Продукція > SUD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUD06N10-22 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-225L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD06N10-22L | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD06N10-255L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 107881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-BE3 | Vishay | SUD08P06-155L-BE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 10078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | VISHAY | SUD08P06-155L-GE3 SMD P channel transistors | на замовлення 1267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH | на замовлення 11959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD08P06-155L-T4E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD08P06-1S5L-E3 | на замовлення 248 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 100V 8.8A P-CH MOSFET | на замовлення 133215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-BE3 | VISHAY | SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.162 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 4102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | VISHAY | SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | на замовлення 8207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 32.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead | на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A | на замовлення 15319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD10P06 | на замовлення 3212 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 10A 37W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L | VISHAY | 09+ SSOP20 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD08P06-155LGE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L-E3 | на замовлення 682 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V P-CH 280MOHM 8M LOWVT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-280L-T4E3 | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD10P06-28DL | на замовлення 3666 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD10P06-28L | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD12NE06 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD15N015-95 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD15N06 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N06 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N06-90L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N06-90L | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N06-90L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N06-90L-E3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD15N15-95 | VISHAY | 09+ TSSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 6310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C | на замовлення 3587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-E3 | VISHAY | SUD15N15-95-E3 SMD N channel transistors | на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD1 | на замовлення 17045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 5639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-95-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD15N15-T1-E3 | на замовлення 1182 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD15P01-52 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15P01-52 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD15P01-52-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD15P02-52 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD17N25-165 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD17N25-165 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD17N25-165-E3 | на замовлення 29000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD17N25-165-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD17N25-165-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD17N25-165-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD19N20-90 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S | на замовлення 4626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 5298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET | на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 Код товару: 154670
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 5298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-T4-E3 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-T4-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CH 200V 19A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19N20-90-T4-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 3741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | VISHAY | SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 3967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 Код товару: 75848
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 19A 38.5W | на замовлення 31778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V | на замовлення 21461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 7672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 57897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | VISHAY | SUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors | на замовлення 1535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 57560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60-T4-E3 | Vishay | SUD19P06-60-T4-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | VISHAY | SUD19P06-60L-E3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | на замовлення 1630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 21277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 19A 46W 60mohm @ 10V | на замовлення 66273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD19P0660 | VISHAY | на замовлення 9300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD19P0660L | VISHAY | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET | на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-BE3 | Vishay | SUD20N10-66L-BE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 10905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay Siliconix | SUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 605 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 10905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 100-V D-S | на замовлення 5765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V | на замовлення 6645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD20P15-306-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 150 -V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31 | VISHAY | 10+ TSSOP8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31 | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31 | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 26669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD23N06-31-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 21.4A, TO-252 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-BE3 Код товару: 75849
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252 Power dissipation: 31.25W Mounting: SMD Kind of package: tube Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.1A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.25W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 6646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V | на замовлення 8552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252 Power dissipation: 31.25W Mounting: SMD Kind of package: tube Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.1A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1751 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 60-V (D-S) | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 23A 100W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 23A 100W | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level | на замовлення 10055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SC70 N CHAN 60V | на замовлення 25482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-T4BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 23A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N04 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD25N04-25 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N04-25 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N04-25-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N04-25-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N04-25-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N05-45L | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD23N06-31-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L Код товару: 133238
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L-E3 | VISHAY | 10+ SOP | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 25A 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N06-45L-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CH LOGIC LEVEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD25N15-52-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-BE3 | Vishay | SUD25N15-52-BE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 150V 25A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 25A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 150V 25A 136W 52mohm @ 10V | на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 50A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 25A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 50A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 25A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | на замовлення 3209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD25N15-52-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 150-V D-S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N03 | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD30N03-30 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N03-30 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 30A 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N03-30 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N03-30-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 30A 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N03-30-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N03-30-T4 | на замовлення 3822 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD30N04-10 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N04-10 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 30A 97W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N04-10 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N04-10-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N04-10-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 30A 97W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N04-10-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD30N04-10-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V N-CH 12MTRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N05 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD35N05-26 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD35N05-26L Код товару: 122656
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD35N05-26L | Vishay | Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N05-26L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N05-26L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N05-26L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N05-26L-E3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD35N05-26L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26 | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay | SUD35N10-26P-BE3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET | на замовлення 25671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V | на замовлення 3166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 1891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V | на замовлення 11357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-T4GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 100-V D-S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD35N10-26P-T4GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | VISHAY | SUD40151EL-GE3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252 | на замовлення 65714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40151EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N02-08 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N02-08 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N02-08-E3 | на замовлення 1931 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD40N02-08-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N02-08-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 40A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N02-3M3P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N02-3M3P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N03 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD40N03-18 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD40N03-18P | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N03-18P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N03-18P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD40N04-10AE3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD40N06 Код товару: 58679
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD40N06-24 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD40N06-24-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CH .024 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 20A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L Код товару: 88851
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 20A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N06-25L-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N0625LE3 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD40N08-16 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16 | Vishay / Siliconix | MOSFET 80V 40A 100W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 80V 40A 100W | на замовлення 9734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | на замовлення 5153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 9984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | VISHAY | SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N08-16-T4 | VISHAY | 09+ DIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25 | VISHAY | на замовлення 12170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD40N10-25 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25 | VISHAY | 0630+ | на замовлення 520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD3 | на замовлення 6868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N10-25-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100-V D-S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40N1025 | Vishay | 0433 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD40P03-20 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 107A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45N05 | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD45N05-20L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45N05-20L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45N05-20L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 50V 30A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45N05-20L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45N05-20L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03 | на замовлення 682 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 45A PCH | на замовлення 13533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-09-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 45 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 41.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 41.7 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-10 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-10 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-10-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-10-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-10-E3 Код товару: 92766
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD45P03-15 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-15 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-15-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD45P03-15-E3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD45P03-15-T1-E3 | на замовлення 2460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD45P04-16P-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD492H | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD492H | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD492J | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD492J | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD494J | AUK | 07+ SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD494J | AUK | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD494J | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD494N | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD494N | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50M02-12P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50M02-12P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N014-06P | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N02-04P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-04P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-04P-E3 | на замовлення 1840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N02-04P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06 | на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N02-06-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 26A 65W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-06P-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 26A 65W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P | Vishay / Siliconix | MOSFETs 20V 20A 6.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-GE3 | Vishay | N-Ch MOSFET DPak (TO-252) 20V 9.5mohm @ 10V 175C Rated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-09P-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-11P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-11P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-12P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N02-12P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N0206 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N0206T4 | на замовлення 294 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N024 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N024-0 | на замовлення 3774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N024-06 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-06 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P Код товару: 89310
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P | VISHAY | TO252 | на замовлення 2528 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 24V 80A 6.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P-T4 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N024-06P-T4E3 | VISHAY | TO252 | на замовлення 42900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-09F-T4 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P | VISHAY | TO252 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P транзистор Код товару: 85069
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 22V 49A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P-E4E3 | VISHAY | TO252 | на замовлення 22541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P-T4 | на замовлення 3774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N024-09P-T4E3 | на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N024-6D-24 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N025 | на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N025-05P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N025-05P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N025-06P-E3 | VISHAY | 06+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N025-06P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V 78A 65W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N025-06P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N025-06P-E3 | VISHAY | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50N025-09BP-4E3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N025-09BP-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 25V TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-06 | vishay | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 90A 83W | на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V | на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06AP-T4E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06P | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06P-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 84A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07 | SIL | 02+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07-T4 | Vishay | Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07AP | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07AP | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07AP-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-07AP-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P | VISHY | 2004 | на замовлення 1727 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P | VISHAY | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-09P-GE3 | Vishay | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-1 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-10 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10 | VISHAY | 02+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10 Код товару: 36248
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 15 A Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3200/55 Монтаж: SMD | у наявності 12 шт: 8 шт - склад4 шт - РАДІОМАГ-Львів |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10 | VISHAY | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50N03-10-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 15A 83W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10-T4 | на замовлення 1588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-10-T4 | Vishay | Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10-T4-E3 | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10AP | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 20A 71W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10AP | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10AP | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10AP-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 396 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10AP-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 20A 71W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10AP-T4 | Vishay | Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10BP | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10BP-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10BP-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10BP-T4 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-10BP-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10CP | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10CP | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10CP | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10CP-E3 | Vishay | Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10CP-T4 | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10CP-T4E3 | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10P | VISHAY | SOT252/2.5 | на замовлення 864 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10P | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-10P-T4 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-11 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-11 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-11 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-11 | SILICON | 04+ | на замовлення 1207 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-11* | на замовлення 34000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-11-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-11-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P-E3 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-12P-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-16 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N03-16P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-16P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-16P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-16P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-16P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N03-7M3P-E3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N0307E3 | на замовлення 3898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N04 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N04-05L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-05L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-05L-E3 | VISHAY | TO-252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-05L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-05L-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-05L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-05L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 115A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-06H | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-06H | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-06H-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-06H-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 109A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-07-E3 | VISHAY | 0904+ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-07L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-07L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-07L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-09H-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-09H-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-09H-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-16P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-16P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 9.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-37P-E3 | Vishay | N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-37P-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 14A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 15727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4BE3 | Vishay | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 30.8W Gate charge: 56nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 14A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V | на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 30.8W Gate charge: 56nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Drain current: 14A | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V | на замовлення 3247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 48.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N04-8M8P-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-E3 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-E3 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-07L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-08H | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-08H | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-08H-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-08H-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09-T1-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 Код товару: 169164
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Siliconix | N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50N06-09L-T1-E3 | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N06-12 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-12 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-16 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-16 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-16-E3 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N06-36-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N06-36-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 12A 24W 36mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-18P | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50N10-18P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-18P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-18P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-18P-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-18P-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-34P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-34P-T4-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50N10-34P-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50NP04-62-4-E3 | на замовлення 1984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50NP04-62-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50NP04-77P-T4-E3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50NP04-77P-T4E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 10.8W, 24W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04 | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P04-08-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 50A, TO-252 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 73.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | Vishay | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V | на замовлення 15786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 73.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 40578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | VISHAY | SUD50P04-08-GE3 SMD P channel transistors | на замовлення 1624 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V | на замовлення 15100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET | на замовлення 22661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 9295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-08-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V | на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | VISHAY | SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V | на замовлення 12804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 Код товару: 167710
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-09L-E3-VB | VBsemi | Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3 TSUD50P04-09L-E3 VBS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L Код товару: 92169
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L Код товару: 92167
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-E3 | VISHAY | 09+ SOP8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-E3 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 55.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-15 | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-15 | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-15-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-15-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-15-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-15-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-15-T4 | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P04-23 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P04-23-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-23-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-23-GE3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P04-23-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-40P | VISHAY | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P04-40P-E3 | Vishay | P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P04-40P-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1555 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06 | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P06 Код товару: 66964
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P06-15 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P06-15 | UMW | Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15 | UMW | Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | Vishay | Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | Vishay | Power MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P06-15-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 50A, TO-252 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | Vishay | Power MOSFET | на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 32144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | на замовлення 3016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-BE3 | Vishay | Power MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 79194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | на замовлення 5755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V | на замовлення 16132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Gate charge: 165nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 2527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 14921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Gate charge: 165nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2527 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 14910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 50A 136W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 165nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 165nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 Код товару: 82293
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | на замовлення 12050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 334000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W | на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CH 60V 50A | на замовлення 23292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | на замовлення 6380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-Channel 60-V D-S | на замовлення 9165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | на замовлення 2388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P0615 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P0615L | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V | на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 P CHAN 80V | на замовлення 49034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 Код товару: 182312
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | VISHAY | SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors | на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 16205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V | на замовлення 132580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 Код товару: 133983
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W | на замовлення 190 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 15860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V | на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P08-26 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P08-26-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P08-26-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12.9A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L | на замовлення 25200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET | на замовлення 20652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V | на замовлення 36867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W Drain-source voltage: -100V Drain current: -37.1A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W Drain-source voltage: -100V Drain current: -37.1A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | Vishay | Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W | на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 6337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 37A P-Channel | на замовлення 26018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W Drain-source voltage: -100V Drain current: -36.4A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 72.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W Drain-source voltage: -100V Drain current: -36.4A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 72.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V | на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD54P04-23-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 23mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD5N03-11 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) | на замовлення 21135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | VISHAY | SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD70090E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V | на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD70N02 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD70N02-03P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N02-03P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N02-049-E3 | на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD70N02-04P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N02-04P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N02-05+P | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD70N02-05P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N02-05P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N02-05P-T4 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUD70N03-04P | VISHAY | на замовлення 966 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SUD70N03-04P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N03-04P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N03-06P | VISHAY | 06+ | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N03-06P | VISHAY | SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD70N03-06P | VISHAY | 07+ SOT-252 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD80460E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD80460E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 150V 42A N-CH MOSFET | на замовлення 21963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD80460E-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ. | на замовлення 651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V | на замовлення 3678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUD80460E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42 A, 0.0372 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0372ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A Case: TO252 Drain-source voltage: 150V Drain current: 42A On-state resistance: 44.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A Case: TO252 Drain-source voltage: 150V Drain current: 42A On-state resistance: 44.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD80460E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD90330E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S) | на замовлення 29745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SUD90330E-BE3 | Vishay | SUD90330E-BE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-GE3 | Vishay | N-Channel 200 V MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-GE3 | VISHAY | SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-252 | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-GE3 | Vishay | N-Channel 200 V MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUD90330E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUDAC0-1201UD40 | Sunbank / Souriau | Sunbank CIRCULAR ASSEMBLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUDAC0-1202UD1S | Sunbank / Souriau | Circular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUDAC0-1202UD40 | Sunbank / Souriau | Sunbank CIRCULAR ASSEMBLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUDAC0-1206UD40 | Sunbank / Souriau | Sunbank CIRCULAR ASSEMBLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUDAC1-1002UD40 | Sunbank / Souriau | Circular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUDB05RX794P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SUDC208V42P | Tripp Lite | Racks & Rack Cabinets Tripp Lite 208V 3-Phase Distribution Cabinet for 20k-60kVA UPS 42 Pole TAA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SUDC208V42P | Tripp Lite | Description: 3-PHASE DISTRIBUTION CABINET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SudoProc 128 | Sudo | System-On-Modules - SOM System on Module 128GB | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SudoProc 256 | Sudo | System-On-Modules - SOM System on Module 256GB | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SudoProc 32 | Sudo | System-On-Modules - SOM System on Module 32GB | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SudoProc 64 | Sudo | System-On-Modules - SOM System on Module 64GB | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |