Продукція > SUD

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-225L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-225L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-225L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-22L

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD06N10-255L

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	33.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-BE3

SUD08P06-155L-BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 104526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.55 грн
10+	74.28 грн
100+	43.09 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.74 грн
2000+	28.80 грн
4000+	25.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.25 грн
10+	72.70 грн
100+	48.42 грн
500+	35.66 грн
1000+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

MOSFETs -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH

на замовлення 8852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.55 грн
10+	74.28 грн
100+	43.09 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.74 грн
2000+	28.26 грн
4000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 10078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.45 грн
10+	75.05 грн
100+	49.97 грн
500+	36.80 грн
1000+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

SUD08P06-155L-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 841 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	130.32 грн
26+	44.54 грн
71+	42.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.61 грн
500+	34.21 грн
2000+	30.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	34.11 грн
4000+	30.40 грн
6000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-GE3

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	92.31 грн
12+	78.21 грн
100+	56.61 грн
500+	34.21 грн
2000+	30.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-155L-T4E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD08P06-1S5L-E3

на замовлення 248 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-BE3

MOSFETs TO252 100V 8.8A P-CH MOSFET

на замовлення 131358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.87 грн
10+	65.89 грн
100+	38.04 грн
500+	29.89 грн
1000+	27.09 грн
2000+	21.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.06 грн
10+	62.59 грн
100+	48.83 грн
500+	37.85 грн
1000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.18 грн
14+	63.14 грн
25+	58.17 грн
50+	49.49 грн
100+	41.50 грн
250+	37.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 21782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	60.49 грн
100+	40.07 грн
500+	29.37 грн
1000+	26.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A

на замовлення 15319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.18 грн
10+	63.03 грн
100+	44.10 грн
500+	36.41 грн
1000+	31.52 грн
4000+	29.89 грн
10000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

159+	78.43 грн
187+	66.81 грн
218+	57.19 грн
230+	52.29 грн
500+	45.30 грн

Мінімальне замовлення: 159

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 1934 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	97.29 грн
28+	41.44 грн
76+	39.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.11 грн
4000+	24.10 грн
6000+	23.09 грн
10000+	20.59 грн
14000+	20.48 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06

на замовлення 3212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L

09+ SSOP20

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L

MOSFET 60V 10A 37W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L-E3

на замовлення 682 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD08P06-155LGE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L-T4

MOSFET 60V P-CH 280MOHM 8M LOWVT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-280L-T4E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-28DL

на замовлення 3666 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD10P06-28L

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD12NE06

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N015-95

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N06

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N06

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N06-90L

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD15N06-90L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N06-90L-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N06-90L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95

09+ TSSOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-BE3

MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C

на замовлення 3587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	178.43 грн
10+	146.42 грн
100+	100.92 грн
500+	100.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	166.28 грн
10+	133.03 грн
100+	105.90 грн
500+	84.10 грн
1000+	71.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	75.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 7081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	309.04 грн
10+	196.02 грн
100+	138.28 грн
500+	118.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-E3

SUD15N15-95-E3 SMD N channel transistors

на замовлення 1521 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	151.53 грн
12+	101.89 грн
32+	96.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-E3

Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.31 грн
10+	134.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD1

на замовлення 17045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.95 грн
10+	165.16 грн
100+	114.12 грн
500+	96.26 грн
1000+	81.51 грн
2000+	77.48 грн
4000+	75.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	106.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD15N15-T1-E3

на замовлення 1182 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15P01-52

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15P01-52

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15P01-52-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD15P02-52

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165-E3

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S

на замовлення 4351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.07 грн
10+	183.91 грн
100+	117.23 грн
500+	102.48 грн
1000+	93.16 грн
2000+	88.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	68.83 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 4372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.55 грн
10+	142.17 грн
100+	118.21 грн
500+	101.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET

на замовлення 251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.77 грн
10+	151.77 грн
100+	112.57 грн
500+	106.36 грн
1000+	97.82 грн
2000+	90.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.11 грн
10+	137.60 грн
100+	123.67 грн
500+	111.60 грн
1000+	102.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	113.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	91.37 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3
Код товару: 154670

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	158.83 грн
10+	152.88 грн
25+	151.37 грн
100+	130.54 грн
250+	117.22 грн
500+	102.26 грн
1000+	90.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	148.24 грн
88+	142.68 грн
89+	141.28 грн
100+	121.84 грн
250+	109.41 грн
500+	95.44 грн
1000+	84.92 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-E3

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	153.28 грн
500+	129.39 грн
1000+	101.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-T4-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-T4-E3

MOSFETs N-CH 200V 19A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-T4-E3

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19N20-90-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.19 грн
10+	76.87 грн
100+	52.09 грн
500+	44.10 грн
1000+	35.87 грн
2000+	33.77 грн
4000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 3741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	70.19 грн
100+	54.60 грн
500+	43.43 грн
1000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 3967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	70.19 грн
100+	54.60 грн
500+	43.43 грн
1000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3
Код товару: 75848

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	25.90 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

MOSFETs 60V 19A 38.5W

на замовлення 31778 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.10 грн
10+	76.96 грн
100+	52.09 грн
500+	41.46 грн
1000+	35.87 грн
2000+	31.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	47.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 7672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.34 грн
500+	42.94 грн
1000+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

на замовлення 29253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.13 грн
10+	76.10 грн
100+	50.96 грн
500+	37.72 грн
1000+	34.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

192+	65.08 грн
210+	59.28 грн
256+	48.60 грн
274+	43.77 грн
500+	40.44 грн
1000+	34.47 грн
2000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 192

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V

на замовлення 16238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.71 грн
10+	62.67 грн
100+	47.90 грн
500+	38.43 грн
1000+	35.09 грн
2000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.51 грн
50+	66.01 грн
100+	57.91 грн
500+	45.45 грн
1000+	38.29 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	35.12 грн
4000+	31.37 грн
6000+	30.12 грн
10000+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	30.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

SUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 128 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	70.44 грн
29+	39.79 грн
80+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	35.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60-T4-E3

SUD19P06-60-T4-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

MOSFETs 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

на замовлення 62175 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.71 грн
10+	61.96 грн
100+	45.34 грн
500+	38.89 грн
1000+	35.94 грн
2000+	32.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 21277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.64 грн
10+	91.14 грн
100+	61.32 грн
500+	45.56 грн
1000+	41.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

на замовлення 1630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	109.69 грн
10+	89.27 грн
25+	88.39 грн
100+	65.77 грн
250+	60.29 грн
500+	48.64 грн
1000+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	42.55 грн
4000+	38.07 грн
6000+	36.59 грн
10000+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	83.32 грн
151+	82.50 грн
196+	63.66 грн
250+	60.77 грн
500+	47.29 грн
1000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

SUD19P0660

на замовлення 9300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD19P0660L

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-BE3

SUD20N10-66L-BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.26 грн
10+	54.99 грн
100+	37.97 грн
500+	27.98 грн
1000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-BE3

MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET

на замовлення 19438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.51 грн
10+	61.33 грн
100+	36.41 грн
500+	29.50 грн
1000+	25.85 грн
2000+	23.99 грн
4000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	23.15 грн
4000+	21.38 грн
6000+	20.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

MOSFETs N-Channel 100-V D-S

на замовлення 2796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.63 грн
10+	44.01 грн
100+	32.61 грн
500+	29.50 грн
1000+	26.32 грн
2000+	21.81 грн
4000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	65.00 грн
13+	54.92 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Description: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 10905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	57.74 грн
18+	50.16 грн
100+	37.80 грн
500+	30.49 грн
1000+	20.45 грн
5000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 605 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

на замовлення 10905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.80 грн
500+	30.49 грн
1000+	20.45 грн
5000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 6645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	54.59 грн
10+	43.10 грн
100+	33.93 грн
500+	27.98 грн
1000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD20P15-306-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 150 -V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31

10+ TSSOP8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31

Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31

Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.91 грн
10+	34.05 грн
100+	23.24 грн
500+	17.18 грн
1000+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 26669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.39 грн
10+	60.26 грн
100+	43.09 грн
500+	37.19 грн
1000+	30.28 грн
2000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-BE3
Код товару: 75849

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-BE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 21.4A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.51 грн
14+	64.45 грн
25+	59.22 грн
50+	50.95 грн
100+	42.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

MOSFETs N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

на замовлення 6046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.53 грн
10+	64.91 грн
100+	41.15 грн
500+	32.84 грн
1000+	29.89 грн
2000+	24.53 грн
4000+	24.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	79.25 грн
10+	53.45 грн
50+	41.57 грн
100+	37.12 грн
500+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 6646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.85 грн
10+	69.55 грн
100+	47.38 грн
500+	35.69 грн
1000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.031 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.64 грн
50+	68.97 грн
100+	51.29 грн
500+	38.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	71.41 грн
205+	60.83 грн
240+	52.02 грн
253+	47.57 грн
500+	41.27 грн
1000+	37.13 грн

Мінімальне замовлення: 175

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	95.10 грн
10+	66.61 грн
50+	49.88 грн
100+	44.54 грн
500+	37.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	30.67 грн
4000+	27.80 грн
6000+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-T4-GE3

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.41 грн
10+	76.74 грн
100+	60.96 грн
500+	47.77 грн
1000+	42.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFETs N-Channel 60-V (D-S)

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.37 грн
10+	79.81 грн
100+	54.81 грн
500+	43.94 грн
1000+	40.14 грн
2500+	36.18 грн
5000+	34.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31-T4-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L

MOSFET 60V 23A 100W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-E3

MOSFET 60V 23A 100W

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4-E3

MOSFETs N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

на замовлення 9803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.91 грн
10+	64.82 грн
100+	42.23 грн
500+	33.15 грн
1000+	30.28 грн
2500+	25.00 грн
5000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.93 грн
10+	64.61 грн
100+	47.61 грн
500+	36.10 грн
1000+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD23N06-31L-T4BE3

MOSFETs TO252 N-CH 60V 9.1A

на замовлення 25083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.31 грн
10+	72.05 грн
100+	42.62 грн
500+	33.62 грн
1000+	30.28 грн
2500+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD25N04

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N04-25

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N04-25

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N04-25-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N04-25-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N04-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N05-45L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L
Код товару: 133238

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD23N06-31-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L-E3

MOSFET 60V 25A 50W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L-E3

10+ SOP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N06-45L-T4

MOSFET 60V N-CH LOGIC LEVEL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD25N15-52-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-BE3

SUD25N15-52-BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 3290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	333.39 грн
10+	211.47 грн
100+	149.01 грн
500+	114.80 грн
1000+	106.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	114.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-BE3

MOSFETs TO252 150V 25A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.66 грн
10+	111.47 грн
100+	101.89 грн
500+	93.00 грн
1000+	83.60 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	74.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

MOSFETs 150V 25A 136W 52mohm @ 10V

на замовлення 3110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.81 грн
10+	133.02 грн
100+	95.49 грн
500+	84.62 грн
1000+	82.29 грн
2000+	81.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 3530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.30 грн
10+	146.94 грн
100+	101.99 грн
500+	81.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-T4-E3

MOSFETs N-Channel 150-V D-S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD25N15-52-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N03

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD30N03-30

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD30N03-30

MOSFET 30V 30A 50W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N03-30

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD30N03-30-E3

MOSFET 30V 30A 50W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N03-30-T4

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD30N03-30-T4

MOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N04-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD30N04-10

MOSFETs 40V 30A 97W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N04-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD30N04-10-E3

MOSFET 40V 30A 97W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N04-10-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N04-10-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD30N04-10-T4

MOSFET 40V N-CH 12MTRENCH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26L

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26L
Код товару: 122656

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26L-E3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	64.93 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-BE3

SUD35N10-26P-BE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	92.44 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 2607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.71 грн
10+	128.74 грн
100+	90.09 грн
500+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-BE3

MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET

на замовлення 24867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.43 грн
10+	145.52 грн
100+	86.95 грн
500+	72.12 грн
1000+	66.30 грн
2000+	60.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	185.92 грн
10+	165.14 грн
25+	158.32 грн
100+	128.29 грн
250+	116.99 грн
500+	90.01 грн
1000+	79.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-E3

MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

на замовлення 3166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.64 грн
10+	135.70 грн
100+	84.62 грн
500+	69.64 грн
2000+	69.48 грн
4000+	65.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-GE3

на замовлення 1669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.87 грн
10+	128.01 грн
100+	90.09 грн
500+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-GE3

MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

на замовлення 8946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.29 грн
10+	139.27 грн
100+	86.95 грн
500+	72.12 грн
2000+	65.21 грн
4000+	62.96 грн
10000+	60.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-T4-E3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-T4GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD35N10-26P-T4GE3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40151EL-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 64867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.98 грн
10+	129.45 грн
100+	78.41 грн
500+	62.34 грн
1000+	61.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.32 грн
10+	117.58 грн
100+	80.59 грн
500+	60.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N02-08

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N02-08

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N02-08-E3

на замовлення 1931 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N02-08-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N02-08-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N02-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N02-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N03

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N03-18

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N03-18P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N03-18P

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N03-18P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10A

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10A

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10A

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10A-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10A-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N04-10AE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06
Код товару: 58679

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-24

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-24-T4

MOSFET 60V N-CH .024

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L
Код товару: 88851

Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L

MOSFETs 60V 20A 75W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L-E3

MOSFET 60V 20A 75W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N06-25L-T4

MOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N0625LE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16

MOSFET 80V 40A 100W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.65 грн
10+	187.24 грн
100+	157.63 грн
500+	135.86 грн
1000+	118.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.33 грн
10+	177.75 грн
25+	176.06 грн
100+	148.87 грн
250+	123.17 грн
500+	113.14 грн
1000+	106.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	105.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

MOSFETs 80V 40A 100W

на замовлення 1592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.20 грн
10+	190.16 грн
100+	139.74 грн
500+	132.75 грн
1000+	126.54 грн
2000+	108.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 5153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.65 грн
10+	171.52 грн
100+	125.01 грн
500+	98.12 грн
1000+	95.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD40N08-16-T4

09+ DIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25

на замовлення 12170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25

0630+

на замовлення 520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.12 грн
10+	188.66 грн
100+	132.82 грн
500+	112.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	101.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD3

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.68 грн
10+	207.12 грн
100+	126.54 грн
500+	114.90 грн
2000+	97.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-T4-E3

MOSFETs N-Channel 100-V D-S

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N10-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD40N1025

0433

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD40P03-20

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD42N03-3M9P-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 107A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45N05

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45N05-20L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45N05-20L

MOSFETs 50V 30A 75W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45N05-20L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45N05-20L-E3

Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45N05-20L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03

на замовлення 682 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-09-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-09-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-09-GE3

MOSFET 30V 45A PCH

на замовлення 13533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-09-GE3

Description: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 41.7
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-10-E3

Trans MOSFET P-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-10-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-10-E3
Код товару: 92766

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-15

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-15

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-15-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-15-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-15-T1-E3

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD45P03-15A

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD45P04-16P-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD492H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD492H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD492J

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD492J

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD494J

AUK

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD494J

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD494J

AUK

07+ SOT-363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD494N

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD494N

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50M02-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50M02-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N014-06P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-04P-E3

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P-E3

MOSFET 20V 26A 65W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-06P-T4

MOSFET 20V 26A 65W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P

MOSFETs 20V 20A 6.5W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-E3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-GE3

N-Ch MOSFET DPak (TO-252) 20V 9.5mohm @ 10V 175C Rated

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-T4

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-09P-T4-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-11P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-11P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N02-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N0206

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N0206T4

на замовлення 294 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-0

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P
Код товару: 89310

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P

TO252

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P-E3

MOSFETs 24V 80A 6.8W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P-T4

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-06P-T4E3

TO252

на замовлення 42900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09F-T4

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P

TO252

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P транзистор
Код товару: 85069

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 22V 49A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P-E4E3

TO252

на замовлення 22541 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P-T4

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-09P-T4E3

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N024-6D-24

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025

на замовлення 1072 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-05P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-05P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-06P-E3

06+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-06P-E3

MOSFET 25V 78A 65W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-06P-E3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-09BP-4E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N025-09BP-E3

Description: MOSFET N-CH D-S 25V TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06

vishay

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

на замовлення 2861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.51 грн
10+	108.52 грн
100+	73.83 грн
500+	55.34 грн
1000+	50.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-E3

MOSFETs 30V 90A 83W

на замовлення 2851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.97 грн
10+	105.35 грн
100+	72.66 грн
500+	58.30 грн
1000+	52.17 грн
2000+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06AP-T4E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06P

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 84A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06P-E3

09+

на замовлення 478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07

SIL

02+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07AP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07AP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07AP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-07AP-T4

MOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P

VISHY

2004

на замовлення 1727 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P-E3

09+

на замовлення 618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-09P-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-1

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10
Код товару: 36248

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/55
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

1+	40.00 грн
10+	23.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10

02+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10-E3

MOSFET 30V 15A 83W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10-T4

на замовлення 1588 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10-T4-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10AP

MOSFET 30V 20A 71W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10AP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10AP

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10AP-E3

09+

на замовлення 396 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10AP-E3

MOSFET 30V 20A 71W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10AP-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10BP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10BP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10BP-T4

MOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10BP-T4

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10BP-T4-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10CP

MOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10CP

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10CP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10CP-E3

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10CP-T4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10CP-T4E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10P

SOT252/2.5

на замовлення 864 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10P

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-10P-T4

MOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-11

SILICON

04+

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-11

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-11

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-11

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-11*

на замовлення 34000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-11-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-11-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P-E3

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-12P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-16

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-16P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-16P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-16P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N03-7M3P-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N0307E3

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-05L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-05L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-05L-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-05L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-05L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 115A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-05L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-05L-E3

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-06H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-06H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-06H-E3

MOSFETs 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-06H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 109A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-07-E3

0904+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-07L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-07L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-07L-E3

MOSFETs 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-09H-E3

MOSFETs 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-09H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-09H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 9.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-37P-E3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-37P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.57 грн
5000+	43.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 12112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.99 грн
10+	109.81 грн
100+	64.90 грн
500+	52.32 грн
1000+	48.13 грн
2500+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.76 грн
5000+	46.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.23 грн
22+	33.45 грн
25+	33.12 грн
100+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2033 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	84.65 грн
10+	71.55 грн
25+	63.85 грн
100+	56.67 грн
250+	52.69 грн
500+	50.17 грн
1000+	47.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

223+	55.91 грн
307+	40.55 грн
500+	40.15 грн

Мінімальне замовлення: 223

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 48644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	66.45 грн
16+	57.22 грн
100+	48.51 грн
500+	41.16 грн
1000+	37.55 грн
5000+	37.10 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V

на замовлення 4824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.75 грн
10+	65.35 грн
100+	47.05 грн
500+	45.10 грн
1000+	44.25 грн
2500+	41.84 грн
5000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

на замовлення 4638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.56 грн
10+	98.58 грн
100+	66.93 грн
500+	50.10 грн
1000+	48.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

399+	31.22 грн
403+	30.91 грн
424+	29.39 грн

Мінімальне замовлення: 399

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.04 грн
25+	59.71 грн
100+	43.25 грн
500+	41.29 грн
1000+	36.85 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-4GE3

на замовлення 2033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	70.54 грн
10+	57.42 грн
25+	53.21 грн
100+	47.23 грн
250+	43.91 грн
500+	41.81 грн
1000+	39.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

383+	32.49 грн
399+	31.19 грн
500+	30.06 грн
1000+	28.05 грн
2500+	25.20 грн

Мінімальне замовлення: 383

В кошику од. на суму грн.

SUD50N04-8M8P-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-E3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-07L-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-08H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-08H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-08H-E3

MOSFETs 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-08H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09-T1-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	218.59 грн
50+	199.43 грн
100+	179.40 грн
500+	153.65 грн
1000+	120.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3
Код товару: 169164

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	126.77 грн
4000+	125.52 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.80 грн
10+	144.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

на замовлення 2702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	179.40 грн
500+	153.65 грн
1000+	120.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	92.55 грн
146+	85.19 грн
151+	82.81 грн
200+	79.65 грн
500+	70.05 грн
1000+	65.12 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.86 грн
10+	237.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	135.82 грн
4000+	134.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-09L-T1-E3

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-12

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-12

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-16

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-16

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-16-E3

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-36-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N06-36-T4-E3

MOSFETs 60V 12A 24W 36mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-18P

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-18P-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-34P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-34P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50N10-34P-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50NP04-62-4-E3

на замовлення 1984 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50NP04-62-T4-E3

MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50NP04-77P-T4-E3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50NP04-77P-T4E3

Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.8W, 24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 3754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.93 грн
10+	69.90 грн
100+	53.18 грн
500+	51.00 грн
1000+	43.32 грн
2000+	37.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.83 грн
10+	88.83 грн
25+	83.08 грн
50+	72.13 грн
100+	61.81 грн
250+	55.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	75.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-E3

Description: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.98 грн
4000+	41.21 грн
6000+	40.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	131.68 грн
10+	94.73 грн
50+	73.75 грн
100+	65.99 грн
250+	62.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.73 грн
10+	76.02 грн
50+	61.46 грн
100+	54.99 грн
250+	51.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET

на замовлення 12503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.01 грн
10+	100.88 грн
100+	58.92 грн
500+	46.81 грн
1000+	44.10 грн
2000+	39.59 грн
4000+	37.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

на замовлення 15786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.44 грн
10+	97.12 грн
100+	65.75 грн
500+	49.04 грн
1000+	44.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-08-GE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 36416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.53 грн
10+	113.21 грн
100+	76.64 грн
500+	56.61 грн
1000+	48.37 грн
5000+	40.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	83.94 грн
4000+	80.80 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3

MOSFETs 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V

на замовлення 4840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.62 грн
10+	164.27 грн
100+	104.80 грн
250+	104.03 грн
500+	87.73 грн
1000+	83.84 грн
2000+	80.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 1706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	266.49 грн
10+	201.17 грн
25+	183.76 грн
50+	155.27 грн
100+	128.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3
Код товару: 167710

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

на замовлення 12804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	262.85 грн
10+	165.29 грн
100+	115.01 грн
500+	87.77 грн
1000+	81.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-09L-E3-VB

VBsemi

Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3 TSUD50P04-09L-E3 VBS
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 60 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	45.60 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L
Код товару: 92167

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L
Код товару: 92169

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L-E3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L-E3

09+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-13L-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-15

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-15

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-15-T4

на замовлення 490 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-23

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-23-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-23-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-23-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-23-GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-40P

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-40P-E3

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P04-40P-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1555 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06
Код товару: 66964

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	60.49 грн
100+	40.07 грн
500+	29.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

на замовлення 1679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	135.49 грн
100+	129.43 грн
250+	124.24 грн
500+	115.48 грн
1000+	103.44 грн

Мінімальне замовлення: 92

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 1444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.38 грн
10+	153.57 грн
100+	106.87 грн
500+	86.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	133.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 28331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.66 грн
10+	168.74 грн
100+	102.48 грн
500+	88.50 грн
1000+	81.51 грн
2000+	74.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	143.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-BE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	215.11 грн
10+	160.24 грн
25+	149.79 грн
50+	129.39 грн
100+	109.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	93.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Gate charge: 165nC
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 113W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar

на замовлення 1061 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	206.40 грн
5+	155.27 грн
10+	137.48 грн
50+	103.51 грн
100+	93.00 грн
125+	90.57 грн
500+	76.02 грн
1000+	71.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.66 грн
10+	168.74 грн
100+	102.48 грн
500+	88.50 грн
1000+	83.84 грн
2000+	74.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 12553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.38 грн
10+	153.57 грн
100+	106.87 грн
500+	86.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	133.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	285.65 грн
50+	190.72 грн
100+	134.12 грн
500+	106.75 грн
1000+	96.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 79194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	127.84 грн
102+	122.12 грн
250+	117.22 грн
500+	108.95 грн
1000+	97.59 грн
2500+	90.92 грн
5000+	88.47 грн
10000+	86.31 грн
25000+	84.38 грн

Мінімальне замовлення: 98

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	143.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	62.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.00 грн
4000+	75.08 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	174.94 грн
89+	140.94 грн
103+	121.05 грн
500+	95.14 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15-GE3

на замовлення 1061 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	247.68 грн
5+	193.49 грн
10+	164.97 грн
50+	124.21 грн
100+	111.60 грн
125+	108.69 грн
500+	91.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L

MOSFETs 60V 50A 136W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3
Код товару: 82293

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 334000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	176.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.00 грн
4000+	75.08 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	286.52 грн
10+	187.24 грн
100+	131.50 грн
500+	105.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	93.35 грн
4000+	92.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

на замовлення 6380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	101.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	75.90 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

MOSFETs P-CH 60V 50A

на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.66 грн
10+	168.74 грн
100+	102.48 грн
500+	88.50 грн
1000+	84.62 грн
2000+	74.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	86.24 грн
4000+	85.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 7318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.38 грн
10+	153.57 грн
100+	106.87 грн
500+	86.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Gate charge: 165nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 136W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar

на замовлення 1781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	210.75 грн
10+	131.01 грн
25+	114.83 грн
100+	94.62 грн
250+	83.29 грн
500+	77.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Gate charge: 165nC
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 136W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1781 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	252.90 грн
10+	163.25 грн
25+	137.80 грн
100+	113.54 грн
250+	99.95 грн
500+	93.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-T4-E3

MOSFETs P-Channel 60-V D-S

на замовлення 8988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	307.04 грн
10+	199.09 грн
100+	121.88 грн
500+	108.69 грн
1000+	97.82 грн
2500+	92.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P06-15L-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.52 грн
10+	180.42 грн
100+	126.68 грн
500+	106.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P0615

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P0615L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	109.20 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 2569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.25 грн
10+	170.23 грн
100+	118.45 грн
500+	90.40 грн
1000+	83.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-BE3
Код товару: 182312

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-BE3

MOSFETs TO252 P CHAN 80V

на замовлення 47156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.66 грн
10+	168.74 грн
100+	102.48 грн
500+	83.84 грн
1000+	77.48 грн
2000+	74.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	227.13 грн
81+	154.45 грн
89+	139.76 грн
109+	110.66 грн
250+	101.44 грн
500+	89.71 грн
1000+	82.04 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	243.35 грн
10+	165.48 грн
25+	149.74 грн
100+	118.57 грн
250+	108.69 грн
500+	96.12 грн
1000+	87.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 4173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.38 грн
10+	153.57 грн
100+	106.87 грн
500+	86.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 2124 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	174.52 грн
10+	120.33 грн
27+	113.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V

на замовлення 114504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.48 грн
10+	110.70 грн
100+	83.84 грн
500+	83.07 грн
1000+	81.51 грн
2000+	74.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 12073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.05 грн
500+	100.28 грн
1000+	86.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	89.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	95.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.57 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.00 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 9676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.37 грн
50+	128.89 грн
100+	112.34 грн
500+	102.70 грн
1000+	93.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-26

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-26-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P08-26-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 1644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.94 грн
10+	152.11 грн
100+	105.85 грн
500+	85.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-BE3

MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET

на замовлення 19721 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.98 грн
10+	168.74 грн
100+	102.48 грн
500+	88.50 грн
1000+	81.51 грн
2000+	74.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1446 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	175.57 грн
10+	137.05 грн
100+	106.75 грн
250+	97.04 грн
500+	92.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.23 грн
4000+	74.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

на замовлення 1446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.31 грн
10+	109.98 грн
100+	88.95 грн
250+	80.87 грн
500+	76.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

MOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V

на замовлення 23605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	177.52 грн
10+	141.95 грн
100+	102.48 грн
500+	88.50 грн
2000+	74.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	64.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Trasistor P-MOSFET; 100V; 20V; 48mOhm; 37,1A; 136W; -55°C ~ 175°C; Substitute: SUD50P10-43L-GE3; SUD50P10-43L-E3; SUD50P10-43L TSUD50P10-43L

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	142.14 грн
10+	124.31 грн
25+	102.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 9189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.99 грн
10+	134.00 грн
100+	105.85 грн
500+	85.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 15562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	203.79 грн
10+	161.98 грн
100+	127.15 грн
500+	105.13 грн
1000+	95.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 3677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.06 грн
10+	152.11 грн
100+	105.85 грн
500+	85.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

MOSFETs 100V 37A P-Channel

на замовлення 16593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.11 грн
10+	168.74 грн
100+	102.48 грн
500+	88.50 грн
1000+	87.73 грн
2000+	74.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.92 грн
50+	152.40 грн
100+	128.89 грн
500+	109.17 грн
1000+	86.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	109.20 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.23 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

на замовлення 1115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.89 грн
500+	109.17 грн
1000+	86.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD50P10-43L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 72.7W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD54P04-23-GE3

MOSFETs 40V 23mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD5N03-11

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 4214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.06 грн
10+	59.92 грн
100+	54.52 грн
500+	50.94 грн
1000+	50.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 19077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.69 грн
2000+	81.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.18 грн
500+	77.55 грн
1000+	66.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	68.64 грн
183+	67.96 грн
208+	59.94 грн
250+	57.69 грн
500+	52.00 грн
1000+	48.55 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

на замовлення 3007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.89 грн
10+	112.34 грн
100+	93.18 грн
500+	77.55 грн
1000+	66.06 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.77 грн
10+	73.54 грн
25+	72.81 грн
100+	61.93 грн
250+	57.23 грн
500+	53.48 грн
1000+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-03P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-03P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-049-E3

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-05+P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-05P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-05P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N02-05P-T4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N03-04P

на замовлення 966 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N03-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N03-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N03-06P

06+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N03-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD70N03-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-BE3

MOSFETs TO252 150V 42A N-CH MOSFET

на замовлення 20108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.13 грн
10+	57.14 грн
100+	37.65 грн
500+	29.97 грн
1000+	25.08 грн
2000+	21.66 грн
4000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	26.29 грн
4000+	23.24 грн
6000+	22.39 грн
10000+	19.97 грн
14000+	19.83 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-GE3

MOSFETs 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.

на замовлення 5376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.48 грн
10+	65.89 грн
100+	37.96 грн
500+	29.66 грн
1000+	26.94 грн
2000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-GE3

Description: VISHAY - SUD80460E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42 A, 0.0447 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.93 грн
13+	71.50 грн
100+	47.38 грн
500+	34.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

на замовлення 18869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.30 грн
10+	58.71 грн
100+	38.90 грн
500+	28.50 грн
1000+	25.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUD90330E-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S)

на замовлення 26695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.95 грн
10+	101.78 грн
100+	61.25 грн
500+	48.83 грн
1000+	45.65 грн
2000+	39.83 грн
4000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

на замовлення 6705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.32 грн
10+	92.76 грн
100+	62.85 грн
500+	46.96 грн
1000+	44.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.10 грн
4000+	39.55 грн
6000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SUD90330E-BE3

SUD90330E-BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUD90330E-GE3