Продукція > NGT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB03N60R2DT4G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB03N60R2DT4G | onsemi | IGBT Transistors RC2 IGBT 3A 600V DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB03N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 9A 600V DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off) Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 17 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 49 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB03N60R2DT4G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB03N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 9A 600V DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off) Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 17 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 49 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB05N60R2DT4G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 56000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB05N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 5A 600V DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB05N60R2DT4G | ON Semiconductor | IGBT Transistors RC2 IGBT 5A 600V DPAK | на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | onsemi | Description: IGBT 600V 20A TO-220F-3FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F-3FS Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 40 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20 Bauform - Transistor: SC-67 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | onsemi | IGBT Transistors IGBT N-Channel, 600V, 10A, VCE(sat)=1.5V, TO-220F-3FS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 40W 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 600V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 48ns/120ns Switching Energy: 412µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 72 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60R2DT4G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 600V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 48ns/120ns Switching Energy: 412µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 72 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 14680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG Код товару: 172890
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | onsemi | IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 15A TO247-3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT, 1200 V, 15 A, FS1 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 15A TO247-3 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IH | onsemi | onsemi LC IH RC OSV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG Код товару: 108636
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 30A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/165ns Switching Energy: 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 156 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | onsemi | IGBTs IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHR | onsemi | onsemi 1200V/15A RC IGBT FSII TO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 340µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 333 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB15N120IHRWG - IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 340µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 333 W | на замовлення 13477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/15A RC IGBT FSII TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG Код товару: 185531
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHTG | onsemi | Description: IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHTG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/15A 15A 1200V RC IG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/130ns Switching Energy: 360µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 278 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | onsemi | IGBT Transistors LC IH RC OSV | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 229 W | на замовлення 4987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 229 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/15A IGBT LPT TO-247 | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB15N120LWG - IGBT, 1200V, 15A, FS1, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 1350V 15A FS2-RC Induction Heating | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 30A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 420µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 156 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 357 W | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 30A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 420µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 156 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 357 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 30A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 15A 600V IGBT | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 78ns/130ns Switching Energy: 900µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 117 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | IGBT Transistors RC2 IGBT 15A 600V | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | onsemi | Description: IGBT 600V 24A TO-220F-3FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220F-3FS Td (on/off) @ 25°C: 70ns/190ns Switching Energy: 550µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 300V, 15A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 54 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 54W 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 54000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60S1EG | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 88 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 117 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60S1EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N60S1EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60S1EG | onsemi | IGBTs 15A 600V IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120FL2WG | ON Semiconductor | Description: IGBT 1200V 20A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/235ns Switching Energy: 700µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 192 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHLWG | onsemi | IGBT Transistors IGBT 1200V 20A FS1 Induction Heating | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHR | onsemi | onsemi 1200V/20A RC IGBT FSII TO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG Код товару: 151548
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/235ns Switching Energy: 450µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 384 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHSWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHSWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200/20A IGBT LPT TO-24 | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHSWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/160ns Switching Energy: 650µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 156 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHTG | onsemi | Description: IGBT 1200V 20A TO247 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHTG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 480µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 341 W | на замовлення 174993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB20N120IHWG - IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 174993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors LC IH RC OSV | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 341000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 480µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 341 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 341000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120LWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/20A IGBT FSI TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120LWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 86ns/235ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 192 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHR | onsemi | onsemi 1350V/20A IGBT FSII TO-24 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 40A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/245ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | на замовлення 83076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 14615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1350V/20A IGBT FSII TO-24 | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/245ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N60L2TF1G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N60L2TF1G | onsemi | Description: IGBT 600V 40A TO-3PF-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF-3 Td (on/off) @ 25°C: 60ns/193ns Test Condition: 300V, 20A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 64 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N60L2TF1G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N60L2TF1G | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WAG - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WAG | onsemi | Description: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 136 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 181 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 385 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WAG | onsemi | Description: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 136 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 181 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 385 W | на замовлення 8762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 154 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 178 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 385 W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | onsemi | IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 192W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Gate charge: 178nC Mounting: THT Case: TO247-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL2WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 192W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Gate charge: 178nC Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 136 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W | на замовлення 318361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL3WG | onsemi | IGBTs IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB25N120FL3WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 349 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 100 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 91ns/228ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 192 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120FLWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 192 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 50A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/235ns Switching Energy: 800µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 192 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120IHLWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 192 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120IHLWG | onsemi | IGBTs IGBT 1200V 25A FS1 Induction Heating | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120LWG | onsemi | IGBT Transistors 1200/25A IGBT LPT TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 89ns/235ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 200 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 192 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120SWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 385 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 154 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 178 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 385 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB25N120SWG | ON Semiconductor | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB25N120SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N120FL2WG - TRANSISTOR, IGBT, 2V, 60A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N120FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 452 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/360ns Switching Energy: 1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 420 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHR | onsemi | onsemi 1200V/30A RC IGBT FSII TO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 60A 384W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/230ns Switching Energy: 700µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 384 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/30A RC IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120IHSWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N120IHSWG - IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N120IHSWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/210ns Switching Energy: 1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 192 W | на замовлення 5342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N120IHSWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/210ns Switching Energy: 1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 192 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N120L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120L2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120L2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N120L2WG - TRANSISTOR, IGBT, 1.7V, 60A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120L2WG | onsemi | Description: IGBT 1200V 60A 534W TO247 Packaging: Tube Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 420 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 560 W | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N120LWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Gen Mkt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 420 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 560 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N135IHR | onsemi | onsemi 1350V/30A IGBT FSII TO-24 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N135IHR1WG Код товару: 129042
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB30N135IHR1WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N135IHR1WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N135IHR1WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/200ns Switching Energy: 630µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/250ns Switching Energy: 850µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 45321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/250ns Switching Energy: 850µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | на замовлення 35721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N140IHR3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 1400V 60A TO-247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Switching Energy: 1.05mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 357 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N140IHR3WG | ON Semiconductor | IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N140IHR3WG | onsemi | onsemi 1400V, 30A, IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode IGBT - 1400 V 30 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60FLWG | ON Semiconductor | Description: IGBT 600V 60A 250W TO247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60FLWG | ON Semiconductor | на замовлення 429 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB30N60FLWG | onsemi | IGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60FWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N60FWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N60FWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 167 W | на замовлення 7834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N60FWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60FWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60FWG | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB30N60IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns Switching Energy: 280µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60IHLWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N60IHLWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N60IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns Switching Energy: 280µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W | на замовлення 5700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N60IHLWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V/30A IGBT FS1 IH TO-2 | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60L2WG | onsemi | Description: IGBT 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off) Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 225 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60L2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V 30A IGBT TO-247 | на замовлення 531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60L2WG | onsemi | Description: IGBT 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off) Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 225 W | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 225000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60SWG | onsemi | IGBT Transistors 600V/30A IGBT FSI TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60SWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N60SWG - 600V-30A IGBT FSI TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 189 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60SWG | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB30N60SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 189000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 189 W | на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N65IHL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 430 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/145ns Switching Energy: 200µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N65IHL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB30N65IHL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 430 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/145ns Switching Energy: 200µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N65IHL2WG | onsemi | IGBT Transistors 650V/30A FAST IGBT FSII T | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB30N65IHL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N60FL2 | onsemi | onsemi 600V/35A FAST IGBT FSII T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB35N60FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 300 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N60FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N60FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 600V/35A FAST IGBT FSII T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | onsemi | IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2 | onsemi | onsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | ON Semiconductor | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG Код товару: 171155
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, 1200 VField Stop II, 40 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | onsemi | Description: IGBT FS 1200V 160A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 536 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120FL2WG - IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 535 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WG Код товару: 165841
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | onsemi | IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3 | onsemi | onsemi IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 136 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/145ns Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 212 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W | на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 212nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | onsemi | IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A | на замовлення 839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 454 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 160 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 212nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG Код товару: 133614
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FLWG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, 1200 V, 40 A, FS1 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 130ns/385ns Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.6mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 415 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/360ns Switching Energy: 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 420 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 7725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/230ns Switching Energy: 950µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 384 W | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 454 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 160 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, Ultra Field stop - 1200V 40A, Low VCEsat | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 86 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/150ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG Код товару: 166585
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120L3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120LWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS1 Gen Mkt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 140ns/360ns Switching Energy: 5.5mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 420 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120S | onsemi | onsemi FSII 40A 1200V WELDING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120S3 | onsemi | onsemi IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120S3WG | ON Semiconductor | на замовлення 9034 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120S3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120S3WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 163 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 212 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120S3WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120S3WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120S3WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N120SWG Код товару: 162412
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N120SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 1200V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120SWG | onsemi | IGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N120SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N135IHR | onsemi | onsemi 1350V/40A IGBT FSII TO-24 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/250ns Switching Energy: 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | на замовлення 97915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35 Verlustleistung: 394 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1350V/40A IGBT FSII TO-24 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG Код товару: 168994
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/250ns Switching Energy: 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60FL2 | onsemi | onsemi 600V/40A FAST IGBT FSII T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60FL2WG Код товару: 171527
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N60FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 366 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60FLWG | onsemi | IGBTs IGBT 600V 40A FS1 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 85ns/174ns Switching Energy: 890µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 171 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 257 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns Switching Energy: 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60IHLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns Switching Energy: 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W | на замовлення 451312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | на замовлення 3570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 228 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 417 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 228 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 417 W | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG - 600V-40A FAST IGBT FSII T tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N60L2WG. | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 417 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 366 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | onsemi | IGBTs 650V/40A FAST IGBT FSII T | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 366 W | на замовлення 7134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 465 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/140ns Switching Energy: 360µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 300 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBTChip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 465 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/140ns Switching Energy: 360µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 300 W | на замовлення 10625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | onsemi | Description: IGBT 650V 40A Packaging: Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 405W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 74703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB40N65IHRTG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/40A MONOLITHIC RC IG | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHRWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 40A 650V MONOLITHIC RC IG | на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 405000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB40N65IHRWG | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Switching Energy: 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 405 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60S1WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 90A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 300 W | на замовлення 6737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB45N60S1WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60S1WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 90A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 300 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60S1WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors FSII 45A 600V Welding | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60S2 | onsemi | onsemi FSII 45A 600V WELDING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60S2WG | onsemi | Description: IGBT 45A 600V TO-247 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB45N60S2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60S2WG | onsemi | IGBT Transistors FSII 45A 600V Welding | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 90A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 376 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns Switching Energy: 550µJ (off) Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 134 nC Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60SWG | onsemi | IGBT Transistors 600V/45A IGBT FS1 TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB45N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 90A TO-247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 376 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns Switching Energy: 550µJ (off) Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 134 nC Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 250 W | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB45N60SWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB45N60SWG - NGTB45N60S - 600V-45A IGBT tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WAG | onsemi | IGBTs IGBT, 1200 V Field Stop II, 50 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WAG | onsemi | Description: NGTB50N120 - IGBT, 1200 V FIELD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 256 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 311 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 535 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N120FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/50A FAST IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 417 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 223 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FLWG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, 600 V, 50 A, FS1 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N60FWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N60FWG | onsemi | Description: IGBT 600V 100A 223W TO247 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60FWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N60FWG | onsemi | Description: IGBT 600V 100A 223W TO247 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | на замовлення 10950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60L2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 67 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 500 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60L2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60L2WG | ON Semiconductor | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB50N60L2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60S1WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 417 W | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N60S1WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB50N60S1WG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N60S1WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60S1WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 417 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 376 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 376 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 417000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WAG | onsemi | Description: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 417 W | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WAG Код товару: 154577
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WAG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/50 FAST IGBT FSII TO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WAG | onsemi | Description: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 417 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 220 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 417 W | на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WG | onsemi | IGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65S1WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, FSII, 650V, 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65S1WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB50N65S1WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 650V 140A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 75ns/128ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A Power - Max: 300 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB60N60SWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB60N60SWG - 600V-60A IGBT LPT TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB60N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 173 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 298 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB60N60SWG | onsemi | IGBT Transistors 600V/60A IGBT LPT TO-247 | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB60N60SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB60N60SWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 173 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 298 W | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB60N65FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 650V/60A FAST IGBT FSII | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB60N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB60N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 117ns/265ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 318 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 595 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB60N65FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG - IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB60N65FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB60N65FL2WG. | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG. - IGBT, 100 A, 1.64 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 595 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.64 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60FL2 | onsemi | onsemi 600V/75A FAST FSII TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60FL2WG | onsemi | Description: IGBT 600V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 595 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60FL2WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT, 600V 75A FS2 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60S | onsemi | onsemi FSII 75A 600V WELDING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60SWG | onsemi | Description: IGBT 75A 600V TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 595 W | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB75N60SWG Код товару: 184223
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB75N60SWG | onsemi | IGBT Transistors FSII 75A 600V Welding | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB75N60SWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60SWG | onsemi | Description: IGBT 75A 600V TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 595 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N60SWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB75N60SWG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WAG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT FSII TO | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WAG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WAG | onsemi | Description: IGBT FS 650V 200A TO-247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/157ns Switching Energy: 610µJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 536 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 595 W | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | onsemi | IGBTs IGBT, 650V 75A FS2 Solar/UPS | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB75N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13R120F2SWK | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13R120F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST RECTI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13R120F2SWK | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13R120F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST REC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13R120F2WP | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13R120F2WP | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13T65F2SWK | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13T65F2SWK | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13T65F2WP | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD13T65F2WP | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD14T65F2SWK | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD14T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD14T65F2SWK | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD14T65F2WP | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD14T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD14T65F2WP | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD15R65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD15R65F2SWK | ON Semiconductor | Diode Switching 650V 2-Pin Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD15R65F2SWK | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 650V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD15R65F2WP | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 650V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: Standard Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD15R65F2WP | onsemi | IGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIFIER UNSAWN WAFER SALES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD15R65F2WP | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 650V 2-Pin Die WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17R120F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST RECTI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17R120F2SWK | ON Semiconductor | Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17R120F2SWK | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17R120F2WP | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17R120F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST REC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17R120F2WP | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17T65F2SWK | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17T65F2SWK | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17T65F2WP | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 3-Pin Die WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 600V 40A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD17T65F2WP | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD20T120F2SWK | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD20T120F2SWK | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD20T120F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT | на замовлення 19069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD20T120F2WP | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD20T120F2WP | onsemi | IGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD20T120F2WP | onsemi | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD21T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD21T65F2SWK | ON Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | на замовлення 17461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD21T65F2WP | ON Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD21T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD23T120F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT DIE SALES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD23T120F2SWK | ON Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD23T120F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD28T65F2SWK | ON Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD28T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD28T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD28T65F2WP | ON Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD30T120F2SWK | ON Semiconductor | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD30T120F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT | на замовлення 7721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD30T120F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT | на замовлення 11254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD5R65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RECT | на замовлення 25376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD5R65F2SWK | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 650V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD5R65F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RE | на замовлення 32604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD8R65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECTIF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD8R65F2SWK | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 650V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD8R65F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECT | на замовлення 36220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD9R120F2SWK | ON Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD9R120F2SWK | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAST | на замовлення 39850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD9R120F2SWK | ON Semiconductor | Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die Container | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD9R120F2WP | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1.2KV 2-Pin Die WJAR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTD9R120F2WP | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAS | на замовлення 49753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTF2016M601TR5F | NIC Components | Gas Discharge Tubes 600VDC 5KADC 1pF Solder Pad SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG12N60TF1G | onsemi | IGBT Transistors 600V 12A IGBT TO-3PF | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 54000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | Description: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2 | onsemi | ON Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 294W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG15N120FL2WG. | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG. - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 294 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N60S1EG Код товару: 55979
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG15N60S1EG | onsemi | IGBT Transistors 15A 600V IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N60S1EG | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 88 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 117 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG20N60L2TF1G | onsemi | Description: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG20N60L2TF1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG20N60L2TF1G - IGBT, SINGLE, N CH, 600V, 40A, TO-3PF-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG20N60L2TF1G | onsemi | Description: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF Packaging: Bulk | на замовлення 17909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG20N60L2TF1G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG20N60L2TF1G | onsemi | Description: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG20N60L2TF1G | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG20N60L2TF1G | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG25N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 178 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 385 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG25N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG25N120FL2WG - IGBT, 1200V 25A SOLAR-UPS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 67378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG25N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 178 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 385 W | на замовлення 48084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG25N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG30N60FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG30N60FLWG | onsemi | IGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247 | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG30N60FLWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG30N60FLWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG30N60FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W | на замовлення 8660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG30N60FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG30N60FWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 600V/30A IGBT NPT TO-247 | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG30N60FWG | onsemi | Description: IGBT 600V 60A 167W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG30N60FWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG30N60FWG | ON Semiconductor | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG30N60FWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W | на замовлення 19945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 Solar/UPS | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | onsemi | Description: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off) Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG40N120FL2 | onsemi | onsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG40N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG40N120FL2WG - IGBT, 1.2KV, 80A, 175DEG C, 535W tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG40N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG40N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG40N120FL2WG | ON Semiconductor | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG40N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 223 W | на замовлення 4314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | onsemi | IGBTs IGBT, PFC, High Frequency, 50 A, 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG Код товару: 83454
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG50N60FLWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 223 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG50N60FWG | ON Semiconductor | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTG50N60FWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTG50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG50N60FWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 223 W | на замовлення 4257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTG50N60FWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTG50N60FWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 223 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTM2332M252TR05F | NIC Components | Surface Mount Gas Discharge Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |