НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSS 4 14 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 14 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 22.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 22.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+694.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+694.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 2 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 3.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 3 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 4.8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 4 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 6.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.695" (17.65mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
52+6.13 грн
60+5.27 грн
72+4.13 грн
77+3.87 грн
100+3.70 грн
250+3.24 грн
500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
61+5.19 грн
67+4.72 грн
74+4.01 грн
80+3.70 грн
100+3.45 грн
250+3.09 грн
500+2.90 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.070" (27.18mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 7439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
64+4.95 грн
77+3.87 грн
82+3.61 грн
100+3.47 грн
250+3.03 грн
500+2.88 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.195" (4.95mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
52+6.13 грн
56+5.66 грн
61+4.84 грн
67+4.47 грн
100+4.16 грн
250+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.383" (9.73mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
52+6.13 грн
55+5.74 грн
61+4.87 грн
66+4.50 грн
100+4.19 грн
250+3.76 грн
500+3.53 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.445" (11.30mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.508" (12.90mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
55+5.82 грн
63+5.03 грн
75+3.95 грн
80+3.70 грн
100+3.55 грн
250+3.10 грн
500+2.94 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.570" (14.48mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
64+4.95 грн
77+3.87 грн
82+3.61 грн
100+3.47 грн
250+3.03 грн
500+2.88 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
65+4.87 грн
78+3.81 грн
83+3.59 грн
100+3.44 грн
250+3.01 грн
500+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
65+4.87 грн
78+3.81 грн
83+3.59 грн
100+3.44 грн
250+3.01 грн
500+2.86 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
65+4.87 грн
78+3.81 грн
83+3.59 грн
100+3.44 грн
250+3.01 грн
500+2.86 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
53+5.97 грн
61+5.19 грн
74+4.01 грн
79+3.78 грн
100+3.61 грн
250+3.16 грн
500+3.00 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
53+5.97 грн
61+5.19 грн
74+4.01 грн
79+3.78 грн
100+3.61 грн
250+3.16 грн
500+3.00 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
50+6.29 грн
55+5.74 грн
61+4.84 грн
66+4.49 грн
100+4.18 грн
250+3.75 грн
500+3.52 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
64+4.95 грн
77+3.84 грн
82+3.61 грн
100+3.47 грн
250+3.03 грн
500+2.88 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
52+6.13 грн
60+5.27 грн
72+4.10 грн
77+3.85 грн
100+3.70 грн
250+3.23 грн
500+3.07 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
53+5.97 грн
58+5.50 грн
64+4.63 грн
69+4.29 грн
100+3.99 грн
250+3.58 грн
500+3.35 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
56+5.66 грн
65+4.87 грн
77+3.84 грн
82+3.60 грн
100+3.44 грн
250+3.01 грн
500+2.86 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
50+6.29 грн
58+5.42 грн
70+4.25 грн
74+4.00 грн
100+3.82 грн
250+3.34 грн
500+3.17 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
63+5.03 грн
75+3.98 грн
80+3.73 грн
100+3.57 грн
250+3.12 грн
500+2.97 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 9245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
63+5.03 грн
75+3.98 грн
80+3.73 грн
100+3.57 грн
250+3.12 грн
500+2.97 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
50+6.29 грн
58+5.42 грн
69+4.28 грн
74+4.01 грн
100+3.84 грн
250+3.35 грн
500+3.19 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.16 грн
53+5.97 грн
57+5.58 грн
64+4.66 грн
69+4.34 грн
100+4.03 грн
250+3.61 грн
500+3.39 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G16D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1001CLTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.50 грн
10+46.95 грн
100+26.64 грн
500+20.53 грн
1000+19.09 грн
3000+16.15 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1002CLTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.50 грн
10+46.95 грн
100+26.64 грн
500+20.53 грн
1000+19.09 грн
3000+16.15 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS10200
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1020010 SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.61 грн
10+41.35 грн
100+30.88 грн
500+22.77 грн
1000+17.59 грн
2000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.59 грн
10+39.48 грн
100+23.54 грн
500+18.79 грн
1000+16.30 грн
8000+10.72 грн
24000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.45 грн
10+42.26 грн
100+27.77 грн
500+22.11 грн
1000+17.36 грн
3000+15.17 грн
9000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCG
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.90 грн
10+37.10 грн
100+25.79 грн
500+18.90 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.50 грн
18+39.43 грн
25+39.06 грн
100+27.64 грн
250+25.34 грн
500+17.43 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+36.79 грн
23+31.31 грн
25+28.97 грн
100+18.26 грн
250+16.08 грн
500+14.64 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: bipolar
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.70 грн
10+29.39 грн
78+14.24 грн
214+13.49 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.53 грн
8000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 10248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.83 грн
13+25.70 грн
100+17.87 грн
500+13.10 грн
1000+10.64 грн
2000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.08 грн
14+24.99 грн
100+15.85 грн
500+12.83 грн
1000+9.96 грн
4000+9.73 грн
8000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.60 грн
31+28.19 грн
100+14.90 грн
500+12.81 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+31.80 грн
27+26.66 грн
100+14.55 грн
1000+11.61 грн
3000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON10+ROHS SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G
Код товару: 113923
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.90 грн
500+12.81 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.72 грн
12+29.85 грн
100+13.21 грн
3000+9.13 грн
9000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+24.88 грн
901+13.58 грн
1089+11.24 грн
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GONSOT363
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.47 грн
12+31.15 грн
100+18.41 грн
500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.39 грн
500+11.55 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 28745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.28 грн
13+26.02 грн
100+15.60 грн
500+13.55 грн
1000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.01 грн
50+23.70 грн
100+14.39 грн
500+11.55 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
6000+8.67 грн
9000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A
на замовлення 76274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.87 грн
12+30.11 грн
100+12.68 грн
1000+11.02 грн
3000+8.38 грн
9000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.30 грн
10+63.83 грн
100+42.20 грн
500+30.91 грн
1000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2G
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.36 грн
10+64.30 грн
100+38.71 грн
500+32.37 грн
1000+27.54 грн
3000+24.52 грн
6000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.09 грн
6000+24.19 грн
9000+23.22 грн
15000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.03 грн
10+39.83 грн
100+30.56 грн
500+26.86 грн
1000+24.00 грн
3000+22.94 грн
6000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.48 грн
10+63.59 грн
100+42.09 грн
500+30.82 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 355368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.73 грн
10+49.44 грн
100+34.19 грн
500+25.64 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-LC-V-T/RDiptronicsSlide Switches Slide Type 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-RC-V-T/RDiptronicsSlide Switches SLIDE SWITCH 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LonsemiBipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+51.25 грн
17+42.59 грн
25+40.73 грн
100+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.77 грн
10+35.21 грн
100+22.76 грн
500+16.27 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.82 грн
14+26.29 грн
100+16.60 грн
250+14.87 грн
500+12.60 грн
1000+11.92 грн
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.89 грн
6000+12.26 грн
9000+11.69 грн
15000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
7+50.45 грн
10+43.74 грн
100+29.51 грн
500+23.62 грн
1000+18.94 грн
2000+16.30 грн
10000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+42.72 грн
363+33.73 грн
365+33.57 грн
500+25.18 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.98 грн
10+40.40 грн
100+28.12 грн
500+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.33 грн
500+21.54 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.38 грн
16+46.23 грн
25+45.77 грн
100+34.85 грн
250+32.11 грн
500+23.98 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.53 грн
2000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.76 грн
22+39.11 грн
100+26.33 грн
500+21.54 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 101694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1596+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 1596
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.92 грн
10+43.04 грн
100+25.96 грн
500+20.30 грн
1000+14.79 грн
4000+14.71 грн
8000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZT1G
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.23 грн
50+25.40 грн
100+17.27 грн
500+12.89 грн
1500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
6000+9.14 грн
9000+9.04 грн
15000+8.37 грн
21000+7.68 грн
30000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+14.15 грн
1105+11.07 грн
1145+10.69 грн
1156+10.21 грн
1168+9.35 грн
3000+8.36 грн
6000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.16 грн
11+28.69 грн
100+18.40 грн
500+13.08 грн
1000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.88 грн
46+15.31 грн
47+15.16 грн
100+11.44 грн
250+10.23 грн
500+9.72 грн
1000+9.62 грн
3000+8.96 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 77846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
13+27.42 грн
100+15.09 грн
500+11.85 грн
1000+10.11 грн
3000+8.45 грн
6000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
6000+9.73 грн
9000+9.26 грн
15000+8.20 грн
21000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.21 грн
500+11.79 грн
1500+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
6000+8.50 грн
9000+8.41 грн
15000+7.79 грн
21000+7.15 грн
30000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4onsemiBipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.76 грн
18+48.67 грн
100+29.97 грн
500+22.17 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.79 грн
10+40.80 грн
100+28.38 грн
500+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.30 грн
13+58.16 грн
25+57.60 грн
100+42.57 грн
250+39.02 грн
500+29.49 грн
1000+23.45 грн
3000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.53 грн
10+56.06 грн
100+37.35 грн
500+29.58 грн
1000+23.62 грн
2000+21.36 грн
10000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.70 грн
2000+16.10 грн
5000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.90 грн
500+30.81 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.76 грн
297+41.20 грн
300+40.79 грн
500+30.96 грн
1000+22.80 грн
3000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.00 грн
17+41.45 грн
25+41.09 грн
100+30.55 грн
250+27.92 грн
500+21.44 грн
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.26 грн
10+35.21 грн
100+24.45 грн
500+17.92 грн
1000+14.56 грн
2000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+38.35 грн
414+29.57 грн
419+29.19 грн
524+22.51 грн
1000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
на замовлення 16524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.14 грн
11+33.41 грн
100+20.07 грн
500+16.75 грн
1000+13.21 грн
4000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.93 грн
500+36.08 грн
1000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.05 грн
12+73.82 грн
100+48.93 грн
500+36.08 грн
1000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+71.51 грн
100+41.20 грн
500+32.60 грн
1000+30.34 грн
3000+25.73 грн
6000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.76 грн
10+67.17 грн
100+39.69 грн
500+31.47 грн
1000+28.83 грн
2500+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
5000+26.16 грн
7500+25.10 грн
12500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.88 грн
13+70.35 грн
100+50.11 грн
500+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 20988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.20 грн
10+66.89 грн
100+44.40 грн
500+32.58 грн
1000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON Semiconductor
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.38 грн
10+54.71 грн
100+42.49 грн
500+33.81 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 5829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.81 грн
10+48.81 грн
100+31.91 грн
500+23.11 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.72 грн
50+43.51 грн
100+30.81 грн
500+24.21 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+60.87 грн
14+52.61 грн
25+50.07 грн
100+38.62 грн
250+35.40 грн
500+28.09 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.51 грн
5000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 120...360
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.71 грн
10+48.60 грн
100+27.62 грн
500+21.36 грн
1000+19.32 грн
2500+16.98 грн
5000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS200-50NAE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.24 грн
41+17.13 грн
42+17.01 грн
100+8.04 грн
250+7.38 грн
500+7.02 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.56 грн
42+8.33 грн
3000+3.77 грн
9000+3.09 грн
24000+2.87 грн
45000+2.72 грн
99000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
23+13.68 грн
100+8.54 грн
500+5.91 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1571+7.79 грн
1586+7.71 грн
1601+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 1571
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.16 грн
10+39.85 грн
100+27.58 грн
500+21.63 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.14 грн
6000+16.55 грн
9000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.43 грн
500+10.06 грн
1500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.54 грн
6000+6.66 грн
9000+6.35 грн
15000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 13766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.14 грн
15+24.47 грн
100+10.34 грн
1000+9.21 грн
3000+6.49 грн
9000+5.73 грн
24000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.16 грн
50+23.36 грн
100+11.43 грн
500+10.06 грн
1500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 17479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.94 грн
18+17.92 грн
100+12.05 грн
500+8.76 грн
1000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+24.55 грн
729+16.78 грн
737+16.60 грн
1034+11.41 грн
1265+8.63 грн
3000+8.21 грн
6000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 4A/20VONSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.90 грн
6000+16.33 грн
9000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.34 грн
10+39.30 грн
100+27.21 грн
500+21.34 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.27 грн
50+21.25 грн
100+14.14 грн
500+9.83 грн
1500+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.50 грн
6000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A
на замовлення 11679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.54 грн
14+25.69 грн
100+12.45 грн
1000+8.53 грн
3000+7.47 грн
9000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.14 грн
500+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 7226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.02 грн
16+20.04 грн
100+13.50 грн
500+9.84 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.26 грн
10+36.55 грн
100+25.27 грн
500+19.82 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.45 грн
10+43.82 грн
100+29.20 грн
500+23.09 грн
1000+18.41 грн
3000+16.68 грн
6000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
10+34.66 грн
100+25.86 грн
500+19.07 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.22 грн
10+41.13 грн
100+23.39 грн
500+17.96 грн
1000+15.70 грн
3000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GONWDFN3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.73 грн
10+39.83 грн
100+24.52 грн
250+24.45 грн
500+18.71 грн
1000+15.70 грн
3000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.98 грн
10+40.17 грн
100+30.00 грн
500+22.12 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON Semiconductor
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON08NOPB
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.98 грн
10+31.60 грн
100+21.59 грн
500+15.95 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 7329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.08 грн
10+38.79 грн
100+23.54 грн
500+18.41 грн
1000+14.94 грн
3000+12.75 грн
9000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+45.40 грн
359+34.07 грн
500+26.27 грн
1000+18.01 грн
3000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2G
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.98 грн
9000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
на замовлення 118007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.21 грн
12+29.94 грн
100+19.92 грн
500+16.53 грн
1000+13.96 грн
3000+12.83 грн
9000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.53 грн
42+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.92 грн
15+49.15 грн
25+48.64 грн
100+35.23 грн
250+32.60 грн
500+25.02 грн
1000+18.53 грн
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+33.17 грн
100+22.69 грн
500+16.79 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.95 грн
6000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.90 грн
10+36.87 грн
100+25.60 грн
500+18.76 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.12 грн
10+41.48 грн
100+26.94 грн
500+21.20 грн
1000+16.37 грн
3000+13.88 грн
9000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.01 грн
10+82.35 грн
100+49.20 грн
500+38.71 грн
1000+34.64 грн
3000+30.94 грн
6000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.54 грн
10+71.92 грн
100+48.08 грн
500+35.52 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKBussmann / EatonLabels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: Black
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: White
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.52 грн
10+38.53 грн
100+22.94 грн
500+18.11 грн
1000+16.53 грн
3000+13.43 грн
9000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+35.69 грн
100+24.45 грн
500+18.11 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.02 грн
6000+14.31 грн
9000+13.74 грн
15000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.89 грн
13+27.60 грн
100+16.60 грн
500+15.32 грн
1000+14.56 грн
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.37 грн
10+31.68 грн
100+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+9.76 грн
73+9.60 грн
74+9.45 грн
100+8.96 грн
250+8.17 грн
500+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.85 грн
500+10.77 грн
1000+8.34 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.20 грн
17+19.49 грн
100+13.16 грн
500+9.60 грн
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.10 грн
28+25.19 грн
33+21.39 грн
100+13.59 грн
250+12.46 грн
500+11.84 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+19.97 грн
930+13.15 грн
940+13.02 грн
949+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.86 грн
34+25.56 грн
100+16.85 грн
500+10.77 грн
1000+8.34 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.54 грн
15+24.21 грн
100+12.38 грн
1000+8.15 грн
3000+7.85 грн
9000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
6000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONSEMINSS30101LT1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+32.95 грн
29+24.50 грн
100+12.79 грн
250+11.72 грн
500+11.14 грн
1000+7.73 грн
3000+7.46 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.45 грн
18+20.31 грн
100+9.66 грн
1000+8.68 грн
3000+6.94 грн
9000+6.79 грн
24000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+22.87 грн
989+12.38 грн
999+12.25 грн
1009+11.70 грн
1454+7.51 грн
3000+6.96 грн
6000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 535
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.20 грн
17+19.49 грн
100+13.16 грн
500+9.60 грн
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON09+
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.13 грн
10+43.56 грн
100+24.68 грн
500+18.94 грн
1000+17.13 грн
3000+13.51 грн
6000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 1.75W; TSOP6
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOP6
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON07NOPB
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GONTSOP-6 0719+
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.93 грн
10+40.17 грн
100+26.14 грн
500+18.86 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1
на замовлення 12814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GONSSOP8
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.79 грн
10+58.09 грн
100+40.44 грн
500+30.51 грн
1000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8TIGonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.12 грн
10+41.22 грн
100+26.86 грн
500+21.05 грн
1000+16.45 грн
3000+13.96 грн
9000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 357599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1565+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1565
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+10.76 грн
70+10.10 грн
71+9.94 грн
100+8.58 грн
250+7.92 грн
500+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHEaton BussmannDescription: TERM BLOCK W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3PP-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 19258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.45 грн
16+22.39 грн
100+12.60 грн
500+9.73 грн
1000+8.53 грн
3000+7.17 грн
9000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+25.33 грн
41+17.26 грн
100+11.04 грн
250+9.74 грн
500+9.25 грн
1000+8.16 грн
3000+6.19 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+23.45 грн
52+16.59 грн
100+10.58 грн
500+9.04 грн
1500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.73 грн
15+21.38 грн
100+13.61 грн
500+9.59 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+16.11 грн
1146+10.68 грн
1201+10.18 грн
1215+9.71 грн
1377+7.94 грн
3000+5.78 грн
6000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.70 грн
6000+7.49 грн
9000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 185658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+5.21 грн
137+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.58 грн
500+9.04 грн
1500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4116+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 159923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 206153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
791+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 791
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Current gain: 200
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.54W
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.55 грн
12+25.86 грн
50+17.92 грн
90+12.36 грн
247+11.70 грн
500+11.60 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
6000+8.14 грн
9000+7.74 грн
15000+6.84 грн
21000+6.59 грн
30000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
на замовлення 224847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.86 грн
16+22.39 грн
100+13.58 грн
500+10.64 грн
1000+9.89 грн
3000+8.07 грн
6000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.38 грн
50+22.35 грн
100+15.91 грн
500+12.18 грн
1500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+22.46 грн
1030+11.88 грн
1072+11.42 грн
1084+10.89 грн
1108+9.86 грн
3000+8.05 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 43199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
13+24.45 грн
100+15.57 грн
500+11.02 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
6000+9.20 грн
9000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Current gain: 200
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.54W
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 40V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.63 грн
19+20.75 грн
50+14.93 грн
90+10.30 грн
247+9.75 грн
500+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.60 грн
29+24.34 грн
30+24.07 грн
100+12.27 грн
250+10.92 грн
500+10.37 грн
1000+10.14 грн
3000+8.63 грн
6000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.91 грн
500+12.18 грн
1500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300onsemionsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.82 грн
11+78.81 грн
100+51.38 грн
500+36.94 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+71.51 грн
100+41.20 грн
500+32.60 грн
1000+30.34 грн
3000+25.73 грн
6000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.38 грн
500+36.94 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.26 грн
10+73.18 грн
25+61.25 грн
100+44.81 грн
250+38.57 грн
500+34.74 грн
1000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2onsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.40 грн
5000+24.41 грн
7500+23.40 грн
12500+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.36 грн
10+62.39 грн
100+35.92 грн
500+28.07 грн
1000+25.51 грн
2500+22.71 грн
5000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.67 грн
10+63.04 грн
100+41.71 грн
500+30.54 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON Semiconductor
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.94 грн
10+62.31 грн
100+35.47 грн
500+28.83 грн
1000+26.49 грн
2500+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.30 грн
10+64.06 грн
100+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON Semiconductor
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 175...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.40 грн
2000+16.97 грн
3000+16.10 грн
5000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+16.78 грн
43+16.27 грн
100+15.43 грн
250+14.06 грн
500+13.28 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.44 грн
200+25.94 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.57 грн
10+37.75 грн
100+22.49 грн
500+17.88 грн
1000+15.54 грн
2000+14.19 грн
5000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.09 грн
22+38.94 грн
50+33.44 грн
200+25.94 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.38 грн
10+41.58 грн
100+27.00 грн
500+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 31720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+36.63 грн
100+23.67 грн
500+16.95 грн
1000+15.25 грн
2000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.20 грн
10+36.19 грн
100+20.83 грн
500+16.22 грн
1000+13.28 грн
4000+12.53 грн
8000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3G
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300UT001
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301onsemi NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.82 грн
11+78.81 грн
100+51.38 грн
500+36.94 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.26 грн
10+73.18 грн
25+61.25 грн
100+44.81 грн
250+38.57 грн
500+34.74 грн
1000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+71.51 грн
100+41.20 грн
500+32.60 грн
1000+30.34 грн
3000+25.73 грн
6000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.38 грн
500+36.94 грн
1000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 14934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.24 грн
10+61.01 грн
100+37.73 грн
500+29.88 грн
1000+27.17 грн
2500+23.47 грн
5000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.50 грн
15+57.56 грн
100+39.79 грн
500+35.37 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.30 грн
10+64.06 грн
100+42.36 грн
500+31.03 грн
1000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.79 грн
500+35.37 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.61 грн
2000+15.38 грн
3000+14.57 грн
5000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.92 грн
28+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+23.80 грн
34+20.92 грн
100+17.89 грн
500+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.67 грн
10+38.04 грн
100+24.63 грн
500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.20 грн
10+35.75 грн
100+20.98 грн
500+16.68 грн
1000+15.17 грн
2000+12.30 грн
10000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+19.53 грн
733+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 627
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.79 грн
10+41.05 грн
100+23.24 грн
500+17.73 грн
1000+14.49 грн
4000+12.90 грн
8000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.67 грн
10+38.04 грн
100+24.63 грн
500+17.67 грн
1000+15.91 грн
2000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301UT001
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.22 грн
10+86.39 грн
100+58.06 грн
500+43.07 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.20 грн
500+48.18 грн
1000+34.10 грн
5000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.21 грн
5000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.20 грн
11+84.14 грн
100+61.20 грн
500+48.18 грн
1000+34.10 грн
5000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
на замовлення 10292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.50 грн
10+90.25 грн
100+52.45 грн
500+41.43 грн
1000+37.88 грн
2500+34.03 грн
5000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1GonsemiDescription: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 1603
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.71 грн
11+32.54 грн
100+20.15 грн
500+15.54 грн
1000+13.96 грн
9000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.67 грн
10+38.36 грн
100+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.32 грн
10+58.40 грн
100+38.60 грн
500+28.28 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+62.22 грн
100+36.52 грн
500+29.28 грн
1000+27.01 грн
3000+25.66 грн
6000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+50.33 грн
278+42.46 грн
500+35.62 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.01 грн
25+53.93 грн
100+45.55 грн
250+42.12 грн
500+36.64 грн
1000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.06 грн
10+60.60 грн
100+42.25 грн
500+31.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.69 грн
10+77.15 грн
100+52.29 грн
500+43.16 грн
1000+34.11 грн
3000+28.98 грн
24000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.43 грн
10+75.15 грн
100+50.94 грн
500+42.03 грн
1000+33.28 грн
3000+30.94 грн
9000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS43400MZ4T3G
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS4532-200-F
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CAEG1T??
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CFED1B
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS507-212F-GAAG1TMISAKI07+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS5E472J
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.98 грн
10+40.32 грн
100+28.02 грн
500+20.53 грн
1000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
7+52.38 грн
10+44.26 грн
100+26.71 грн
500+20.90 грн
1000+16.98 грн
3000+14.41 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GonsemiDescription: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GON Semiconductor60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+34.90 грн
100+23.90 грн
500+17.72 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.59 грн
10+44.26 грн
100+26.71 грн
500+20.90 грн
1000+16.98 грн
3000+14.41 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorPNP Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G
Код товару: 121380
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.00 грн
14+24.05 грн
100+15.31 грн
500+10.83 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.62 грн
43+19.89 грн
100+12.11 грн
500+10.69 грн
1000+9.29 грн
5000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
6000+7.99 грн
9000+7.59 грн
15000+6.71 грн
21000+6.46 грн
30000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 48589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.86 грн
15+23.17 грн
100+14.94 грн
500+11.32 грн
1000+10.11 грн
3000+7.55 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.14 грн
10+41.57 грн
100+23.47 грн
500+17.96 грн
1000+16.15 грн
3000+13.88 грн
6000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.34 грн
11+30.66 грн
100+20.92 грн
500+15.45 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.61 грн
6000+12.15 грн
9000+11.65 грн
15000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 150...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 67608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.79 грн
11+29.79 грн
100+19.06 грн
500+13.55 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.04 грн
26+32.76 грн
100+20.99 грн
500+14.78 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+12.40 грн
10000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 2466
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.12 грн
12+31.07 грн
100+17.36 грн
500+13.13 грн
1000+11.62 грн
3000+9.89 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 150...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.47 грн
6000+10.09 грн
9000+9.60 грн
15000+8.50 грн
21000+8.19 грн
30000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.14 грн
10+41.57 грн
100+23.47 грн
500+17.96 грн
1000+16.15 грн
3000+14.64 грн
6000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.98 грн
10+31.91 грн
100+21.80 грн
500+16.11 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600onsemi SOT223 PNP LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.79 грн
20+44.10 грн
50+36.32 грн
200+26.49 грн
500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.00 грн
2000+15.02 грн
3000+14.33 грн
5000+12.71 грн
7000+12.27 грн
10000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.75 грн
10+44.78 грн
100+25.81 грн
500+19.77 грн
1000+16.75 грн
2000+14.71 грн
5000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.32 грн
200+26.49 грн
500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 25656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+33.33 грн
100+22.78 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.20 грн
10+42.70 грн
100+27.77 грн
500+21.81 грн
1000+16.83 грн
2500+15.32 грн
4000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+33.49 грн
100+22.85 грн
500+16.91 грн
1000+15.41 грн
2000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4onsemi NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.89 грн
200+27.28 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+22.42 грн
10000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.23 грн
3000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 18027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.52 грн
10+43.48 грн
100+27.17 грн
500+20.90 грн
1000+18.64 грн
2000+16.30 грн
5000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+37.02 грн
100+25.40 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.83 грн
20+42.41 грн
50+35.89 грн
200+27.28 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+22.42 грн
10000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.05 грн
2000+16.86 грн
3000+16.10 грн
5000+14.30 грн
7000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.14 грн
10+47.73 грн
100+27.01 грн
500+20.83 грн
1000+18.79 грн
2000+17.51 грн
4000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G
Код товару: 173995
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.14 грн
10+36.87 грн
100+25.29 грн
500+18.78 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEBussmann / EatonLabels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB064T
Код товару: 170623
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1onsemiDescription: SS BRT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.81 грн
260+472.95 грн
500+396.17 грн
1000+383.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NEUTRIKNTR-NSSC-1 Other Neutrik Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikpowerCON - Self-closing cap for NAC3MPX-TOP or D series without latches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NEUTRIKNTR-NSSC-2 Other Neutrik Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikpowerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.20 грн
100+476.42 грн
260+410.50 грн
500+391.64 грн
1000+378.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-3NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.90 грн
100+805.31 грн
500+674.62 грн
1000+668.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-3NEUTRIKNTR-NSSC-3 Other Neutrik Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSL100T
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM009T
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM016AT
на замовлення 101826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM227T
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM440TVRT
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM502K3J1NHB001Littelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 5KOHM 3419K MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 220°C
B0/50: 3419K
Resistance in Ohms @ 25°C: 5k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.03 грн
5+86.47 грн
10+82.38 грн
25+72.56 грн
50+69.36 грн
100+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSSR426CT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-GHSDigi InternationalDescription: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004T
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004TENICHIA09+
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006TNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006T-T238
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008AT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008BT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1NICHIA2010+ LED
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1-T117
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008DTNICHASMD 08+
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020ATTSMT05+
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020AT-TS9
на замовлення 26200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA06+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-P1
на замовлення 37481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-T170
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020CT
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW063AT
Код товару: 106214
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW064T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW157AT-H3Nichia CorporationСвітлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206TE
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW208ATENICHIA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440-9159-TRB
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440THRNICHIA
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440TVRNICHIA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSWD37TNICHIALED
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.