Продукція > SUD

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUD06N10-22
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-22L
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-255L
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+67.23 грн
100+44.77 грн
500+32.98 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 104526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+66.05 грн
100+38.31 грн
500+30.03 грн
1000+27.34 грн
2000+25.61 грн
4000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3VishaySUD08P06-155L-BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.35 грн
500+31.63 грн
2000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 17038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+66.64 грн
100+44.36 грн
500+32.67 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.37 грн
12+72.32 грн
100+52.35 грн
500+31.63 грн
2000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+40.94 грн
500+32.10 грн
1000+29.34 грн
2000+25.13 грн
4000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.30 грн
4000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-T4E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-1S5L-E3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+57.89 грн
100+45.16 грн
500+35.01 грн
1000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 8.8A P-CH MOSFET
на замовлення 131358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+58.59 грн
100+33.83 грн
500+26.58 грн
1000+24.09 грн
2000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+63.27 грн
100+36.45 грн
500+28.51 грн
1000+25.96 грн
2000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 48694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.93 грн
100+39.02 грн
500+28.60 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.40 грн
187+76.15 грн
218+65.19 грн
230+59.60 грн
500+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+86.98 грн
25+78.12 грн
50+64.39 грн
100+51.84 грн
250+47.84 грн
500+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.67 грн
4000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280LVishay / SiliconixMOSFET 60V 10A 37W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-E3
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD08P06-155LGE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-T4Vishay / SiliconixMOSFET 60V P-CH 280MOHM 8M LOWVT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-T4E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-28DL
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-28L
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD12NE06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N015-95
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06-90LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06-90L-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+130.20 грн
100+89.74 грн
500+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+123.02 грн
100+97.94 грн
500+77.77 грн
1000+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+98.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.03 грн
10+176.38 грн
100+125.64 грн
500+97.97 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD1
на замовлення 17045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.69 грн
10+146.87 грн
100+101.48 грн
500+85.60 грн
1000+72.49 грн
2000+68.90 грн
4000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.80 грн
10+181.28 грн
100+127.89 грн
500+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-T1-E3
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15P01-52VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15P01-52-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15P02-52
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S
на замовлення 4351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.48 грн
10+163.54 грн
100+104.24 грн
500+91.12 грн
1000+82.84 грн
2000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.97 грн
88+162.63 грн
89+161.03 грн
100+138.87 грн
250+124.71 грн
500+108.78 грн
1000+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3
Код товару: 154670
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3Vishay SiliconixN-Channel MOSFET, Vds=200V, Id=19A, DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+131.48 грн
100+109.32 грн
500+93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.75 грн
500+119.66 грн
1000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+129.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.97 грн
10+162.63 грн
25+161.03 грн
100+138.87 грн
250+124.71 грн
500+108.78 грн
1000+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.30 грн
10+134.96 грн
100+100.10 грн
500+94.58 грн
1000+86.98 грн
2000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.42 грн
10+163.50 грн
100+121.62 грн
500+96.48 грн
1000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CH 200V 19A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+68.35 грн
100+46.32 грн
500+39.21 грн
1000+31.89 грн
2000+30.03 грн
4000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+64.92 грн
100+50.50 грн
500+40.17 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3Vishay SiliconixP-Channel MOSFET, Vds=60V, Id=18.3A,–55...+150, DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+64.92 грн
100+50.50 грн
500+40.17 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 19A 38.5W
на замовлення 16239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+77.17 грн
100+45.29 грн
500+35.69 грн
1000+32.65 грн
2000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3
Код товару: 75848
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]