Продукція > SQ2

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+99.69 грн
25+94.05 грн
100+81.04 грн
250+76.70 грн
500+73.63 грн
1000+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: LOGIC ANALYZER COMM SYST/COMP
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Communication Systems, Computer Systems, Electrical Systems
Tool Type: Logic Analyzer
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16236.30 грн
5+14925.23 грн
10+14629.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ200 - Logikanalysator, 4, 16kB, 200 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
rohsCompliant: YES
Stromverbrauch: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 200MHz
Außenbreite: 50mm
Außentiefe: 50mm
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 16kB
Außenhöhe: 15mm
Produktpalette: ScanaQuad Series
productTraceability: No
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80g
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17168.66 грн
5+16825.56 грн
10+16481.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200Pimoroni LtdLogic Analyzer and Pattern Generators
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201570Rose EnclosuresDescription: BOX 04102006 MOD TO EKD21020301
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3156.24 грн
5+2597.80 грн
10+2428.11 грн
25+2083.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2019H2
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202PolyfetТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202 транзистор
Код товару: 89209
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #2 1"
Packaging: Bulk
Tool Type: Bit, Power
Length - Overall: 1.00" (25.4mm)
Tip Type: Square
Tip Size: #2
Drive Size: 1/4"
Quantity: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein ToolsScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers #2 Square Insert Power Drivers, 1-Inch, 5-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ21G??2010+ ROHS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-.25MHZ
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-250K
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ221
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
14+23.90 грн
100+13.25 грн
500+9.94 грн
1000+8.91 грн
3000+7.46 грн
6000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3VishaySQ2301ES-T1_BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.86 грн
100+20.55 грн
500+14.73 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 25971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
16+20.48 грн
100+16.29 грн
500+14.43 грн
1000+12.50 грн
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
6000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.27 грн
6000+11.72 грн
9000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.48 грн
14+30.33 грн
20+27.34 грн
100+20.61 грн
250+17.45 грн
500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.65 грн
10+32.55 грн
100+18.92 грн
500+14.43 грн
1000+12.91 грн
3000+10.91 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.62 грн
24+33.75 грн
100+25.21 грн
500+18.40 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.50 грн
100+21.64 грн
500+15.51 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.82 грн
14+23.42 грн
100+12.98 грн
500+9.73 грн
1000+8.70 грн
3000+7.39 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
6000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 71287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+35.96 грн
100+20.23 грн
500+18.29 грн
1000+15.39 грн
3000+13.74 грн
6000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
10+29.91 грн
100+20.81 грн
500+15.24 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
14+22.96 грн
100+18.86 грн
500+14.63 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 144409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+48.98 грн
100+26.51 грн
500+18.29 грн
1000+16.22 грн
3000+13.81 грн
6000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
6000+11.05 грн
9000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.10 грн
500+15.78 грн
1000+10.56 грн
5000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.5A
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.69 грн
15+28.42 грн
17+25.26 грн
100+17.20 грн
500+13.79 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.17 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.49 грн
22+37.77 грн
100+24.48 грн
500+17.28 грн
1000+14.36 грн
5000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P-203NMLaird Technologies IASDescription: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Antenna Type: Panel
VSWR: 1.5
Number of Bands: 1
Termination: RP-SMA Male
Gain: 3.5dBi
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Features: Cable - 914mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P72RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303PNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES
Код товару: 170837
2 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23-3
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 2,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 164/3,5
Монтаж: SMD
у наявності: 359 шт
  • 282 шт - склад
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.82 грн
25+46.63 грн
50+38.50 грн
100+28.19 грн
250+23.06 грн
500+20.02 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+34.94 грн
591+23.99 грн
613+23.13 грн
1000+21.58 грн
2500+19.39 грн
5000+18.11 грн
10000+17.67 грн
25000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.65 грн
100+23.81 грн
500+17.17 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.81 грн
6000+13.12 грн
9000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.34 грн
500+18.77 грн
1500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.83 грн
50+40.43 грн
100+26.34 грн
500+18.77 грн
1500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+41.22 грн
500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+39.62 грн
100+22.44 грн
500+17.19 грн
1000+15.53 грн
3000+15.33 грн
6000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 60V TO236
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1-GE3Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
13+23.03 грн
100+14.68 грн
500+10.39 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VishayAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.83 грн
30+27.30 грн
100+18.60 грн
500+15.48 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
13+24.61 грн
100+14.36 грн
500+10.56 грн
3000+8.97 грн
6000+8.35 грн
9000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
6000+7.68 грн
9000+7.30 грн
15000+6.45 грн
21000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.60 грн
500+15.48 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.92 грн
500+54.74 грн
1500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
23+13.54 грн
25+11.97 грн
100+9.66 грн
250+8.91 грн
500+8.45 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.39 грн
12+28.02 грн
100+16.50 грн
500+11.94 грн
1000+10.15 грн
3000+7.46 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
50+110.34 грн
100+76.92 грн
500+54.74 грн
1500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.43 грн
6000+9.17 грн
9000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V
на замовлення 10011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.45 грн
11+30.09 грн
100+17.88 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+27.07 грн
100+17.34 грн
500+12.32 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.96 грн
25+45.91 грн
50+39.46 грн
100+30.66 грн
250+25.54 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-BE3VishayMOSFET P-CH 60V 1.7A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 60V 1.7A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3 8P..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+37.84 грн
100+26.32 грн
500+19.29 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 327668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.92 грн
10+38.82 грн
100+24.51 грн
500+19.12 грн
1000+15.53 грн
3000+13.19 грн
9000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25, Qg, нКл = 8,5 @ 10 В, Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+14.18 грн
9000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+37.84 грн
100+26.33 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 221997 шт:
термін постачання 535-544 дні (днів)
7+51.46 грн
10+41.12 грн
100+28.23 грн
500+22.16 грн
1000+17.19 грн
3000+14.64 грн
9000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.54 грн
500+23.71 грн
1000+16.98 грн
3000+15.46 грн
6000+15.12 грн
12000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+14.18 грн
9000+13.17 грн
30000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.39 грн
17+48.08 грн
100+32.54 грн
500+23.71 грн
1000+16.98 грн
3000+15.46 грн
6000+15.12 грн
12000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]