Продукція > NSS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSS 4 14 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 14 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 22.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 22.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 2 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 3.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 3 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 4.8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 4 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 6.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.695" (17.65mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
52+6.31 грн
60+5.42 грн
72+4.25 грн
77+3.98 грн
100+3.81 грн
250+3.33 грн
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
61+5.34 грн
67+4.85 грн
75+4.07 грн
81+3.76 грн
100+3.50 грн
250+3.14 грн
500+2.94 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.070" (27.18mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 7439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
55+5.98 грн
64+5.09 грн
77+3.98 грн
82+3.72 грн
100+3.57 грн
250+3.12 грн
500+2.96 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.195" (4.95mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
52+6.31 грн
56+5.82 грн
61+4.98 грн
67+4.60 грн
100+4.28 грн
250+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.383" (9.73mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
58+5.66 грн
62+5.26 грн
69+4.46 грн
74+4.14 грн
100+3.86 грн
250+3.46 грн
500+3.24 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.445" (11.30mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.508" (12.90mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
55+5.98 грн
63+5.18 грн
75+4.07 грн
80+3.81 грн
100+3.65 грн
250+3.19 грн
500+3.03 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.570" (14.48mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
55+5.98 грн
64+5.09 грн
77+3.98 грн
82+3.72 грн
100+3.57 грн
250+3.12 грн
500+2.96 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
55+5.98 грн
65+5.01 грн
78+3.92 грн
83+3.69 грн
100+3.54 грн
250+3.09 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
55+5.98 грн
59+5.50 грн
65+4.67 грн
71+4.33 грн
100+4.02 грн
250+3.61 грн
500+3.39 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
58+5.66 грн
67+4.85 грн
80+3.79 грн
85+3.58 грн
100+3.43 грн
250+3.00 грн
500+2.85 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
55+5.98 грн
59+5.50 грн
66+4.64 грн
71+4.30 грн
100+3.99 грн
250+3.59 грн
500+3.36 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
53+6.15 грн
61+5.34 грн
74+4.13 грн
79+3.89 грн
100+3.72 грн
250+3.25 грн
500+3.08 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
55+5.98 грн
59+5.50 грн
66+4.64 грн
71+4.30 грн
100+3.99 грн
250+3.59 грн
500+3.36 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
61+5.34 грн
66+4.93 грн
74+4.13 грн
80+3.84 грн
100+3.57 грн
250+3.20 грн
500+2.99 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
55+5.98 грн
59+5.50 грн
66+4.64 грн
71+4.30 грн
100+3.99 грн
250+3.59 грн
500+3.36 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
53+6.15 грн
57+5.74 грн
63+4.83 грн
68+4.48 грн
100+4.16 грн
250+3.74 грн
500+3.51 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
56+5.82 грн
65+5.01 грн
78+3.92 грн
83+3.69 грн
100+3.54 грн
250+3.09 грн
500+2.94 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
56+5.82 грн
65+5.01 грн
78+3.92 грн
83+3.69 грн
100+3.54 грн
250+3.09 грн
500+2.94 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
53+6.15 грн
58+5.66 грн
64+4.80 грн
69+4.43 грн
100+4.13 грн
250+3.71 грн
500+3.48 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
53+6.15 грн
58+5.66 грн
64+4.80 грн
69+4.43 грн
100+4.13 грн
250+3.71 грн
500+3.48 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.40 грн
53+6.15 грн
57+5.74 грн
64+4.80 грн
69+4.46 грн
100+4.14 грн
250+3.72 грн
500+3.48 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G16D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1001CLTWGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2.5A 8-LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.2 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
10+43.18 грн
100+28.17 грн
500+20.37 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1001CLTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.71 грн
10+48.30 грн
100+27.40 грн
500+21.12 грн
1000+19.64 грн
3000+16.61 грн
6000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1002CLTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2.5A 8-LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.2 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
10+43.18 грн
100+28.17 грн
500+20.37 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1002CLTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.71 грн
10+48.30 грн
100+27.40 грн
500+21.12 грн
1000+19.64 грн
3000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1020010 SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS10200
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 40527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
10+35.18 грн
100+22.78 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
2000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+12.42 грн
16000+11.09 грн
24000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.98 грн
11+33.66 грн
100+19.95 грн
500+15.84 грн
1000+13.90 грн
5000+13.28 грн
8000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.30 грн
18+40.09 грн
25+39.72 грн
100+28.10 грн
250+25.77 грн
500+17.73 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCG
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.19 грн
10+38.17 грн
100+26.53 грн
500+19.44 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.90 грн
10+43.48 грн
100+28.57 грн
500+22.75 грн
1000+17.86 грн
3000+15.60 грн
9000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.83 грн
8000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.97 грн
14+25.71 грн
100+16.30 грн
500+13.20 грн
1000+10.25 грн
4000+10.01 грн
8000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.41 грн
23+31.84 грн
25+29.46 грн
100+18.57 грн
250+16.35 грн
500+14.89 грн
1000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 10248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.75 грн
13+26.44 грн
100+18.38 грн
500+13.47 грн
1000+10.95 грн
2000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
10+30.23 грн
100+17.08 грн
500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Application: automotive industry
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G
Код товару: 113923
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.81 грн
500+13.18 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+32.33 грн
27+27.11 грн
100+14.79 грн
1000+11.80 грн
3000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.09 грн
12+30.71 грн
100+13.59 грн
3000+9.39 грн
9000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.67 грн
34+26.04 грн
100+16.81 грн
500+13.18 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON10+ROHS SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+25.30 грн
901+13.80 грн
1089+11.42 грн
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.58 грн
12+32.05 грн
100+18.94 грн
500+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GONSOT363
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 28745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.27 грн
13+26.77 грн
100+16.04 грн
500+13.94 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.96 грн
50+24.38 грн
100+14.80 грн
500+11.89 грн
1500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
6000+8.91 грн
9000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A
на замовлення 76274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.19 грн
12+30.98 грн
100+13.04 грн
1000+11.33 грн
3000+8.62 грн
9000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.80 грн
500+11.89 грн
1500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.06 грн
10+65.08 грн
100+37.42 грн
500+29.27 грн
1000+26.55 грн
3000+24.30 грн
9000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2G
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.25 грн
10+59.20 грн
100+39.17 грн
500+28.69 грн
1000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 12V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 250
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 320417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 584
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.16 грн
10+51.51 грн
100+38.12 грн
500+29.81 грн
1000+27.02 грн
3000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 355368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.94 грн
10+50.87 грн
100+35.18 грн
500+26.38 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-LC-V-T/RDiptronicsSlide Switches Slide Type 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-RC-V-T/RDiptronicsSlide Switches SLIDE SWITCH 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LonsemiBipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.29 грн
6000+12.61 грн
9000+12.03 грн
15000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.11 грн
17+43.30 грн
25+41.41 грн
100+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.94 грн
14+27.05 грн
100+17.08 грн
250+15.29 грн
500+12.96 грн
1000+12.27 грн
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.46 грн
10+36.23 грн
100+23.41 грн
500+16.74 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.08 грн
500+22.16 грн
1000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
7+51.90 грн
10+45.00 грн
100+30.35 грн
500+24.30 грн
1000+19.49 грн
2000+16.77 грн
10000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+43.44 грн
363+34.30 грн
365+34.13 грн
500+25.60 грн
1000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.06 грн
2000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.48 грн
22+40.23 грн
100+27.08 грн
500+22.16 грн
1000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.26 грн
16+47.01 грн
25+46.54 грн
100+35.44 грн
250+32.65 грн
500+24.38 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.39 грн
10+41.57 грн
100+28.93 грн
500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.35 грн
10+44.28 грн
100+26.71 грн
500+20.88 грн
1000+15.22 грн
4000+15.14 грн
8000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 101694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1596+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 1596
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZT1G
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
6000+8.65 грн
9000+8.56 грн
15000+7.92 грн
21000+7.27 грн
30000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.39 грн
6000+10.01 грн
9000+9.53 грн
15000+8.43 грн
21000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.58 грн
6000+9.29 грн
9000+9.19 грн
15000+8.51 грн
21000+7.81 грн
30000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+14.38 грн
1105+11.26 грн
1145+10.87 грн
1156+10.38 грн
1168+9.51 грн
3000+8.50 грн
6000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.59 грн
500+12.13 грн
1500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.59 грн
46+15.56 грн
47+15.41 грн
100+11.63 грн
250+10.40 грн
500+9.88 грн
1000+9.78 грн
3000+9.11 грн
6000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.52 грн
6000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 73940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.84 грн
14+26.78 грн
100+14.13 грн
500+11.72 грн
1000+10.01 грн
3000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.55 грн
11+29.52 грн
100+18.93 грн
500+13.45 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.41 грн
50+26.13 грн
100+17.77 грн
500+13.26 грн
1500+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4onsemiBipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+54.66 грн
297+41.89 грн
300+41.48 грн
500+31.48 грн
1000+23.18 грн
3000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.11 грн
500+31.70 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.41 грн
13+59.13 грн
25+58.57 грн
100+43.28 грн
250+39.68 грн
500+29.98 грн
1000+23.85 грн
3000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.39 грн
10+57.67 грн
100+38.43 грн
500+30.43 грн
1000+24.30 грн
2000+21.97 грн
10000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.86 грн
10+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.48 грн
18+50.08 грн
100+30.83 грн
500+22.80 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
на замовлення 16524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.30 грн
11+34.37 грн
100+20.65 грн
500+17.23 грн
1000+13.59 грн
4000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
10+36.23 грн
100+25.16 грн
500+18.43 грн
1000+14.98 грн
2000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.79 грн
17+42.15 грн
25+41.79 грн
100+31.07 грн
250+28.39 грн
500+21.80 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+39.00 грн
414+30.07 грн
419+29.68 грн
524+22.89 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.15 грн
11+79.86 грн
100+52.95 грн
500+38.90 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.65 грн
10+73.56 грн
100+42.39 грн
500+33.54 грн
1000+31.21 грн
3000+26.47 грн
6000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.95 грн
500+38.90 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.50 грн
10+68.57 грн
100+39.59 грн
500+30.98 грн
1000+28.18 грн
2500+25.08 грн
5000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.45 грн
10+61.94 грн
100+41.10 грн
500+30.16 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.44 грн
13+72.37 грн
100+51.56 грн
500+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON Semiconductor
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.14 грн
5000+24.21 грн
7500+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.38 грн
10+56.28 грн
100+43.72 грн
500+34.78 грн
1000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.21 грн
50+44.76 грн
100+31.70 грн
500+24.91 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.90 грн
14+53.49 грн
25+50.91 грн
100+39.27 грн
250+35.99 грн
500+28.56 грн
1000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 120...360
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.74 грн
10+45.12 грн
100+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.97 грн
10+50.00 грн
100+28.41 грн
500+21.97 грн
1000+20.26 грн
2500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS200-50NAE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1571+7.92 грн
1586+7.84 грн
1601+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 1571
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.62 грн
41+17.42 грн
42+17.30 грн
100+8.18 грн
250+7.50 грн
500+7.13 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.83 грн
18+20.53 грн
100+16.15 грн
500+12.11 грн
1000+8.93 грн
3000+4.11 грн
6000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.35 грн
23+14.07 грн
100+8.78 грн
500+6.08 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.55 грн
10+41.00 грн
100+28.38 грн
500+22.25 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.66 грн
6000+17.03 грн
9000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+24.96 грн
729+17.06 грн
737+16.88 грн
1034+11.60 грн
1265+8.78 грн
3000+8.35 грн
6000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 14749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.11 грн
16+21.19 грн
100+13.41 грн
500+9.44 грн
1000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.76 грн
500+10.35 грн
1500+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 12444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.13 грн
16+23.21 грн
100+13.04 грн
500+9.63 грн
1000+8.62 грн
3000+6.44 грн
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+6.91 грн
9000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.23 грн
50+24.04 грн
100+11.76 грн
500+10.35 грн
1500+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 4A/20VONSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.43 грн
10+49.10 грн
100+27.87 грн
500+21.50 грн
1000+19.49 грн
3000+17.86 грн
6000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
10+40.43 грн
100+28.00 грн
500+21.95 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.41 грн
6000+16.80 грн
9000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.54 грн
500+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.47 грн
14+23.53 грн
100+14.95 грн
500+10.57 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.09 грн
50+21.86 грн
100+14.54 грн
500+10.11 грн
1500+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.84 грн
14+25.98 грн
100+14.52 грн
500+10.95 грн
1000+9.70 грн
3000+8.54 грн
6000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.90 грн
10+45.09 грн
100+30.04 грн
500+23.76 грн
1000+18.94 грн
3000+17.16 грн
6000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
10+37.60 грн
100+26.00 грн
500+20.39 грн
1000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.83 грн
10+35.66 грн
100+26.61 грн
500+19.62 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.95 грн
10+42.32 грн
100+24.07 грн
500+18.48 грн
1000+16.15 грн
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON Semiconductor
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.21 грн
10+40.44 грн
100+22.82 грн
500+17.47 грн
1000+15.76 грн
3000+12.65 грн
6000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON08NOPB
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GONWDFN3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.30 грн
10+36.79 грн
100+23.84 грн
500+17.13 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.30 грн
10+36.79 грн
100+23.84 грн
500+17.13 грн
1000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.21 грн
10+40.44 грн
100+22.82 грн
500+17.47 грн
1000+15.76 грн
3000+13.51 грн
6000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2G
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.30 грн
6000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 100774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.66 грн
10+38.57 грн
100+25.02 грн
500+18.00 грн
1000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+46.16 грн
359+34.65 грн
500+26.71 грн
1000+18.31 грн
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.30 грн
9000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.49 грн
6000+13.71 грн
9000+13.10 грн
15000+11.65 грн
21000+11.26 грн
30000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
на замовлення 3366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.31 грн
10+38.75 грн
100+23.06 грн
500+18.32 грн
1000+15.99 грн
3000+14.21 грн
6000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.89 грн
15+49.98 грн
25+49.46 грн
100+35.82 грн
250+33.14 грн
500+25.44 грн
1000+18.84 грн
3000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.35 грн
42+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.54 грн
10+42.67 грн
100+27.71 грн
500+21.81 грн
1000+16.85 грн
3000+14.28 грн
9000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.19 грн
10+37.93 грн
100+26.34 грн
500+19.30 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.41 грн
10+72.21 грн
100+48.26 грн
500+35.66 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.67 грн
6000+28.38 грн
9000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.71 грн
10+80.62 грн
100+46.50 грн
500+36.57 грн
1000+33.46 грн
3000+29.35 грн
6000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKBussmann / EatonLabels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: Black
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: White
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
6000+14.72 грн
9000+14.14 грн
15000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.15 грн
10+39.64 грн
100+23.60 грн
500+18.63 грн
1000+17.00 грн
3000+13.82 грн
9000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.10 грн
10+36.71 грн
100+25.15 грн
500+18.64 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.95 грн
13+28.39 грн
100+17.08 грн
500+15.76 грн
1000+14.98 грн
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+9.92 грн
73+9.76 грн
74+9.61 грн
100+9.11 грн
250+8.30 грн
500+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.47 грн
10+32.59 грн
100+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.84 грн
34+26.30 грн
100+17.33 грн
500+11.08 грн
1000+8.58 грн
5000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.07 грн
17+20.06 грн
100+13.54 грн
500+9.88 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.51 грн
15+24.91 грн
100+12.73 грн
1000+8.38 грн
3000+8.07 грн
9000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.33 грн
500+11.08 грн
1000+8.58 грн
5000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.61 грн
28+25.62 грн
33+21.75 грн
100+13.82 грн
250+12.67 грн
500+12.04 грн
1000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+20.30 грн
930+13.37 грн
940+13.24 грн
949+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.07 грн
17+20.06 грн
100+13.54 грн
500+9.88 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.51 грн
29+24.92 грн
100+13.00 грн
250+11.92 грн
500+11.33 грн
1000+7.86 грн
3000+7.58 грн
6000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
6000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.42 грн
18+20.89 грн
100+9.94 грн
1000+8.93 грн
3000+7.14 грн
9000+6.99 грн
24000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+23.26 грн
989+12.59 грн
999+12.46 грн
1009+11.90 грн
1454+7.64 грн
3000+7.08 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 535
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON09+
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.18 грн
10+44.82 грн
100+25.31 грн
500+19.49 грн
1000+17.55 грн
3000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.02 грн
10+40.51 грн
100+26.35 грн
500+19.00 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON07NOPB
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GONTSOP-6 0719+
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1
на замовлення 12814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GONSSOP8
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8TIGonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+10.94 грн
70+10.27 грн
71+10.11 грн
100+8.73 грн
250+8.06 грн
500+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.54 грн
10+42.41 грн
100+27.64 грн
500+21.66 грн
1000+16.92 грн
3000+14.36 грн
9000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHEaton BussmannDescription: TERM BLOCK W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3PP-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4116+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.70 грн
18+20.36 грн
100+11.88 грн
500+9.32 грн
1000+8.38 грн
3000+6.99 грн
6000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+25.76 грн
41+17.55 грн
100+11.22 грн
250+9.91 грн
500+9.40 грн
1000+8.30 грн
3000+6.30 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.71 грн
50+24.47 грн
100+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+16.38 грн
1146+10.86 грн
1201+10.36 грн
1215+9.87 грн
1377+8.07 грн
3000+5.88 грн
6000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.11 грн
16+21.43 грн
100+13.63 грн
500+9.60 грн
1000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.83 грн
6000+7.61 грн
9000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 185658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+5.29 грн
137+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
6000+7.03 грн
9000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.89 грн
500+9.30 грн
1500+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 159923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 206153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
791+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 791
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.25 грн
29+24.75 грн
30+24.47 грн
100+12.48 грн
250+11.10 грн
500+10.55 грн
1000+10.31 грн
3000+8.77 грн
6000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.58 грн
12+25.70 грн
50+17.95 грн
100+15.62 грн
500+11.74 грн
1000+10.48 грн
1500+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.37 грн
500+12.53 грн
1500+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.48 грн
20+20.62 грн
50+14.96 грн
100+13.02 грн
500+9.78 грн
1000+8.73 грн
1500+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
6000+8.15 грн
9000+7.75 грн
15000+6.85 грн
21000+6.59 грн
30000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
на замовлення 107866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.95 грн
16+22.86 грн
100+14.28 грн
500+10.87 грн
1000+9.86 грн
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.40 грн
50+22.99 грн
100+16.37 грн
500+12.53 грн
1500+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+22.84 грн
1030+12.08 грн
1072+11.61 грн
1084+11.07 грн
1108+10.02 грн
3000+8.19 грн
6000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.57 грн
6000+9.35 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 41563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.15 грн
14+24.50 грн
100+15.59 грн
500+11.04 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300onsemionsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.81 грн
10+75.29 грн
25+63.01 грн
100+46.10 грн
250+39.69 грн
500+35.74 грн
1000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.15 грн
11+79.86 грн
100+52.95 грн
500+38.90 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.65 грн
10+73.56 грн
100+42.39 грн
500+33.54 грн
1000+31.21 грн
3000+26.47 грн
6000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.95 грн
500+38.90 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2onsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.25 грн
10+48.57 грн
100+32.45 грн
500+28.41 грн
1000+26.24 грн
2500+22.13 грн
5000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.19 грн
5000+25.11 грн
7500+24.08 грн
12500+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON Semiconductor
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 220
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.65 грн
10+64.86 грн
100+42.91 грн
500+31.42 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.33 грн
10+65.91 грн
100+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 220
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.16 грн
10+64.10 грн
100+36.49 грн
500+29.66 грн
1000+27.25 грн
2500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON Semiconductor
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.31 грн
10+38.84 грн
100+23.13 грн
500+18.40 грн
1000+15.99 грн
2000+14.59 грн
5000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 31720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.65 грн
22+40.06 грн
50+34.40 грн
200+26.69 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.38 грн
10+42.78 грн
100+27.78 грн
500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.06 грн
43+16.54 грн
100+15.69 грн
250+14.30 грн
500+13.50 грн
1000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.95 грн
2000+17.46 грн
3000+16.56 грн
5000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.40 грн
200+26.69 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 175...350
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.98 грн
10+37.68 грн
100+24.35 грн
500+17.44 грн
1000+15.69 грн
2000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 175...350
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.79 грн
10+37.23 грн
100+21.43 грн
500+16.69 грн
1000+13.66 грн
4000+12.89 грн
8000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3G
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300UT001
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301onsemi NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.15 грн
11+79.86 грн
100+52.95 грн
500+38.90 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.81 грн
10+75.29 грн
25+63.01 грн
100+46.10 грн
250+39.69 грн
500+35.74 грн
1000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.65 грн
10+73.56 грн
100+42.39 грн
500+33.54 грн
1000+31.21 грн
3000+26.47 грн
6000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.95 грн
500+38.90 грн
1000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.93 грн
500+36.39 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 14491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.63 грн
10+59.01 грн
100+37.03 грн
500+29.35 грн
1000+26.71 грн
2500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.96 грн
15+59.22 грн
100+40.93 грн
500+36.39 грн
1000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.33 грн
10+65.91 грн
100+43.58 грн
500+31.92 грн
1000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+39.14 грн
100+25.34 грн
500+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+19.86 грн
733+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 627
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.11 грн
2000+15.82 грн
3000+14.99 грн
5000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.15 грн
28+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200...500
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.20 грн
34+21.27 грн
100+18.19 грн
500+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.79 грн
10+36.78 грн
100+21.58 грн
500+17.16 грн
1000+15.60 грн
2000+12.65 грн
10000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+39.14 грн
100+25.34 грн
500+18.18 грн
1000+16.37 грн
2000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200...500
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.74 грн
10+42.23 грн
100+23.91 грн
500+18.24 грн
1000+14.91 грн
4000+13.28 грн
8000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301UT001
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.29 грн
10+88.30 грн
100+51.55 грн
500+40.76 грн
1000+37.26 грн
2500+33.46 грн
5000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+130.99 грн
137+91.20 грн
200+82.91 грн
500+60.44 грн
1000+54.85 грн
2000+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.28 грн
10+88.87 грн
100+59.73 грн
500+44.31 грн
1000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.17 грн
500+39.30 грн
1000+33.14 грн
5000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+64.07 грн
540+57.66 грн
1000+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.33 грн
5000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.73 грн
11+86.65 грн
100+58.17 грн
500+39.30 грн
1000+33.14 грн
5000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1GonsemiDescription: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 1603
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
10+39.46 грн
100+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.91 грн
10+49.46 грн
100+31.13 грн
500+26.08 грн
1000+24.92 грн
3000+24.84 грн
6000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.09 грн
10+60.08 грн
100+39.71 грн
500+29.09 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+51.18 грн
278+43.17 грн
500+36.22 грн
1000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.92 грн
25+54.83 грн
100+46.32 грн
250+42.83 грн
500+37.26 грн
1000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+62.35 грн
100+43.47 грн
500+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.21 грн
10+79.37 грн
100+53.80 грн
500+44.41 грн
1000+35.09 грн
3000+29.81 грн
24000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.86 грн
10+77.31 грн
100+52.40 грн
500+43.24 грн
1000+34.24 грн
3000+31.83 грн
9000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS43400MZ4T3G
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS4532-200-F
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CAEG1T??
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CFED1B
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS507-212F-GAAG1TMISAKI07+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS5E472J
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.46 грн
10+44.46 грн
100+25.15 грн
500+19.33 грн
1000+17.47 грн
3000+16.23 грн
6000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.39 грн
10+41.49 грн
100+28.83 грн
500+21.13 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GON Semiconductor60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GonsemiDescription: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.43 грн
10+35.91 грн
100+24.59 грн
500+18.23 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.39 грн
10+39.64 грн
100+24.07 грн
500+19.33 грн
1000+17.47 грн
3000+14.44 грн
6000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorPNP Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
6000+11.28 грн
9000+10.99 грн
12000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.15 грн
14+24.75 грн
100+15.75 грн
500+11.14 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.75 грн
39+22.47 грн
100+16.81 грн
500+12.86 грн
1000+9.33 грн
5000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G
Код товару: 121380
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.37 грн
6000+8.22 грн
9000+7.81 грн
15000+6.90 грн
21000+6.64 грн
30000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.24 грн
16+22.77 грн
100+14.67 грн
500+11.18 грн
1000+9.94 грн
3000+7.38 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
6000+12.49 грн
9000+11.99 грн
15000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+40.89 грн
100+23.06 грн
500+17.62 грн
1000+15.91 грн
3000+13.59 грн
6000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
11+31.54 грн
100+21.52 грн
500+15.90 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1655+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 1655
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.80 грн
6000+10.38 грн
9000+9.88 грн
15000+8.74 грн
21000+8.43 грн
30000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+12.61 грн
10000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 2466
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.51 грн
26+33.70 грн
100+21.60 грн
500+15.20 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 67608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.23 грн
11+30.65 грн
100+19.61 грн
500+13.94 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.39 грн
10+32.83 грн
100+22.43 грн
500+16.57 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 1800mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+40.89 грн
100+23.06 грн
500+17.62 грн
1000+15.91 грн
3000+14.44 грн
6000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600onsemi SOT223 PNP LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.23 грн
200+27.90 грн
500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 25656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.91 грн
10+34.29 грн
100+23.44 грн
500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.70 грн
19+46.33 грн
50+38.23 грн
200+27.90 грн
500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.49 грн
2000+15.45 грн
3000+14.74 грн
5000+13.07 грн
7000+12.62 грн
10000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.42 грн
10+42.50 грн
100+24.07 грн
500+18.40 грн
1000+16.54 грн
2000+14.28 грн
5000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.91 грн
10+34.45 грн
100+23.51 грн
500+17.40 грн
1000+15.86 грн
2000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 7535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.29 грн
10+42.59 грн
100+24.07 грн
500+18.48 грн
1000+16.69 грн
2000+15.14 грн
4000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4onsemi NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.60 грн
2000+17.35 грн
3000+16.56 грн
5000+14.71 грн
7000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.78 грн
2000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.89 грн
200+30.97 грн
500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+22.80 грн
10000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.36 грн
2000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.82 грн
3000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.62 грн
10+38.09 грн
100+26.13 грн
500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.29 грн
10+42.76 грн
100+26.71 грн
500+20.57 грн
1000+18.32 грн
2000+15.99 грн
5000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.20 грн
19+46.42 грн
50+39.89 грн
200+30.97 грн
500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+22.80 грн
10000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1371+22.68 грн
10000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1371
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+46.87 грн
100+26.55 грн
500+20.50 грн
1000+18.48 грн
2000+17.23 грн
4000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G
Код товару: 173995
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
10+37.93 грн
100+26.02 грн
500+19.32 грн
1000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEBussmann / EatonLabels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB064T
Код товару: 170623
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1onsemiDescription: SS BRT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.09 грн
100+481.21 грн
260+404.47 грн
500+357.89 грн
1000+347.02 грн
2500+341.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikpowerCON - Self-closing cap for NAC3MPX-TOP or D series without latches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.90 грн
100+482.99 грн
260+417.67 грн
500+399.81 грн
1000+387.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikpowerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-3NEUTRIKDescription: NEUTRIK - NSSC-3 - Staubschutzkappe/Abdeckung, Selbstschließende Kappe mit federbelasteter Dichtung
tariffCode: 39269097
Art des Zubehörs: Selbstschließende Kappe mit federbelasteter Dichtung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Nylon (Polyamid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsen powerCON, Steckverbinder NAC3PX-TOP von Neutrik
usEccn: EAR99
Produktpalette: NSSC-x Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1085.12 грн
10+792.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-3NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.97 грн
10+731.19 грн
100+625.72 грн
500+620.29 грн
1000+610.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSL100T
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM009T
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM016AT
на замовлення 101826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM227T
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM440TVRT
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM502K3J1NHB001Littelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 5KOHM 3419K MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 220°C
B0/50: 3419K
Resistance in Ohms @ 25°C: 5k
Resistance Tolerance: ±10%
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.97 грн
5+89.60 грн
10+85.32 грн
25+75.13 грн
50+71.82 грн
100+68.79 грн
500+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSSR426CT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-GHSDigi InternationalDescription: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004T
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004TENICHIA09+
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006TNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006T-T238
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008AT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008BT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1NICHIA2010+ LED
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1-T117
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008DTNICHASMD 08+
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020ATTSMT05+
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020AT-TS9
на замовлення 26200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA06+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-P1
на замовлення 37481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-T170
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020CT
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW063AT
Код товару: 106214
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW064T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW157AT-H3Nichia CorporationСвітлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206TE
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW208ATENICHIA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440-9159-TRB
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440THRNICHIA
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440TVRNICHIA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSWD37TNICHIALED
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.