НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSS 4 14 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 14 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 22.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 22.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+672.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 2 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 3.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 3 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 4.8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+977.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 4 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 6.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.695" (17.65mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.17 грн
52+6.13 грн
60+5.27 грн
72+4.13 грн
77+3.87 грн
100+3.70 грн
250+3.24 грн
500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
61+5.19 грн
68+4.64 грн
76+3.93 грн
82+3.63 грн
100+3.38 грн
250+3.03 грн
500+2.84 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.070" (27.18mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 7439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
64+4.95 грн
77+3.87 грн
82+3.62 грн
100+3.47 грн
250+3.03 грн
500+2.88 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.195" (4.95mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.17 грн
52+6.13 грн
56+5.66 грн
61+4.84 грн
67+4.47 грн
100+4.16 грн
250+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.383" (9.73mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
58+5.50 грн
62+5.11 грн
69+4.34 грн
74+4.03 грн
100+3.75 грн
250+3.36 грн
500+3.15 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.445" (11.30mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.508" (12.90mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.17 грн
55+5.82 грн
63+5.03 грн
75+3.96 грн
80+3.70 грн
100+3.55 грн
250+3.10 грн
500+2.95 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.570" (14.48mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
64+4.95 грн
77+3.87 грн
82+3.62 грн
100+3.47 грн
250+3.03 грн
500+2.88 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
65+4.88 грн
78+3.81 грн
83+3.59 грн
100+3.44 грн
250+3.01 грн
500+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
59+5.35 грн
66+4.52 грн
71+4.18 грн
100+3.88 грн
250+3.49 грн
500+3.27 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
58+5.50 грн
67+4.72 грн
81+3.66 грн
86+3.45 грн
100+3.31 грн
250+2.89 грн
500+2.75 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
59+5.35 грн
66+4.52 грн
71+4.18 грн
100+3.88 грн
250+3.49 грн
500+3.27 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
53+5.98 грн
61+5.19 грн
74+4.01 грн
79+3.78 грн
100+3.62 грн
250+3.16 грн
500+3.00 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
59+5.35 грн
66+4.52 грн
71+4.18 грн
100+3.88 грн
250+3.49 грн
500+3.27 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
61+5.19 грн
66+4.80 грн
74+4.01 грн
80+3.73 грн
100+3.47 грн
250+3.11 грн
500+2.91 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
55+5.82 грн
59+5.35 грн
66+4.52 грн
71+4.18 грн
100+3.88 грн
250+3.49 грн
500+3.27 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
53+5.98 грн
58+5.50 грн
64+4.66 грн
69+4.32 грн
100+4.02 грн
250+3.61 грн
500+3.39 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
56+5.66 грн
65+4.88 грн
78+3.81 грн
83+3.59 грн
100+3.44 грн
250+3.01 грн
500+2.85 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
56+5.66 грн
65+4.88 грн
78+3.81 грн
83+3.59 грн
100+3.44 грн
250+3.01 грн
500+2.85 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 9083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
53+5.98 грн
58+5.50 грн
64+4.66 грн
69+4.31 грн
100+4.01 грн
250+3.61 грн
500+3.39 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
53+5.98 грн
58+5.50 грн
64+4.66 грн
69+4.31 грн
100+4.01 грн
250+3.61 грн
500+3.39 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.17 грн
53+5.98 грн
57+5.58 грн
64+4.66 грн
69+4.34 грн
100+4.03 грн
250+3.61 грн
500+3.39 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G16D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1001CLTWGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2.5A 8-LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.2 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.23 грн
10+41.99 грн
100+27.39 грн
500+19.81 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1001CLTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.53 грн
10+46.97 грн
100+26.65 грн
500+20.53 грн
1000+19.10 грн
3000+16.15 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1002CLTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.53 грн
10+46.97 грн
100+26.65 грн
500+20.53 грн
1000+19.10 грн
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1002CLTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2.5A 8-LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.2 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.23 грн
10+41.99 грн
100+27.39 грн
500+19.81 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1020010 SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS10200
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.63 грн
10+41.36 грн
100+30.90 грн
500+22.78 грн
1000+17.60 грн
2000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.62 грн
10+39.50 грн
100+23.55 грн
500+18.80 грн
1000+16.31 грн
8000+10.72 грн
24000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+37.12 грн
100+25.80 грн
500+18.90 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.46 грн
10+42.28 грн
100+27.78 грн
500+22.12 грн
1000+17.36 грн
3000+15.17 грн
9000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.07 грн
18+39.90 грн
25+39.53 грн
100+27.97 грн
250+25.65 грн
500+17.64 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCG
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.65W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.09 грн
14+25.00 грн
100+15.85 грн
500+12.83 грн
1000+9.96 грн
4000+9.74 грн
8000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.23 грн
23+31.69 грн
25+29.32 грн
100+18.48 грн
250+16.27 грн
500+14.81 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 10248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
13+25.71 грн
100+17.87 грн
500+13.10 грн
1000+10.65 грн
2000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.65W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.65 грн
10+29.40 грн
100+16.61 грн
500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.53 грн
8000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.34 грн
500+12.82 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+32.18 грн
27+26.98 грн
100+14.72 грн
1000+11.75 грн
3000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.73 грн
12+29.86 грн
100+13.21 грн
3000+9.13 грн
9000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.55 грн
34+25.32 грн
100+16.34 грн
500+12.82 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON10+ROHS SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+25.18 грн
901+13.74 грн
1089+11.37 грн
3000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G
Код товару: 113923
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.49 грн
12+31.17 грн
100+18.42 грн
500+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GONSOT363
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 28745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.30 грн
13+26.03 грн
100+15.60 грн
500+13.56 грн
1000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.03 грн
50+23.71 грн
100+14.40 грн
500+11.56 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
6000+8.67 грн
9000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A
на замовлення 76274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.89 грн
12+30.12 грн
100+12.68 грн
1000+11.02 грн
3000+8.38 грн
9000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.40 грн
500+11.56 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.16 грн
10+63.29 грн
100+36.39 грн
500+28.46 грн
1000+25.82 грн
3000+23.63 грн
9000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2G
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.34 грн
10+63.85 грн
100+42.22 грн
500+30.92 грн
1000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 12V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 250
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.52 грн
10+63.62 грн
100+42.11 грн
500+30.84 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.28 грн
10+50.09 грн
100+37.07 грн
500+28.99 грн
1000+26.27 грн
3000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.10 грн
6000+24.20 грн
9000+23.23 грн
15000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 355368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.76 грн
10+49.46 грн
100+34.21 грн
500+25.65 грн
1000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-LC-V-T/RDiptronicsSlide Switches Slide Type 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-RC-V-T/RDiptronicsSlide Switches SLIDE SWITCH 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LonsemiBipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+51.86 грн
17+43.10 грн
25+41.22 грн
100+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.90 грн
6000+12.26 грн
9000+11.70 грн
15000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 46464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.84 грн
14+26.30 грн
100+16.61 грн
250+14.87 грн
500+12.61 грн
1000+11.93 грн
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.23 грн
100+22.76 грн
500+16.28 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
10+40.42 грн
100+28.13 грн
500+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
7+50.46 грн
10+43.75 грн
100+29.52 грн
500+23.63 грн
1000+18.95 грн
2000+16.31 грн
10000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+43.23 грн
363+34.14 грн
365+33.97 грн
500+25.48 грн
1000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.79 грн
22+39.12 грн
100+26.34 грн
500+21.55 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.54 грн
2000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.01 грн
16+46.79 грн
25+46.32 грн
100+35.27 грн
250+32.50 грн
500+24.26 грн
1000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.34 грн
500+21.55 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.94 грн
10+43.06 грн
100+25.97 грн
500+20.31 грн
1000+14.80 грн
4000+14.72 грн
8000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 101694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1596+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 1596
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZT1G
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.21 грн
500+11.80 грн
1500+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
6000+9.25 грн
9000+9.15 грн
15000+8.47 грн
21000+7.78 грн
30000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+14.32 грн
1105+11.21 грн
1145+10.82 грн
1156+10.33 грн
1168+9.47 грн
3000+8.46 грн
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
6000+9.74 грн
9000+9.27 грн
15000+8.20 грн
21000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.38 грн
46+15.49 грн
47+15.34 грн
100+11.58 грн
250+10.35 грн
500+9.84 грн
1000+9.74 грн
3000+9.06 грн
6000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.24 грн
50+25.41 грн
100+17.28 грн
500+12.90 грн
1500+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.47 грн
6000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 74060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.66 грн
14+26.04 грн
100+13.74 грн
500+11.40 грн
1000+9.74 грн
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
6000+8.61 грн
9000+8.52 грн
15000+7.89 грн
21000+7.23 грн
30000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
11+28.70 грн
100+18.41 грн
500+13.08 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4onsemiBipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
10+40.81 грн
100+28.39 грн
500+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.92 грн
500+30.82 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.71 грн
2000+16.11 грн
5000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.79 грн
18+48.69 грн
100+29.98 грн
500+22.18 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.09 грн
13+58.85 грн
25+58.29 грн
100+43.08 грн
250+39.49 грн
500+29.84 грн
1000+23.73 грн
3000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.56 грн
10+56.08 грн
100+37.37 грн
500+29.59 грн
1000+23.63 грн
2000+21.36 грн
10000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+54.40 грн
297+41.70 грн
300+41.28 грн
500+31.33 грн
1000+23.08 грн
3000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.56 грн
17+41.95 грн
25+41.59 грн
100+30.92 грн
250+28.26 грн
500+21.70 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.28 грн
10+35.23 грн
100+24.46 грн
500+17.93 грн
1000+14.57 грн
2000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+38.82 грн
414+29.93 грн
419+29.54 грн
524+22.78 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
на замовлення 16524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.16 грн
11+33.42 грн
100+20.08 грн
500+16.76 грн
1000+13.21 грн
4000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.49 грн
500+37.82 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.37 грн
10+71.53 грн
100+41.22 грн
500+32.61 грн
1000+30.35 грн
3000+25.74 грн
6000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.64 грн
11+77.66 грн
100+51.49 грн
500+37.82 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.92 грн
13+70.37 грн
100+50.13 грн
500+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.45 грн
10+66.67 грн
100+38.50 грн
500+30.12 грн
1000+27.40 грн
2500+24.38 грн
5000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON Semiconductor
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+60.23 грн
100+39.96 грн
500+29.33 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.39 грн
5000+23.54 грн
7500+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.41 грн
10+54.73 грн
100+42.51 грн
500+33.82 грн
1000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.74 грн
50+43.53 грн
100+30.82 грн
500+24.22 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.60 грн
14+53.24 грн
25+50.67 грн
100+39.08 грн
250+35.82 грн
500+28.43 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.74 грн
10+48.62 грн
100+27.63 грн
500+21.36 грн
1000+19.70 грн
2500+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 12.5W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 120...360
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.68 грн
10+43.88 грн
100+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS200-50NAE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1571+7.88 грн
1586+7.81 грн
1601+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 1571
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.68 грн
23+13.68 грн
100+8.54 грн
500+5.91 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+22.51 грн
41+17.34 грн
42+17.21 грн
100+8.14 грн
250+7.47 грн
500+7.10 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.23 грн
18+19.97 грн
100+15.70 грн
500+11.78 грн
1000+8.68 грн
3000+4.00 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 1A; 0.3W; SC89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 20V
Polarisation: bipolar
Case: SC89
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
10+39.87 грн
100+27.59 грн
500+21.64 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.15 грн
6000+16.56 грн
9000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+24.85 грн
729+16.98 грн
737+16.80 грн
1034+11.55 грн
1265+8.74 грн
3000+8.31 грн
6000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.43 грн
500+10.07 грн
1500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 14749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
16+20.60 грн
100+13.04 грн
500+9.18 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.18 грн
50+23.37 грн
100+11.43 грн
500+10.07 грн
1500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 12444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.08 грн
16+22.57 грн
100+12.68 грн
500+9.36 грн
1000+8.38 грн
3000+6.27 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
6000+6.72 грн
9000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 4A/20VONSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.24 грн
10+47.75 грн
100+27.10 грн
500+20.91 грн
1000+18.95 грн
3000+17.36 грн
6000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
10+39.32 грн
100+27.22 грн
500+21.35 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
6000+16.33 грн
9000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.28 грн
50+21.26 грн
100+14.14 грн
500+9.83 грн
1500+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.54W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 200
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
14+22.88 грн
100+14.54 грн
500+10.28 грн
1000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.66 грн
14+25.26 грн
100+14.12 грн
500+10.64 грн
1000+9.44 грн
3000+8.30 грн
6000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.14 грн
500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.46 грн
10+43.84 грн
100+29.21 грн
500+23.10 грн
1000+18.42 грн
3000+16.68 грн
6000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.28 грн
10+36.57 грн
100+25.28 грн
500+19.83 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 3A; 0.545W; TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.545W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: TSOP6
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+41.15 грн
100+23.40 грн
500+17.97 грн
1000+15.70 грн
3000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
10+34.68 грн
100+25.87 грн
500+19.07 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
10+40.18 грн
100+30.02 грн
500+22.13 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON Semiconductor
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON08NOPB
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.38 грн
10+39.33 грн
100+22.19 грн
500+16.99 грн
1000+15.32 грн
3000+12.30 грн
6000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GONWDFN3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: WDFN3
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.38 грн
10+39.33 грн
100+22.19 грн
500+16.99 грн
1000+15.32 грн
3000+13.14 грн
6000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: WDFN3
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
10+31.61 грн
100+21.60 грн
500+15.95 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+45.94 грн
359+34.48 грн
500+26.58 грн
1000+18.23 грн
3000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.21 грн
9000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 8784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+36.96 грн
100+24.01 грн
500+17.28 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.54 грн
42+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
на замовлення 3366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.59 грн
10+37.68 грн
100+22.42 грн
500+17.82 грн
1000+15.55 грн
3000+13.81 грн
6000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.62 грн
15+49.74 грн
25+49.23 грн
100+35.65 грн
250+32.99 грн
500+25.32 грн
1000+18.75 грн
3000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2G
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: WDFN3
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.20 грн
6000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
6000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.14 грн
10+41.50 грн
100+26.95 грн
500+21.21 грн
1000+16.38 грн
3000+13.89 грн
9000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: WDFN3
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+36.88 грн
100+25.61 грн
500+18.77 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 6A; 1.4W; ChipFET8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 200
Frequency: 140MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: ChipFET8
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.14 грн
10+70.22 грн
100+46.93 грн
500+34.67 грн
1000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.18 грн
10+78.39 грн
100+45.22 грн
500+35.56 грн
1000+32.54 грн
3000+28.54 грн
6000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.79 грн
6000+27.60 грн
9000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: Black
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKBussmann / EatonLabels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: White
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.54 грн
10+38.55 грн
100+22.95 грн
500+18.12 грн
1000+16.53 грн
3000+13.44 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.02 грн
6000+14.32 грн
9000+13.75 грн
15000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
10+35.70 грн
100+24.46 грн
500+18.12 грн
1000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
10+31.69 грн
100+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.90 грн
13+27.61 грн
100+16.61 грн
500+15.32 грн
1000+14.57 грн
3000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+9.88 грн
73+9.72 грн
74+9.57 грн
100+9.07 грн
250+8.26 грн
500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
15+24.22 грн
100+12.38 грн
1000+8.15 грн
3000+7.85 грн
9000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
17+19.50 грн
100+13.16 грн
500+9.61 грн
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.85 грн
500+10.77 грн
1000+8.35 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.47 грн
28+25.50 грн
33+21.65 грн
100+13.75 грн
250+12.61 грн
500+11.98 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.87 грн
34+25.57 грн
100+16.85 грн
500+10.77 грн
1000+8.35 грн
5000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+20.21 грн
930+13.31 грн
940+13.18 грн
949+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
17+19.50 грн
100+13.16 грн
500+9.61 грн
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.35 грн
29+24.80 грн
100+12.94 грн
250+11.86 грн
500+11.28 грн
1000+7.82 грн
3000+7.55 грн
6000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.47 грн
18+20.31 грн
100+9.66 грн
1000+8.68 грн
3000+6.95 грн
9000+6.79 грн
24000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+23.15 грн
989+12.53 грн
999+12.40 грн
1009+11.84 грн
1454+7.60 грн
3000+7.04 грн
6000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 535
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
6000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.16 грн
10+43.58 грн
100+24.61 грн
500+18.95 грн
1000+17.06 грн
3000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON07NOPB
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GONTSOP-6 0719+
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+39.40 грн
100+25.62 грн
500+18.48 грн
1000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 1.75W; TSOP6
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOP6
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON09+
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1
на замовлення 12814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.83 грн
10+58.11 грн
100+40.46 грн
500+30.53 грн
1000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GONSSOP8
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8TIGonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+10.89 грн
70+10.22 грн
71+10.06 грн
100+8.69 грн
250+8.02 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 357599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1565+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1565
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.14 грн
10+41.24 грн
100+26.87 грн
500+21.06 грн
1000+16.46 грн
3000+13.97 грн
9000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHEaton BussmannDescription: TERM BLOCK W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3PP-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4116+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.62 грн
50+23.80 грн
100+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.79 грн
18+19.79 грн
100+11.55 грн
500+9.06 грн
1000+8.15 грн
3000+6.79 грн
6000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+25.64 грн
41+17.47 грн
100+11.17 грн
250+9.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.26 грн
3000+6.27 грн
6000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 250
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
6000+6.83 грн
9000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+16.31 грн
1146+10.81 грн
1201+10.31 грн
1215+9.83 грн
1377+8.03 грн
3000+5.85 грн
6000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.79 грн
6000+7.57 грн
9000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.59 грн
500+9.04 грн
1500+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 185658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+5.27 грн
137+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.11 грн
16+20.84 грн
100+13.25 грн
500+9.33 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 206153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
791+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 791
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 159923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.40 грн
50+22.36 грн
100+15.92 грн
500+12.19 грн
1500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
на замовлення 210237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.87 грн
16+22.22 грн
100+13.89 грн
500+10.57 грн
1000+9.59 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 41563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
14+23.83 грн
100+15.16 грн
500+10.73 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+22.73 грн
1030+12.02 грн
1072+11.55 грн
1084+11.02 грн
1108+9.98 грн
3000+8.15 грн
6000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.03 грн
6000+7.93 грн
9000+7.54 грн
15000+6.66 грн
21000+6.41 грн
30000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.52 грн
6000+9.31 грн
9000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.64 грн
20+20.13 грн
50+14.55 грн
100+12.74 грн
500+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
12+25.09 грн
50+17.46 грн
100+15.29 грн
500+11.42 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.92 грн
500+12.19 грн
1500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.06 грн
29+24.63 грн
30+24.36 грн
100+12.42 грн
250+11.05 грн
500+10.50 грн
1000+10.26 грн
3000+8.73 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300onsemionsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.64 грн
11+77.66 грн
100+51.49 грн
500+37.82 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.37 грн
10+71.53 грн
100+41.22 грн
500+32.61 грн
1000+30.35 грн
3000+25.74 грн
6000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.31 грн
10+73.21 грн
25+61.27 грн
100+44.82 грн
250+38.59 грн
500+34.75 грн
1000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.49 грн
500+37.82 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2onsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.40 грн
10+47.23 грн
100+31.55 грн
500+27.63 грн
1000+25.52 грн
2500+21.51 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.71 грн
10+63.07 грн
100+41.72 грн
500+30.55 грн
1000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 220
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON Semiconductor
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.41 грн
5000+24.42 грн
7500+23.41 грн
12500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 220
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.34 грн
10+64.09 грн
100+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON Semiconductor
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.97 грн
10+62.33 грн
100+35.48 грн
500+28.84 грн
1000+26.50 грн
2500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.40 грн
2000+16.98 грн
3000+16.11 грн
5000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+16.98 грн
43+16.46 грн
100+15.62 грн
250+14.23 грн
500+13.44 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.45 грн
200+25.95 грн
500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.41 грн
10+41.60 грн
100+27.01 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 175...350
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 31720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.11 грн
22+38.95 грн
50+33.45 грн
200+25.95 грн
500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.59 грн
10+37.76 грн
100+22.50 грн
500+17.89 грн
1000+15.55 грн
2000+14.19 грн
5000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 175...350
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3G
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.22 грн
10+36.20 грн
100+20.84 грн
500+16.23 грн
1000+13.29 грн
4000+12.53 грн
8000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.24 грн
10+36.64 грн
100+23.68 грн
500+16.95 грн
1000+15.26 грн
2000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300UT001
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301onsemi NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.31 грн
10+73.21 грн
25+61.27 грн
100+44.82 грн
250+38.59 грн
500+34.75 грн
1000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.64 грн
11+77.66 грн
100+51.49 грн
500+37.82 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.49 грн
500+37.82 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.37 грн
10+71.53 грн
100+41.22 грн
500+32.61 грн
1000+30.35 грн
3000+25.74 грн
6000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.34 грн
10+64.09 грн
100+42.38 грн
500+31.04 грн
1000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.53 грн
15+57.59 грн
100+39.80 грн
500+35.39 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 14491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.88 грн
10+57.38 грн
100+36.01 грн
500+28.54 грн
1000+25.97 грн
2500+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.80 грн
500+35.39 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+19.76 грн
733+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 627
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+38.06 грн
100+24.64 грн
500+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.93 грн
28+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200...500
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.08 грн
34+21.17 грн
100+18.11 грн
500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.61 грн
2000+15.38 грн
3000+14.58 грн
5000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.22 грн
10+35.77 грн
100+20.99 грн
500+16.68 грн
1000+15.17 грн
2000+12.30 грн
10000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200...500
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223-4; TO261-4
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.81 грн
10+41.06 грн
100+23.25 грн
500+17.74 грн
1000+14.49 грн
4000+12.91 грн
8000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+38.06 грн
100+24.64 грн
500+17.68 грн
1000+15.92 грн
2000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301UT001
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.39 грн
10+85.86 грн
100+50.13 грн
500+39.63 грн
1000+36.24 грн
2500+32.54 грн
5000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+130.38 грн
137+90.77 грн
200+82.52 грн
500+60.15 грн
1000+54.59 грн
2000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.22 грн
5000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.57 грн
500+38.22 грн
1000+32.23 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+63.77 грн
540+57.39 грн
1000+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.95 грн
11+84.26 грн
100+56.57 грн
500+38.22 грн
1000+32.23 грн
5000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3A; SO8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.576W
Case: SO8
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.27 грн
10+86.42 грн
100+58.08 грн
500+43.09 грн
1000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1GonsemiDescription: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 1603
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+38.37 грн
100+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.24 грн
10+48.09 грн
100+30.27 грн
500+25.36 грн
1000+24.23 грн
3000+24.16 грн
6000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+50.94 грн
278+42.97 грн
500+36.05 грн
1000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.66 грн
25+54.58 грн
100+46.10 грн
250+42.63 грн
500+37.08 грн
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.36 грн
10+58.43 грн
100+38.62 грн
500+28.29 грн
1000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.72 грн
10+77.18 грн
100+52.31 грн
500+43.18 грн
1000+34.12 грн
3000+28.99 грн
24000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.09 грн
10+60.63 грн
100+42.27 грн
500+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.46 грн
10+75.18 грн
100+50.96 грн
500+42.05 грн
1000+33.29 грн
3000+30.95 грн
9000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS43400MZ4T3G
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS4532-200-F
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CAEG1T??
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CFED1B
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS507-212F-GAAG1TMISAKI07+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS5E472J
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.46 грн
10+43.23 грн
100+24.46 грн
500+18.80 грн
1000+16.99 грн
3000+15.78 грн
6000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
10+40.34 грн
100+28.03 грн
500+20.54 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GON Semiconductor60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GonsemiDescription: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 1473
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+34.91 грн
100+23.91 грн
500+17.73 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.59 грн
10+38.55 грн
100+23.40 грн
500+18.80 грн
1000+16.99 грн
3000+14.04 грн
6000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorPNP Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
6000+8.00 грн
9000+7.60 грн
15000+6.71 грн
21000+6.46 грн
30000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.79 грн
39+21.85 грн
100+16.34 грн
500+12.50 грн
1000+9.07 грн
5000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G
Код товару: 121380
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.29 грн
16+22.14 грн
100+14.27 грн
500+10.87 грн
1000+9.66 грн
3000+7.17 грн
6000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.39 грн
6000+11.23 грн
9000+10.94 грн
12000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
14+24.06 грн
100+15.32 грн
500+10.84 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
11+30.67 грн
100+20.92 грн
500+15.46 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.17 грн
10+39.76 грн
100+22.42 грн
500+17.14 грн
1000+15.48 грн
3000+13.21 грн
6000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.62 грн
6000+12.15 грн
9000+11.66 грн
15000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1655+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 1655
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 67608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
11+29.80 грн
100+19.07 грн
500+13.55 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+12.55 грн
10000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2466
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.06 грн
26+32.77 грн
100+21.00 грн
500+14.78 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.47 грн
6000+10.09 грн
9000+9.60 грн
15000+8.50 грн
21000+8.19 грн
30000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 1800mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
10+31.93 грн
100+21.81 грн
500+16.12 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.17 грн
10+39.76 грн
100+22.42 грн
500+17.14 грн
1000+15.48 грн
3000+14.04 грн
6000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600onsemi SOT223 PNP LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.01 грн
2000+15.03 грн
3000+14.33 грн
5000+12.71 грн
7000+12.27 грн
10000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.97 грн
19+45.05 грн
50+37.18 грн
200+27.13 грн
500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 25656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
10+33.34 грн
100+22.79 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.81 грн
10+41.32 грн
100+23.40 грн
500+17.89 грн
1000+16.08 грн
2000+13.89 грн
5000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.18 грн
200+27.13 грн
500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 6A; 2W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 7535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.37 грн
10+41.41 грн
100+23.40 грн
500+17.97 грн
1000+16.23 грн
2000+14.72 грн
4000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1560+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1560
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
10+33.50 грн
100+22.86 грн
500+16.92 грн
1000+15.42 грн
2000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4onsemi NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.79 грн
200+30.12 грн
500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.98 грн
10+37.04 грн
100+25.41 грн
500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+22.69 грн
10000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.26 грн
2000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.19 грн
3000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.06 грн
2000+16.87 грн
3000+16.11 грн
5000+14.31 грн
7000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.37 грн
10+41.58 грн
100+25.97 грн
500+20.00 грн
1000+17.82 грн
2000+15.55 грн
5000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.15 грн
19+45.14 грн
50+38.79 грн
200+30.12 грн
500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+22.69 грн
10000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 1364
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.68 грн
2000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G
Код товару: 173995
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.17 грн
10+45.58 грн
100+25.82 грн
500+19.93 грн
1000+17.97 грн
2000+16.76 грн
4000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+36.88 грн
100+25.30 грн
500+18.79 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1371+22.58 грн
10000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 1371
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEBussmann / EatonLabels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB064T
Код товару: 170623
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1onsemiDescription: SS BRT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.58 грн
100+467.92 грн
260+393.30 грн
500+369.14 грн
1000+357.82 грн
2500+354.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikpowerCON - Self-closing cap for NAC3MPX-TOP or D series without latches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikpowerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.35 грн
100+469.66 грн
260+406.13 грн
500+388.77 грн
1000+376.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-3NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+934.44 грн
10+807.36 грн
100+654.50 грн
500+637.13 грн
1000+630.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSL100T
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM009T
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM016AT
на замовлення 101826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM227T
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM440TVRT
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM502K3J1NHB001Littelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 5KOHM 3419K MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 220°C
B0/50: 3419K
Resistance in Ohms @ 25°C: 5k
Resistance Tolerance: ±10%
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.26 грн
5+85.87 грн
10+81.86 грн
25+72.11 грн
50+68.93 грн
100+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSSR426CT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-GHSDigi InternationalDescription: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004T
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004TENICHIA09+
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006TNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006T-T238
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008AT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008BT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1NICHIA2010+ LED
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1-T117
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008DTNICHASMD 08+
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020ATTSMT05+
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020AT-TS9
на замовлення 26200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA06+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-P1
на замовлення 37481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-T170
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020CT
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW063AT
Код товару: 106214
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW064T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW157AT-H3Nichia CorporationСвітлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206TE
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW208ATENICHIA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440-9159-TRB
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440THRNICHIA
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440TVRNICHIA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSWD37TNICHIALED
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.