НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.06 грн
10+98.60 грн
25+93.02 грн
100+80.15 грн
250+75.86 грн
500+72.82 грн
1000+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ20-1745K6SUA1KYOCERA AVXDescription: SIGNAL CONDITIONING, SAW QUADPLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Quadplexer
Frequency Bands (Low / High): 1.695GHz ~ 1.709GHz / 2.11GHz ~ 2.199GHz
Low Band Attenuation (min / max dB): 40.00dB / 61.00dB
High Band Attenuation (min / max dB): 38.00dB / 54.00dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: LOGIC ANALYZER COMM SYST/COMP
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Communication Systems, Computer Systems, Electrical Systems
Tool Type: Logic Analyzer
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15140.09 грн
5+13917.35 грн
10+13641.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ200 - Logikanalysator, 4, 16kB, 200 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
rohsCompliant: YES
Stromverbrauch: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 200MHz
Außenbreite: 50mm
Außentiefe: 50mm
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 16kB
Außenhöhe: 15mm
Produktpalette: ScanaQuad Series
productTraceability: No
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80g
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16980.09 грн
5+16640.76 грн
10+16300.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200Pimoroni LtdLogic Analyzer and Pattern Generators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ200Pimoroni LtdDescription: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR
Packaging: Bulk
Tool Type: Logic Analyzer, Signal Generator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ201570Rose EnclosuresDescription: BOX 04102006 MOD TO EKD21020301
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3121.57 грн
5+2569.27 грн
10+2401.44 грн
25+2061.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2019H2
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ202 транзистор
Код товару: 89209
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein ToolsScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers #2 Square Insert Power Drivers, 1-Inch, 5-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ215Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #2 1"
Packaging: Bulk
Tool Type: Bit, Power
Length - Overall: 1.00" (25.4mm)
Tip Type: Square
Tip Size: #2
Drive Size: 1/4"
Quantity: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ21G??2010+ ROHS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-.25MHZ
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2200-250K
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ221
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+22.06 грн
100+12.56 грн
500+9.22 грн
1000+8.40 грн
3000+7.10 грн
6000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.23 грн
10+31.51 грн
100+20.33 грн
500+14.57 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 25971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.26 грн
16+20.26 грн
100+16.11 грн
500+14.27 грн
1000+12.36 грн
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.46 грн
6000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3VishaySQ2301ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 824 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+45.67 грн
10+36.87 грн
20+31.66 грн
100+22.88 грн
250+19.13 грн
500+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.46 грн
10+30.77 грн
100+19.87 грн
500+14.24 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.06 грн
14+29.59 грн
20+26.38 грн
100+19.07 грн
250+15.94 грн
500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.18 грн
6000+10.76 грн
9000+10.26 грн
15000+9.11 грн
21000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.13 грн
24+33.38 грн
100+24.93 грн
500+18.20 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.17 грн
10+32.19 грн
100+18.71 грн
500+14.27 грн
1000+12.77 грн
3000+10.79 грн
6000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.67 грн
100+12.29 грн
500+9.01 грн
1000+8.06 грн
3000+6.14 грн
6000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 83132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.62 грн
16+20.18 грн
100+16.59 грн
500+14.27 грн
1000+12.84 грн
3000+9.42 грн
6000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.33 грн
10+29.59 грн
100+20.58 грн
500+15.08 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel 30 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.12 грн
6000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.87 грн
500+15.61 грн
1000+10.45 грн
5000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+10.93 грн
9000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.17 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.53 грн
30+26.60 грн
100+21.83 грн
500+17.53 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
14+22.71 грн
100+18.65 грн
500+14.47 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 165725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.18 грн
13+24.89 грн
100+17.82 грн
500+14.27 грн
1000+12.84 грн
3000+10.99 грн
6000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3VISHAYSQ2303ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+49.92 грн
69+16.96 грн
190+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P-203NMLaird Technologies IASDescription: PNL ANT SQUINT OMNI N MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 914mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303P72RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303PNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES
Код товару: 170837
Додати до обраних Обраний товар

VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23-3
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 164/3,5
Монтаж: SMD
у наявності 360 шт:
282 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.69 грн
18+44.61 грн
25+39.51 грн
50+31.88 грн
100+24.99 грн
250+22.05 грн
500+19.19 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.68 грн
10+36.24 грн
100+23.55 грн
500+16.98 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.65 грн
6000+12.98 грн
9000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+31.88 грн
591+21.90 грн
613+21.11 грн
1000+19.69 грн
2500+17.69 грн
5000+16.53 грн
10000+16.12 грн
25000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.22 грн
14+31.07 грн
50+24.82 грн
100+22.19 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.12 грн
50+39.99 грн
100+26.05 грн
500+18.57 грн
1500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+37.62 грн
500+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 60V 2.3A
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+39.18 грн
100+22.19 грн
500+17.00 грн
1000+15.36 грн
3000+15.16 грн
6000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.05 грн
500+18.57 грн
1500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+62.66 грн
10+38.71 грн
50+29.78 грн
100+26.63 грн
500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 60V TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1-GE3Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.46 грн
30+27.00 грн
100+18.40 грн
500+15.31 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.39 грн
13+24.34 грн
100+14.20 грн
500+10.45 грн
3000+8.88 грн
6000+8.26 грн
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
6000+7.56 грн
9000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.40 грн
500+15.31 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3VishayAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308FES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
14+22.71 грн
100+14.45 грн
500+10.23 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GESVishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.97 грн
23+13.39 грн
25+11.83 грн
100+9.55 грн
250+8.81 грн
500+8.36 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.48 грн
50+109.13 грн
100+76.07 грн
500+54.14 грн
1500+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.07 грн
500+54.14 грн
1500+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.88 грн
12+27.72 грн
100+16.32 грн
500+11.81 грн
1000+10.04 грн
3000+7.37 грн
6000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V
на замовлення 10011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.04 грн
11+29.76 грн
100+17.68 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
12+25.22 грн
100+16.15 грн
500+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.37 грн
25+45.40 грн
50+39.03 грн
100+30.33 грн
250+25.26 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3 8P..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3VishayAutomotive P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.34 грн
6000+14.02 грн
9000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 327668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.39 грн
10+38.39 грн
100+24.24 грн
500+18.91 грн
1000+15.36 грн
3000+13.04 грн
9000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
10+37.43 грн
100+26.04 грн
500+19.08 грн
1000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.18 грн
500+23.45 грн
1000+16.80 грн
3000+15.29 грн
6000+14.95 грн
12000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.34 грн
6000+14.02 грн
9000+13.02 грн
30000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2309ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.75 грн
17+47.55 грн
100+32.18 грн
500+23.45 грн
1000+16.80 грн
3000+15.29 грн
6000+14.95 грн
12000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 221997 шт:
термін постачання 535-544 дні (днів)
7+50.90 грн
10+40.67 грн
100+27.92 грн
500+21.92 грн
1000+17.00 грн
3000+14.47 грн
9000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
10+37.43 грн
100+26.04 грн
500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.14 грн
500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V
на замовлення 33862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.81 грн
11+29.13 грн
100+18.91 грн
500+14.88 грн
1000+11.47 грн
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.77 грн
27+29.63 грн
100+22.14 грн
500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+57.10 грн
100+37.70 грн
500+27.56 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 20924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.44 грн
10+54.81 грн
100+33.05 грн
500+27.65 грн
1000+23.49 грн
3000+20.89 грн
6000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.18 грн
6000+21.56 грн
9000+20.69 грн
15000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.75 грн
25+55.20 грн
50+52.55 грн
100+37.27 грн
250+35.44 грн
500+29.64 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.01 грн
10+53.39 грн
100+33.73 грн
500+28.13 грн
1000+23.96 грн
3000+21.30 грн
6000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+51.52 грн
255+50.86 грн
333+38.96 грн
336+37.21 грн
500+28.81 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.17 грн
50+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.94 грн
13+23.52 грн
100+15.01 грн
500+10.64 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.04 грн
500+12.72 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.17 грн
13+25.99 грн
100+14.82 грн
500+10.99 грн
1000+9.90 грн
3000+8.40 грн
6000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.17 грн
29+27.96 грн
100+19.04 грн
500+12.72 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 12V (D-S)
на замовлення 374202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+12.98 грн
3000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+34.32 грн
100+22.23 грн
500+15.98 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.08 грн
30000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 76004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.25 грн
12+26.93 грн
100+19.53 грн
500+15.43 грн
1000+14.06 грн
3000+11.61 грн
6000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.60 грн
500+18.94 грн
1500+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.38 грн
33+22.49 грн
100+18.28 грн
250+16.84 грн
500+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+20.99 грн
731+17.70 грн
735+17.60 грн
911+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 617
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.64 грн
50+41.02 грн
100+26.60 грн
500+18.94 грн
1500+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.07 грн
30000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
15+21.01 грн
100+18.23 грн
500+14.10 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYSQ2315ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+57.88 грн
53+22.39 грн
144+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 87483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.40 грн
25+37.44 грн
50+31.86 грн
100+25.15 грн
250+20.48 грн
500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT S Q2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+33.51 грн
403+32.18 грн
500+31.01 грн
1000+28.93 грн
2500+26.00 грн
5000+24.28 грн
10000+23.69 грн
25000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 387
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.98 грн
10+37.80 грн
100+24.51 грн
500+17.62 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 260923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.38 грн
11+31.25 грн
100+20.00 грн
500+15.84 грн
1000+13.38 грн
3000+11.81 грн
6000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.14 грн
6000+13.40 грн
9000+12.79 грн
15000+11.37 грн
21000+10.99 грн
30000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 276340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.29 грн
500+16.86 грн
1500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.98 грн
10+37.80 грн
100+24.51 грн
500+17.62 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYSQ2318AES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.31 грн
56+21.20 грн
152+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 276340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.37 грн
50+30.83 грн
100+26.29 грн
500+16.86 грн
1500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.14 грн
6000+13.40 грн
9000+12.79 грн
15000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 101400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.31 грн
10+34.31 грн
100+22.53 грн
500+17.27 грн
1000+15.57 грн
3000+12.36 грн
9000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.40 грн
11+30.31 грн
100+17.89 грн
500+15.70 грн
1000+12.84 грн
3000+11.20 грн
9000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-BE3VishayMOSFETs 40V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+8.36 грн
9000+7.96 грн
15000+7.04 грн
21000+6.79 грн
30000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
12+24.78 грн
100+15.84 грн
500+11.25 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
11+29.05 грн
100+16.66 грн
3000+14.13 грн
24000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.48 грн
27+29.79 грн
100+20.31 грн
500+14.28 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.84 грн
6000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.59 грн
6000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.46 грн
10+37.06 грн
100+27.69 грн
500+22.18 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 165103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
10+34.00 грн
100+23.42 грн
500+20.62 грн
1000+18.23 грн
3000+15.57 грн
6000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.98 грн
6000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SemiconductorsP-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.94 грн
25+30.63 грн
50+29.47 грн
100+22.78 грн
250+21.75 грн
500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.38 грн
6000+17.22 грн
9000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.05 грн
10+41.06 грн
100+24.51 грн
500+20.48 грн
1000+17.75 грн
3000+16.18 грн
6000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+28.59 грн
454+28.52 грн
544+23.81 грн
547+22.84 грн
681+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.35 грн
10+47.04 грн
100+30.78 грн
500+22.32 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1-GE3VishayMOSFETs 40V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 14135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
12+28.42 грн
100+15.91 грн
500+12.08 грн
1000+10.38 грн
3000+8.81 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325CES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
15+21.59 грн
100+12.77 грн
500+10.45 грн
1000+9.08 грн
3000+7.99 грн
6000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.36 грн
500+20.86 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.38 грн
100+27.71 грн
500+20.09 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3
Код товару: 164123
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 161808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.66 грн
10+37.77 грн
100+24.78 грн
500+19.73 грн
1000+17.82 грн
3000+15.43 грн
6000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+75.41 грн
10+52.44 грн
50+36.49 грн
100+31.76 грн
500+24.06 грн
1000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2A
Application: automotive industry
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+62.84 грн
10+42.08 грн
50+30.41 грн
100+26.46 грн
500+20.05 грн
1000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.15 грн
50+40.70 грн
100+28.76 грн
500+22.19 грн
1500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2328ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
13+24.63 грн
100+15.78 грн
500+11.20 грн
1000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 40384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
11+28.89 грн
100+16.18 грн
500+12.29 грн
1000+10.17 грн
3000+8.60 грн
6000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.83 грн
6000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)
на замовлення 148914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.32 грн
100+21.23 грн
500+18.98 грн
1000+17.82 грн
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.38 грн
100+27.71 грн
500+20.09 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Gate charge: 11.8nC
On-state resistance: 0.29Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.85 грн
10+51.31 грн
20+44.58 грн
50+38.46 грн
100+34.22 грн
200+30.57 грн
250+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.3A
Gate charge: 11.8nC
On-state resistance: 0.29Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+54.87 грн
10+41.17 грн
20+37.15 грн
50+32.05 грн
100+28.52 грн
200+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.22 грн
6000+17.08 грн
9000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.76 грн
500+19.38 грн
1500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.12 грн
50+37.44 грн
100+28.76 грн
500+19.38 грн
1500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 196304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.91 грн
10+40.67 грн
100+25.13 грн
500+21.03 грн
1000+17.89 грн
3000+14.82 грн
6000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.58 грн
10+46.67 грн
100+30.54 грн
500+22.14 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.75 грн
500+43.57 грн
1500+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.28 грн
21+14.50 грн
25+12.90 грн
100+10.43 грн
250+9.63 грн
500+9.14 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.24 грн
11+28.82 грн
100+16.11 грн
500+12.36 грн
1000+11.20 грн
3000+9.35 грн
6000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.16 грн
50+82.84 грн
100+57.75 грн
500+43.57 грн
1500+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 4.5V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.15 грн
13+26.07 грн
100+16.93 грн
500+13.31 грн
1000+10.31 грн
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
12+26.78 грн
100+17.20 грн
500+12.25 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 197568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+40.59 грн
100+24.10 грн
500+18.98 грн
1000+15.77 грн
3000+13.11 грн
6000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.85 грн
10+38.46 грн
100+26.75 грн
500+19.60 грн
1000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.76 грн
6000+14.40 грн
9000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 135820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.24 грн
50+42.85 грн
100+36.80 грн
500+30.33 грн
1500+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+48.42 грн
354+36.57 грн
358+36.20 грн
500+28.15 грн
1000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.96 грн
15+52.01 грн
25+51.88 грн
100+37.79 грн
250+34.63 грн
500+26.81 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 135820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.80 грн
500+30.33 грн
1500+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 155225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.39 грн
10+40.20 грн
100+26.08 грн
500+20.48 грн
1000+15.98 грн
3000+14.20 грн
9000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.10 грн
12+26.30 грн
100+12.56 грн
500+11.13 грн
1000+9.90 грн
3000+8.47 грн
6000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 131589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
10+36.04 грн
100+21.85 грн
500+17.00 грн
1000+13.86 грн
3000+11.68 грн
9000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3VishaySQ2351ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
10+35.65 грн
100+26.59 грн
500+19.60 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 100570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.53 грн
11+29.99 грн
100+19.73 грн
500+15.29 грн
1000+12.90 грн
3000+11.68 грн
9000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYSQ2351ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 697 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+62.98 грн
60+19.71 грн
163+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 31801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+39.18 грн
100+22.19 грн
500+18.98 грн
1000+15.77 грн
3000+12.43 грн
6000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.56 грн
6000+14.22 грн
9000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3VishayTrans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
10+37.94 грн
100+26.41 грн
500+19.35 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
10+37.94 грн
100+26.41 грн
500+19.35 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.56 грн
6000+14.22 грн
9000+13.20 грн
30000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 79846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.80 грн
10+41.38 грн
100+24.10 грн
500+18.57 грн
1000+16.32 грн
3000+13.04 грн
9000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.15 грн
6000+24.80 грн
12000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 9C..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 9C..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-GE3VishayVishay 60V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.60 грн
12+28.27 грн
100+15.77 грн
500+12.08 грн
1000+11.06 грн
3000+9.35 грн
6000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.91 грн
500+15.61 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.95 грн
26+31.46 грн
100+21.91 грн
500+15.61 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.39 грн
500+14.42 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 30048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
12+26.77 грн
100+17.41 грн
500+13.66 грн
1000+10.51 грн
2500+9.56 грн
5000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.24 грн
26+30.99 грн
100+20.39 грн
500+14.42 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.91 грн
500+15.61 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.60 грн
12+28.34 грн
100+15.84 грн
500+12.15 грн
1000+11.13 грн
3000+9.35 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.95 грн
26+31.46 грн
100+21.91 грн
500+15.61 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.51 грн
21+14.28 грн
25+12.72 грн
100+10.28 грн
250+9.49 грн
500+9.01 грн
1000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
6000+9.05 грн
9000+8.62 грн
15000+7.63 грн
21000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.63 грн
12+26.22 грн
100+17.07 грн
500+13.45 грн
1000+11.13 грн
3000+9.49 грн
9000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
12+26.55 грн
100+17.00 грн
500+12.11 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
6000+15.89 грн
9000+15.20 грн
15000+13.54 грн
21000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3VishayTransistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 170839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+39.65 грн
100+23.56 грн
500+19.73 грн
1000+16.80 грн
3000+14.27 грн
6000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+43.86 грн
100+28.61 грн
500+20.69 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 164791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.96 грн
10+38.32 грн
100+23.42 грн
500+19.87 грн
1000+16.86 грн
3000+14.61 грн
6000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.58 грн
50+39.35 грн
100+29.71 грн
500+22.12 грн
1500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
6000+15.89 грн
9000+15.20 грн
15000+13.54 грн
21000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+22.12 грн
1500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.96 грн
24+31.08 грн
25+30.82 грн
50+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 142900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+43.86 грн
100+28.61 грн
500+20.69 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 17529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
11+29.05 грн
100+16.25 грн
500+12.36 грн
1000+11.33 грн
3000+9.63 грн
6000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 590803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+63.76 грн
100+37.82 грн
500+29.77 грн
1000+24.78 грн
3000+16.25 грн
6000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.76 грн
500+20.49 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+21.36 грн
629+20.59 грн
1000+19.91 грн
2500+18.64 грн
5000+16.79 грн
10000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYSQ2362ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.74 грн
56+21.01 грн
154+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.60 грн
50+40.15 грн
100+28.76 грн
500+20.49 грн
1500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.52 грн
14+55.38 грн
100+38.26 грн
500+28.35 грн
1000+23.74 грн
3000+18.04 грн
9000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.39 грн
10+39.65 грн
100+26.08 грн
500+20.48 грн
1000+15.91 грн
3000+13.52 грн
9000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1 GE3VishayVishay 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1-BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.45 грн
10+37.06 грн
100+24.10 грн
500+17.38 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.39 грн
10+40.20 грн
100+26.08 грн
500+20.48 грн
1000+15.91 грн
3000+13.18 грн
9000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+29.25 грн
469+27.60 грн
471+27.48 грн
540+23.11 грн
1000+20.42 грн
2000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.11 грн
500+21.38 грн
1500+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+44.79 грн
292+44.31 грн
415+31.22 грн
419+29.80 грн
540+21.41 грн
1000+17.79 грн
3000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Gate charge: 2nC
On-state resistance: 245mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.79 грн
10+49.67 грн
25+39.35 грн
50+33.14 грн
100+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.45 грн
10+37.06 грн
100+24.10 грн
500+17.38 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
на замовлення 117219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+38.24 грн
100+22.19 грн
500+17.00 грн
1000+15.36 грн
3000+12.08 грн
6000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.39 грн
16+48.56 грн
25+47.99 грн
50+45.78 грн
100+29.86 грн
250+28.38 грн
500+22.03 грн
1000+19.06 грн
3000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.25 грн
50+44.05 грн
100+30.11 грн
500+21.38 грн
1500+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.99 грн
6000+13.28 грн
9000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Gate charge: 2nC
On-state resistance: 245mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.99 грн
11+39.86 грн
25+32.79 грн
50+27.61 грн
100+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.60 грн
12+28.50 грн
100+15.91 грн
500+12.22 грн
1000+11.13 грн
3000+9.42 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 485101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.85 грн
10+43.34 грн
100+25.67 грн
500+21.44 грн
1000+18.30 грн
3000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.38 грн
100+27.71 грн
500+20.09 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.44 грн
6000+15.50 грн
9000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.38 грн
100+27.71 грн
500+20.09 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 103818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.31 грн
50+39.91 грн
100+30.43 грн
500+20.04 грн
1500+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VISHAYSQ2389ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.71 грн
46+25.74 грн
125+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.16 грн
10+40.12 грн
100+25.06 грн
500+20.62 грн
1000+18.16 грн
3000+16.18 грн
6000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx)VishayMOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.22 грн
6000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 12663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+39.65 грн
100+23.56 грн
500+19.73 грн
1000+16.80 грн
3000+15.84 грн
6000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3VishaySQ2398ES-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+39.72 грн
100+25.92 грн
500+18.74 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 118696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+40.31 грн
100+26.35 грн
500+19.07 грн
1000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.45 грн
10+35.80 грн
100+22.26 грн
500+18.37 грн
1000+16.59 грн
3000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.53 грн
6000+14.67 грн
9000+14.04 грн
15000+12.51 грн
21000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-12S500
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24-5D500
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PFTNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,fixed,TN CF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG12RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,RTN M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 1.2m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: RP-BNC
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PG48RBNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,48in,RBN CM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PTRASMFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE APPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,117in,SM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV117SMMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 3m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV12NFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,144in,RS MAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV144RSMTE ConnectivityDescription: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 3.7m
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gain: 3dBi
Termination: RP-SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz)
Frequency (Center/Band): 2.4GHz
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,36in,RTN M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,96in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PV96RSMLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE RP SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2403PVNFLaird Technologies IASDescription: ANT OMNI QUINT VEHICLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DD36RTNLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP TNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2405DDN36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT BIDIR CEILING MNT RP SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24493P12SMMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI DUAL WIDE BAND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLairdAntennas Omni,Squint,36in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV36RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 36" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLairdAntennas Omni,Squint,72in,RSM AM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2449PV72RSMLaird Technologies IASDescription: ANT SQUINT OMNI 72" CBL N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 25A 230VAC Zero Cross
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20322.42 грн
10+19849.16 грн
25+17259.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24D25-12Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs 25A 230VAC Zero Cross
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00Power-OneDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S03150-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6982.57 грн
5+6827.86 грн
10+5890.16 грн
25+5519.42 грн
48+5518.74 грн
96+4848.27 грн
288+4846.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6296.91 грн
5+5837.95 грн
10+5743.13 грн
25+5274.03 грн
50+5188.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S04120-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S05080-PS00G;DC-DC;36-75V;8.0V;5A;SM;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S05080-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-SMD Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 89%
Current - Output (Max): 8A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 6V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6979.76 грн
5+6470.65 грн
10+6365.47 грн
25+5845.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-NS00G;DC-DC;18-36V;6.0V;8A;SM;
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6804.94 грн
5+6458.04 грн
10+5524.20 грн
25+5513.96 грн
50+5423.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SQ24S08060-PS00G;DC-DC;NA;24V;6V;8.3A;SMT;;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S08060-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 6V 48W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-NS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24S10050-PS00G - SURFACE MOUNT ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8572.49 грн
3+8104.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY;SSQE48T07050-PABNG;DC-DC;18-36V;5.0V;10A;SM;
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6190.80 грн
5+6027.77 грн
10+5201.94 грн
25+5165.75 грн
48+4704.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S10050-PSN0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS00GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-NS0SBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY;SQ24S15033-PS00G;DC-DC;;18-36V;3.3V;15A;SM;;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS00GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7181.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PS0SBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5072.56 грн
15+4689.71 грн
25+4500.65 грн
60+4055.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24S15033-PSN0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 15V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 15V 3.3A 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 15V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PAALGBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;SQ24T03150-PAALG;DC-DC;;19-36VDC;15V;3.3A;49.5W;THT;58.42x22.76x8.10mm;;FAN COOLING;;FOR LOCKHEED MARTIN;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T03150-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 15V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NAC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6405.21 грн
5+5938.10 грн
10+5841.65 грн
25+5364.49 грн
50+5277.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6613.77 грн
5+6277.45 грн
10+5369.90 грн
25+5253.83 грн
50+5169.17 грн
100+4960.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NBC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-NDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PAC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 12V 48W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 4A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 48 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PCB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PDA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 12V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T04120-PDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 12V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-PBA0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 8V 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T05080-PBA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters /DC DC POWER SUPPLY/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NAA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 6V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PAA0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 6V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T08060-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6V 48W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NAC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole DC/DC Converter
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6401.89 грн
5+5947.68 грн
10+5041.49 грн
25+4874.90 грн
50+4752.00 грн
100+4351.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NBC0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5114.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-NEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8339.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-NEC0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10272.33 грн
3+9712.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAA0GBEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-PAA0G - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6785.82 грн
3+6650.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAALGBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;SQ24T10050-PAALG;DC-DC;;18-36VDC;5.0V;10A;50W;THT;58.42x22.76x8.10mm;;FAN COOLING;;FOR LOCKHEED MARTIN;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PAALGBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 10A 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 5V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PDB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PDB0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 5V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T10050-PEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8108.10 грн
3+7945.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T10050-PEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY; SQ24T10050-PEC0; DC/DC 18VDC-36VDC; 5.0v/10A; TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15012-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6716.52 грн
5+6567.97 грн
10+5665.53 грн
25+5117.28 грн
48+4860.56 грн
96+4837.34 грн
288+4733.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15012-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 1.2V 18W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15015-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 1.5V 23W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15015-PCA0GBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole DC-DCTHT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5819.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T15020-NEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10242.06 грн
3+9682.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6235.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2V 30W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO
Package / Case: 8-DIP Module, 1/8 Brick
Size / Dimension: 2.30" L x 0.90" W x 0.27" H (58.4mm x 22.9mm x 7.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 85%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 2V
Control Features: Enable, Active Low
Power (Watts): 30 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8251.44 грн
4+7921.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2V 30W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 2V 15A 30W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15020-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15025-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15025-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER 2.5V 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0POWERO07+NOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NAB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBA0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 18-36Vin 15A 3.3Vout
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 18-36Vin 15A 3.3Vout 50W
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6280.01 грн
5+6163.60 грн
10+5337.12 грн
25+5152.78 грн
48+5060.61 грн
96+4795.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBB0GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NBC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0Bel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3825.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0GBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-NEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PBB0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT 3.3V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PCA0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PDC0Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 3.3V 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0BEL / PARTNER STOCKDescription: BEL / PARTNER STOCK - SQ24T15033-PEC0 - THROUGH HOLE ISOLATED DC-DC CONVERTERS
tariffCode: 85044095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: SemiQ SQ24 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9107.77 грн
3+8925.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PEC0GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY; SQ24T15033-PEC0; DC/DC; 18VDC-36VDC; 3.3v/15A; TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7662.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBel Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 3.3V 15A 50W 8-Pin 1/8-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ24T15033-PECHGBel Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole POWER SUPPLY;DC-DC 1/8-BRICK;IN 18to36VDC;OUT 3.3VDC;15A;THT;2.3x0.9x0.298";;POSITIVE LOGIC,0.11" PIN LENGTH;
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2576-5.0S(T)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2711L-SOP8China Wind
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ273-H010GZ8PTE ConnectivityArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ274-12305TE ConnectivityBoard Mount Pressure Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ274-15017TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ28-10American Electrical Inc.Description: TOOL HAND CRIMPER 10-28AWG SIDE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Ferrules
Tool Type: Hand Crimper
Wire Gauge or Range - AWG: 10-28 AWG
Tool Method: Manual
Ratcheting: Ratchet
Wire Entry Location: Side Entry
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16664.77 грн
5+14874.91 грн
10+14397.17 грн
25+12940.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2831
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2833
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2D02600B2HBG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2E151MU01635Chinsan (Elite)Description: CAP ALUM 150UF 20% 250V RAD TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.630" Dia (16.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Lifetime @ Temp.: 5000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 150 µF
Voltage - Rated: 250 V
Ripple Current @ Low Frequency: 900 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 1.26 A @ 100 kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O03840KEINC
на замовлення 8562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FI
на замовлення 20980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FIDNC48M
на замовлення 20979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2O04800FIDNC48MHZ
на замовлення 20979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2V-07BIDECRelay Sockets & Fixings SQ DIN/Pnl Mt 8 Pin Socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2V-25CLIP-PN10IDECRelay Sockets & Fixings 25.5mm Hold Down Clip SQ Sock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.