Продукція > IDH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDH-10LP-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | Conn Shrouded Header (4 Sides) HDR 10 POS 2.54mm Solder ST Top Entry Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-10PK1-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | Conn Wire to Board HDR 10 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-14PK2-SR3-TG | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 14POS 2.54mm SOL THRU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-14PK2-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 14POS 2.54mm SOL THRU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-16LP-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 16POS 2.54mm SOL THRU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-16LP-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 16POS 2.54mm SOL THRU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-26PK-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | Conn Wire to Board HDR 26 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-34PK2-SR3-TG30 | 3M Interconnect Solutions | Conn Wire to Board HDR 34 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-34PK2-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | CONN Wire to Board HDR 34POS 2.54mm SOL THRU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-40LP-S3-TR | 3M Interconnect Solutions | Conn Shrouded Header (4 Sides) HDR 40 POS 2.54mm Solder ST Top Entry Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-50LP-SR3-TR | 3M Interconnect Solutions | D0006445 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-50PK1-SR3-TG | 3M Interconnect Solutions | ACCESS D SUB JUNCTION SHELL PLASTIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-DB/DC-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | HEAD ADAPTER DB SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-DB/DC12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DB SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-DD/DS-12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-DD/DS-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | IDH Series Head Adaptor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-DR-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | Pistol Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-KR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDC; KR Related items: IDB-12 Application - series/manufacturer: KR Kind of connector: IDC Type of spare part: adapter | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH-KR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDC; KR Related items: IDB-12 Application - series/manufacturer: KR Kind of connector: IDC Type of spare part: adapter кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH-NR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDC; NR Related items: IDB-12 Application - series/manufacturer: NR Kind of connector: IDC Type of spare part: adapter | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH-NR-12 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDC; NR Related items: IDB-12 Application - series/manufacturer: NR Kind of connector: IDC Type of spare part: adapter кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH-NR-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | Pistol Tool, Head Adaptor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-SR-20 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDC; SR Related items: IDB-12 Application - series/manufacturer: SR Kind of connector: IDC Type of spare part: adapter кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-SR-20 | J.S.T. Deutschland GmbH | Applicator For Pistol Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-SR-20 | JST | Category: Crimping Tools - Others Description: Adapter; IDC; SR Related items: IDB-12 Application - series/manufacturer: SR Kind of connector: IDC Type of spare part: adapter | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-SSR-20 | J.S.T. Deutschland GmbH | Applicator For Pistol Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-SSR-20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH-VR-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | Head Adaptor For Pistol Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH-ZR(F)-20 | J.S.T. Deutschland GmbH | Applicator For Pistol Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G120C5 | Infineon technologies | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; PG-TO220-2; 75W Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Leakage current: 1.2µA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 37A Power dissipation: 75W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; PG-TO220-2; 75W Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Kind of package: tube Leakage current: 1.2µA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 37A Power dissipation: 75W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 11.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A | на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 2A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH02SG120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH02SG120 | Infineon technologies | на замовлення 423 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH02SG120XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 5 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | на замовлення 68889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Generation thinQ SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04E120 | INF | TO-220 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH04G65C5 THT Schottky diodes | на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V | на замовлення 1636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 Код товару: 177207
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V | на замовлення 7047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04S60C Код товару: 57914
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH04S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 18279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V | на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; PG-TO220-2; 109W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 59A Leakage current: 2.5µA Power dissipation: 109W Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05S120AKSA1 - IDH05S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | на замовлення 12303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05SG60CXKSA1 - IDH05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH06G65C5 THT Schottky diodes | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 3171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60C | Infineon Technologies | Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH06S60CAKSA1 - IDH06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | на замовлення 8468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60C | Infineon technologies | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH06SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; PG-TO220-2; Ir: 3uA Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3µA Max. forward voltage: 1.65V Load current: 8A Max. forward impulse current: 70A Power dissipation: 126W Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: PG-TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 22.8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH08G65C5 THT Schottky diodes | на замовлення 448 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: thinQ 5G 650V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 Код товару: 188944
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH08G65C6 THT Schottky diodes | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120 | Rochester Electronics, LLC | Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 7.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120AKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 7.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S120AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 7.5A, 27nC, TO-220 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kapazitive Blindleistung Qc: 27 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 7.5 Produktpalette: thinQ 2G 1200V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7.5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; PG-TO220-2; 100W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 42A Kind of package: tube Leakage current: 0.6µA Power dissipation: 100W | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH08SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 12 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; PG-TO220-2; 100W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 42A Kind of package: tube Leakage current: 0.6µA Power dissipation: 100W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 310 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA1 - IDH09G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | Infineon | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH09SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 525pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 31.9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 340 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 650V SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C5ZXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: IDH10G65C5X - 650V SILICON CARBI | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C5ZXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDH10G65C6 THT Schottky diodes | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 1743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V | на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10S120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10S120AKSA1 - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe thinQ 2G 1200V, einfach, 1.2kV, 10A, 36nC, TO-220 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kapazitive Blindleistung Qc: 36 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 10 Produktpalette: thinQ 2G 1200V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S120AKSA1 - IDH10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10S60C | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH10S60CAKSA1 - IDH10S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5 Код товару: 165219
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH12G65C5 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 2.4µA Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Max. forward impulse current: 83A Power dissipation: 104W Max. off-state voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 Код товару: 177295
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH12G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 Код товару: 150354
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 12A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 12A; PG-TO220-2; Ir: 1uA Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 59A Kind of package: tube Leakage current: 1µA Power dissipation: 125W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 12A; PG-TO220-2; Ir: 1uA Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO220-2 Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 59A Kind of package: tube Leakage current: 1µA Power dissipation: 125W | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2 | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH12SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH15S120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH15S120A | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1.2 V | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH15S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH15S120AKSA1 - IDH15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH15S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 40A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 16A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 4853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 Код товару: 150355
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH16G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 21.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | на замовлення 7006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 7546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 16A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 16A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | на замовлення 12385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH16S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH16S60CAKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH16S60CAKSA1 - IDH16S60C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5 | Infineon technologies | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 123 µA @ 1200 V | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: CoolSiC 6G 650V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V | на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDH20G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDH30E120 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDA12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DA SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: DA Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDBDC12 | JST Sales America Inc. | Description: TOOL HEADER ADAPTER FOR IDB-12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDDDS12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: DD/DS Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHDR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: DR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHHR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER HR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 24 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHKR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER KR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: KR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHNR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER NR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: NR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHPREMKIT1PK | Intel | Development Software | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHSR20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SR SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 30 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHSSR20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 32 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDHVR12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER VR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: VR Series IDC Connectors Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDHZR(F)20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER ZR SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Rectangular IDC Connectors, 28-30 AWG Tool Type: Die Head Compatible Tools: IDB-12 Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|