Продукція > SQ2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ2.5TEKOSQ2.5 Enclosures with Panel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2.9TEKOSQ2.9 Enclosures with Panel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.29 грн
10+106.24 грн
25+100.23 грн
100+86.37 грн
250+81.74 грн
500+78.47 грн
1000+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ200 - Logikanalysator, 4, 16kB, 200 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
rohsCompliant: YES
Stromverbrauch: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 200MHz
Außenbreite: 50mm
Außentiefe: 50mm
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 16kB
Außenhöhe: 15mm
Produktpalette: ScanaQuad Series
productTraceability: No
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80g
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18297.09 грн
5+17931.44 грн
10+17564.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200Pimoroni LtdDescription: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR
Packaging: Bulk
Tool Type: Logic Analyzer, Signal Generator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200Pimoroni LtdLogic Analyzer and Pattern Generators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: LOGIC ANALYZER COMM SYST/COMP
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Communication Systems, Computer Systems, Electrical Systems
Tool Type: Logic Analyzer
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14009.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201570Rose EnclosuresDescription: BOX 04102006 MOD TO EKD21020301
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3304.92 грн
5+2720.56 грн
10+2542.82 грн
25+2182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2019H2
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202 транзистор
Код товару: 89209
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #2 1"
Packaging: Bulk
Tool Type: Bit, Power
Length - Overall: 1.00" (25.4mm)
Tip Type: Square
Tip Size: #2
Drive Size: 1/4"
Quantity: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein ToolsScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers #2 Square Insert Power Drivers, 1-Inch, 5-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ21G??2010+ ROHS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-.25MHZ
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-250K
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ221
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.58 грн
14+25.87 грн
100+14.77 грн
500+10.79 грн
1000+9.87 грн
3000+8.34 грн
6000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3VishaySQ2301ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 25971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.07 грн
16+22.70 грн
100+18.06 грн
500+15.99 грн
1000+13.85 грн
3000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.83 грн
10+35.07 грн
100+24.18 грн
500+17.55 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.55 грн
24+35.96 грн
100+26.87 грн
500+19.61 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.83 грн
10+35.07 грн
100+24.18 грн
500+17.33 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.34 грн
13+32.36 грн
20+29.17 грн
61+15.38 грн
168+14.51 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.38 грн
10+36.08 грн
100+20.96 грн
500+15.99 грн
1000+14.31 грн
3000+12.09 грн
6000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.41 грн
10+40.32 грн
20+35.01 грн
61+18.46 грн
168+17.41 грн
1000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.25 грн
6000+12.85 грн
9000+11.97 грн
15000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.71 грн
15+24.29 грн
100+13.77 грн
500+10.10 грн
1000+9.03 грн
3000+6.89 грн
6000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.07 грн
10+31.88 грн
100+22.17 грн
500+16.25 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 83515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.67 грн
15+23.58 грн
100+18.36 грн
500+15.99 грн
1000+13.85 грн
3000+10.10 грн
6000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 167808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.03 грн
14+25.78 грн
100+18.44 грн
500+15.91 грн
1000+14.00 грн
3000+12.09 грн
6000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.5A
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.93 грн
12+26.52 грн
69+16.45 грн
188+15.59 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.49 грн
500+16.82 грн
1000+11.26 грн
5000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.07 грн
10+31.88 грн
100+22.17 грн
500+16.25 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.53 грн
38+23.00 грн
100+18.80 грн
500+15.06 грн
1000+12.36 грн
5000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.5A
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.61 грн
19+21.28 грн
69+13.71 грн
188+12.99 грн
1000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P-203NMLaird Technologies IASDescription: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 914mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P72RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303PNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308BES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES
Код товару: 170837
Додати до обраних Обраний товар

VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23-3
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 164/3,5
Монтаж: SMD
у наявності 408 шт:
347 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 31793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.29 грн
20+44.55 грн
25+39.91 грн
50+32.60 грн
100+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3VishayTrans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 488363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.26 грн
11+33.79 грн
100+24.56 грн
500+19.05 грн
1000+17.22 грн
3000+14.23 грн
6000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
6000+13.90 грн
9000+13.55 грн
15000+12.11 грн
21000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayAutomotive N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
591+20.50 грн
613+19.77 грн
1000+19.12 грн
2500+17.89 грн
5000+16.12 грн
10000+15.10 грн
25000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 591
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.49 грн
11+31.00 грн
100+25.83 грн
500+18.63 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.18 грн
10+42.96 грн
100+27.94 грн
500+20.15 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 40731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.99 грн
500+20.24 грн
1500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 60V 2.3A
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+22.05 грн
572+21.20 грн
880+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.38 грн
6000+15.40 грн
9000+14.72 грн
15000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 40731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.35 грн
50+38.71 грн
100+30.99 грн
500+20.24 грн
1500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+30.46 грн
28+25.43 грн
43+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYSQ2308CES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.59 грн
42+27.26 грн
114+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 23590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.22 грн
10+37.13 грн
100+26.93 грн
500+20.66 грн
1000+18.67 грн
3000+14.77 грн
9000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+27.72 грн
30+23.46 грн
50+21.76 грн
100+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 60V TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1-GE3Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.05 грн
30+29.10 грн
100+19.83 грн
500+16.50 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VishayAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 27321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.26 грн
13+27.28 грн
100+15.91 грн
500+11.71 грн
3000+9.95 грн
6000+9.26 грн
9000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.83 грн
500+16.50 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.42 грн
12+31.06 грн
100+18.29 грн
500+13.24 грн
1000+11.25 грн
3000+8.80 грн
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.01 грн
50+89.27 грн
100+62.23 грн
500+46.94 грн
1500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.23 грн
500+46.94 грн
1500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3VishayP-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET EC-Q101 qualified SOT-23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V
на замовлення 10011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.51 грн
11+33.35 грн
100+19.82 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.51 грн
25+48.92 грн
50+42.06 грн
100+32.68 грн
250+27.22 грн
500+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3 8P..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 327668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.11 грн
10+43.03 грн
100+27.16 грн
500+21.19 грн
1000+17.22 грн
3000+14.61 грн
9000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.53 грн
6000+15.11 грн
9000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3VishaySQ2309ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.83 грн
10+40.33 грн
100+28.06 грн
500+20.56 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.68 грн
500+25.27 грн
1000+18.10 грн
3000+16.48 грн
6000+16.11 грн
12000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYSQ2309ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.83 грн
10+40.33 грн
100+28.06 грн
500+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.23 грн
17+51.24 грн
100+34.68 грн
500+25.27 грн
1000+18.10 грн
3000+16.48 грн
6000+16.11 грн
12000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 221997 шт:
термін постачання 535-544 дні (днів)
7+57.04 грн
10+45.58 грн
100+31.29 грн
500+24.56 грн
1000+19.05 грн
3000+16.22 грн
9000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.53 грн
6000+15.11 грн
9000+14.03 грн
30000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.86 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V
на замовлення 33862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.01 грн
11+32.64 грн
100+21.19 грн
500+16.68 грн
1000+12.85 грн
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.54 грн
27+31.93 грн
100+23.86 грн
500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VishayN-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.05 грн
6000+23.24 грн
9000+22.30 грн
15000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 20924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.22 грн
10+61.42 грн
100+37.03 грн
500+30.99 грн
1000+26.32 грн
3000+23.41 грн
6000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.80 грн
10+61.53 грн
100+40.62 грн
500+29.70 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+48.24 грн
255+47.63 грн
333+36.48 грн
336+34.85 грн
500+26.98 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.21 грн
25+51.69 грн
50+49.21 грн
100+34.90 грн
250+33.19 грн
500+27.75 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.61 грн
10+59.83 грн
100+37.80 грн
500+31.52 грн
1000+26.86 грн
3000+23.87 грн
6000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYSQ2310ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.00 грн
36+31.28 грн
99+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.22 грн
50+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.38 грн
13+29.13 грн
100+16.60 грн
500+12.32 грн
1000+11.09 грн
3000+9.41 грн
6000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.82 грн
29+30.13 грн
100+20.51 грн
500+13.71 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.51 грн
500+13.71 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel 12 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.87 грн
10+40.73 грн
100+26.41 грн
500+18.99 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 12V (D-S)
на замовлення 382017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.39 грн
15+24.37 грн
100+19.05 грн
500+17.22 грн
1000+15.38 грн
3000+12.47 грн
6000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+19.66 грн
731+16.57 грн
735+16.48 грн
911+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 617
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.18 грн
30000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.35 грн
14+30.13 грн
16+25.27 грн
50+17.22 грн
100+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.67W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.62 грн
8+37.54 грн
10+30.32 грн
50+20.66 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.12 грн
30000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 76004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.38 грн
12+30.18 грн
100+21.88 грн
500+17.29 грн
1000+15.76 грн
3000+13.01 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.97 грн
15+22.64 грн
100+19.65 грн
500+15.19 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 17895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.21 грн
500+22.08 грн
1500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+24.70 грн
33+21.06 грн
100+17.12 грн
250+15.77 грн
500+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.14 грн
6000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 17895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.59 грн
50+40.51 грн
100+30.21 грн
500+22.08 грн
1500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 87483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.92 грн
25+40.34 грн
50+34.33 грн
100+27.10 грн
250+22.07 грн
500+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT S Q2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.32 грн
6000+14.44 грн
9000+13.79 грн
15000+12.25 грн
21000+11.85 грн
30000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3VishayAutomotive N-Channel 40 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+31.38 грн
403+30.13 грн
500+29.04 грн
1000+27.09 грн
2500+24.34 грн
5000+22.74 грн
10000+22.18 грн
25000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 387
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 260923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.58 грн
11+35.02 грн
100+22.42 грн
500+17.75 грн
1000+15.00 грн
3000+13.24 грн
6000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.87 грн
10+40.73 грн
100+26.41 грн
500+18.99 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.6A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.50 грн
5+59.59 грн
50+29.36 грн
56+20.37 грн
152+19.22 грн
3000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 101400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.34 грн
10+38.45 грн
100+25.25 грн
500+19.36 грн
1000+17.45 грн
3000+13.85 грн
9000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.32 грн
6000+14.44 грн
9000+13.79 грн
15000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 276340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.32 грн
500+18.17 грн
1500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 276340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.11 грн
50+33.22 грн
100+28.32 грн
500+18.17 грн
1500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.87 грн
10+40.73 грн
100+26.41 грн
500+18.99 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.6A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 VSIGVishaySQ2318AES-T1-GE3, only from VSIG Itzehoe Fab
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.88 грн
11+33.96 грн
100+20.05 грн
500+17.60 грн
1000+14.38 грн
3000+12.55 грн
9000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-BE3VishayMOSFETs 40V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.31 грн
27+32.10 грн
100+21.89 грн
500+15.38 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.74 грн
11+32.56 грн
100+18.21 грн
500+14.46 грн
3000+12.32 грн
6000+12.09 грн
9000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishaySQ2319ADS-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.22 грн
6000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.65 грн
6000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 165103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.81 грн
10+38.10 грн
100+26.24 грн
500+23.11 грн
1000+20.43 грн
3000+17.45 грн
6000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+39.93 грн
100+29.84 грн
500+23.90 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.34 грн
6000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.42 грн
10+50.69 грн
100+33.17 грн
500+24.05 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+26.77 грн
454+26.70 грн
544+22.30 грн
547+21.38 грн
681+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SemiconductorsSQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.88 грн
6000+18.55 грн
9000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.08 грн
11+37.46 грн
44+21.44 грн
120+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+28.98 грн
25+28.68 грн
50+27.59 грн
100+21.33 грн
250+20.36 грн
500+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.10 грн
10+46.68 грн
44+25.73 грн
120+24.29 грн
1000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.54 грн
10+46.02 грн
100+27.47 грн
500+22.95 грн
1000+19.89 грн
3000+18.13 грн
6000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1-GE3VishayMOSFETs 40V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.94 грн
12+31.85 грн
100+17.83 грн
500+13.54 грн
1000+11.63 грн
3000+9.87 грн
6000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3
Код товару: 164123
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 169899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.83 грн
10+40.12 грн
100+26.24 грн
500+22.72 грн
1000+20.05 грн
3000+17.60 грн
6000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.56 грн
500+22.48 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYSQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.55 грн
47+24.10 грн
128+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.66 грн
50+43.86 грн
100+30.99 грн
500+23.91 грн
1500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2328ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2328ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 40384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.74 грн
11+32.38 грн
100+18.13 грн
500+13.77 грн
1000+11.40 грн
3000+9.64 грн
6000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.77 грн
6000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)
на замовлення 197326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.99 грн
10+36.34 грн
100+26.86 грн
500+24.03 грн
1000+20.51 грн
3000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.45 грн
12+27.02 грн
100+24.54 грн
500+21.36 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3VishayP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.70 грн
50+40.34 грн
100+30.99 грн
500+20.88 грн
1500+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.8nC
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.37 грн
10+43.92 грн
20+39.61 грн
44+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.72 грн
6000+18.41 грн
9000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.04 грн
10+54.73 грн
20+47.53 грн
44+25.73 грн
120+24.39 грн
3000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.99 грн
500+20.88 грн
1500+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 196304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.81 грн
10+45.58 грн
100+28.16 грн
500+23.57 грн
1000+20.05 грн
3000+16.60 грн
6000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.60 грн
10+50.29 грн
100+32.91 грн
500+23.86 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.23 грн
500+46.94 грн
1500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.01 грн
50+89.27 грн
100+62.23 грн
500+46.94 грн
1500+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.90 грн
13+29.21 грн
100+18.98 грн
500+14.92 грн
1000+11.55 грн
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.98 грн
6000+15.52 грн
9000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 204774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.41 грн
10+45.49 грн
100+27.01 грн
500+21.27 грн
1000+17.67 грн
3000+15.15 грн
6000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3VishaySQ2348ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.49 грн
10+41.45 грн
100+28.83 грн
500+21.12 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 135820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.66 грн
500+32.68 грн
1500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 155225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.11 грн
10+45.05 грн
100+29.23 грн
500+22.95 грн
1000+17.90 грн
3000+15.91 грн
9000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.27 грн
15+48.70 грн
25+48.58 грн
100+35.38 грн
250+32.43 грн
500+25.10 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 135820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.60 грн
50+46.18 грн
100+39.66 грн
500+32.68 грн
1500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+45.34 грн
354+34.25 грн
358+33.90 грн
500+26.36 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.06 грн
12+29.48 грн
100+14.08 грн
500+12.47 грн
1000+11.09 грн
3000+9.49 грн
6000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1_GE3VishayAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3VishaySQ2351ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 131589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.11 грн
10+40.39 грн
100+24.48 грн
500+19.05 грн
1000+15.53 грн
3000+13.08 грн
9000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 100570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.81 грн
11+33.61 грн
100+22.11 грн
500+17.14 грн
1000+14.46 грн
3000+13.08 грн
9000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.35 грн
10+38.42 грн
100+28.65 грн
500+21.12 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.92 грн
19+21.36 грн
25+19.29 грн
60+15.77 грн
163+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.71 грн
12+26.62 грн
25+23.15 грн
60+18.93 грн
163+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3VishayTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 46491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.11 грн
10+45.05 грн
100+27.01 грн
500+20.81 грн
1000+17.83 грн
3000+14.84 грн
9000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.66 грн
10+40.89 грн
100+28.45 грн
500+20.85 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
6000+15.32 грн
9000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3VishayTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.42 грн
6000+23.22 грн
12000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -11A
Drain current: -2.8A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 315mΩ
Power dissipation: 0.67W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.66 грн
10+40.89 грн
100+28.45 грн
500+20.85 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -11A
Drain current: -2.8A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 315mΩ
Power dissipation: 0.67W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 79846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.42 грн
10+46.37 грн
100+27.01 грн
500+20.81 грн
1000+18.29 грн
3000+14.61 грн
9000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
6000+15.32 грн
9000+14.23 грн
30000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 9C..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 9C..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-GE3VishayVishay 60V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.22 грн
12+31.68 грн
100+17.67 грн
500+13.54 грн
1000+12.40 грн
3000+10.48 грн
6000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.32 грн
500+16.26 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.50 грн
25+34.50 грн
100+22.32 грн
500+16.26 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.90 грн
26+33.39 грн
100+21.97 грн
500+15.54 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.97 грн
500+15.54 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 30048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.71 грн
12+30.01 грн
100+19.51 грн
500+15.30 грн
1000+11.78 грн
2500+10.71 грн
5000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VishaySQ2361CEES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.32 грн
500+16.26 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.22 грн
12+31.76 грн
100+17.75 грн
500+13.62 грн
1000+12.47 грн
3000+10.48 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.50 грн
25+34.50 грн
100+22.32 грн
500+16.26 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.29 грн
12+29.39 грн
100+19.13 грн
500+15.07 грн
1000+12.47 грн
3000+10.64 грн
9000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3VishayAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 90M , 177 m @ 10V m @ 7.5V 246 m @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.63 грн
10+47.26 грн
100+30.83 грн
500+22.30 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3VishayTransistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.30 грн
6000+17.12 грн
9000+16.38 грн
15000+14.59 грн
21000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3VishayTransistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 170839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.45 грн
10+44.44 грн
100+26.40 грн
500+22.11 грн
1000+18.82 грн
3000+15.99 грн
6000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+34.61 грн
24+29.11 грн
25+28.86 грн
50+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 142900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.63 грн
10+47.26 грн
100+30.83 грн
500+22.30 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 164791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.51 грн
10+42.94 грн
100+26.24 грн
500+22.27 грн
1000+18.90 грн
3000+16.37 грн
6000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYSQ2361ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.90 грн
50+42.40 грн
100+32.02 грн
500+23.83 грн
1500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.30 грн
6000+17.12 грн
9000+16.38 грн
15000+14.59 грн
21000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+23.83 грн
1500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.74 грн
11+32.56 грн
100+18.21 грн
500+13.85 грн
1000+12.70 грн
3000+10.79 грн
6000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3VishaySQ2362ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 590803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.72 грн
10+71.45 грн
100+42.39 грн
500+33.36 грн
1000+27.77 грн
3000+18.21 грн
6000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+20.00 грн
629+19.28 грн
1000+18.65 грн
2500+17.45 грн
5000+15.73 грн
10000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.11 грн
10+44.44 грн
100+29.23 грн
500+22.95 грн
1000+17.83 грн
3000+15.15 грн
9000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+69.78 грн
14+51.86 грн
100+35.83 грн
500+26.55 грн
1000+22.23 грн
3000+16.89 грн
9000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.99 грн
500+22.08 грн
1500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 147mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.64 грн
13+31.64 грн
50+27.18 грн
55+17.06 грн
151+16.18 грн
250+16.10 грн
1000+15.62 грн
1500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 147mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.77 грн
10+39.43 грн
50+32.61 грн
55+20.47 грн
151+19.42 грн
250+19.32 грн
1000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.61 грн
50+43.26 грн
100+30.99 грн
500+22.08 грн
1500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1 GE3VishayVishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1-BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.66 грн
10+44.23 грн
100+28.78 грн
500+20.75 грн
1000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.11 грн
10+45.05 грн
100+29.23 грн
500+22.95 грн
1000+17.83 грн
3000+14.77 грн
9000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.65 грн
6000+13.69 грн
9000+13.41 грн
15000+12.11 грн
21000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.27 грн
500+22.95 грн
1500+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+27.39 грн
469+25.84 грн
471+25.74 грн
540+21.64 грн
1000+19.12 грн
2000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2nC
Version: ESD
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.92 грн
12+35.63 грн
25+30.69 грн
38+24.79 грн
100+24.15 грн
104+23.43 грн
500+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 144692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.43 грн
10+43.73 грн
100+27.47 грн
500+21.12 грн
1000+19.05 грн
3000+14.38 грн
6000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.71 грн
10+44.40 грн
25+36.82 грн
38+29.74 грн
100+28.98 грн
104+28.12 грн
500+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+41.94 грн
292+41.49 грн
415+29.23 грн
419+27.90 грн
540+20.05 грн
1000+16.66 грн
3000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.32 грн
10+37.22 грн
100+25.83 грн
500+18.63 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.03 грн
50+46.44 грн
100+32.27 грн
500+22.95 грн
1500+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+53.74 грн
16+45.47 грн
25+44.94 грн
50+42.87 грн
100+27.96 грн
250+26.57 грн
500+20.62 грн
1000+17.85 грн
3000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.22 грн
12+31.94 грн
100+17.83 грн
500+13.70 грн
1000+12.47 грн
3000+10.56 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 23632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.22 грн
12+31.94 грн
100+17.83 грн
500+13.70 грн
1000+12.93 грн
3000+11.02 грн
6000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.24 грн
6000+16.37 грн
9000+15.58 грн
15000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 485101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.43 грн
10+48.57 грн
100+28.77 грн
500+24.03 грн
1000+20.51 грн
3000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.73 грн
10+43.20 грн
100+29.26 грн
500+21.21 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.61 грн
10+44.96 грн
100+28.08 грн
500+23.11 грн
1000+20.35 грн
3000+18.13 грн
6000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 169mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.20 грн
45+20.80 грн
124+19.69 грн
1000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 169mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.44 грн
45+25.92 грн
124+23.62 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.40 грн
6000+17.84 грн
9000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 103818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.13 грн
50+43.00 грн
100+32.79 грн
500+21.60 грн
1500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.52 грн
10+36.50 грн
100+27.48 грн
500+22.24 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx)VishayMOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.46 грн
10+47.58 грн
100+31.02 грн
500+22.44 грн
1000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VishaySQ2398ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 12663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.45 грн
10+44.44 грн
100+26.40 грн
500+22.11 грн
1000+18.82 грн
3000+17.75 грн
6000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VishaySQ2398ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 72308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.38 грн
10+39.33 грн
100+24.41 грн
500+20.58 грн
1000+18.13 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3VISHAYSQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 194725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+36.26 грн
100+25.91 грн
500+20.09 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.78 грн
6000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-12S500
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-5D500
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,fixed,TN CF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,RTN M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,48in,RBN CM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 1.2m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-BNC
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTRASMFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,117in,SM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 3m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,144in,RS MAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 3.7m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3dBi
Termination: RP-SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,96in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PVNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DDN36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24493P12SMMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLairdAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLairdAntennas Omni,Squint,72in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 25A 230VAC Zero Cross
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+21563.26 грн
10+21149.62 грн
25+18385.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25-12Teledyne RelaysSolid State Relays - Industrial Mount 25A 230VAC Zero Cross
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20121.60 грн
10+18596.11 грн
25+15091.68 грн
50+14552.25 грн
100+14338.01 грн
250+13878.93 грн
500+13878.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00Power-OneDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7825.12 грн
5+7651.73 грн
10+6600.89 грн
25+6185.41 грн
48+6184.65 грн
96+5433.28 грн
288+5431.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7521.12 грн
5+6972.52 грн
10+6859.19 грн
25+6298.98 грн
50+6196.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S05080-PS00G;DC-DC;36-75V;8.0V;5A;SM;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-NS00G;DC-DC;18-36V;6.0V;8A;SM;
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7626.05 грн
5+7237.30 грн
10+6190.77 грн
25+6179.29 грн
50+6078.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 89%
Current - Output (Max): 8A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 6V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7521.12 грн
5+6972.52 грн
10+6859.19 грн
25+6298.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-PS00G;DC-DC;NA;24V;6V;8.3A;SMT;;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBELSQ24S10050PS00-0 DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24S10050-PS00G - SURFACE MOUNT ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9237.38 грн
3+8733.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SSQE48T07050-PABNG;DC-DC;18-36V;5.0V;10A;SM;
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6937.81 грн
5+6755.10 грн
10+5829.62 грн
25+5789.07 грн
48+5272.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PSN0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S15033-PS00G;DC-DC;;18-36V;3.3V;15A;SM;;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7738.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS0SBELSQ24S15033PS0S-0 DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5465.99 грн
15+5053.45 грн
25+4849.73 грн
60+4369.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PSN0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0BELSQ24T03150NEC0-0 DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 15V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7411.81 грн
5+7034.91 грн
10+6017.85 грн
25+5887.77 грн
50+5792.90 грн
100+5559.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBELCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 48W; Uin: 24VDC; Uout: 12VDC; Iout: 4A; DIP; THT
Output voltage: 12V DC
Power: 48W
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 58.4x6.96mm
Number of outputs: 1
Output current: 4A
Input voltage: 24V DC
Efficiency: 87%
Insulation voltage: 2kV
Type of converter: DC/DC
Case: DIP
Mounting: THT
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8777.32 грн
4+7335.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NEASBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PCB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PDA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-PBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-PBA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters /DC DC POWER SUPPLY/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NAA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 6V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PAA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 6V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7174.36 грн
5+6665.35 грн
10+5649.81 грн
25+5463.12 грн
50+5325.39 грн
100+4876.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-NEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8986.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4788.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0BELSQ24T10050NEC0-1 DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBELSQ24T10050NEC0-0 DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-NEC0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11069.07 грн
3+10465.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAA0GBELSQ24T10050PAA0-0 DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAA0GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-PAA0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9237.38 грн
3+8733.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAALGBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PDB0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0BELCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 50W; Uout: 5VDC; DIP; THT; Efficiency: 86%; OUT: 1
Type of converter: DC/DC
Power: 50W
Output voltage: 5V DC
Case: DIP
Mounting: THT
Efficiency: 86%
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 1
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8737.83 грн
4+7010.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0BELCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 50W; Uout: 5VDC; DIP; THT; Efficiency: 86%; OUT: 1
Type of converter: DC/DC
Power: 50W
Output voltage: 5V DC
Case: DIP
Mounting: THT
Efficiency: 86%
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+10485.40 грн
4+8736.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-PEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8736.98 грн
3+8561.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY; SQ24T10050-PEC0; DC/DC 18VDC-36VDC; 5.0v/10A; TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15012-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7526.97 грн
5+7360.48 грн
10+6349.16 грн
25+5734.75 грн
48+5447.05 грн
96+5421.04 грн
288+5304.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15012-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 1.2V 18W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15015-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15015-PCA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DCTHT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7726.35 грн
4+7417.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0BELSQ24T15020NEC0-0 DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T15020-NEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11036.45 грн
3+10433.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5449.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5838.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2V 30W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 2V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 30 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2V 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15025-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2.5V 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15025-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0POWERO07+NOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 18-36Vin 15A 3.3Vout
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 18-36Vin 15A 3.3Vout 50W
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7037.78 грн
5+6907.33 грн
10+5981.12 грн
25+5774.53 грн
48+5671.24 грн
96+5374.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3581.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PDC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T15033-PEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9814.18 грн
3+9617.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0BELCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 50W; Uout: 3.3VDC; DIP; THT; Efficiency: 88%; OUT: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 1
Output voltage: 3.3V DC
Power: 50W
Efficiency: 88%
Case: DIP
Type of converter: DC/DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+11836.76 грн
4+9877.52 грн
15+9145.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0BELCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 50W; Uout: 3.3VDC; DIP; THT; Efficiency: 88%; OUT: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Number of outputs: 1
Output voltage: 3.3V DC
Power: 50W
Efficiency: 88%
Case: DIP
Type of converter: DC/DC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9863.97 грн
4+7926.40 грн
15+7621.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY; SQ24T15033-PEC0; DC/DC; 18VDC-36VDC; 3.3v/15A; TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBELCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uout: 3.3VDC; Efficiency: 87%; OUT: 1
Number of outputs: 1
Output voltage: 3.3V DC
Efficiency: 87%
Type of converter: DC/DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+10567.80 грн
4+9171.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBELCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uout: 3.3VDC; Efficiency: 87%; OUT: 1
Number of outputs: 1
Output voltage: 3.3V DC
Efficiency: 87%
Type of converter: DC/DC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8806.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2576-5.0S(T)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2711L-SOP8China Wind
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ273-H010GZ8PTE ConnectivityArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ274-12305TE ConnectivityBoard Mount Pressure Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ274-15017TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ28-10American Electrical Inc.Description: TOOL HAND CRIMPER 10-28AWG SIDE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Ferrules
Tool Type: Hand Crimper
Wire Gauge or Range - AWG: 10-28 AWG
Tool Method: Manual
Ratcheting: Ratchet
Wire Entry Location: Side Entry
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17716.46 грн
5+15813.75 грн
10+15305.81 грн
25+13757.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2831
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2833
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2D02600B2HBG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2D02600B2JCGSAMSUNGEMCeramic SMD Crystal 26MHz 2520 �10PPM �15PPM -30 ~ +80C 8pf 60R ESR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2E151MU01635Chinsan (Elite)Description: CAP ALUM 150UF 20% 250V RAD TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.630" Dia (16.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Lifetime @ Temp.: 5000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 150 µF
Voltage - Rated: 250 V
Ripple Current @ Low Frequency: 900 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 1.26 A @ 100 kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O03840KEINC
на замовлення 8562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FI
на замовлення 20980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FIDNC48M
на замовлення 20979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FIDNC48MHZ
на замовлення 20979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2V-07BIDECRelay Sockets & Fixings SQ DIN/Pnl Mt 8 Pin Socket
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.05 грн
10+888.71 грн
25+650.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2V-25CLIP-PN10IDECRelay Sockets & Fixings 25.5mm Hold Down Clip SQ Sock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.