Продукція > IDH

Description: HEAD ADAPTER DB SERIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH-DD/DS-12

Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH-KR-12

IDH-KR-12 Crimping Tools - Others

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	34595.15 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH-NR-12

IDH-NR-12 Crimping Tools - Others

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	27234.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH-SR-20

Category: Crimping Tools - Others
Description: Adapter; IDC; SR
Related items: IDB-12
Kind of connector: IDC
Application - series/manufacturer: SR
Type of spare part: adapter

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH-SR-20

Category: Crimping Tools - Others
Description: Adapter; IDC; SR
Related items: IDB-12
Kind of connector: IDC
Application - series/manufacturer: SR
Type of spare part: adapter
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH-SSR-20

Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	59587.93 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.31 грн
10+	92.40 грн
100+	84.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.87 грн
50+	76.51 грн
100+	74.61 грн
500+	60.51 грн
1000+	57.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.43 грн
10+	85.58 грн
100+	72.37 грн
500+	61.65 грн
1000+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH02G120C5XKSA1

IDH02G120C5XKSA1 THT Schottky diodes

на замовлення 464 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	230.47 грн
9+	138.07 грн
24+	130.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.50 грн
10+	73.02 грн
100+	52.09 грн
500+	40.35 грн
1000+	31.61 грн
2500+	29.84 грн
5000+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH02G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

468+	43.05 грн

Мінімальне замовлення: 468

В кошику од. на суму грн.

IDH02SG120

на замовлення 423 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02SG120

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH02SG120XKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 5
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.97 грн
10+	128.24 грн
100+	102.76 грн
500+	78.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

5th Generation thinQ SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03G65C5XKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.23 грн
10+	109.14 грн
100+	75.10 грн
500+	64.79 грн
1000+	52.57 грн
5000+	50.52 грн
10000+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60C

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

на замовлення 68889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	73.57 грн

Мінімальне замовлення: 288

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
10+	90.01 грн
100+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH03SG60CXKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	159.31 грн
10+	130.34 грн
100+	90.81 грн
500+	73.06 грн
2500+	70.32 грн
5000+	59.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04E120

INF

TO-220

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5

IDH04G65C5 THT Schottky diodes

на замовлення 136 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	197.54 грн
8+	153.85 грн
21+	145.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	99.66 грн
132+	98.02 грн
148+	87.90 грн
500+	56.86 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	183.69 грн
134+	96.59 грн
160+	81.15 грн

Мінімальне замовлення: 71

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	106.07 грн
50+	104.33 грн
100+	93.56 грн
500+	60.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V

на замовлення 1636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.95 грн
50+	105.34 грн
100+	86.67 грн
500+	68.83 грн
1000+	58.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.87 грн
10+	96.58 грн
100+	63.29 грн
500+	44.04 грн
1000+	41.99 грн
2500+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.29 грн
10+	130.63 грн
100+	78.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	175.21 грн
77+	168.53 грн
100+	162.81 грн
250+	152.24 грн
500+	137.13 грн

Мінімальне замовлення: 74

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6

Infineon SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	142.30 грн
113+	115.35 грн
120+	107.80 грн
500+	91.68 грн
1000+	79.22 грн

Мінімальне замовлення: 91

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	108.95 грн
10+	91.83 грн
100+	78.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1
Код товару: 177207

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V

на замовлення 6077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.84 грн
50+	76.70 грн
100+	68.94 грн
500+	51.89 грн
1000+	47.78 грн
2000+	44.32 грн
5000+	41.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.43 грн
10+	86.82 грн
100+	77.98 грн
500+	57.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	101.45 грн
152+	85.51 грн
178+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 2114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	159.31 грн
10+	76.95 грн
100+	59.88 грн
500+	47.79 грн
1000+	39.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60C
Код товару: 57914

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60CAKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 18279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

183+	116.32 грн

Мінімальне замовлення: 183

В кошику од. на суму грн.

IDH04S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.73 грн
10+	98.93 грн
100+	81.93 грн
500+	69.64 грн
1000+	54.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.82 грн
50+	108.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

IDH04SG60CXKSA2 THT Schottky diodes

на замовлення 150 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	109.39 грн
18+	67.06 грн
49+	63.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.03 грн
10+	111.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH04SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	55.95 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	401.09 грн
64+	204.30 грн
100+	185.22 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.24 грн
50+	124.16 грн
100+	112.46 грн
500+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	52.22 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	429.70 грн
50+	218.88 грн
100+	198.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.69 грн
10+	146.57 грн
100+	133.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	311.30 грн
10+	170.48 грн
25+	168.81 грн
50+	159.13 грн
100+	136.87 грн
250+	123.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	171.92 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.62 грн
10+	134.26 грн
100+	105.83 грн
500+	86.03 грн
1000+	78.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G120C5XKSA1

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	290.54 грн
82+	159.11 грн
83+	157.56 грн
84+	148.52 грн
100+	127.74 грн
250+	115.09 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.98 грн
10+	211.88 грн
100+	168.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	122.89 грн
500+	117.50 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.56 грн
10+	213.57 грн
25+	181.61 грн
100+	144.74 грн
500+	117.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05G65C5XKSA2

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH05S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05S120AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05S120AKSA1 - IDH05S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	364.82 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

IDH05S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05S60CAKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.44 грн
10+	215.14 грн
25+	178.20 грн
100+	157.72 грн
250+	155.67 грн
500+	132.46 грн
1000+	127.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05SG60CXKSA1 - IDH05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	148.96 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA1

на замовлення 12303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	150.13 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.17 грн
10+	222.99 грн
100+	152.26 грн
250+	141.33 грн
500+	122.21 грн
1000+	117.43 грн
2500+	113.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH05SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.44 грн
10+	187.99 грн
100+	148.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 54A
Leakage current: 1.2µA
Power dissipation: 62W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 51 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	107.53 грн
50+	67.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.29 грн
50+	55.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 2452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.53 грн
10+	98.93 грн
100+	73.06 грн
500+	62.81 грн
1000+	55.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.99 грн
28+	26.88 грн
29+	26.20 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	224.22 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.59 грн
10+	90.01 грн
100+	80.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V

на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.56 грн
50+	92.35 грн
100+	83.26 грн
500+	63.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	52.26 грн

Мінімальне замовлення: 248

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.41 грн
10+	135.41 грн
100+	101.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.87 грн
50+	93.54 грн
100+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 1268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.99 грн
10+	99.72 грн
100+	77.83 грн
500+	63.43 грн
1000+	55.24 грн
2500+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60C

Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH06S60CAKSA1 - IDH06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	187.99 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06S60CAKSA1

на замовлення 8468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	153.85 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60C

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	82.94 грн
10+	81.75 грн
25+	73.95 грн
50+	69.55 грн
100+	63.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

IDH06SG60CXKSA2 THT Schottky diodes

на замовлення 100 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	207.10 грн
12+	98.62 грн
33+	93.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	350.10 грн
10+	322.54 грн
25+	204.31 грн
50+	179.63 грн
100+	155.82 грн
250+	148.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.81 грн
10+	165.68 грн
100+	162.50 грн
500+	114.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	326.42 грн
44+	300.72 грн
68+	190.49 грн
75+	167.48 грн
100+	145.28 грн
250+	138.07 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	77.41 грн
170+	76.30 грн
188+	69.02 грн
193+	64.91 грн
196+	59.00 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

206+	157.39 грн
500+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 206

В кошику од. на суму грн.

IDH06SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.84 грн
10+	133.48 грн
100+	105.83 грн
500+	84.66 грн
1000+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.20 грн
10+	158.60 грн
100+	126.99 грн
500+	116.75 грн
1000+	109.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08G120C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.36 грн
50+	165.59 грн
100+	150.51 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	257.29 грн
10+	216.66 грн
100+	164.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5

IDH08G65C5 THT Schottky diodes

на замовлення 448 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	312.25 грн
5+	273.18 грн
12+	257.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: thinQ 5G 650V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	190.38 грн
10+	171.26 грн
100+	127.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	146.61 грн
90+	144.02 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.83 грн
10+	185.30 грн
100+	130.41 грн
250+	122.90 грн
500+	115.39 грн
1000+	99.00 грн
2500+	93.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2
Код товару: 188944

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	158.51 грн
10+	147.19 грн
25+	139.29 грн
100+	109.46 грн
250+	100.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	149.98 грн
93+	139.27 грн
99+	131.79 грн
121+	103.56 грн
250+	94.93 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	299.87 грн
46+	286.99 грн
50+	276.05 грн
100+	257.16 грн
250+	230.89 грн
500+	215.62 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	320.17 грн
57+	227.46 грн
69+	189.73 грн
1000+	166.32 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

IDH08G65C6 THT Schottky diodes

на замовлення 33 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	305.88 грн
8+	162.72 грн
20+	153.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.18 грн
50+	117.58 грн
100+	106.41 грн
500+	81.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.91 грн
10+	122.49 грн
100+	96.27 грн
500+	79.88 грн
1000+	73.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	279.59 грн
10+	136.21 грн
100+	123.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH08G65C6XKSA1

Rochester Electronics, LLC

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S120

Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH08S120AKSA1

Description: INFINEON - IDH08S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 7.5A, 27nC, TO-220
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 27
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 7.5
Produktpalette: thinQ 2G 1200V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.21 грн
10+	111.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IDH08S120AKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60CAKSA1

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08S60CAKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	520.67 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.95 грн
10+	301.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

на замовлення 1656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.69 грн
50+	145.74 грн
100+	144.24 грн
500+	130.55 грн
1000+	122.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	334.55 грн
10+	171.17 грн
100+	135.19 грн
500+	111.29 грн
1000+	104.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

IDH08SG60C THT Schottky diodes

на замовлення 23 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	408.90 грн
6+	197.24 грн
17+	186.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	347.23 грн
46+	283.61 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH08SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	367.21 грн
10+	329.77 грн
100+	270.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH08SG60CXKSA2

Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 310 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA1 - IDH09G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	171.26 грн

Мінімальне замовлення: 122

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	335.35 грн
10+	284.37 грн
100+	246.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	191.97 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	166.03 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

IDH09G65C5XKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	311.45 грн
10+	257.54 грн
100+	180.93 грн
250+	170.69 грн
500+	160.45 грн
1000+	137.92 грн
2500+	129.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA1

Rectifier Diode Schottky 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	395.89 грн
10+	349.69 грн
100+	305.88 грн
500+	283.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH09SG60CXKSA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.86 грн
50+	194.37 грн
100+	175.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 3194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	350.48 грн
10+	317.99 грн
25+	155.67 грн
100+	149.52 грн
250+	148.84 грн
500+	145.43 грн
1000+	118.12 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10G120C5XKSA1

Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.93 грн
10+	148.40 грн
100+	117.43 грн
500+	99.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

650V SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.05 грн
50+	137.10 грн
100+	124.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5XKSA2

Rochester Electronics, LLC

Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.33 грн
10+	175.24 грн
100+	159.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5ZXKSA1

Description: IDH10G65C5X - 650V SILICON CARBI

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C5ZXKSA2

Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V

на замовлення 1259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	288.04 грн
50+	117.47 грн
100+	114.85 грн
500+	99.19 грн
1000+	92.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.99 грн
10+	138.60 грн
100+	136.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

IDH10G65C6 THT Schottky diodes

на замовлення 39 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	269.77 грн
11+	114.40 грн
29+	108.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 1743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.54 грн
10+	123.27 грн
100+	104.46 грн
500+	94.90 грн
1000+	89.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10G65C6XKSA1

SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	614.79 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: INFINEON - IDH10S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 10A, 36nC, TO-220
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kapazitive Blindleistung Qc: 36
Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10
Produktpalette: thinQ 2G 1200V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	876.66 грн
70+	810.96 грн
200+	777.04 грн
400+	701.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH10S120AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S120AKSA1 - IDH10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	671.49 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60CAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S60CAKSA1 - IDH10S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 6810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	324.20 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V

на замовлення 6810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	299.92 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

IDH10S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60C

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.44 грн
50+	219.37 грн
100+	200.39 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.41 грн
10+	198.65 грн
100+	157.72 грн
500+	130.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	552.63 грн
27+	496.74 грн
28+	466.47 грн
50+	421.37 грн
100+	363.13 грн
250+	322.66 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	667.44 грн
27+	487.10 грн
50+	432.12 грн
100+	391.24 грн
200+	341.65 грн
500+	305.36 грн
1000+	286.51 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	408.63 грн
10+	224.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH10SG60CXKSA2

3rd Generation SiC Schottky Diode

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.78 грн
10+	462.66 грн
25+	447.68 грн
50+	398.71 грн
100+	346.43 грн
250+	310.82 грн
500+	280.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5

Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	503.45 грн
27+	481.82 грн
50+	463.46 грн
100+	431.75 грн
250+	387.64 грн
500+	362.01 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5
Код товару: 165219

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 2411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.33 грн
10+	380.02 грн
25+	172.74 грн
100+	157.03 грн
500+	131.09 грн
2500+	129.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.11 грн
50+	172.49 грн
100+	157.11 грн
500+	123.48 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	385.53 грн
10+	202.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2
Код товару: 177295

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C5XKSA2

Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	433.79 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	363.23 грн
10+	264.46 грн
100+	164.89 грн
500+	132.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1
Код товару: 150354

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	328.98 грн
10+	150.75 грн
100+	129.72 грн
500+	107.19 грн
1000+	105.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.99 грн
50+	186.04 грн
100+	169.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 12A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60C

IDH12SG60C THT Schottky diodes

на замовлення 33 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	308.00 грн
7+	186.39 грн
18+	176.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60C

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.53 грн
50+	217.83 грн
100+	199.31 грн
500+	156.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.23 грн
10+	262.07 грн
100+	236.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH12SG60CXKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	490.68 грн
10+	478.17 грн
25+	223.94 грн
100+	212.34 грн
500+	173.42 грн
1000+	172.06 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120A

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	626.77 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	916.93 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH15S120AKSA1 - IDH15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	960.64 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

IDH15S120AKSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G120C5XKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 16A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

на замовлення 471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	448.57 грн
50+	230.71 грн
100+	211.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.49 грн
10+	244.19 грн
100+	194.59 грн
500+	167.96 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G120C5XKSA1

Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.42 грн
10+	276.40 грн
100+	252.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA1

Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	421.38 грн
10+	366.41 грн
100+	193.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 4853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	362.43 грн
10+	287.37 грн
100+	224.63 грн
500+	210.29 грн
1000+	204.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	498.50 грн
50+	256.62 грн
100+	235.07 грн
500+	185.19 грн
1000+	183.17 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	402.09 грн
37+	358.97 грн
50+	340.65 грн
100+	319.13 грн
200+	288.75 грн
500+	267.96 грн
1000+	259.64 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V

на замовлення 7006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.37 грн
50+	187.72 грн
100+	179.08 грн
500+	153.37 грн
1000+	137.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 7546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	403.06 грн
10+	256.75 грн
100+	187.76 грн
500+	174.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1
Код товару: 150355

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH16G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	345.70 грн
10+	216.66 грн
100+	211.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH16S60C

Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 16A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH16S60CAKSA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 16A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V

на замовлення 12385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	233.19 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

IDH16S60CAKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH16S60CAKSA1 - IDH16S60C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	285.96 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5XKSA1

Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	556.11 грн
50+	317.50 грн
100+	297.01 грн
500+	243.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G120C5XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.31 грн
10+	300.72 грн
100+	243.74 грн
500+	219.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	560.77 грн
10+	302.69 грн
100+	277.20 грн
500+	216.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	391.87 грн
10+	335.13 грн
100+	325.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	533.33 грн
32+	406.92 грн
100+	387.23 грн
500+	358.47 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	570.87 грн
10+	435.56 грн
100+	414.48 грн
500+	383.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	514.21 грн
29+	458.15 грн
50+	435.51 грн
100+	408.52 грн
200+	368.64 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.82 грн
10+	341.55 грн
100+	279.25 грн
500+	260.13 грн
1000+	253.99 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	521.54 грн
50+	318.42 грн
100+	291.71 грн
500+	245.20 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C5XKSA2

Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	365.74 грн
42+	312.79 грн
100+	303.74 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	826.06 грн
25+	787.92 грн
50+	756.21 грн
100+	703.50 грн
250+	631.18 грн
500+	589.33 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	499.27 грн
50+	259.72 грн
100+	238.41 грн
500+	190.10 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	493.86 грн
10+	377.57 грн
100+	261.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	337.85 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

IDH20G65C6XKSA1

SiC Schottky Diodes SIC DIODES

на замовлення 2533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	515.37 грн
10+	277.17 грн
100+	221.21 грн
500+	195.27 грн

В кошику од. на суму грн.

IDH30E120

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDA12

Description: HEAD ADAPTER DA SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: DA Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDBDC12

Description: TOOL HEADER ADAPTER FOR IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDDDS12

Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: DD/DS Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHDR12

Description: HEAD ADAPTER DR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: DR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHHR12

Description: HEAD ADAPTER HR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 24 AWG
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	44057.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHKR12

Description: HEAD ADAPTER KR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: KR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	43725.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHNR12

Description: HEAD ADAPTER NR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	31337.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHPREMKIT1PK

Intel

Development Software

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHSR20

Description: HEAD ADAPTER SR SERIES
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 30 AWG
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12
Part Status: Active

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	108834.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHSSR20

Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 32 AWG
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	91135.47 грн

В кошику од. на суму грн.

IDHVR12

Description: HEAD ADAPTER VR SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: VR Series IDC Connectors
Tool Type: Die Head
Compatible Tools: IDB-12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IDHZR(F)20