НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.21 грн
10+111.14 грн
25+104.86 грн
100+90.35 грн
250+85.51 грн
500+82.09 грн
1000+77.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: LOGIC ANALYZER COMM SYST/COMP
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Communication Systems, Computer Systems, Electrical Systems
Tool Type: Logic Analyzer
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17066.73 грн
5+15688.40 грн
10+15377.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200Pimoroni LtdDescription: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR
Packaging: Bulk
Tool Type: Logic Analyzer, Signal Generator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ200 - Logikanalysator, 4, 16kB, 200 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
rohsCompliant: YES
Stromverbrauch: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 200MHz
Außenbreite: 50mm
Außentiefe: 50mm
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 16kB
Außenhöhe: 15mm
Produktpalette: ScanaQuad Series
productTraceability: No
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80g
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19140.89 грн
5+18758.38 грн
10+18374.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200Pimoroni LtdLogic Analyzer and Pattern Generators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201570Rose EnclosuresDescription: BOX 04102006 MOD TO EKD21020301
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3518.81 грн
5+2896.22 грн
10+2707.03 грн
25+2323.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2019H2
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202 транзистор
Код товару: 89209
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #2 1"
Packaging: Bulk
Tool Type: Bit, Power
Length - Overall: 1.00" (25.4mm)
Tip Type: Square
Tip Size: #2
Drive Size: 1/4"
Quantity: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein ToolsScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers #2 Square Insert Power Drivers, 1-Inch, 5-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ21G??2010+ ROHS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-.25MHZ
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-250K
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ221
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.58 грн
15+25.87 грн
100+14.73 грн
500+10.81 грн
1000+9.85 грн
3000+8.32 грн
6000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.88 грн
10+35.52 грн
100+22.91 грн
500+16.42 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 25971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.27 грн
16+23.75 грн
100+18.89 грн
500+16.73 грн
1000+14.49 грн
3000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3VishaySQ2301ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.05 грн
6000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.61 грн
10+37.74 грн
100+21.93 грн
500+16.73 грн
1000+14.97 грн
3000+12.65 грн
6000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.61 грн
14+30.10 грн
20+26.93 грн
100+19.93 грн
250+16.68 грн
500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 824 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+46.33 грн
10+37.51 грн
20+32.32 грн
100+23.91 грн
250+20.01 грн
500+17.71 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.09 грн
10+36.69 грн
100+25.30 грн
500+18.13 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+49.74 грн
24+37.62 грн
100+28.10 грн
500+20.51 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.91 грн
6000+13.44 грн
9000+12.52 грн
15000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.58 грн
15+25.41 грн
100+14.41 грн
500+10.57 грн
1000+9.45 грн
3000+7.20 грн
6000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.66 грн
6000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 83132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.52 грн
16+23.66 грн
100+19.45 грн
500+16.73 грн
1000+15.05 грн
3000+11.05 грн
6000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.83 грн
10+33.35 грн
100+23.20 грн
500+17.00 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.17 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.80 грн
30+29.99 грн
100+24.60 грн
500+19.76 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.95 грн
6000+12.32 грн
9000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.53 грн
500+17.59 грн
1000+11.78 грн
5000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.77 грн
14+25.60 грн
100+21.03 грн
500+16.31 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 165725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.73 грн
13+29.18 грн
100+20.89 грн
500+16.73 грн
1000+15.05 грн
3000+12.89 грн
6000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYSQ2303ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.93 грн
70+17.21 грн
191+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P-203NMLaird Technologies IASDescription: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 914mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P72RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303PNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308BES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES
Код товару: 170837
Додати до обраних Обраний товар

VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23-3
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 164/3,5
Монтаж: SMD
у наявності 68 шт:
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 10 шт:
10 шт - очікується
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 29953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.79 грн
25+36.55 грн
26+34.57 грн
50+30.43 грн
100+26.32 грн
250+23.86 грн
500+21.24 грн
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3VishayTrans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 445275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.64 грн
12+33.14 грн
100+25.21 грн
500+19.93 грн
1000+18.01 грн
3000+13.61 грн
6000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.55 грн
12+29.93 грн
100+26.12 грн
500+19.45 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+29.06 грн
591+21.45 грн
613+20.68 грн
1000+19.29 грн
2500+17.33 грн
5000+16.19 грн
10000+15.79 грн
25000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.76 грн
6000+14.87 грн
9000+13.28 грн
15000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayAutomotive N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYSQ2308CES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+79.74 грн
43+27.81 грн
118+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.50 грн
500+23.10 грн
1500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 60V 2.3A
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.71 грн
10+45.93 грн
100+26.01 грн
500+19.93 грн
1000+18.01 грн
3000+17.77 грн
6000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+79.91 грн
50+49.83 грн
100+32.50 грн
500+23.10 грн
1500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 60V TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1-GE3Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.74 грн
500+17.26 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+42.43 грн
14+25.35 грн
100+16.13 грн
500+11.42 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.35 грн
13+28.54 грн
100+16.65 грн
500+12.25 грн
3000+10.41 грн
6000+9.69 грн
9000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
6000+8.44 грн
9000+8.02 грн
15000+7.09 грн
21000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VishayAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.71 грн
30+30.44 грн
100+20.74 грн
500+17.26 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.75 грн
500+61.03 грн
1500+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.51 грн
23+15.09 грн
25+13.34 грн
100+10.77 грн
250+9.93 грн
500+9.42 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.79 грн
12+32.49 грн
100+19.13 грн
500+13.85 грн
1000+11.77 грн
3000+8.64 грн
6000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.66 грн
50+123.01 грн
100+85.75 грн
500+61.03 грн
1500+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3VishayP-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET EC-Q101 qualified SOT-23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
12+28.43 грн
100+18.21 грн
500+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V
на замовлення 10011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.42 грн
11+34.89 грн
100+20.73 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.16 грн
25+51.18 грн
50+44.00 грн
100+34.18 грн
250+28.48 грн
500+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3 8P..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3VishaySQ2309ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.09 грн
10+42.19 грн
100+29.35 грн
500+21.51 грн
1000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 327668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.56 грн
10+45.01 грн
100+28.42 грн
500+22.17 грн
1000+18.01 грн
3000+15.29 грн
9000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.29 грн
6000+15.80 грн
9000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+65.10 грн
17+53.61 грн
100+36.28 грн
500+26.43 грн
1000+18.93 грн
3000+17.24 грн
6000+16.86 грн
12000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 221997 шт:
термін постачання 535-544 дні (днів)
7+59.67 грн
10+47.68 грн
100+32.74 грн
500+25.69 грн
1000+19.93 грн
3000+16.97 грн
9000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.29 грн
6000+15.81 грн
9000+14.68 грн
30000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.28 грн
500+26.43 грн
1000+18.93 грн
3000+17.24 грн
6000+16.86 грн
12000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.09 грн
10+42.19 грн
100+29.36 грн
500+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+40.32 грн
27+33.40 грн
100+24.96 грн
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VishayN-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.96 грн
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V
на замовлення 33862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.81 грн
11+34.15 грн
100+22.17 грн
500+17.45 грн
1000+13.45 грн
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 20924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.55 грн
10+64.25 грн
100+38.74 грн
500+32.42 грн
1000+27.53 грн
3000+24.49 грн
6000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.50 грн
10+64.37 грн
100+42.50 грн
500+31.07 грн
1000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.25 грн
6000+24.31 грн
9000+23.32 грн
15000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+50.47 грн
255+49.82 грн
333+38.17 грн
336+36.45 грн
500+28.22 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+58.81 грн
50+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.87 грн
10+62.59 грн
100+39.54 грн
500+32.98 грн
1000+28.10 грн
3000+24.97 грн
6000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.61 грн
25+54.07 грн
50+51.48 грн
100+36.51 грн
250+34.72 грн
500+29.03 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.46 грн
500+14.34 грн
1000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.61 грн
13+30.47 грн
100+17.37 грн
500+12.89 грн
1000+11.61 грн
3000+9.85 грн
6000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.02 грн
13+26.51 грн
100+16.92 грн
500+11.99 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.52 грн
29+31.52 грн
100+21.46 грн
500+14.34 грн
1000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 12V (D-S)
на замовлення 378876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.85 грн
10+42.71 грн
100+25.37 грн
500+19.93 грн
1000+16.57 грн
3000+15.05 грн
6000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel 12 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.07 грн
10+38.69 грн
100+25.06 грн
500+18.02 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.67W
Gate-source voltage: ±8V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.18 грн
8+39.27 грн
10+31.72 грн
50+21.61 грн
100+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.84 грн
33+22.03 грн
100+17.91 грн
250+16.49 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+20.56 грн
731+17.33 грн
735+17.24 грн
911+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 617
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
6000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+73.99 грн
50+46.24 грн
100+29.99 грн
500+21.34 грн
1500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.79 грн
30000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 76004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.15 грн
12+31.57 грн
100+22.89 грн
500+18.09 грн
1000+16.49 грн
3000+13.61 грн
6000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.77 грн
30000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.67W
Gate-source voltage: ±8V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.49 грн
14+31.52 грн
16+26.43 грн
50+18.01 грн
100+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.30 грн
15+23.68 грн
100+20.55 грн
500+15.89 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.99 грн
500+21.34 грн
1500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 87483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.18 грн
25+42.20 грн
50+35.92 грн
100+28.35 грн
250+23.09 грн
500+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT S Q2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.00 грн
10+42.61 грн
100+27.63 грн
500+19.87 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.07 грн
6000+15.10 грн
9000+14.42 грн
15000+12.82 грн
21000+12.39 грн
30000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+32.83 грн
403+31.52 грн
500+30.38 грн
1000+28.34 грн
2500+25.46 грн
5000+23.79 грн
10000+23.21 грн
25000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 387
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3VishayAutomotive N-Channel 40 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 260923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.23 грн
11+36.64 грн
100+23.45 грн
500+18.57 грн
1000+15.69 грн
3000+13.85 грн
6000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 276340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.87 грн
50+34.75 грн
100+29.63 грн
500+19.01 грн
1500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.00 грн
10+42.61 грн
100+27.63 грн
500+19.87 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 101400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.36 грн
10+40.23 грн
100+26.41 грн
500+20.25 грн
1000+18.25 грн
3000+14.49 грн
9000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYSQ2318AES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+161.62 грн
56+21.61 грн
152+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 276340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.63 грн
500+19.01 грн
1500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.07 грн
6000+15.10 грн
9000+14.42 грн
15000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3 VSIGVishaySQ2318AES-T1-GE3, only from VSIG Itzehoe Fab
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.23 грн
11+35.53 грн
100+20.97 грн
500+18.41 грн
1000+15.05 грн
3000+13.13 грн
9000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-BE3VishayMOSFETs 40V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.62 грн
6000+9.34 грн
9000+8.88 грн
15000+7.86 грн
21000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.22 грн
11+34.06 грн
100+19.53 грн
3000+16.57 грн
24000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.12 грн
27+33.58 грн
100+22.90 грн
500+16.09 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
13+27.68 грн
100+17.68 грн
500+12.56 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.18 грн
6000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.11 грн
6000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.55 грн
6000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 165103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.11 грн
10+39.86 грн
100+27.45 грн
500+24.17 грн
1000+21.37 грн
3000+18.25 грн
6000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishaySQ2319ADS-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.01 грн
10+41.77 грн
100+31.22 грн
500+25.00 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.32 грн
10+53.03 грн
100+34.70 грн
500+25.16 грн
1000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.75 грн
10+48.14 грн
100+28.74 грн
500+24.01 грн
1000+20.81 грн
3000+18.97 грн
6000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SemiconductorsP-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+28.00 грн
454+27.94 грн
544+23.32 грн
547+22.37 грн
681+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.84 грн
6000+19.41 грн
9000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.31 грн
25+30.00 грн
50+28.86 грн
100+22.31 грн
250+21.30 грн
500+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYSQ2319ADS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+79.84 грн
44+27.31 грн
120+25.81 грн
3000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1-GE3VishayMOSFETs 40V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 14135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.38 грн
12+33.32 грн
100+18.65 грн
500+14.17 грн
1000+12.17 грн
3000+10.33 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325CES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.58 грн
15+25.31 грн
100+14.97 грн
500+12.25 грн
1000+10.65 грн
3000+9.37 грн
6000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 161808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.39 грн
10+44.28 грн
100+29.06 грн
500+23.13 грн
1000+20.89 грн
3000+18.09 грн
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+65.55 грн
50+45.88 грн
100+32.41 грн
500+25.01 грн
1500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYSQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.19 грн
47+25.61 грн
128+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.66 грн
10+47.78 грн
100+31.24 грн
500+22.65 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3
Код товару: 164123
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.97 грн
500+23.51 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2328ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2328ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 40384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.22 грн
11+33.87 грн
100+18.97 грн
500+14.41 грн
1000+11.93 грн
3000+10.09 грн
6000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
12+28.02 грн
100+17.93 грн
500+12.74 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
6000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.66 грн
10+47.78 грн
100+31.24 грн
500+22.65 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3VishayP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)
на замовлення 148914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.03 грн
100+24.89 грн
500+22.25 грн
1000+20.89 грн
3000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Gate charge: 11.8nC
On-state resistance: 0.29Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 582 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+67.88 грн
10+52.37 грн
20+45.52 грн
50+39.22 грн
100+35.02 грн
200+31.22 грн
250+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.45 грн
10+52.61 грн
100+34.43 грн
500+24.96 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.41 грн
500+21.85 грн
1500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.67 грн
6000+19.25 грн
9000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Gate charge: 11.8nC
On-state resistance: 0.29Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.57 грн
10+42.02 грн
20+37.94 грн
50+32.68 грн
100+29.18 грн
200+26.01 грн
250+25.10 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.99 грн
50+42.20 грн
100+32.41 грн
500+21.85 грн
1500+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 196304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.34 грн
10+47.68 грн
100+29.46 грн
500+24.65 грн
1000+20.97 грн
3000+17.37 грн
6000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.38 грн
11+33.78 грн
100+18.89 грн
500+14.49 грн
1000+13.13 грн
3000+10.97 грн
6000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.11 грн
21+16.34 грн
25+14.54 грн
100+11.75 грн
250+10.85 грн
500+10.31 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.04 грн
50+93.38 грн
100+65.10 грн
500+49.11 грн
1500+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.10 грн
500+49.11 грн
1500+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.09 грн
11+30.43 грн
100+19.56 грн
500+13.93 грн
1000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.51 грн
13+30.56 грн
100+19.85 грн
500+15.61 грн
1000+12.09 грн
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
6000+10.42 грн
9000+9.92 грн
15000+8.79 грн
21000+8.48 грн
30000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.76 грн
6000+16.24 грн
9000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.82 грн
10+43.36 грн
100+30.16 грн
500+22.09 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3VishaySQ2348ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 197568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.71 грн
10+47.59 грн
100+28.26 грн
500+22.25 грн
1000+18.49 грн
3000+15.37 грн
6000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+56.78 грн
15+50.95 грн
25+50.82 грн
100+37.01 грн
250+33.93 грн
500+26.26 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 135820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.48 грн
500+34.18 грн
1500+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 155225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.56 грн
10+47.13 грн
100+30.58 грн
500+24.01 грн
1000+18.73 грн
3000+16.65 грн
9000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 135820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+63.39 грн
50+48.31 грн
100+41.48 грн
500+34.18 грн
1500+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+47.43 грн
354+35.83 грн
358+35.46 грн
500+27.57 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.19 грн
12+30.84 грн
100+14.73 грн
500+13.05 грн
1000+11.61 грн
3000+9.93 грн
6000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1_GE3VishayAutomotive P-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3VishaySQ2351ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 131589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.33 грн
10+42.25 грн
100+25.61 грн
500+19.93 грн
1000+16.25 грн
3000+13.69 грн
9000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.49 грн
10+40.19 грн
100+29.97 грн
500+22.10 грн
1000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 100570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
11+35.16 грн
100+23.13 грн
500+17.93 грн
1000+15.13 грн
3000+13.69 грн
9000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYSQ2351ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 697 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+62.93 грн
60+20.10 грн
163+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3VishayTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.54 грн
6000+16.03 грн
9000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 31801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.71 грн
10+45.93 грн
100+26.01 грн
500+22.25 грн
1000+18.49 грн
3000+14.57 грн
6000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3VishayTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
10+42.77 грн
100+29.77 грн
500+21.81 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
10+42.77 грн
100+29.77 грн
500+21.81 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 79846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.25 грн
10+48.51 грн
100+28.26 грн
500+21.77 грн
1000+19.13 грн
3000+15.29 грн
9000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.59 грн
6000+24.30 грн
12000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.54 грн
6000+16.03 грн
9000+14.88 грн
30000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 9C..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-GE3VishayVishay 60V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.05 грн
26+35.47 грн
100+24.69 грн
500+17.59 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.63 грн
12+33.14 грн
100+18.49 грн
500+14.17 грн
1000+12.97 грн
3000+10.97 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.69 грн
500+17.59 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VishaySQ2361CEES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 30048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.35 грн
12+31.39 грн
100+20.41 грн
500+16.01 грн
1000+12.33 грн
2500+11.21 грн
5000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.25 грн
26+34.93 грн
100+22.99 грн
500+16.26 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.99 грн
500+16.26 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.63 грн
12+33.23 грн
100+18.57 грн
500+14.25 грн
1000+13.05 грн
3000+10.97 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.05 грн
26+35.47 грн
100+24.69 грн
500+17.59 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.69 грн
500+17.59 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+24.24 грн
21+16.09 грн
25+14.34 грн
100+11.59 грн
250+10.70 грн
500+10.16 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.22 грн
12+29.60 грн
100+18.99 грн
500+13.52 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
6000+10.10 грн
9000+9.62 грн
15000+8.52 грн
21000+8.22 грн
30000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.29 грн
12+30.74 грн
100+20.01 грн
500+15.77 грн
1000+13.05 грн
3000+11.13 грн
9000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3VishayAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 90M , 177 m @ 10V m @ 7.5V 246 m @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 170839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.42 грн
10+46.48 грн
100+27.61 грн
500+23.13 грн
1000+19.69 грн
3000+16.73 грн
6000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.19 грн
6000+17.91 грн
9000+17.14 грн
15000+15.26 грн
21000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3VishayTransistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3VishayTransistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+49.44 грн
100+32.25 грн
500+23.33 грн
1000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 142900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+49.44 грн
100+32.25 грн
500+23.33 грн
1000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+24.93 грн
1500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.20 грн
24+30.45 грн
25+30.19 грн
50+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.19 грн
6000+17.91 грн
9000+17.14 грн
15000+15.26 грн
21000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 164791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.88 грн
10+44.92 грн
100+27.45 грн
500+23.29 грн
1000+19.77 грн
3000+17.13 грн
6000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.31 грн
50+44.36 грн
100+33.49 грн
500+24.93 грн
1500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 17529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.22 грн
11+34.06 грн
100+19.05 грн
500+14.49 грн
1000+13.29 грн
3000+11.29 грн
6000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3VishaySQ2362ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 590803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.16 грн
10+74.74 грн
100+44.34 грн
500+34.90 грн
1000+29.06 грн
3000+19.05 грн
6000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.41 грн
500+23.10 грн
1500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+20.92 грн
629+20.16 грн
1000+19.51 грн
2500+18.25 грн
5000+16.45 грн
10000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.82 грн
50+45.26 грн
100+32.41 грн
500+23.10 грн
1500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.00 грн
14+54.25 грн
100+37.48 грн
500+27.77 грн
1000+23.26 грн
3000+17.67 грн
9000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.56 грн
10+46.48 грн
100+30.58 грн
500+24.01 грн
1000+18.65 грн
3000+15.85 грн
9000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYSQ2362ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.70 грн
56+21.31 грн
154+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1 GE3VishayVishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1-BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.27 грн
10+41.77 грн
100+27.16 грн
500+19.59 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.56 грн
10+47.13 грн
100+30.58 грн
500+24.01 грн
1000+18.65 грн
3000+15.45 грн
9000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+56.22 грн
16+47.56 грн
25+47.01 грн
50+44.84 грн
100+29.25 грн
250+27.80 грн
500+21.57 грн
1000+18.67 грн
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+69.05 грн
50+49.65 грн
100+33.94 грн
500+24.10 грн
1500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYSQ2364EES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+67.56 грн
39+31.12 грн
106+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.27 грн
10+41.77 грн
100+27.16 грн
500+19.59 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+28.65 грн
469+27.03 грн
471+26.92 грн
540+22.64 грн
1000+20.00 грн
2000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.94 грн
500+24.10 грн
1500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+43.88 грн
292+43.40 грн
415+30.58 грн
419+29.19 грн
540+20.98 грн
1000+17.43 грн
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.89 грн
6000+14.97 грн
9000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 117219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.41 грн
10+44.83 грн
100+26.01 грн
500+19.93 грн
1000+18.01 грн
3000+14.17 грн
6000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.63 грн
12+33.41 грн
100+18.65 грн
500+14.33 грн
1000+13.05 грн
3000+11.05 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.66 грн
6000+17.47 грн
9000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.66 грн
10+47.78 грн
100+31.24 грн
500+22.65 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 485101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.68 грн
10+50.81 грн
100+30.10 грн
500+25.13 грн
1000+21.45 грн
3000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 103818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+55.58 грн
50+44.99 грн
100+34.30 грн
500+22.60 грн
1500+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.95 грн
10+47.04 грн
100+29.38 грн
500+24.17 грн
1000+21.29 грн
3000+18.97 грн
6000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.66 грн
10+47.78 грн
100+31.24 грн
500+22.65 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYSQ2389ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+57.54 грн
46+26.21 грн
126+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx)VishayMOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 12663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.42 грн
10+46.48 грн
100+27.61 грн
500+23.13 грн
1000+19.69 грн
3000+18.57 грн
6000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VishaySQ2398ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.29 грн
6000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VishaySQ2398ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.77 грн
100+29.22 грн
500+21.13 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.77 грн
100+29.22 грн
500+21.13 грн
1000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.54 грн
6000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.66 грн
10+41.97 грн
100+26.09 грн
500+21.53 грн
1000+19.45 грн
3000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-12S500
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-5D500
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,fixed,TN CF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,RTN M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,48in,RBN CM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 1.2m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-BNC
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTRASMFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 3m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,117in,SM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,144in,RS MAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 3.7m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3dBi
Termination: RP-SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,96in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PVNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DDN36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24493P12SMMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLairdAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLairdAntennas Omni,Squint,72in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 25A 230VAC Zero Cross
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23824.89 грн
10+23270.06 грн
25+20234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25-12Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 25A 230VAC Zero Cross
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00Power-OneDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8185.98 грн
5+8004.61 грн
10+6905.30 грн
25+6470.66 грн
48+6469.86 грн
96+5683.84 грн
288+5682.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7098.22 грн
5+6580.86 грн
10+6473.97 грн
25+5945.18 грн
50+5848.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S05080-PS00G;DC-DC;36-75V;8.0V;5A;SM;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-NS00G;DC-DC;18-36V;6.0V;8A;SM;
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7977.74 грн
5+7571.05 грн
10+6476.27 грн
25+6464.26 грн
50+6358.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 89%
Current - Output (Max): 8A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 6V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7867.96 грн
5+7294.07 грн
10+7175.51 грн
25+6589.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-PS00G;DC-DC;NA;24V;6V;8.3A;SMT;;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 6V 8A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SSQE48T07050-PABNG;DC-DC;18-36V;5.0V;10A;SM;
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7257.75 грн
5+7066.62 грн
10+6098.47 грн
25+6056.04 грн
48+5515.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24S10050-PS00G - SURFACE MOUNT ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9663.38 грн
3+9136.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PSN0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8095.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S15033-PS00G;DC-DC;;18-36V;3.3V;15A;SM;;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5718.06 грн
15+5286.50 грн
25+5073.38 грн
60+4571.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PSN0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 15V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PAALGBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;SQ24T03150-PAALG;DC-DC;;19-36VDC;15V;3.3A;49.5W;THT;58.42x22.76x8.10mm;;FAN COOLING;;FOR LOCKHEED MARTIN;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7753.62 грн
5+7359.34 грн
10+6295.37 грн
25+6159.30 грн
50+6060.04 грн
100+5815.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7220.31 грн
5+6693.75 грн
10+6585.03 грн
25+6047.15 грн
50+5948.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NEASBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 4A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PCB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PDA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-PBA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters /DC DC POWER SUPPLY/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-PBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NAA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 6V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PAA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 6V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7505.22 грн
5+6972.73 грн
10+5910.36 грн
25+5715.06 грн
50+5570.98 грн
100+5101.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5009.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-NEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9401.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-NEC0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11579.53 грн
3+10948.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAA0GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-PAA0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7649.35 грн
3+7496.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAALGBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAALGBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;SQ24T10050-PAALG;DC-DC;;18-36VDC;5.0V;10A;50W;THT;58.42x22.76x8.10mm;;FAN COOLING;;FOR LOCKHEED MARTIN;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PDB0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-PEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9139.89 грн
3+8956.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY; SQ24T10050-PEC0; DC/DC 18VDC-36VDC; 5.0v/10A; TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15012-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7874.08 грн
5+7699.92 грн
10+6641.96 грн
25+5999.21 грн
48+5698.25 грн
96+5671.04 грн
288+5549.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15012-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 1.2V 18W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15015-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15015-PCA0GBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole DC-DCTHT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6107.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8082.66 грн
4+7759.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5700.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2V 30W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 2V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 30 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T15020-NEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11545.41 грн
3+10915.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2V 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15025-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15025-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2.5V 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0POWERO07+NOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 18-36Vin 15A 3.3Vout
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 18-36Vin 15A 3.3Vout 50W
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7362.34 грн
5+7225.87 грн
10+6256.95 грн
25+6040.83 грн
48+5932.78 грн
96+5622.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3747.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PDC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T15033-PEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10266.78 грн
3+10061.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY; SQ24T15033-PEC0; DC/DC; 18VDC-36VDC; 3.3v/15A; TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;DC-DC 1/8-BRICK;IN 18to36VDC;OUT 3.3VDC;15A;THT;2.3x0.9x0.298";;POSITIVE LOGIC,0.11" PIN LENGTH;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7505.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2576-5.0S(T)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2711L-SOP8China Wind
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ273-H010GZ8PTE ConnectivityArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ274-12305TE ConnectivityBoard Mount Pressure Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ274-15017TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ28-10American Electrical Inc.Description: TOOL HAND CRIMPER 10-28AWG SIDE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Ferrules
Tool Type: Hand Crimper
Wire Gauge or Range - AWG: 10-28 AWG
Tool Method: Manual
Ratcheting: Ratchet
Wire Entry Location: Side Entry
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18785.44 грн
5+16767.81 грн
10+16229.27 грн
25+14587.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2831
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2833
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2D02600B2HBG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2D02600B2JCGSAMSUNGEMCeramic SMD Crystal 26MHz 2520 �10PPM �15PPM -30 ~ +80C 8pf 60R ESR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2E151MU01635Chinsan (Elite)Description: CAP ALUM 150UF 20% 250V RAD TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.630" Dia (16.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Lifetime @ Temp.: 5000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 150 µF
Voltage - Rated: 250 V
Ripple Current @ Low Frequency: 900 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 1.26 A @ 100 kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O03840KEINC
на замовлення 8562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FI
на замовлення 20980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FIDNC48M
на замовлення 20979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FIDNC48MHZ
на замовлення 20979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2V-07BIDECRelay Sockets & Fixings SQ DIN/Pnl Mt 8 Pin Socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2V-25CLIP-PN10IDECRelay Sockets & Fixings 25.5mm Hold Down Clip SQ Sock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.