НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NSS 4 14 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 14 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 22.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 22.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+677.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+676.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 2 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 3.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+631.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 4 3 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 4.8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSS 8 4 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 6.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.695" (17.65mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
52+5.98 грн
60+5.13 грн
72+4.03 грн
77+3.77 грн
100+3.61 грн
250+3.16 грн
500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-10-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
58+5.36 грн
63+4.90 грн
70+4.11 грн
76+3.81 грн
100+3.55 грн
250+3.18 грн
500+2.97 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.070" (27.18mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 7439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
64+4.83 грн
77+3.77 грн
82+3.52 грн
100+3.38 грн
250+2.96 грн
500+2.81 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.195" (4.95mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
52+5.98 грн
56+5.52 грн
61+4.72 грн
67+4.36 грн
100+4.06 грн
250+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.383" (9.73mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
52+5.98 грн
55+5.59 грн
61+4.75 грн
66+4.39 грн
100+4.08 грн
250+3.67 грн
500+3.44 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.445" (11.30mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.508" (12.90mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
55+5.67 грн
63+4.90 грн
75+3.85 грн
80+3.61 грн
100+3.46 грн
250+3.02 грн
500+2.87 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-4-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.570" (14.48mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
64+4.83 грн
77+3.77 грн
82+3.52 грн
100+3.38 грн
250+2.96 грн
500+2.81 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
65+4.75 грн
78+3.71 грн
83+3.50 грн
100+3.35 грн
250+2.93 грн
500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
65+4.75 грн
78+3.71 грн
83+3.50 грн
100+3.35 грн
250+2.93 грн
500+2.78 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
53+5.82 грн
62+4.98 грн
75+3.88 грн
79+3.65 грн
100+3.50 грн
250+3.06 грн
500+2.90 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
65+4.75 грн
78+3.71 грн
83+3.50 грн
100+3.35 грн
250+2.93 грн
500+2.78 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 8254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
53+5.82 грн
61+5.06 грн
74+3.91 грн
79+3.68 грн
100+3.52 грн
250+3.08 грн
500+2.92 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
53+5.82 грн
61+5.06 грн
74+3.91 грн
79+3.68 грн
100+3.52 грн
250+3.08 грн
500+2.92 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
50+6.13 грн
55+5.59 грн
61+4.72 грн
66+4.37 грн
100+4.07 грн
250+3.66 грн
500+3.43 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
64+4.83 грн
77+3.74 грн
82+3.52 грн
100+3.38 грн
250+2.95 грн
500+2.80 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-6-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
52+5.98 грн
60+5.13 грн
72+4.00 грн
77+3.75 грн
100+3.60 грн
250+3.15 грн
500+2.99 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
53+5.82 грн
58+5.36 грн
64+4.52 грн
69+4.19 грн
100+3.89 грн
250+3.49 грн
500+3.27 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
50+6.13 грн
58+5.29 грн
70+4.14 грн
74+3.90 грн
100+3.73 грн
250+3.26 грн
500+3.09 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.080" (27.43mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
50+6.13 грн
58+5.29 грн
70+4.14 грн
74+3.90 грн
100+3.73 грн
250+3.26 грн
500+3.09 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 9663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
63+4.90 грн
75+3.88 грн
80+3.64 грн
100+3.48 грн
250+3.04 грн
500+2.89 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-2-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 9245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
55+5.67 грн
63+4.90 грн
75+3.88 грн
80+3.64 грн
100+3.48 грн
250+3.04 грн
500+2.89 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
50+6.13 грн
58+5.29 грн
69+4.17 грн
74+3.91 грн
100+3.74 грн
250+3.27 грн
500+3.11 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01EssentraScrews & Fasteners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
53+5.82 грн
58+5.36 грн
63+4.57 грн
68+4.24 грн
100+3.95 грн
250+3.55 грн
500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-8-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.96 грн
53+5.82 грн
57+5.44 грн
64+4.55 грн
69+4.23 грн
100+3.93 грн
250+3.52 грн
500+3.30 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G16D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS-G24D2P24Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1020010 SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS10200
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.34 грн
10+40.31 грн
100+30.11 грн
500+22.20 грн
1000+17.15 грн
2000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.74 грн
13+27.67 грн
100+19.05 грн
500+16.85 грн
1000+14.27 грн
8000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.18 грн
10+41.20 грн
100+27.07 грн
500+21.56 грн
1000+16.92 грн
3000+14.79 грн
9000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCG
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
10+36.17 грн
100+25.14 грн
500+18.42 грн
1000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.07 грн
18+34.09 грн
25+33.77 грн
100+23.90 грн
250+21.91 грн
500+15.07 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.81 грн
23+27.07 грн
25+25.05 грн
100+15.79 грн
250+13.90 грн
500+12.66 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.53 грн
10+29.03 грн
78+13.89 грн
212+13.15 грн
4000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.27 грн
8000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 100
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.44 грн
17+23.30 грн
78+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 10248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
13+25.06 грн
100+17.42 грн
500+12.77 грн
1000+10.38 грн
2000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.30 грн
14+24.37 грн
100+15.45 грн
500+12.51 грн
1000+9.71 грн
4000+9.49 грн
8000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.49 грн
27+23.05 грн
100+12.58 грн
1000+10.04 грн
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.50 грн
31+27.48 грн
100+14.52 грн
500+12.49 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON10+ROHS SOT-23
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.52 грн
12+29.10 грн
100+12.87 грн
3000+8.90 грн
9000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G
Код товару: 113923
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.52 грн
500+12.49 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+24.82 грн
901+13.54 грн
1089+11.21 грн
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.51 грн
12+30.37 грн
100+17.95 грн
500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GONSOT363
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.03 грн
500+11.27 грн
1500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 28745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
13+25.37 грн
100+15.20 грн
500+13.21 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A
на замовлення 76274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.72 грн
12+29.36 грн
100+12.36 грн
1000+10.74 грн
3000+8.17 грн
9000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.19 грн
50+23.11 грн
100+14.03 грн
500+11.27 грн
1500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
6000+8.45 грн
9000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12201LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+62.23 грн
100+41.14 грн
500+30.13 грн
1000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2G
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.47 грн
10+62.69 грн
100+37.74 грн
500+31.56 грн
1000+26.85 грн
3000+23.91 грн
6000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.41 грн
6000+23.58 грн
9000+22.64 грн
15000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2G
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.00 грн
10+38.83 грн
100+29.80 грн
500+26.19 грн
1000+23.39 грн
3000+22.36 грн
6000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 39723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.86 грн
10+62.00 грн
100+41.04 грн
500+30.05 грн
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 355368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
10+48.20 грн
100+33.34 грн
500+25.00 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-LC-V-T/RDiptronicsSlide Switches Slide Type 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS13-RC-V-T/RDiptronicsSlide Switches SLIDE SWITCH 1P3T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LonsemiBipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.31 грн
17+36.82 грн
25+35.21 грн
100+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.30 грн
10+34.33 грн
100+22.19 грн
500+15.87 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
на замовлення 47124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.41 грн
11+33.42 грн
100+19.27 грн
500+14.20 грн
1000+13.61 грн
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON Semiconductor
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+11.95 грн
9000+11.40 грн
15000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.06 грн
2000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.27 грн
22+38.13 грн
100+25.67 грн
500+21.00 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 129-138 дні (днів)
7+49.18 грн
10+42.64 грн
100+28.77 грн
500+23.03 грн
1000+18.47 грн
2000+15.89 грн
10000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+42.61 грн
363+33.65 грн
365+33.49 грн
500+25.11 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.29 грн
16+39.97 грн
25+39.57 грн
100+30.13 грн
250+27.76 грн
500+20.73 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+39.39 грн
100+27.41 грн
500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.67 грн
500+21.00 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 101694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1596+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 1596
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.67 грн
10+41.96 грн
100+25.31 грн
500+19.79 грн
1000+14.42 грн
4000+14.35 грн
8000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C200MZT1G
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.15 грн
6000+7.90 грн
9000+7.82 грн
15000+7.24 грн
21000+6.64 грн
30000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+14.11 грн
1105+11.05 грн
1145+10.66 грн
1156+10.18 грн
1168+9.33 грн
3000+8.34 грн
6000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.02 грн
50+21.79 грн
100+12.87 грн
500+11.50 грн
1500+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.21 грн
46+13.23 грн
47+13.10 грн
100+9.89 грн
250+8.84 грн
500+8.40 грн
1000+8.32 грн
3000+7.74 грн
6000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 22749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
11+27.97 грн
100+17.94 грн
500+12.75 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
6000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 80549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.00 грн
16+21.74 грн
100+11.18 грн
1000+10.15 грн
3000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2950+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 2950
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
6000+9.49 грн
9000+9.03 грн
15000+7.99 грн
21000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.87 грн
500+11.50 грн
1500+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
6000+8.48 грн
9000+8.39 грн
15000+7.77 грн
21000+7.13 грн
30000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4onsemiBipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.23 грн
2000+15.70 грн
5000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.85 грн
500+30.04 грн
1000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.27 грн
18+47.45 грн
100+29.22 грн
500+21.61 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
10+39.77 грн
100+27.66 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.32 грн
13+50.28 грн
25+49.80 грн
100+36.80 грн
250+33.74 грн
500+25.49 грн
1000+20.28 грн
3000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.91 грн
10+54.65 грн
100+36.42 грн
500+28.84 грн
1000+23.03 грн
2000+20.82 грн
10000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.63 грн
297+41.10 грн
300+40.69 грн
500+30.89 грн
1000+22.75 грн
3000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.64 грн
17+35.84 грн
25+35.53 грн
100+26.42 грн
250+24.14 грн
500+18.54 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+38.26 грн
414+29.50 грн
419+29.12 грн
524+22.46 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
10+34.33 грн
100+23.84 грн
500+17.47 грн
1000+14.20 грн
2000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
на замовлення 16524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.14 грн
11+32.57 грн
100+19.57 грн
500+16.33 грн
1000+12.87 грн
4000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.70 грн
500+35.17 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V LFPAK4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.87 грн
10+72.34 грн
100+42.01 грн
250+37.67 грн
500+32.96 грн
1000+30.09 грн
3000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.02 грн
12+71.96 грн
100+47.70 грн
500+35.17 грн
1000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.66 грн
10+55.75 грн
100+37.74 грн
500+32.00 грн
1000+26.04 грн
2500+24.57 грн
5000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.59 грн
5000+25.50 грн
7500+24.47 грн
12500+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.65 грн
13+68.58 грн
100+48.86 грн
500+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GON Semiconductor
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 20988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.43 грн
10+65.22 грн
100+43.28 грн
500+31.77 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+53.34 грн
100+41.43 грн
500+32.96 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C301ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.39 грн
19+44.15 грн
100+30.54 грн
500+22.45 грн
1000+16.91 грн
5000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 5829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+47.59 грн
100+31.11 грн
500+22.53 грн
1000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.63 грн
14+45.48 грн
25+43.29 грн
100+33.39 грн
250+30.60 грн
500+24.28 грн
1000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
на замовлення 8712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.07 грн
10+38.75 грн
100+26.04 грн
500+22.07 грн
1000+18.83 грн
2500+16.70 грн
5000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.99 грн
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS200-50NAE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+19.23 грн
41+14.81 грн
42+14.71 грн
100+6.96 грн
250+6.38 грн
500+6.07 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
на замовлення 5358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.95 грн
24+14.47 грн
100+5.81 грн
1000+5.00 грн
3000+3.75 грн
9000+3.24 грн
24000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.33 грн
100+8.32 грн
500+5.76 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1571+7.77 грн
1586+7.69 грн
1601+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 1571
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.69 грн
6000+16.14 грн
9000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
10+38.85 грн
100+26.89 грн
500+21.09 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.23 грн
50+22.78 грн
100+11.14 грн
500+9.81 грн
1500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+6.49 грн
9000+6.19 грн
15000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 13766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.14 грн
15+23.86 грн
100+10.08 грн
1000+8.98 грн
3000+6.33 грн
9000+5.59 грн
24000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.14 грн
500+9.81 грн
1500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 17479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
18+17.47 грн
100+11.75 грн
500+8.54 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+24.49 грн
729+16.74 грн
737+16.56 грн
1034+11.38 грн
1265+8.61 грн
3000+8.19 грн
6000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 4A/20VONSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.45 грн
6000+15.92 грн
9000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.16 грн
10+38.32 грн
100+26.53 грн
500+20.80 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 7226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
16+19.54 грн
100+13.17 грн
500+9.59 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.56 грн
50+20.71 грн
100+13.78 грн
500+9.58 грн
1500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
6000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 2.0 A
на замовлення 11679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.70 грн
14+25.04 грн
100+12.14 грн
1000+8.31 грн
3000+7.28 грн
9000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.78 грн
500+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.18 грн
10+42.72 грн
100+28.47 грн
500+22.51 грн
1000+17.95 грн
3000+16.26 грн
6000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
10+35.63 грн
100+24.64 грн
500+19.32 грн
1000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20201MR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
10+33.80 грн
100+25.21 грн
500+18.59 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.71 грн
10+40.10 грн
100+22.81 грн
500+17.51 грн
1000+15.30 грн
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON08NOPB
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GONWDFN3
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.72 грн
10+37.82 грн
100+22.88 грн
500+17.88 грн
1000+13.54 грн
3000+11.70 грн
9000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+39.16 грн
100+29.25 грн
500+21.57 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3T2GON Semiconductor
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+30.81 грн
100+21.05 грн
500+15.55 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20500UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 7329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.94 грн
10+37.82 грн
100+22.95 грн
500+17.95 грн
1000+14.57 грн
3000+12.43 грн
9000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.14 грн
10+32.34 грн
100+22.12 грн
500+16.37 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+45.29 грн
359+33.99 грн
500+26.21 грн
1000+17.97 грн
3000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.41 грн
9000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2G
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
на замовлення 118007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.33 грн
12+29.19 грн
100+19.42 грн
500+16.11 грн
1000+13.61 грн
3000+12.51 грн
9000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.81 грн
42+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+50.08 грн
15+42.49 грн
25+42.06 грн
100+30.46 грн
250+28.18 грн
500+21.63 грн
1000+16.02 грн
3000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.90 грн
6000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.89 грн
10+40.44 грн
100+26.26 грн
500+20.67 грн
1000+15.96 грн
3000+13.54 грн
9000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
10+35.94 грн
100+24.96 грн
500+18.29 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.49 грн
6000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.88 грн
10+80.29 грн
100+47.97 грн
500+37.74 грн
1000+33.77 грн
3000+30.16 грн
6000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 6901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.94 грн
10+76.40 грн
100+51.04 грн
500+37.71 грн
1000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKBussmann / EatonLabels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-BKEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: Black
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: White
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.10 грн
10+37.56 грн
100+22.36 грн
500+17.66 грн
1000+16.11 грн
3000+13.10 грн
9000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+34.79 грн
100+23.83 грн
500+17.66 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.61 грн
6000+13.95 грн
9000+13.40 грн
15000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.96 грн
13+26.90 грн
100+16.18 грн
500+14.93 грн
1000+14.20 грн
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+8.44 грн
73+8.30 грн
74+8.17 грн
100+7.75 грн
250+7.06 грн
500+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
10+30.88 грн
100+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: SC-74
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 342 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.62 грн
500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+26.03 грн
28+21.78 грн
33+18.50 грн
100+11.75 грн
250+10.77 грн
500+10.24 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
17+19.01 грн
100+12.83 грн
500+9.36 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.81 грн
30+28.31 грн
100+13.62 грн
500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+19.92 грн
930+13.12 грн
940+12.99 грн
949+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.70 грн
15+23.60 грн
100+12.07 грн
1000+7.95 грн
3000+7.65 грн
9000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.09 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.49 грн
29+21.19 грн
100+11.06 грн
250+10.14 грн
500+9.63 грн
1000+6.68 грн
3000+6.45 грн
6000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONSEMINSS30101LT1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.62 грн
18+19.80 грн
100+9.42 грн
1000+8.46 грн
3000+6.77 грн
9000+6.62 грн
24000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+22.82 грн
989+12.35 грн
999+12.23 грн
1009+11.67 грн
1454+7.49 грн
3000+6.94 грн
6000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 535
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
17+19.01 грн
100+12.83 грн
500+9.36 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.18 грн
10+38.75 грн
100+23.03 грн
500+18.17 грн
1000+15.74 грн
3000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 32548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+42.61 грн
100+27.70 грн
500+19.98 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON09+
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON Semiconductor
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.81 грн
6000+13.99 грн
9000+13.36 грн
15000+11.88 грн
21000+11.48 грн
30000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GON07NOPB
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30201MR6T1GONTSOP-6 0719+
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1
на замовлення 12814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GONSSOP8
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.54 грн
10+56.63 грн
100+39.43 грн
500+29.75 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8T1GON Semiconductor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200CF8TIGonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.89 грн
10+40.19 грн
100+26.19 грн
500+20.53 грн
1000+16.04 грн
3000+13.61 грн
9000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 357599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1565+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1565
В кошику  од. на суму  грн.
NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+9.31 грн
70+8.73 грн
71+8.60 грн
100+7.42 грн
250+6.85 грн
500+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHEaton BussmannDescription: TERM BLOCK W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3CS-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS3PP-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
на замовлення 28242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.46 грн
21+16.75 грн
100+9.27 грн
1000+7.65 грн
3000+5.96 грн
9000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.90 грн
41+14.92 грн
100+9.54 грн
250+8.42 грн
500+8.00 грн
1000+7.06 грн
3000+5.35 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.86 грн
52+16.18 грн
100+10.32 грн
500+8.81 грн
1500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+16.07 грн
1146+10.66 грн
1201+10.16 грн
1215+9.69 грн
1377+7.92 грн
3000+5.77 грн
6000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 760
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 11746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
14+21.99 грн
100+13.98 грн
500+9.84 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
6000+7.47 грн
9000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 185658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+4.50 грн
137+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.32 грн
500+8.81 грн
1500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.24 грн
6000+7.21 грн
9000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4116+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 159923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON Semiconductor
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 206153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
964+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 964
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 38280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3433+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3433
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Current gain: 200
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.54W
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.67 грн
14+21.58 грн
50+15.08 грн
75+13.89 грн
90+12.14 грн
247+11.50 грн
1500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.53 грн
6000+8.36 грн
9000+7.95 грн
15000+7.02 грн
21000+6.76 грн
30000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
на замовлення 239866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.37 грн
15+23.44 грн
100+10.81 грн
1000+10.08 грн
3000+6.99 грн
9000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.06 грн
50+23.52 грн
100+12.21 грн
500+10.96 грн
1500+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Current gain: 200
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.54W
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 40V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.06 грн
23+17.32 грн
50+12.57 грн
75+11.57 грн
90+10.12 грн
247+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+22.41 грн
1030+11.85 грн
1072+11.39 грн
1084+10.86 грн
1108+9.83 грн
3000+8.03 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
6000+9.18 грн
9000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 47302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
13+25.06 грн
100+15.99 грн
500+11.32 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+33.37 грн
29+21.04 грн
30+20.81 грн
100+10.61 грн
250+9.44 грн
500+8.97 грн
1000+8.77 грн
3000+7.46 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.55 грн
500+9.66 грн
1500+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300onsemionsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.17 грн
10+71.35 грн
25+59.71 грн
100+43.68 грн
250+37.61 грн
500+33.87 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.62 грн
11+76.83 грн
100+50.09 грн
500+36.02 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT PNP LFPAK4 BIP POWER TRAN
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.02 грн
10+61.00 грн
100+41.27 грн
500+35.02 грн
1000+28.54 грн
3000+26.85 грн
6000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.09 грн
500+36.02 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2onsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.98 грн
10+50.09 грн
100+33.62 грн
500+28.62 грн
1000+26.12 грн
2500+23.03 грн
5000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.72 грн
5000+23.80 грн
7500+22.82 грн
12500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GON Semiconductor
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.07 грн
10+61.46 грн
100+40.66 грн
500+29.77 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.02 грн
10+60.75 грн
100+34.58 грн
500+28.10 грн
1000+25.82 грн
2500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GON Semiconductor
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+62.46 грн
100+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+41.13 грн
384+31.80 грн
388+31.51 грн
500+24.57 грн
1000+15.00 грн
3000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 297
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON Semiconductor
на замовлення 31720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+40.54 грн
100+26.32 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.98 грн
16+38.52 грн
25+38.20 грн
100+28.47 грн
250+26.13 грн
500+20.28 грн
1000+13.37 грн
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.22 грн
200+22.53 грн
500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.91 грн
2000+16.54 грн
3000+15.70 грн
5000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.93 грн
10+37.06 грн
100+21.92 грн
500+17.44 грн
1000+15.74 грн
2000+12.95 грн
10000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.60 грн
25+34.08 грн
50+29.22 грн
200+22.53 грн
500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
10+35.71 грн
100+23.07 грн
500+16.52 грн
1000+14.87 грн
2000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.82 грн
10+35.28 грн
100+20.30 грн
500+15.82 грн
1000+12.95 грн
4000+12.21 грн
8000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3G
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300UT001
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301onsemi NPN 40V LOW SAT SOT223 BP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.62 грн
11+76.83 грн
100+50.09 грн
500+36.02 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.17 грн
10+71.35 грн
25+59.71 грн
100+43.68 грн
250+37.61 грн
500+33.87 грн
1000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.02 грн
10+61.00 грн
100+41.27 грн
500+35.02 грн
1000+28.54 грн
3000+26.85 грн
6000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.09 грн
500+36.02 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 15806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.43 грн
10+66.58 грн
100+38.55 грн
500+30.24 грн
1000+27.51 грн
2500+24.50 грн
5000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.35 грн
15+56.12 грн
100+38.79 грн
500+34.49 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+62.46 грн
100+41.30 грн
500+30.25 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.79 грн
500+34.49 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.17 грн
2000+14.99 грн
3000+14.21 грн
5000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.84 грн
28+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.57 грн
34+18.09 грн
100+15.47 грн
500+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.82 грн
10+34.86 грн
100+20.45 грн
500+16.26 грн
1000+14.79 грн
2000+11.99 грн
10000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+37.09 грн
100+24.01 грн
500+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+19.48 грн
733+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 627
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+37.09 грн
100+24.01 грн
500+17.23 грн
1000+15.51 грн
2000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.09 грн
10+40.02 грн
100+22.66 грн
500+17.29 грн
1000+14.13 грн
4000+12.58 грн
8000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301UT001
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.67 грн
500+46.98 грн
1000+33.25 грн
5000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.68 грн
10+84.22 грн
100+56.60 грн
500+41.99 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.46 грн
11+82.03 грн
100+59.67 грн
500+46.98 грн
1000+33.25 грн
5000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.22 грн
5000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.60 грн
10+88.83 грн
100+53.93 грн
500+42.67 грн
1000+38.48 грн
2500+35.02 грн
5000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1GonsemiDescription: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 1603
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+40.92 грн
100+26.57 грн
500+19.13 грн
1000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.67 грн
10+36.13 грн
100+22.00 грн
500+19.20 грн
1000+15.52 грн
3000+14.35 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
на замовлення 8579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.70 грн
10+59.65 грн
100+35.83 грн
250+35.68 грн
500+27.96 грн
1000+27.29 грн
3000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.38 грн
100+41.23 грн
500+30.20 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+50.21 грн
278+42.35 грн
500+35.54 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.70 грн
25+46.62 грн
100+39.38 грн
250+36.42 грн
500+31.68 грн
1000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.72 грн
10+59.08 грн
100+41.19 грн
500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.49 грн
10+75.21 грн
100+50.98 грн
500+42.08 грн
1000+33.25 грн
3000+28.25 грн
24000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.31 грн
10+73.27 грн
100+49.66 грн
500+40.98 грн
1000+32.44 грн
3000+30.16 грн
9000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS43400MZ4T3G
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS4532-200-F
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CAEG1T??
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CFED1B
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS507-212F-GAAG1TMISAKI07+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS5E472J
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+39.31 грн
100+27.32 грн
500+20.02 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
7+51.07 грн
10+43.15 грн
100+26.04 грн
500+20.38 грн
1000+16.55 грн
3000+14.05 грн
9000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GonsemiDescription: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GON Semiconductor60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.30 грн
10+43.15 грн
100+26.04 грн
500+20.38 грн
1000+16.55 грн
3000+14.05 грн
9000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.52 грн
10+34.03 грн
100+23.30 грн
500+17.28 грн
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorPNP Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G
Код товару: 121380
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
13+25.44 грн
100+16.19 грн
500+11.45 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.14 грн
34+24.35 грн
100+14.11 грн
500+10.50 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 54539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.25 грн
16+21.32 грн
100+10.30 грн
1000+9.12 грн
3000+6.92 грн
9000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
6000+8.45 грн
9000+8.03 грн
15000+7.09 грн
21000+6.83 грн
30000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.88 грн
10+40.02 грн
100+23.47 грн
500+18.10 грн
1000+15.16 грн
3000+12.43 грн
9000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.16 грн
11+29.89 грн
100+20.39 грн
500+15.07 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
6000+11.84 грн
9000+11.36 грн
15000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
6000+9.83 грн
9000+9.36 грн
15000+8.28 грн
21000+7.99 грн
30000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GONSEMINSS60201LT1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.06 грн
34+24.84 грн
100+13.20 грн
500+11.27 грн
1000+9.48 грн
5000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2933+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 2933
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 67608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.54 грн
11+29.04 грн
100+18.58 грн
500+13.21 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
на замовлення 14603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.55 грн
11+31.05 грн
100+13.32 грн
1000+11.92 грн
3000+8.46 грн
9000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.49 грн
10+38.33 грн
100+23.17 грн
500+18.10 грн
1000+14.20 грн
3000+13.24 грн
9000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+31.11 грн
100+21.26 грн
500+15.71 грн
1000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600onsemionsemi SOT223 PNP LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON10+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 25656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.14 грн
10+32.49 грн
100+22.21 грн
500+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.13 грн
19+45.47 грн
100+31.03 грн
500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+37.16 грн
21+29.80 грн
25+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.24 грн
2000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.58 грн
2000+14.64 грн
3000+13.97 грн
5000+12.39 грн
7000+11.96 грн
10000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.24 грн
10+42.89 грн
100+24.79 грн
500+19.05 грн
1000+16.77 грн
2000+13.32 грн
10000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.03 грн
500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.00 грн
2000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 15132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.89 грн
10+40.69 грн
100+24.65 грн
500+19.05 грн
1000+13.98 грн
4000+13.17 грн
8000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.14 грн
10+32.65 грн
100+22.28 грн
500+16.48 грн
1000+15.03 грн
2000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3G
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4onsemi NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.58 грн
2000+16.44 грн
3000+15.70 грн
5000+13.94 грн
7000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.07 грн
3000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
на замовлення 28142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.94 грн
10+36.97 грн
100+22.81 грн
500+20.38 грн
1000+17.21 грн
2000+15.38 грн
5000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.76 грн
26+24.08 грн
27+22.67 грн
100+18.93 грн
250+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.50 грн
10+36.09 грн
100+24.76 грн
500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.51 грн
13+26.48 грн
100+16.92 грн
500+14.20 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3G
Код товару: 173995
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+35.94 грн
100+24.66 грн
500+18.31 грн
1000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS6GEBussmann / EatonLabels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB064T
Код товару: 170623
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1onsemiDescription: SS BRT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
NSSB1001LT1
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.39 грн
260+470.39 грн
500+398.00 грн
1000+384.76 грн
2500+381.82 грн
5000+378.14 грн
10000+377.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NeutrikpowerCON - Self-closing cap for NAC3MPX-TOP or D series without latches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-1NEUTRIKNTR-NSSC-1 Other Neutrik Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikpowerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NEUTRIKNTR-NSSC-2 Other Neutrik Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-2NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.26 грн
10+504.24 грн
100+424.49 грн
260+423.75 грн
500+411.98 грн
1000+394.33 грн
2500+390.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-3NEUTRIKNTR-NSSC-3 Other Neutrik Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSC-3NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+975.02 грн
100+785.12 грн
500+678.30 грн
1000+672.41 грн
2500+670.94 грн
5000+668.73 грн
10000+668.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSSL100T
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM009T
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM016AT
на замовлення 101826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM227T
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM440TVRT
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSM502K3J1NHB001Littelfuse Inc.Description: THERMISTOR NTC 5KOHM 3419K MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 220°C
B0/50: 3419K
Resistance in Ohms @ 25°C: 5k
Resistance Tolerance: ±10%
Part Status: Active
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
5+84.30 грн
10+80.31 грн
25+70.74 грн
50+67.62 грн
100+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSSR426CT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-50TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-7520TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9360TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-9750TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSS-GHSDigi InternationalDescription: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004T
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW004TENICHIA09+
на замовлення 6028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006TNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW006T-T238
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008AT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008BT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1NICHIA2010+ LED
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008CT-P1-T117
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW008DTNICHASMD 08+
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020ATTSMT05+
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020AT-TS9
на замовлення 26200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BTNICHIA06+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-P1
на замовлення 37481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020BT-T170
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW020CT
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW063AT
Код товару: 106214
Додати до обраних Обраний товар

Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW064T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW157AT-H3Nichia CorporationСвітлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
53+11.90 грн
58+10.86 грн
100+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW206TE
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW208ATENICHIA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440-9159-TRB
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440THRNICHIA
на замовлення 27794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSW440TVRNICHIA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSSWD37TNICHIALED
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.