Продукція > FGH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FGH.LM.368.XLCT
Код товару: 196533
Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми колоподібні (силові, мікрофонні)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH051-020.OMEGADescription: OMEGA - FGH051-020. - HEATING TAPE, 105W, 120VAC, 1/2" X 2
tariffCode: 0
productTraceability: No
Stromverbrauch: 105W
rohsCompliant: YES
Drahtverbindung Oberflächenheizung: 2-Prong Molded Separable Plug
euEccn: NLR
Oberflächenheizung: Standard Insulated Heating Tape
Versorgungsspannung: 120VAC
hazardous: false
Wattdichte: 8.6W/in²
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 482°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: OMEGALUX FGH Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H104ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H104ZF - Superkondensator, EDLC, 0.1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 5.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.74 грн
10+181.56 грн
50+166.71 грн
100+128.74 грн
500+95.50 грн
1000+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H104ZFKEMETDescription: CAP 100MF -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Lifetime @ Temp.: 1000 Hrs @ 70°C
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.74 грн
10+164.92 грн
50+135.46 грн
100+117.80 грн
500+100.65 грн
2000+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H104ZFKEMETHigh Energy Storage Electric Double Layer- Supercaps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H104ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.1F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.36 грн
10+175.98 грн
50+120.65 грн
100+111.09 грн
500+93.43 грн
1000+91.22 грн
2000+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFKemetCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 7.62mm 35 Ohm 70°C Bulk
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+512.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H105ZF - Superkondensator, EDLC, 1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 7.62 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 9.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.62mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 35ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 21.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.49 грн
10+368.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Terminal pitch: 7.62mm
Operating temperature: -25...70°C
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Capacitance: 1F
Operating voltage: 5.5V DC
ESR value: 35Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.02 грн
5+257.84 грн
12+234.50 грн
90+229.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFKEMETDescription: CAP 1F -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.846" Dia (21.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.300" (7.62mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 35Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.374" (9.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 F
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.75 грн
10+358.49 грн
90+283.62 грн
180+249.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFTOKINCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Cylindrical 7.62mm 35 Ohm 70°C
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+563.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Terminal pitch: 7.62mm
Operating temperature: -25...70°C
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Capacitance: 1F
Operating voltage: 5.5V DC
ESR value: 35Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Mounting: THT
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.85 грн
5+206.91 грн
12+195.42 грн
90+191.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFKEMETCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 7.62mm 35 Ohm 70C Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H105ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 1F -20/+80% LS=7.62mm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.89 грн
10+398.48 грн
50+326.64 грн
90+257.49 грн
270+243.51 грн
540+222.18 грн
1080+211.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H224ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H224ZF - Superkondensator, EDLC, 0.22 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.50 грн
10+185.69 грн
50+147.73 грн
100+125.68 грн
500+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H224ZFKEMETDescription: CAP 220MF -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.70 грн
10+170.66 грн
50+140.45 грн
100+122.25 грн
500+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H224ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.22F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.10 грн
10+188.67 грн
50+130.95 грн
100+119.18 грн
500+101.52 грн
1000+91.96 грн
1600+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H224ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H224ZFKemetCap Supercap 0.22F 5.5V -20% to 80% ( 11 X 7mm ) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 100 Ohm 70°C Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.47F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.00 грн
10+293.57 грн
50+206.73 грн
100+190.54 грн
250+189.07 грн
600+176.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H474ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 8.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 65ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.88 грн
10+286.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0H474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.650" Dia (16.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 65Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.23 грн
10+268.98 грн
50+217.13 грн
100+188.57 грн
600+160.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0V474ZF - Superkondensator, 0.47 F, 3.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 25ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 3.5V
Produktpalette: FG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 13mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.81 грн
10+192.29 грн
50+186.51 грн
100+124.91 грн
800+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Tolerance: -20...80%
Operating temperature: -25...70°C
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Terminal pitch: 5.08mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0V474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 3.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 25ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 3.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 13mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.59 грн
10+189.82 грн
50+180.74 грн
100+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 3.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.512" Dia (13.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 25Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.295" (7.50mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 3.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Tolerance: -20...80%
Operating temperature: -25...70°C
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Trade name: EDLC
Terminal pitch: 5.08mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKemetCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70°C Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 3.5V 0.47F -20/80% LS=5.08mm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.56 грн
10+171.74 грн
50+129.48 грн
100+118.44 грн
500+105.94 грн
800+105.20 грн
2400+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH0V474ZFKEMETCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70C Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MAAM2QuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MAAM2QuectelWiFi Development Tools - 802.11 FGH100M Development Board (for debugging)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4060.60 грн
10+3731.86 грн
25+2736.74 грн
250+2603.58 грн
500+2601.37 грн
750+2600.64 грн
1000+2599.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MAAM2Quectel Wireless SoultionsFGH100MAAM2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MAAMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MAAMDQuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MAAMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 13 dBm (Morse Micro MM6108)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2134.58 грн
10+1654.84 грн
25+1324.96 грн
50+1252.13 грн
100+1244.77 грн
250+1057.17 грн
1000+1027.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Tape & Reel (TR)
Utilized IC / Part: MM6108
Package / Case: 40-LGA Module
Sensitivity: -108dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 850MHz ~ 950MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Data Rate: 32.5Mbps
Protocol: 802.11ah
Antenna Type: Antenna Not Included
Modulation: 16QAM, 64QAM, BPSK, OFDM, QPSK
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: SDIO, SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MABMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108), US version only
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2199.81 грн
10+1710.68 грн
25+1371.31 грн
50+1321.28 грн
100+1230.80 грн
250+1155.76 грн
500+1110.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MABMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Cut Tape (CT)
Utilized IC / Part: MM6108
Package / Case: 40-LGA Module
Sensitivity: -108dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 850MHz ~ 950MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Power - Output: 21dBm
Data Rate: 32.5Mbps
Protocol: 802.11ah
Antenna Type: Antenna Not Included
Modulation: 16QAM, 64QAM, BPSK, OFDM, QPSK
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: SDIO, SPI
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1694.28 грн
10+1423.16 грн
25+1350.77 грн
100+1174.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH102-080LSEOMEGADescription: OMEGA - FGH102-080LSE - HEIZBAND, 420W, 8.6W/IN2, 240V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH12040WD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH12040WD-F155
Код товару: 167483
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH12040WD-F155ON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+234.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH12040WD-F155ON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH15T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 15A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH15T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/490ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 34Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH15T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH15T120SMD-F155 - IGBT, 30 A, 1.8 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.75 грн
10+538.09 грн
100+425.02 грн
500+334.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+281.76 грн
46+265.55 грн
50+246.57 грн
52+227.15 грн
100+197.45 грн
1000+182.39 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FGH15T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 808-817 дні (днів)
1+514.12 грн
10+456.01 грн
100+328.11 грн
250+324.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.77 грн
10+245.76 грн
25+228.20 грн
50+210.22 грн
100+182.74 грн
1000+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDonsemionsemi FSPIGBT TO247 20A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTUON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+194.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 20A Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU Транзистор
Код товару: 191499
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+137.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch 20A 600V FS IGBT
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 430µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 20A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60UFDTUON Semiconductor
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+158.33 грн
10+139.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60UFDTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/87ns
Switching Energy: 380µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N6S2DONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N6S2D - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
FGH20N6S2DFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 7.7ns/87ns
Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25N120FTDSonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 535 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/151ns
Switching Energy: 1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 169 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 313 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25N120FTDSON Semiconductor
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25N120FTDSONSEMIDescription: ONSEMI - FGH25N120FTDS - IGBT, 1200V, 25A, FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+335.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25N120FTDS_Tonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 25A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 1.74mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 428 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N120FTDTUonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 339 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N120FTDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors PDD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N60LSDTUON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N6S2onsemi / FairchildIGBT Transistors Sgl N-Ch 600V SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 45A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130PonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1300V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.04 грн
5+527.36 грн
10+425.85 грн
50+364.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130P
Код товару: 104327
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > IGBT
Vces: 1300 V
Vce: 1,75 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 500 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 39/620
товару немає в наявності
1+149.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+659.72 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130Ponsemi / FairchildIGBTs 1300V 30A FS SA Trench IGBT
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.73 грн
10+434.86 грн
25+348.71 грн
100+276.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S150PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S150P - IGBT, 30 A, 1.85 V, 500 W, 1.5 kV, TO-247, 3 Pin(s)
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S150Ponsemi / FairchildIGBT Transistors SA2TIGBT TO247 30A 1500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S150PonsemiDescription: IGBT 1500V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/492ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 369 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+449.93 грн
31+404.10 грн
32+381.74 грн
50+348.81 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30T65UPDT-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30T65UPDT-F155onsemiDescription: IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.79 грн
10+375.23 грн
25+354.48 грн
50+323.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30T65UPDT_F155Fairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N120
Код товару: 179924
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N120ANonsemiIGBT Transistors NPTPIGBT TO247 40A 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N120ANTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V NPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N120ANTUonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 64A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+430.09 грн
100+412.80 грн
500+395.52 грн
1000+359.82 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N120ANTU
Код товару: 165183
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDFAIRCHIL..QFN16
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFD
Код товару: 201597
Додати до обраних Обраний товар

ChinaТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 41 шт:
41 шт - склад
1+135.00 грн
10+124.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDFAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDFairchaildIGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+326.81 грн
10+273.13 грн
100+245.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400
Додати до обраних Обраний товар

FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 60 шт:
45 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується 03.05.2025
1+165.00 грн
10+152.00 грн
100+139.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.50 грн
3+341.02 грн
4+237.56 грн
11+224.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 17728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.94 грн
30+256.93 грн
120+214.28 грн
510+171.75 грн
1020+168.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+513.00 грн
3+424.96 грн
4+285.08 грн
11+269.44 грн
150+265.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.81 грн
30+247.68 грн
120+224.72 грн
270+194.03 грн
510+171.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007
Додати до обраних Обраний товар

IRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+234.75 грн
120+215.71 грн
270+207.25 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUON-SemicoductorIGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+225.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+484.53 грн
46+268.58 грн
120+243.69 грн
270+210.41 грн
510+186.14 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.64 грн
10+466.16 грн
30+226.59 грн
120+203.78 грн
270+194.96 грн
510+184.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/138ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 121 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+229.79 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUonsemi / FairchildIGBTs N-CH / 40A 600V FS Planar
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.69 грн
10+249.58 грн
25+188.33 грн
100+175.09 грн
250+157.44 грн
450+148.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.53 грн
10+87.37 грн
25+84.77 грн
100+79.18 грн
250+72.16 грн
450+68.53 грн
900+68.33 грн
2700+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SFTU - IGBT, Universal, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.85 грн
10+302.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+229.79 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD
Код товару: 63296
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності 87 шт:
43 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+205.00 грн
10+186.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDonsemi / FairchildIGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 14316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.98 грн
10+394.25 грн
30+183.92 грн
120+177.30 грн
510+157.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.38 грн
10+330.94 грн
100+202.19 грн
500+172.43 грн
1000+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+481.31 грн
3+410.64 грн
4+343.93 грн
9+324.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDON-SemicoductorIGBT 600V 80A 349W   FGH40N60SMD TFGH40N60smd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+273.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+401.09 грн
3+329.52 грн
4+286.61 грн
9+270.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDOn Semiconductor/FairchildIGBT 600V 80A 349W TO-247
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.00 грн
30+317.16 грн
120+266.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+263.06 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085onsemi / FairchildIGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.58 грн
25+328.26 грн
100+250.87 грн
250+247.19 грн
450+239.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+285.27 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+475.96 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDFonsemi / FairchildIGBTs 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.02 грн
10+364.82 грн
30+309.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDFonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.64 грн
10+396.96 грн
100+321.04 грн
500+280.48 грн
1000+229.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDF-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMDF-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, 40A FIELD STOP IGBT
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 40A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+287.45 грн
45+275.62 грн
56+220.30 грн
120+190.36 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUON-SemicoductorIGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+248.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.07 грн
10+254.17 грн
30+203.15 грн
120+175.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.28 грн
10+348.27 грн
100+223.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+258.99 грн
120+216.12 грн
270+211.08 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.89 грн
10+404.40 грн
30+214.08 грн
120+183.18 грн
510+158.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU
Код товару: 61781
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товару немає в наявності
1+92.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.21 грн
4+285.54 грн
11+260.25 грн
120+258.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.80 грн
30+227.27 грн
120+188.74 грн
510+150.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+409.34 грн
4+229.13 грн
11+216.87 грн
120+215.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+240.49 грн
120+200.68 грн
270+196.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU_SN00006onsemi / FairchildIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFTU_SN00007onsemi / FairchildIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+260.29 грн
500+249.10 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTU
Код товару: 160734
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+260.29 грн
500+249.10 грн
1000+234.87 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-ch / 40A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+260.29 грн
500+249.10 грн
1000+234.87 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTUON-SemicoductorIGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+486.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 40A 650V IGBT
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/126ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N6S2Donsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Comp 600V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMDonsemi / FairchildIGBTs 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.61 грн
10+396.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 40A 1000V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.18 грн
10+495.78 грн
100+356.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+495.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+546.58 грн
30+411.95 грн
120+360.34 грн
270+315.85 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+718.82 грн
2+474.36 грн
6+448.31 грн
30+431.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+862.59 грн
2+591.13 грн
6+537.97 грн
30+517.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.94 грн
30+417.42 грн
120+354.17 грн
510+304.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDonsemi / FairchildIGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.81 грн
10+806.27 грн
30+417.87 грн
120+358.28 грн
270+334.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+495.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.80 грн
10+510.95 грн
30+385.10 грн
120+336.84 грн
270+295.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD
Код товару: 104369
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1261.86 грн
2+812.32 грн
4+768.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+784.85 грн
5+673.43 грн
10+562.02 грн
50+418.42 грн
100+362.18 грн
250+338.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+421.89 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.94 грн
30+417.50 грн
120+354.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.95 грн
30+459.40 грн
120+350.18 грн
1020+334.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1514.23 грн
2+1012.27 грн
4+922.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+426.88 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155
Код товару: 154761
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+369.93 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+394.38 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/464ns
Switching Energy: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDL4ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS2 TIGBT excellent swtching performance
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.89 грн
30+325.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4onsemiIGBTs IGBT 1200V 40A UFS
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.38 грн
10+392.56 грн
30+334.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 221nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.84 грн
5+431.62 грн
10+384.58 грн
50+350.22 грн
100+316.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHonsemiON Semiconductor FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SH-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SH-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SH-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+214.53 грн
500+205.38 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+187.08 грн
500+178.95 грн
1000+169.80 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.52 грн
10+227.60 грн
450+135.38 грн
900+118.37 грн
1350+116.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.07 грн
10+258.04 грн
30+222.91 грн
270+133.16 грн
510+128.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHD-F155-01ON SemiconductorFGH40T65SHD-F155-01
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+186.07 грн
500+178.95 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155
Код товару: 190128
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.93 грн
30+190.31 грн
120+157.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.58 грн
10+316.42 грн
30+168.47 грн
120+141.25 грн
270+137.57 грн
510+127.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SH_F155Aptina ImagingTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.92 грн
120+102.14 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 80 A, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.09 грн
10+343.49 грн
25+282.50 грн
100+244.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F155TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+227.75 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/37ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+227.75 грн
500+217.58 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQDonsemionsemi 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.64 грн
30+200.37 грн
120+165.64 грн
510+131.54 грн
1020+123.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorIGBT, Field Stop, Trench 650 V, 40 A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.84 грн
10+88.31 грн
25+85.48 грн
50+81.51 грн
100+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+180.74 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.29 грн
10+292.73 грн
30+177.30 грн
120+149.34 грн
270+142.72 грн
510+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65SQD_F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UPDON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650 V 80 A 268 W
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UQDF-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UQDF-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+156.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T70SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 700V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/66ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 271µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T70SHD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+168.86 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+357.41 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 153W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.00 грн
10+449.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDON SemiconductorFGH4L40T120LQD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDonsemiIGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.67 грн
10+418.79 грн
30+363.43 грн
120+357.54 грн
270+314.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+331.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L40T120LQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.00 грн
5+496.00 грн
10+410.17 грн
50+380.10 грн
100+348.74 грн
250+345.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.27 грн
5+679.21 грн
10+514.15 грн
50+403.09 грн
100+364.30 грн
250+357.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.99 грн
10+525.25 грн
25+461.58 грн
100+365.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65MQDC50onsemiIGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.74 грн
10+524.54 грн
30+384.76 грн
270+372.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.75 грн
10+222.70 грн
30+187.34 грн
120+151.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDonsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.52 грн
10+253.81 грн
30+185.39 грн
120+165.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.32 грн
10+352.40 грн
100+312.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+302.30 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50onsemiIGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+742.43 грн
10+500.85 грн
30+395.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.80 грн
30+480.57 грн
120+409.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3onsemiDescription: IGBT PT 300V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off)
Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3ONSEMIFGH50N3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3onsemi / FairchildIGBT Transistors 300V PT N-Channel
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.79 грн
10+714.05 грн
100+500.26 грн
250+448.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+408.57 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 463W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+805.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DFSCTO-247 08+
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2Donsemi / FairchildIGBT Transistors Comp 600V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50N6S2D_NLON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth™ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQDonsemiON Semiconductor FS4TIGBT TO247 50A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.93 грн
10+362.10 грн
30+192.01 грн
120+164.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+406.87 грн
3+340.25 грн
4+260.55 грн
10+245.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.50 грн
30+216.51 грн
120+179.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+488.24 грн
3+424.01 грн
4+312.66 грн
10+295.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.45 грн
30+311.67 грн
120+261.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 230nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 150A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH50T65UPDonsemi / FairchildIGBTs 650 V 100 A 240 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.59 грн
10+511.00 грн
30+286.92 грн
120+249.40 грн
510+233.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 204981
Додати до обраних Обраний товар

КитайТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності 28 шт:
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+165.00 грн
10+154.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності 49 шт:
44 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+228.00 грн
10+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 60A/ FS
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+256.92 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
на замовлення 8409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUfairchild2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SFTU - IGBT,N CH,600V,120A,TO247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+311.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SFTUFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+342.64 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+319.26 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+188.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.07 грн
10+496.82 грн
100+307.01 грн
500+259.79 грн
1000+234.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDonsemi / FairchildIGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.92 грн
10+541.46 грн
30+261.90 грн
120+239.10 грн
510+217.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+355.29 грн
60+345.78 грн
120+332.03 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.21 грн
30+293.25 грн
120+245.74 грн
510+198.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON-SemicoductorIGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+244.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+556.37 грн
24+514.88 грн
42+294.45 грн
80+276.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD
Код товару: 60291
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності 57 шт:
34 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255.00 грн
10+239.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/116ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+361.94 грн
10+345.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 60A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+241.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+647.15 грн
10+577.00 грн
120+414.92 грн
270+403.15 грн
510+361.96 грн
1020+303.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUfairchild2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/138ns
Switching Energy: 2.47mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/70ns
Switching Energy: 400µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65
Код товару: 130492
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.89 грн
10+439.09 грн
30+238.36 грн
120+194.22 грн
270+193.48 грн
510+169.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.67 грн
30+241.47 грн
120+200.93 грн
510+160.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155
Код товару: 166613
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+483.62 грн
10+471.24 грн
100+285.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns
Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.94 грн
30+256.44 грн
120+213.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+269.44 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V 60A FS4 TRENCH
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.21 грн
10+458.55 грн
30+228.80 грн
120+201.58 грн
270+196.43 грн
510+184.66 грн
1020+183.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH/75A 600V FS Planar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/138ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60UFonsemionsemi FSPIGBT TO247 75A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60UFTUON Semiconductor
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60UFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60UFTUonsemiDescription: IGBT 600V 150A 452W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/128ns
Switching Energy: 3.05mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.13 грн
30+303.14 грн
120+254.31 грн
510+206.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155
Код товару: 172511
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBTs IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench
на замовлення 1534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.03 грн
30+312.19 грн
120+241.30 грн
270+236.89 грн
510+225.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SHD-F155-01
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+337.56 грн
100+324.34 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SHD-F155-01
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+337.56 грн
100+324.34 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTonsemiIGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.78 грн
10+517.45 грн
100+311.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.26 грн
30+288.55 грн
120+241.64 грн
510+194.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS3 Trench IGBT
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.60 грн
10+527.93 грн
30+275.88 грн
120+244.25 грн
510+212.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SHDT-F155-01
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+324.34 грн
100+311.13 грн
500+297.91 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.47 грн
10+474.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.54 грн
30+301.73 грн
120+253.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4onsemi / FairchildIGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.84 грн
10+484.78 грн
30+270.00 грн
120+231.00 грн
270+230.27 грн
510+225.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4onsemiIGBT Transistors FS3 T TO247 75A 65
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.20 грн
10+433.17 грн
100+371.52 грн
250+349.45 грн
450+286.18 грн
900+281.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+459.57 грн
100+440.25 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+332.52 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTLN4 - IGBT, 650V, 150A, 175DEG C, 455W, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+146.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHDT_F155
Код товару: 171976
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+190.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+343.66 грн
100+329.43 грн
500+316.21 грн
1000+287.27 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+343.66 грн
100+329.43 грн
500+316.21 грн
1000+287.27 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+338.75 грн
120+335.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+364.81 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+370.10 грн
60+360.58 грн
120+345.78 грн
270+328.33 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+343.66 грн
100+329.43 грн
500+316.21 грн
1000+287.27 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+364.81 грн
120+361.31 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDonsemiIGBTs FS4TIGBT TO247 75A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.07 грн
30+286.76 грн
120+240.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.68 грн
10+509.20 грн
100+302.88 грн
500+226.07 грн
1000+198.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.57 грн
10+511.00 грн
30+268.52 грн
120+226.59 грн
510+211.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQD-F155-01ON SemiconductorFGH75T65SQD-F155-01
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+330.44 грн
100+317.23 грн
500+304.01 грн
1000+276.48 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+519.56 грн
100+498.21 грн
500+476.86 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4onsemiIGBTs 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.12 грн
10+676.83 грн
30+414.92 грн
120+370.78 грн
270+345.03 грн
510+342.09 грн
1020+340.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+697.93 грн
30+464.60 грн
120+417.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.14 грн
5+684.16 грн
10+664.35 грн
50+391.60 грн
100+342.38 грн
250+322.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDNL4ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTonsemiIGBTs 650V 75A FS4 TRENCH IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+326.38 грн
100+313.16 грн
500+299.94 грн
1000+273.54 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.44 грн
30+290.34 грн
120+243.18 грн
510+195.80 грн
1020+195.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.11 грн
10+333.41 грн
100+284.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155onsemiIGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.82 грн
30+290.19 грн
120+221.44 грн
270+214.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+241.32 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+352.81 грн
100+338.58 грн
500+324.34 грн
1000+295.11 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDTL4 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+260.49 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4onsemi / FairchildIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.79 грн
30+275.81 грн
120+231.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+352.81 грн
100+338.58 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns
Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.68 грн
30+308.96 грн
120+259.39 грн
510+211.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65SQDT_F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.82 грн
30+315.40 грн
120+264.98 грн
510+216.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON-SemicoductorTrans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Replacement: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155; FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+322.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+303.41 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+262.64 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+241.13 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDonsemi / FairchildIGBTs 650V 150A 187W
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.37 грн
10+564.30 грн
30+311.93 грн
120+261.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+260.66 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085onsemi / FairchildIGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+708.95 грн
10+612.53 грн
25+378.88 грн
100+335.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+684.16 грн
5+642.07 грн
10+599.98 грн
50+396.20 грн
100+353.69 грн
250+340.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.92 грн
30+419.93 грн
120+356.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155onsemi / FairchildIGBTs 650V,75A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155ON SemiconductorField Stop Trench IGBT Chip Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 80A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 80A Field Stop
на замовлення 869 шт:
термін постачання 501-510 дні (днів)
1+421.42 грн
10+373.95 грн
120+266.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+203.63 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FD2TU(транзистор)
Код товару: 61002
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH80N60FDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTU
Код товару: 155558
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUonsemi / FairchildIGBTs 600V Field Stop
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40S65UQON SemiconductorDescription: IGBT 650V 40A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40S65UQON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40S65UQON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40S65UQON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 40A FS7 Low Vcesat IGBT Discrete
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.90 грн
10+476.32 грн
30+375.93 грн
120+345.03 грн
270+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDON Semiconductor1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.59 грн
30+341.91 грн
120+288.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T120RWD - IGBT, 80 A, 1.49 V, 600 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.49V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.69 грн
5+505.90 грн
10+467.11 грн
50+393.13 грн
100+348.03 грн
250+333.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDON SemiconductorIGBT- Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.65 грн
30+243.75 грн
120+202.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDonsemiIGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 40A Fast Switching IGBT
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.04 грн
10+327.42 грн
30+239.10 грн
120+197.90 грн
270+179.51 грн
510+172.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T120SWDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65LQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.55 грн
30+175.98 грн
120+148.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/364ns
Switching Energy: 620µJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.32 грн
30+172.53 грн
120+144.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.60 грн
10+243.16 грн
450+145.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDON Semiconductor
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDonsemiIGBTs 650 V 40 A FS4
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.36 грн
10+276.65 грн
30+225.85 грн
120+191.28 грн
270+143.46 грн
510+139.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.71 грн
30+204.84 грн
120+169.66 грн
510+135.00 грн
1020+131.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.55 грн
10+263.27 грн
100+213.75 грн
500+186.99 грн
1000+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 40 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.56 грн
10+385.79 грн
30+202.31 грн
120+167.74 грн
270+167.00 грн
510+144.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL40T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 119W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
2+337.31 грн
10+324.88 грн
30+174.36 грн
120+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/408ns
Switching Energy: 510µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 170W
Gate charge: 509nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTON SemiconductorField Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/424ns
Switching Energy: 410µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65LQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
на замовлення 450 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
1+453.18 грн
10+347.72 грн
30+269.26 грн
120+235.42 грн
270+215.55 грн
510+203.78 грн
1020+190.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDonsemiIGBTs 650 V 50 A FS4
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.29 грн
10+289.34 грн
30+250.13 грн
120+243.51 грн
270+165.53 грн
510+159.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 94nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+232.84 грн
500+223.68 грн
1000+210.47 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDON Semiconductor650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.98 грн
10+270.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 349470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.72 грн
30+237.44 грн
120+197.68 грн
510+158.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.21 грн
10+458.55 грн
30+233.95 грн
120+194.96 грн
270+194.22 грн
510+174.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.18 грн
10+253.36 грн
100+188.16 грн
500+142.54 грн
1000+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.09 грн
10+295.12 грн
450+184.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.16 грн
10+228.03 грн
25+217.30 грн
50+203.06 грн
100+186.13 грн
250+171.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.81 грн
10+341.80 грн
120+250.13 грн
510+190.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.14 грн
10+335.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+278.02 грн
50+245.57 грн
53+234.02 грн
54+218.68 грн
100+200.44 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.83 грн
10+182.39 грн
100+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+212.22 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT 650V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.87 грн
30+186.81 грн
120+154.21 грн
510+122.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+197.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQonsemiIGBTs FS4TIGBT 50A 650V
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.21 грн
10+361.26 грн
30+184.66 грн
120+152.29 грн
270+147.14 грн
510+129.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.53 грн
30+257.72 грн
120+214.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 134W
Gate charge: 99.7nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTonsemiIGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.80 грн
30+298.65 грн
120+220.70 грн
270+217.03 грн
510+184.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDonsemiIGBTs 1200V/60A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.68 грн
10+610.84 грн
30+481.87 грн
120+442.14 грн
270+415.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL60T120RWD - IGBT, 120 A, 1.48 V, 833 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.48V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Field Stop VII Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+713.05 грн
5+662.70 грн
10+611.54 грн
50+514.98 грн
100+456.26 грн
250+436.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.79 грн
30+497.79 грн
120+445.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDONSEMIFGHL60T120RWD THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL60T120RWDON SemiconductorTrans IGBTChip N-CH 1200V 120A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.69 грн
10+393.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.45 грн
10+445.86 грн
30+386.97 грн
120+370.78 грн
270+265.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.90 грн
5+505.90 грн
10+420.89 грн
50+374.74 грн
100+330.35 грн
250+311.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.89 грн
10+546.54 грн
30+356.07 грн
120+295.01 грн
510+283.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.94 грн
5+586.78 грн
10+535.61 грн
50+372.44 грн
100+314.79 грн
250+285.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.07 грн
30+354.30 грн
120+299.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/176ns
Switching Energy: 1.94mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 18390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.58 грн
10+349.14 грн
450+216.60 грн
900+201.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDonsemiIGBTs 650 V 75 A FS4
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.17 грн
10+377.33 грн
30+325.91 грн
120+317.08 грн
270+220.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.78 грн
10+386.23 грн
100+311.96 грн
500+272.05 грн
1000+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.73 грн
10+339.56 грн
450+215.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTonsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.63 грн
10+385.79 грн
120+307.52 грн
270+220.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4onsemiIGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.31 грн
10+401.87 грн
30+272.94 грн
120+239.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.80 грн
5+412.64 грн
10+393.66 грн
50+285.08 грн
100+242.63 грн
250+222.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.04 грн
30+308.42 грн
120+259.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGHOV225Z-L5(T3-270)NEC
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.