA2

Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5ZXKSA2

IDH10G65C5ZXKSA2

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	193.60 грн

Мінімальне замовлення: 167

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 1516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	338.39 грн
10+	172.39 грн
100+	135.96 грн
500+	112.25 грн
1000+	109.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	416.48 грн
10+	270.88 грн
100+	212.31 грн
500+	165.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V

на замовлення 1957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	323.95 грн
50+	160.34 грн
100+	145.71 грн
500+	112.67 грн
1000+	104.94 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2+	246.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	172.61 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: INFINEON - IDH10S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 10A, 36nC, TO-220
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 36
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10
Produktpalette: thinQ 2G 1200V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	627.83 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S120AKSA1 - IDH10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	685.73 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	895.25 грн
70+	828.15 грн
200+	793.51 грн
400+	715.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60CAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S60CAKSA1 - IDH10S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	331.07 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V

на замовлення 6810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	306.28 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60C

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	665.92 грн
27+	485.99 грн
50+	431.14 грн
100+	390.35 грн
200+	340.87 грн
500+	304.67 грн
1000+	285.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	502.64 грн
10+	461.60 грн
25+	446.66 грн
50+	397.81 грн
100+	345.64 грн
250+	310.11 грн
500+	279.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	441.61 грн
50+	224.02 грн
100+	204.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.04 грн
10+	217.29 грн
100+	172.22 грн
500+	163.15 грн
1000+	144.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	551.37 грн
27+	495.61 грн
28+	465.41 грн
50+	420.41 грн
100+	362.31 грн
250+	321.93 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	417.30 грн
10+	229.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5
Код товару: 165219

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5

Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	502.31 грн
27+	480.73 грн
50+	462.41 грн
100+	430.77 грн
250+	386.76 грн
500+	361.19 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2
Код товару: 177295

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 1241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	350.59 грн
10+	193.24 грн
100+	152.69 грн
500+	143.63 грн
1000+	124.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	432.80 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	393.71 грн
10+	206.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.41 грн
50+	176.14 грн
100+	160.44 грн
500+	126.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.93 грн
10+	270.06 грн
100+	168.38 грн
500+	135.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.86 грн
50+	189.98 грн
100+	173.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1
Код товару: 150354

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	335.95 грн
10+	153.95 грн
100+	132.47 грн
500+	109.47 грн
1000+	108.07 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 12A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60C

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	501.08 грн
10+	488.31 грн
25+	228.69 грн
100+	216.84 грн
500+	177.10 грн
1000+	175.70 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.55 грн
50+	222.45 грн
100+	203.54 грн
500+	159.92 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.84 грн
10+	299.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120A

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	640.06 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH15S120AKSA1 - IDH15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	981.01 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	936.37 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.44 грн
10+	246.16 грн
100+	195.92 грн
500+	190.35 грн
1000+	169.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	514.09 грн
10+	282.26 грн
100+	257.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH16G120C5XKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 16A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

на замовлення 471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.08 грн
50+	235.61 грн
100+	215.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	509.07 грн
50+	262.06 грн
100+	240.05 грн
500+	189.12 грн
1000+	187.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	430.31 грн
10+	374.18 грн
100+	197.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 4853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	370.12 грн
10+	293.47 грн
100+	229.39 грн
500+	214.75 грн
1000+	208.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 7546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.60 грн
10+	262.20 грн
100+	191.74 грн
500+	177.80 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.03 грн
10+	221.26 грн
100+	216.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1
Код товару: 150355

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V

на замовлення 7006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.35 грн
50+	191.70 грн
100+	182.87 грн
500+	156.62 грн
1000+	140.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	401.18 грн
37+	358.16 грн
50+	339.87 грн
100+	318.40 грн
200+	288.09 грн
500+	267.35 грн
1000+	259.05 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IDH16S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 16A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 16A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V

на замовлення 12385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	238.14 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IDH16S60CAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH16S60CAKSA1 - IDH16S60C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	292.03 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5XKSA1

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 0.168kA
Leakage current: 8.5µA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Power dissipation: 330W

на замовлення 494 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	509.76 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5XKSA1

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 56A TO220-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5XKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V

на замовлення 483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	567.90 грн
50+	296.47 грн
100+	272.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 157W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 119A
Leakage current: 4.1µA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 157W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	364.91 грн
42+	312.08 грн
100+	303.05 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	517.70 грн
50+	267.51 грн
100+	245.29 грн
500+	193.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	572.66 грн
10+	309.11 грн
100+	283.08 грн
500+	221.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	532.12 грн
32+	406.00 грн
100+	386.35 грн
500+	357.65 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	569.57 грн
10+	434.57 грн
100+	413.54 грн
500+	382.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	390.98 грн
10+	334.37 грн
100+	324.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	513.04 грн
29+	457.11 грн
50+	434.52 грн
100+	407.60 грн
200+	367.80 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	501.89 грн
10+	266.20 грн
100+	211.96 грн
500+	203.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	764.80 грн
25+	729.50 грн
50+	700.14 грн
100+	651.33 грн
250+	584.38 грн
500+	545.63 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 1227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	585.68 грн
10+	383.27 грн
100+	269.83 грн
500+	239.85 грн
1000+	212.66 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Power dissipation: 108W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	454.41 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V

на замовлення 1695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	534.17 грн
50+	276.94 грн
100+	254.10 грн
500+	200.92 грн
1000+	188.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	504.33 грн
10+	385.57 грн
100+	266.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH30E120

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDA12

Description: HEAD ADAPTER DA SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: DA Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDBDC12

Description: TOOL HEADER ADAPTER FOR IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDDDS12

Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: DD/DS Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDR12

Description: HEAD ADAPTER DR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: DR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHHR12

Description: HEAD ADAPTER HR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 24 AWG
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	44991.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHKR12

Description: HEAD ADAPTER KR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: KR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	44652.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHNR12

Description: HEAD ADAPTER NR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	32002.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHPREMKIT1PK

Intel

Development Software

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHSR20

Description: HEAD ADAPTER SR SERIES
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 30 AWG
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	111142.53 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHSSR20

Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 32 AWG
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	93067.84 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHVR12

Description: HEAD ADAPTER VR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: VR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHZR(F)20