Продукція > IDH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IDH-DB/DC-12JSTCategory: Crimping Tools - Others
Description: Adapter; IDC; DB/DC
Type of crimping tool accessories: adapter
Crimp tool application: IDC
Related items: IDB-12
Application - series/manufacturer: DB/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH-DB/DC12JST Sales America Inc.Description: HEAD ADAPTER DB SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH-DD/DS-12JST Sales America Inc.Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH-KR-12JSTCategory: Crimping Tools - Others
Description: Adapter; IDC; KR
Type of crimping tool accessories: adapter
Crimp tool application: IDC
Related items: IDB-12
Application - series/manufacturer: KR
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+33828.80 грн
2+29304.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH-NR-12JSTCategory: Crimping Tools - Others
Description: Adapter; IDC; NR
Type of crimping tool accessories: adapter
Crimp tool application: IDC
Related items: IDB-12
Application - series/manufacturer: NR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+25913.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH-SR-20JSTCategory: Crimping Tools - Others
Description: Adapter; IDC; SR
Type of crimping tool accessories: adapter
Related items: IDB-12
Crimp tool application: IDC
Application - series/manufacturer: SR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+86513.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH-SSR-20JST Sales America Inc.Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+60806.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5Infineon technologies
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+87.27 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G65C5Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2201
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G65C5XKSA2InfineonIDH02G65C5XKSA2 IDH02G65C SCHOTTKY 650V 2A TO220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02SG120Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02SG120XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA2InfineonIDH03G65C5XKSA2 IDH03G65C SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 5
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA2Infineon Technologies5th Generation thinQ SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CInfineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Bulk
на замовлення 68889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04E120INFTO-220
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.84 грн
134+105.60 грн
160+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.35 грн
50+87.07 грн
100+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.24 грн
50+106.46 грн
100+95.48 грн
500+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.96 грн
132+107.17 грн
148+96.11 грн
500+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6Infineon TechnologiesInfineon SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.67 грн
75+191.10 грн
100+184.61 грн
250+172.63 грн
500+155.49 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.32 грн
10+154.58 грн
50+133.47 грн
100+107.08 грн
500+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1
Код товару: 177207
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.49 грн
93+153.32 грн
107+132.38 грн
129+106.22 грн
500+68.67 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.17 грн
10+157.78 грн
50+134.52 грн
100+106.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.04 грн
10+164.20 грн
50+139.82 грн
100+110.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+124.61 грн
50+95.15 грн
100+80.40 грн
500+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.78 грн
106+134.52 грн
129+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60CInfineonSCHOTTKY 600V 4A TO220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60C
Код товару: 57914
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Bulk
на замовлення 18279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+118.70 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04S60CAKSA1Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
50+110.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 25uA
Max. forward impulse current: 18A
Max. forward voltage: 2.3V
Technology: CoolSiC™; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Case: PG-TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+66.25 грн
50+61.22 грн
100+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04SG60CXKSA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.49 грн
50+223.35 грн
100+202.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.66 грн
10+173.97 грн
25+172.27 грн
50+162.39 грн
100+139.67 грн
250+125.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.97 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesSiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+317.66 грн
82+173.97 грн
83+172.27 грн
84+162.39 грн
100+139.67 грн
250+125.84 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+438.53 грн
64+223.37 грн
100+202.51 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
50+145.22 грн
100+131.36 грн
500+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G120C5XKSA1Infineon TechnologiesDiode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G65C5XKSA2Infineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G65C5XKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDiode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05G65C5XKSA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05S120InfineonSCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05S120AKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05S120AKSA1 - IDH05S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05S120AKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2202
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05S60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05S60CAKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05SG60CInfineon TechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDH05SG60CXKSA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 12303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+153.20 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.