Продукція > NSS
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSS 4 14 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 14 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 22.2mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 22.2mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS 4 16 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 25.4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS 4 2 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 3.2mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS 4 3 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC Schraubenlänge: 4.8mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS 8 16 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 8-32 Schraubenlänge: 25.4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS 8 4 01 | ESSENTRA COMPONENTS | Description: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge tariffCode: 39269097 Gewindemaß - Imperial: 8-32 Schraubenlänge: 6.4mm productTraceability: No rohsCompliant: YES Gewindemaß - Metrisch: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-4-10-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.695" (17.65mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-4-10-01 | Essentra | Screws & Fasteners | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-4-12-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.820" (20.83mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | на замовлення 5165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-4-14-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.945" (24.00mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-4-16-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 1.070" (27.18mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | на замовлення 7439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-4-2-01 | Essentra | Screws & Fasteners | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-4-2-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.195" (4.95mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-4-3-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 | на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-4-4-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-4-5-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.383" (9.73mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 7570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-4-6-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.445" (11.30mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-4-7-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.508" (12.90mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 5786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-4-8-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #4-40 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.570" (14.48mm) Head Height: 0.070" (1.78mm) Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.209" (5.30mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-10-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.705" (17.91mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-12-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.830" (21.08mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-14-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.955" (24.26mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 2881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-16-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 1.080" (27.43mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 8871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-2-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.205" (5.21mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 8254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-3-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.267" (6.78mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-4-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.330" (8.38mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-6-5-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.393" (9.98mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-6-6-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.455" (11.56mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 7747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-7-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.518" (13.16mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 9771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-6-8-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #6-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.580" (14.73mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.272" (6.90mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-10-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.705" (17.91mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-12-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.830" (21.08mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-14-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.955" (24.26mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-8-16-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 1.080" (27.43mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-2-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.205" (5.21mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 9663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-2-01 | Essentra | Screws & Fasteners | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-8-3-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.267" (6.78mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-8-4-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.330" (8.38mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | на замовлення 9245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-5-01 | Essentra | Screws & Fasteners | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-8-5-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.393" (9.98mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 7181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-6-01 | Essentra | Screws & Fasteners | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-8-6-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.455" (11.56mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-8-7-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.518" (13.16mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-8-8-01 | Essentra Components | Description: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32 Packaging: Bulk Material: Nylon Thread Size: #8-32 Type: Machine Screw Length - Overall: 0.580" (14.73mm) Head Height: 0.080" (2.03mm) Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2" Screw Head Type: Pan Head Head Diameter: 0.319" (8.10mm) Drive Type: Slotted | на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS-G16D2 | Tripp Lite | Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2 | Tripp Lite | Ethernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2 | Tripp Lite | Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2P24 | Tripp Lite | Ethernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS-G24D2P24 | Tripp Lite | Description: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS10200 | 10 SOT-23 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS10200 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP | на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12100M3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 740 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3 | на замовлення 3415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | на замовлення 9350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 740 mW | на замовлення 5225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100UW3TCG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563 Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 100 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 0.65W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT563 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-563 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563 Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 100 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 0.65W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT563 | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-563 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 10248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12100XV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 11245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200 | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2601 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON | 10+ROHS SOT-23 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G Код товару: 113923
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | ON | SOT363 | на замовлення 2685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | ON | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12200WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 28745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A | на замовлення 76274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12201LT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 3098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | на замовлення 647 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS12500UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR | на замовлення 3044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | на замовлення 342 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A | на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 39723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | на замовлення 355368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12601CF8T1G | ON Semiconductor | на замовлення 3315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS12601CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS12601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 830 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS12601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS13-LC-V-T/R | Diptronics | Slide Switches Slide Type 1P3T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS13-RC-V-T/R | Diptronics | Slide Switches SLIDE SWITCH 1P3T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200L | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | на замовлення 20426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP | на замовлення 47124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN | на замовлення 1000 шт: термін постачання 129-138 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 6069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 101694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223 | на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C200MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C200MZT1G | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS1C201L | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | на замовлення 22749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23 | на замовлення 80549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 9388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans. | на замовлення 6533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 5938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C201MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN | на замовлення 16524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C300CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor | на замовлення 4455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 33 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | ON Semiconductor | на замовлення 1863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 20988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 6739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 5829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor | на замовлення 8712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS1C301ET4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS200-50 | NAE | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) | на замовлення 5358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 255 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 13766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 17479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200LT1G 4A/20V | ON | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20200W6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 555 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20200W6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 555 mW | на замовлення 20185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200W6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20200W6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 555 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20201DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20201DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 7226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 10195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 44277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A | на замовлення 11679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat | на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 4740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20201MR6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 46370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20300MR | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 545 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 545 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20300MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON | 08NOPB | на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON | WDFN3 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 4094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON | 09+ | на замовлення 30018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3T2G | ON Semiconductor | на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20500UW3TBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 7329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 7779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 5987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A | на замовлення 118007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 5987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3TBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3TBG | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20501UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3TBG | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 875 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20501UW3TBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 830 mW | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 830 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20601CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS20601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS20601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 830 mW | на замовлення 6901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS3-BK | Bussmann / Eaton | Labels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS3-BK | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385" Packaging: Bulk Color: Black Voltage Rating: 600V Current Rating (Amps): 30A Pitch: 0.385" (9.77mm) Number of Rows: 2 (Raised, Staggered) Terminal Block Type: Barrier Block Top Termination: Screws with Captive Plate Bottom Termination: Closed Barrier Type: 2 Wall (Dual) Number of Circuits: 3 Number of Wire Entries: 6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS3-WH | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385" Packaging: Bulk Color: White Voltage Rating: 600V Current Rating (Amps): 30A Pitch: 0.385" (9.77mm) Number of Rows: 2 (Raised, Staggered) Terminal Block Type: Barrier Block Top Termination: Screws with Captive Plate Bottom Termination: Closed Barrier Type: 2 Wall (Dual) Number of Circuits: 3 Number of Wire Entries: 6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS3-WH | Bussmann / Eaton | DIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.7A SC74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30070MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.7A SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.7A SC74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat | на замовлення 3631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30071MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.7A SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: SC-74 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 342 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 5351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ON | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat | на замовлення 3537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30100LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 315927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | ONSEMI | NSS30101LT1G NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat | на замовлення 19761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 8570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30101LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1 | на замовлення 33500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat | на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 535 mW | на замовлення 32548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON | 09+ | на замовлення 6751 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 2236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 535 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON | 07NOPB | на замовлення 6683 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS30201MR6T1G | ON | TSOP-6 0719+ | на замовлення 1135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1 | на замовлення 12814 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON | SSOP8 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 635 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 635 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200CF8T1G | ON Semiconductor | на замовлення 1790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS35200CF8TIG | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 635 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat | на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | ON | 07+; | на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 357599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS35200MR6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS3CS-WH | Eaton Bussmann | Description: TERM BLOCK W/COMBO SCREW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS3CS-WH | Bussmann / Eaton | DIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS3PP-WH | Bussmann / Eaton | DIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR | на замовлення 28242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 11746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 185658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 159923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 7950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 206153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40200UW6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 38280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Current gain: 200 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Application: automotive industry Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.54W Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 609 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A | на замовлення 239866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Current gain: 200 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Application: automotive industry Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.54W Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 40V | на замовлення 609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 47302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300 | onsemi | onsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300CTWG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300CTWG | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2 | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | ON Semiconductor | на замовлення 398 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS40300DDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 24947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MDG | на замовлення 5388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP | на замовлення 2541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | ON Semiconductor | на замовлення 355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS40300MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | на замовлення 31720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 7221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON | на замовлення 41500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A | на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 3782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A | на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40300MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40300UT001 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40301 | onsemi | NPN 40V LOW SAT SOT223 BP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: e2PowerEdge Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301CTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MDG | на замовлення 5388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8 | на замовлення 15806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 653mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | onsemi | Description: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 653mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP | на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 5863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 5515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223 | на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40301MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40301UT001 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 783mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 783mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 11863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 6981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 783mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 783mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 11863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40302PDR2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A | на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40400CF8T1G | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40400CF8T1G | onsemi | Description: LOW VCES 40V SS XTR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 4243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | на замовлення 6998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR | на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 36300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40500UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE | на замовлення 8579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 4763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40501UW3T2G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40600CF8T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40601CF8T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS40601CF8T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS40601CF8T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS43400MZ4T3G | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS4532-200-F | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS504-012N-CAEG1T | ?? | на замовлення 589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS504-012N-CFED1B | на замовлення 7600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS507-212F-GAAG1T | MISAKI | 07+ | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS5E472J | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2PNP 60V 1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2PNP 60V 1A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | на замовлення 5413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60100DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 98-107 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60101DMR6T1G | onsemi | Description: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60101DMR6T1G | ON Semiconductor | 60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60101DMTTBG | onsemi | Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.27W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active | на замовлення 3765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200DMTTBG | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60200DMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60200DMTTBG | ON Semiconductor | PNP Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G Код товару: 121380
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 39454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A | на замовлення 54539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200SMTTBG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200SMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200SMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60200SMTTBG | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ONSEMI | NSS60201LT1G NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 53000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW | на замовлення 67608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60201LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR | на замовлення 14603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60201SMTTBG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60201SMTTBG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60201SMTTBG | ON Semiconductor | 60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60201SMTTBG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600 | onsemi | onsemi SOT223 PNP LOW VCE(SAT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON | 10+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 25656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A | на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A | на замовлення 15132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 7446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | на замовлення 3340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60600MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4 | onsemi | NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) | на замовлення 28142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN | на замовлення 5671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G Код товару: 173995
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSS60601MZ4T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS6GE | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSS6GE | Bussmann / Eaton | Labels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSB064T Код товару: 170623
Додати до обраних
Обраний товар
| Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSB1001LT1 | onsemi | Description: SS BRT Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 399000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSSB1001LT1 | на замовлення 408000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSC-1 | Neutrik | AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSSC-1 | Neutrik | powerCON - Self-closing cap for NAC3MPX-TOP or D series without latches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSC-1 | NEUTRIK | NTR-NSSC-1 Other Neutrik Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSC-2 | Neutrik | powerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSC-2 | NEUTRIK | NTR-NSSC-2 Other Neutrik Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSC-2 | Neutrik | AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSSC-3 | NEUTRIK | NTR-NSSC-3 Other Neutrik Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSC-3 | Neutrik | AC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSSL100T | на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSM009T | на замовлення 209 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSM016AT | на замовлення 101826 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSM227T | на замовлення 3436 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSM440TVR | T | на замовлення 1695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSM502K3J1NHB001 | Littelfuse Inc. | Description: THERMISTOR NTC 5KOHM 3419K MELF Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 220°C B0/50: 3419K Resistance in Ohms @ 25°C: 5k Resistance Tolerance: ±10% Part Status: Active | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSSR426CT | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSS-50G | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-50T | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-7520G | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-7520T | Digi International | Description: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-9360G | Digi International | Description: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-9360T | Digi International | Description: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-9750G | Digi International | Description: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-9750T | Digi International | Description: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSS-GHS | Digi International | Description: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSW004T | на замовлення 11300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW004TE | NICHIA | 09+ | на замовлення 6028 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSW006T | NICHIA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSW006T-T238 | на замовлення 667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW008AT | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW008BT | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW008CT | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW008CT-P1 | NICHIA | 2010+ LED | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSW008CT-P1-T117 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW008DT | NICHA | SMD 08+ | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSW020AT | TSMT | 05+ | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSW020AT-TS9 | на замовлення 26200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW020BT | NICHIA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSW020BT | NICHIA | 06+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
NSSW020BT-P1 | на замовлення 37481 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW020BT-T170 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW020CT | на замовлення 115000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW063AT Код товару: 106214
Додати до обраних
Обраний товар
| Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSW064T | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW157AT-H3 | Nichia Corporation | Світлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm | на замовлення 2094 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NSSW206T | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW206TE | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW208ATE | NICHIA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSW440-9159-TRB | на замовлення 27794 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
NSSW440THR | NICHIA | на замовлення 27794 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSW440TVR | NICHIA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
NSSWD37T | NICHIA | LED | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |