Продукція > SUD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SUD06N10-22
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-22L
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-255L
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3VishaySUD08P06-155L-BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
10+70.67 грн
100+47.06 грн
500+34.66 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 104526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.21 грн
10+72.20 грн
100+41.88 грн
500+32.83 грн
1000+29.88 грн
2000+28.00 грн
4000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH
на замовлення 10418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.21 грн
10+72.20 грн
100+41.88 грн
500+32.83 грн
1000+29.88 грн
2000+27.17 грн
4000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.02 грн
500+33.25 грн
2000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.15 грн
4000+29.55 грн
6000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -18A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.69 грн
10+79.64 грн
26+43.30 грн
71+40.94 грн
500+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -18A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.58 грн
10+63.91 грн
26+36.08 грн
71+34.11 грн
500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.73 грн
12+76.02 грн
100+55.02 грн
500+33.25 грн
2000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
10+72.95 грн
100+48.57 грн
500+35.77 грн
1000+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-T4E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-1S5L-E3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3VISHAYSUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.02 грн
10+60.84 грн
100+47.46 грн
500+36.79 грн
1000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 8.8A P-CH MOSFET
на замовлення 132443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.88 грн
10+64.04 грн
100+36.98 грн
500+29.05 грн
1000+26.34 грн
2000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VISHAYSUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.19 грн
28+40.47 грн
75+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+77.13 грн
187+65.70 грн
218+56.24 грн
230+51.43 грн
500+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.82 грн
4000+23.85 грн
6000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 15319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.13 грн
10+61.27 грн
100+42.86 грн
500+35.39 грн
1000+30.64 грн
4000+29.05 грн
10000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.64 грн
16+56.29 грн
100+42.66 грн
500+33.49 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+54.16 грн
100+39.65 грн
500+29.06 грн
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.53 грн
15+59.09 грн
25+54.94 грн
50+47.01 грн
100+39.83 грн
250+37.00 грн
500+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280LVishay / SiliconixMOSFET 60V 10A 37W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280LVishayTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280LVISHAY09+ SSOP20
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-E3
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD08P06-155LGE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-T4Vishay / SiliconixMOSFET 60V P-CH 280MOHM 8M LOWVT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-280L-T4E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-28DL
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD10P06-28L
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD12NE06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N015-95
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06-90LVishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06-90LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06-90L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N06-90L-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95VISHAY09+ TSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.62 грн
10+129.30 грн
100+102.94 грн
500+81.74 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.43 грн
10+142.32 грн
100+98.10 грн
500+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD1
на замовлення 17045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.84 грн
10+160.54 грн
100+110.93 грн
500+93.57 грн
1000+79.23 грн
2000+75.31 грн
4000+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.23 грн
10+133.75 грн
100+99.04 грн
500+79.39 грн
1000+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3VISHAYSUD15N15-95-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.08 грн
12+99.04 грн
31+93.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.54 грн
10+127.58 грн
100+124.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+105.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-T1-E3
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15P01-52VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15P01-52VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15P01-52-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15P02-52
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S
на замовлення 4626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.32 грн
10+190.05 грн
100+125.26 грн
500+107.15 грн
1000+95.08 грн
2000+89.80 грн
10000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+111.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+147.53 грн
100+109.42 грн
500+103.38 грн
1000+95.08 грн
2000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3
Код товару: 154670
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.99 грн
500+125.77 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VISHAYSUD19N20-90-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.20 грн
10+150.35 грн
25+148.86 грн
100+128.38 грн
250+115.28 грн
500+100.56 грн
1000+89.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+145.79 грн
88+140.32 грн
89+138.94 грн
100+119.82 грн
250+107.60 грн
500+93.86 грн
1000+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.65 грн
10+203.16 грн
100+148.99 грн
500+125.77 грн
1000+98.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.50 грн
10+138.19 грн
100+114.90 грн
500+98.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CH 200V 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-T4-E3
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.56 грн
10+74.72 грн
100+50.63 грн
500+42.86 грн
1000+34.86 грн
2000+32.83 грн
4000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+68.23 грн
100+53.07 грн
500+42.22 грн
1000+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VISHAYSUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+68.23 грн
100+53.07 грн
500+42.22 грн
1000+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3
Код товару: 75848
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 19A 38.5W
на замовлення 31778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.44 грн
10+74.80 грн
100+50.63 грн
500+40.30 грн
1000+34.86 грн
2000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+64.01 грн
210+58.30 грн
256+47.80 грн
274+43.05 грн
500+39.77 грн
1000+33.90 грн
2000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 7672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.88 грн
500+41.74 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
на замовлення 21461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.72 грн
10+67.95 грн
100+45.58 грн
500+39.31 грн
1000+35.69 грн
2000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VISHAYSUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.59 грн
29+38.77 грн
79+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.38 грн
50+54.85 грн
100+42.75 грн
500+33.56 грн
1000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 51828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.59 грн
10+46.38 грн
100+40.64 грн
500+35.34 грн
1000+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-T4-E3VishaySUD19P06-60-T4-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3VISHAYSUD19P06-60L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 21277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.48 грн
10+88.59 грн
100+59.61 грн
500+44.28 грн
1000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 19A 46W 60mohm @ 10V
на замовлення 62175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.50 грн
10+60.22 грн
100+44.07 грн
500+37.81 грн
1000+34.94 грн
2000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.87 грн
10+87.80 грн
25+86.93 грн
100+64.68 грн
250+59.29 грн
500+47.83 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.36 грн
4000+37.00 грн
6000+35.56 грн
10000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+81.94 грн
151+81.14 грн
196+62.60 грн
250+59.76 грн
500+46.50 грн
1000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P0660VISHAY
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P0660LVISHAY
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3VishaySUD20N10-66L-BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.10 грн
10+53.45 грн
100+36.90 грн
500+27.20 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 19438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.17 грн
10+59.62 грн
100+35.39 грн
500+28.67 грн
1000+25.13 грн
2000+23.32 грн
4000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+63.92 грн
13+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.74 грн
500+29.63 грн
1000+19.88 грн
5000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 100-V D-S
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.18 грн
10+42.78 грн
100+31.69 грн
500+28.67 грн
1000+25.58 грн
2000+21.20 грн
4000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3Vishay SiliconixSUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.06 грн
10+41.90 грн
100+32.98 грн
500+27.20 грн
1000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.12 грн
18+48.76 грн
100+36.74 грн
500+29.63 грн
1000+19.88 грн
5000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.50 грн
4000+20.78 грн
6000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20P15-306-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 150 -V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31VISHAY10+ TSSOP8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+33.09 грн
100+22.59 грн
500+16.70 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD23N06-31-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 21.4A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.34 грн
14+62.64 грн
25+57.56 грн
50+49.52 грн
100+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3
Код товару: 75849
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 26669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.86 грн
10+58.58 грн
100+41.88 грн
500+36.15 грн
1000+29.43 грн
2000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.75 грн
10+67.60 грн
100+46.05 грн
500+34.69 грн
1000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
на замовлення 5361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.24 грн
10+66.56 грн
100+43.24 грн
250+43.16 грн
500+35.24 грн
1000+31.09 грн
2000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+70.23 грн
205+59.82 грн
240+51.16 грн
253+46.78 грн
500+40.59 грн
1000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.81 грн
4000+27.02 грн
6000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3VISHAYSUD23N06-31-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.79 грн
28+40.76 грн
75+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.20 грн
50+71.11 грн
100+48.51 грн
500+36.16 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.10 грн
10+74.60 грн
100+59.25 грн
500+46.44 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-T4-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 60-V (D-S)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.25 грн
10+80.10 грн
100+55.31 грн
500+46.56 грн
1000+42.18 грн
2500+38.03 грн
5000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31LVishay / SiliconixMOSFET 60V 23A 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 23A 100W
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level
на замовлення 9935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+65.52 грн
100+43.24 грн
500+35.62 грн
1000+29.81 грн
2500+26.71 грн
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.14 грн
10+62.81 грн
100+46.28 грн
500+35.09 грн
1000+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 60V
на замовлення 25446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+65.52 грн
100+39.69 грн
500+34.49 грн
1000+29.43 грн
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31L-T4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N04
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N04-25VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N04-25VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N04-25-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N04-25-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N04-25-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N05-45L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45L
Код товару: 133238
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD23N06-31-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45LVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45L-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 25A 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45L-E3VISHAY10+ SOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N06-45L-T4Vishay / SiliconixMOSFET 60V N-CH LOGIC LEVEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD25N15-52-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 150V 25A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.06 грн
10+205.55 грн
100+144.84 грн
500+111.59 грн
1000+103.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-BE3VishaySUD25N15-52-BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3VISHAYSUD25N15-52-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.15 грн
10+142.75 грн
100+109.76 грн
500+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.64 грн
10+144.75 грн
100+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V 25A 136W 52mohm @ 10V
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.57 грн
10+129.30 грн
100+92.82 грн
500+82.25 грн
1000+79.99 грн
2000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 150-V D-S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N03
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N03-30VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N03-30VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N03-30Vishay / SiliconixMOSFET 30V 30A 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N03-30-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 30A 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N03-30-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N03-30-T4
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N04-10VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N04-10Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 30A 97W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N04-10VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N04-10-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 30A 97W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N04-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N04-10-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD30N04-10-T4Vishay / SiliconixMOSFET 40V N-CH 12MTRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26LVishayTrans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26L
Код товару: 122656
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26L-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N05-26L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 25640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.36 грн
10+132.77 грн
100+84.52 грн
500+70.10 грн
1000+64.44 грн
2000+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 35A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.11 грн
10+133.00 грн
100+102.08 грн
500+77.38 грн
1000+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3VishaySUD35N10-26P-BE3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+90.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+182.84 грн
10+162.41 грн
25+155.70 грн
100+126.17 грн
250+115.05 грн
500+88.52 грн
1000+78.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.11 грн
10+141.10 грн
100+97.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.16 грн
10+131.90 грн
100+82.25 грн
500+67.69 грн
2000+67.54 грн
4000+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
на замовлення 8956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.28 грн
10+137.98 грн
100+92.06 грн
500+74.71 грн
1000+70.63 грн
2000+64.07 грн
10000+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3VishayN-Channel 100 V MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.11 грн
10+133.00 грн
100+102.08 грн
500+77.38 грн
1000+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3VishayN-Channel 100 V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-T4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-T4GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-Channel 100-V D-S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3VISHAYSUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252
на замовлення 64911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.39 грн
10+118.89 грн
100+76.22 грн
500+60.59 грн
1000+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.23 грн
10+119.24 грн
100+87.30 грн
500+65.87 грн
1000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N02-08VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N02-08VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N02-08-E3
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N02-08-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 40A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N02-08-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N02-3M3P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N02-3M3P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N03
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N03-18
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N03-18PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N03-18PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N03-18PVishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10AVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10AVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10AVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10A-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10A-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10A-E3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10A-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N04-10AE3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06
Код товару: 58679
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-24
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-24-T4Vishay / SiliconixMOSFET 60V N-CH .024
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 20A 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25L
Код товару: 88851
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25L-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 20A 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25L-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N06-25L-T4Vishay / SiliconixMOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N0625LE3VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16Vishay / SiliconixMOSFET 80V 40A 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.41 грн
10+166.72 грн
100+121.51 грн
500+95.37 грн
1000+92.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.46 грн
10+174.81 грн
25+173.15 грн
100+146.41 грн
250+121.13 грн
500+111.27 грн
1000+104.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+102.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 40A 100W
на замовлення 9734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.56 грн
10+197.86 грн
25+165.26 грн
100+134.32 грн
250+132.81 грн
500+121.49 грн
1000+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.96 грн
10+207.40 грн
100+159.99 грн
500+129.70 грн
1000+112.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3VISHAYSUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-T4VISHAY09+ DIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25VISHAY0630+
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25VISHAY
на замовлення 12170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.23 грн
10+181.18 грн
100+130.61 грн
500+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD3
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.47 грн
10+191.78 грн
100+123.00 грн
500+111.68 грн
1000+108.66 грн
2000+95.83 грн
4000+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100-V D-S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N10-25-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N1025Vishay0433
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40P03-20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 107A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 42A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD42N03-3M9P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45N05
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45N05-20LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45N05-20LVishay / SiliconixMOSFETs 50V 30A 75W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45N05-20LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45N05-20L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45N05-20L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-09-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 41.7
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-09-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-09-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 45A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-09-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 45A PCH
на замовлення 13533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-10-E3
Код товару: 92766
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15-T1-E3
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P03-15AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD45P04-16P-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD492HVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD492HVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD492JVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD492JVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD494JAUK07+ SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD494JAUK
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD494JVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD494NVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD494NVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50M02-12PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50M02-12PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N014-06P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-04PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-04PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-04P-E3
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-04P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06PVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06PVishayTrans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 26A 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-06P-T4Vishay / SiliconixMOSFET 20V 26A 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09PVishay / SiliconixMOSFETs 20V 20A 6.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3VishayN-Ch MOSFET DPak (TO-252) 20V 9.5mohm @ 10V 175C Rated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-T4Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-11PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-11PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-12PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-12PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N0206
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N0206T4
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-0
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P
Код товару: 89310
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06PVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06PVISHAYTO252
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 24V 80A 6.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P-T4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-06P-T4E3VISHAYTO252
на замовлення 42900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09F-T4
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09PVISHAYTO252
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P транзистор
Код товару: 85069
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 22V 49A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-E4E3VISHAYTO252
на замовлення 22541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-T4
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-09P-T4E3
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N024-6D-24
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-05PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-05PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-06P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 78A 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-06P-E3VISHAY06+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-06P-E3VISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-09BP-4E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N025-09BP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 25V TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06vishay
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 90A 83W
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.66 грн
10+102.40 грн
100+70.63 грн
500+56.67 грн
1000+50.71 грн
2000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.60 грн
10+105.49 грн
100+71.77 грн
500+53.79 грн
1000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-T4E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06PVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06P-E3VISHAY09+
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 84A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07SIL02+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07APVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07APVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07AP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-07AP-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09PVISHY2004
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09PVISHAY
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3VISHAY09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-GE3VishayN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-09P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-1
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10
Код товару: 36248
Додати до обраних Обраний товар

VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 30 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/55
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10VISHAY02+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10VISHAY
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 83W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10-T4
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10-T4-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10APVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10APVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10APVishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 71W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10AP-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 71W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10AP-E3VISHAY09+
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10AP-T4VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BPVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10BP-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CPVishay / SiliconixMOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CPVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CPVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CP-E3VishayVishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CP-T4VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10CP-T4E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10PVISHAYSOT252/2.5
на замовлення 864 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10PVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-10P-T4Vishay / SiliconixMOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11SILICON04+
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11*
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-11-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12PVishayTrans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-E3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 37A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-16P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-7M3P-E3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N0307E3
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3VISHAYTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 115A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-05L-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-06HVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-06HVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-06H-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 109A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-06H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-07-E3VISHAY0904+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-07LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-07LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-07L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-09H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-09H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-09H-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-16P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 9.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-16P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-37P-E3VishayN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-37P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.83 грн
5000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 15727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.50 грн
10+95.46 грн
100+66.33 грн
500+55.24 грн
1000+47.84 грн
2500+45.65 грн
5000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.96 грн
5000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+54.99 грн
307+39.88 грн
500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.25 грн
10+83.31 грн
100+49.05 грн
500+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+30.71 грн
403+30.40 грн
424+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.65 грн
10+60.29 грн
25+55.81 грн
41+22.72 грн
112+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.95 грн
10+71.22 грн
100+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.98 грн
25+58.72 грн
100+42.54 грн
500+40.60 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 49202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.66 грн
11+83.04 грн
100+50.28 грн
500+44.41 грн
1000+40.92 грн
5000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+35.63 грн
22+32.90 грн
25+32.57 грн
100+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.38 грн
10+75.13 грн
25+66.97 грн
41+27.26 грн
112+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+31.95 грн
399+30.67 грн
500+29.56 грн
1000+27.58 грн
2500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-08HVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-08HVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-08H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-08H-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09-T1-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09LVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+124.67 грн
4000+123.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.51 грн
10+141.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.47 грн
50+193.85 грн
100+174.38 грн
500+149.35 грн
1000+117.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+91.02 грн
146+83.78 грн
151+81.44 грн
200+78.33 грн
500+68.89 грн
1000+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3SiliconixN-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+133.57 грн
4000+132.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.43 грн
10+231.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3
Код товару: 169164
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VISHAYSUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.15 грн
12+99.04 грн
31+93.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.38 грн
500+149.35 грн
1000+117.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-T1-E3
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-12VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-12VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-16VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-16VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-16-E3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-36-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-36-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 12A 24W 36mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-34P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-34P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-34P-T4-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 5.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50NP04-62-4-E3
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50NP04-62-T4-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50NP04-77P-T4-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50NP04-77P-T4E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.8W, 24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VishayP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P04-08-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.75 грн
10+90.58 грн
25+85.50 грн
50+74.44 грн
100+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.12 грн
10+80.79 грн
100+61.65 грн
500+55.69 грн
1000+45.35 грн
2000+40.30 грн
4000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.69 грн
4000+40.06 грн
6000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 9295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 39360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.99 грн
10+104.12 грн
100+74.15 грн
500+54.71 грн
1000+45.57 грн
5000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET
на замовлення 22661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.37 грн
10+98.06 грн
100+61.88 грн
500+54.48 грн
1000+51.01 грн
2000+43.31 грн
24000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VISHAYSUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.99 грн
17+66.97 грн
46+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.40 грн
10+94.40 грн
100+63.91 грн
500+47.67 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.33 грн
10+159.67 грн
100+101.87 грн
250+101.12 грн
500+85.27 грн
1000+81.50 грн
2000+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VISHAYSUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+81.59 грн
4000+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3
Код товару: 167710
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.03 грн
10+195.54 грн
25+178.61 грн
50+150.92 грн
100+124.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 12804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.50 грн
10+160.67 грн
100+111.79 грн
500+85.32 грн
1000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-09L-E3-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3 TSUD50P04-09L-E3 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L
Код товару: 92169
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L
Код товару: 92167
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3VISHAY09+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 55.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15VISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15VISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-15-T4
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23-GE3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-23-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-40PVISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-40P-E3VishayP-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-40P-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1555 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06
Код товару: 66964
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15UMWDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.81 грн
100+41.60 грн
500+30.49 грн
1000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15UMWDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VishayPower MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+131.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P06-15-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.34 грн
10+181.15 грн
25+166.76 грн
50+141.49 грн
100+118.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.76 грн
10+159.41 грн
100+116.41 грн
500+91.14 грн
1000+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VishayPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 30345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.64 грн
10+141.45 грн
100+99.61 грн
500+86.02 грн
1000+79.23 грн
2000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VishayPower MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+140.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+82.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-BE3VishayPower MOSFET
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+133.25 грн
100+127.29 грн
250+122.18 грн
500+113.56 грн
1000+101.72 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.97 грн
4000+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+205.70 грн
5+160.35 грн
10+143.85 грн
14+69.17 грн
37+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.03 грн
10+171.82 грн
100+104.89 грн
500+89.80 грн
1000+88.29 грн
2000+80.74 грн
10000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+131.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 79194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+125.72 грн
102+120.09 грн
250+115.28 грн
500+107.15 грн
1000+95.98 грн
2500+89.41 грн
5000+87.01 грн
10000+84.88 грн
25000+82.99 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+140.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.84 грн
5+199.83 грн
10+172.62 грн
14+83.01 грн
37+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.64 грн
10+159.41 грн
100+110.94 грн
500+84.67 грн
1000+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+172.04 грн
89+138.61 грн
103+119.04 грн
500+93.56 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+92.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+252.26 грн
50+176.07 грн
100+129.52 грн
500+102.97 грн
1000+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15LVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15LVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15LVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 50A 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+91.81 грн
4000+91.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayТранз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+273.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.97 грн
4000+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+99.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CH 60V 50A
на замовлення 18297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.35 грн
10+169.22 грн
100+104.89 грн
500+89.80 грн
1000+88.29 грн
2000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.81 грн
4000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.94 грн
10+171.42 грн
12+99.99 грн
31+94.33 грн
1000+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.26 грн
10+180.31 грн
100+126.13 грн
500+100.61 грн
1000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+210.78 грн
10+137.56 грн
12+83.32 грн
31+78.60 грн
1000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3
Код товару: 82293
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.54 грн
10+159.41 грн
100+110.94 грн
500+84.67 грн
1000+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 334000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+173.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.94 грн
10+181.89 грн
100+131.51 грн
500+101.07 грн
1000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-T4-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 60-V D-S
на замовлення 9103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.03 грн
10+196.12 грн
100+123.76 грн
500+110.93 грн
1000+99.61 грн
2500+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P0615VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P0615LVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.66 грн
10+165.46 грн
100+115.14 грн
500+87.87 грн
1000+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3
Код товару: 182312
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 P CHAN 80V
на замовлення 47837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.31 грн
10+164.01 грн
100+99.61 грн
500+81.50 грн
1000+75.31 грн
2000+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+107.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+239.32 грн
10+162.74 грн
25+147.26 грн
100+116.61 грн
250+106.89 грн
500+94.53 грн
1000+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayТранз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+203.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.48 грн
10+171.00 грн
100+136.29 грн
500+105.33 грн
1000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 128699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.54 грн
10+172.69 грн
25+147.15 грн
100+104.89 грн
500+93.57 грн
1000+88.29 грн
2000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+93.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.38 грн
10+141.65 грн
100+105.34 грн
500+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VISHAYSUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.75 грн
10+117.91 грн
26+111.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.29 грн
500+105.33 грн
1000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+223.37 грн
81+151.89 грн
89+137.45 грн
109+108.83 грн
250+99.77 грн
500+88.23 грн
1000+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+76.87 грн
4000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-26
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-26-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-26-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
на замовлення 20171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.09 грн
10+164.01 грн
100+99.61 грн
500+86.02 грн
1000+79.23 грн
2000+73.95 грн
10000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.97 грн
10+151.55 грн
100+105.46 грн
500+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrasistor P-MOSFET; 100V; 20V; 48mOhm; 37,1A; 136W; -55°C ~ 175°C; Substitute: SUD50P10-43L-GE3; SUD50P10-43L-E3; SUD50P10-43L TSUD50P10-43L
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.47 грн
10+152.37 грн
100+117.67 грн
500+91.18 грн
1000+77.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V
на замовлення 24692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.49 грн
10+150.13 грн
100+96.59 грн
500+85.27 грн
1000+81.50 грн
2000+76.97 грн
4000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.78 грн
10+122.25 грн
25+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayТранз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+267.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.44 грн
10+148.48 грн
100+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.01 грн
10+151.55 грн
100+105.46 грн
500+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.00 грн
50+148.14 грн
100+125.28 грн
500+106.12 грн
1000+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+76.95 грн
4000+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.28 грн
500+106.12 грн
1000+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+107.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 37A P-Channel
на замовлення 14223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.09 грн
10+164.01 грн
100+99.61 грн
500+86.02 грн
1000+81.50 грн
2000+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD54P04-23-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 23mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD5N03-11
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.73 грн
11+78.98 грн
100+77.37 грн
500+70.43 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+67.50 грн
183+66.84 грн
208+58.95 грн
250+56.74 грн
500+51.13 грн
1000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 20120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.56 грн
2000+90.25 грн
4000+76.97 грн
10000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.68 грн
10+107.77 грн
100+73.35 грн
500+55.02 грн
1000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.37 грн
10+72.33 грн
25+71.61 грн
100+60.91 грн
250+56.28 грн
500+52.60 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.37 грн
500+70.43 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3VISHAYSUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-03PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-03P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-049-E3
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-04PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-04PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-05+P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-05PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-05PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N02-05P-T4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-04PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-04PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-04PVISHAY
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-06PVISHAY07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-06PVISHAY06+
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70N03-06PVISHAYSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 150V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 21963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.80 грн
10+67.86 грн
100+40.30 грн
500+33.66 грн
1000+27.69 грн
2000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.81 грн
10+59.11 грн
100+39.27 грн
500+28.78 грн
1000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD80460E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42 A, 0.0372 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0372ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.04 грн
13+67.81 грн
100+45.97 грн
500+34.35 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.20 грн
10+70.46 грн
100+40.82 грн
500+33.66 грн
1000+29.28 грн
4000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3VISHAYSUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD80460E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3VishaySUD90330E-BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S)
на замовлення 29745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.34 грн
10+102.40 грн
100+65.88 грн
500+52.45 грн
1000+47.84 грн
2000+42.48 грн
4000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3VISHAYSUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3VishayN-Channel 200 V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-252
на замовлення 23618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.89 грн
10+86.61 грн
100+56.75 грн
500+47.62 грн
4000+44.67 грн
10000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3VishayN-Channel 200 V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1201UD40Sunbank / SouriauSunbank CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1202UD1SSunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1202UD40Sunbank / SouriauSunbank CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC0-1206UD40Sunbank / SouriauSunbank CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDAC1-1002UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDB05RX794P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUDC208V42PTripp LiteDescription: 3-PHASE DISTRIBUTION CABINET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUDC208V42PTripp LiteRacks & Rack Cabinets Tripp Lite 208V 3-Phase Distribution Cabinet for 20k-60kVA UPS 42 Pole TAA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 128SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 128GB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 256SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 256GB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 32SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 32GB
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SudoProc 64SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 64GB
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.