Продукція > NGT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB03N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 9A 600V DPAK Power - Max: 49 W Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 17 nC Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Input Type: Standard Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB03N60R2DT4G | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB03N60R2DT4G | onsemi | IGBT Transistors RC2 IGBT 3A 600V DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB03N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 9A 600V DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 49 W Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 17 nC Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Input Type: Standard Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB05N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 5A 600V DPAK Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB05N60R2DT4G | ONN | на замовлення 1845 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB05N60R2DT4G | ON Semiconductor | IGBT Transistors RC2 IGBT 5A 600V DPAK | на замовлення 1828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 40W 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 40 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20 Bauform - Transistor: SC-67 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | onsemi | Description: IGBT 600V 20A TO-220F-3FS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220F-3FS Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60FG | onsemi | IGBT Transistors IGBT N-Channel, 600V, 10A, VCE(sat)=1.5V, TO-220F-3FS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB10N60R2DT4G | onsemi | Description: IGBT 600V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 48ns/120ns Switching Energy: 412µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 72 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 13835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ONSEMI | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 109nC Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 147W | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 41990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | onsemi | IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG Код товару: 172890
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
очікується: 10 шт
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 111090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FL2WG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W | на замовлення 69364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT, 1200 V, 15 A, FS1 Solar/UPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 15A TO247-3 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 15A TO247-3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120FLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IH | onsemi | onsemi LC IH RC OSV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG Код товару: 108636
Додати до обраних
Обраний товар
| ONS | Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | onsemi | IGBTs IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 30A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/165ns Switching Energy: 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 156 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHLWG | On Semiconductor | IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHR | onsemi | onsemi 1200V/15A RC IGBT FSII TO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 340µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 333 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/15A RC IGBT FSII TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG Код товару: 185531
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB15N120IHRWG - IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHTG | onsemi | Description: IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247 Part Status: Obsolete Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHTG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/15A 15A 1200V RC IG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/130ns Switching Energy: 360µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 278 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | onsemi | IGBT Transistors LC IH RC OSV | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120IHWG | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 229 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | onsemi | IGBTs 1200V/15A IGBT LPT TO-247 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB15N120LWG - IGBT, 1200V, 15A, FS1, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 930 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 229 W | на замовлення 4987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 30A TO-247 Power - Max: 357 W Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Gate Charge: 156 nC Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 420µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/170ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 30A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors IGBT 1350V 15A FS2-RC Induction Heating | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 30A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 420µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 156 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 357 W | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | On Semiconductor | TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 15A 600V IGBT | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB Power - Max: 117 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 80 nC Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Switching Energy: 900µJ (on), 300µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 78ns/130ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: TO-220AB Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | onsemi | Description: IGBT 600V 24A TO-220F-3FS Supplier Device Package: TO-220F-3FS Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Input Type: Standard Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Power - Max: 54 W Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 80 nC Test Condition: 300V, 15A, 30Ohm, 15V Switching Energy: 550µJ (on), 220µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 70ns/190ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 54W 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | On Semiconductor | IGBT 600V 24A 54W Through Hole TO-220F-3FS Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | IGBT Transistors RC2 IGBT 15A 600V | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60S1EG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB15N60S1EG | onsemi | IGBTs 15A 600V IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB15N60S1EG | onsemi | Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 117 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 88 nC Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: TO-220AB Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120FL2WG | ON Semiconductor | Description: IGBT 1200V 20A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHLWG | onsemi | IGBT Transistors IGBT 1200V 20A FS1 Induction Heating | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHLWG | On Semiconductor | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHLWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 Power - Max: 192 W Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 200 nC Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 700µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/235ns Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHR | onsemi | onsemi 1200V/20A RC IGBT FSII TO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG Код товару: 151548
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT FSII | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247 Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 225 nC Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 450µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/235ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 384 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB20N120IHSWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 20A TO247 Power - Max: 156 W Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 155 nC Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 650µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/160ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHSWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200/20A IGBT LPT TO-24 | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHTG | onsemi | IGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHTG | onsemi | Description: IGBT 1200V 20A TO247 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NGTB20N120IHWG - IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 174993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors LC IH RC OSV | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247 Power - Max: 341 W Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 150 nC Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 480µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/170ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 341000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N120IHWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247 Power - Max: 341 W Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 150 nC Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 480µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/170ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 174993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N120LWG | onsemi | Description: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 Gate Charge: 200 nC Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 3.1mJ (on), 700µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 86ns/235ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 192 W Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N120LWG | ON Semiconductor | IGBT Transistors 1200V/20A IGBT FSI TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHR | onsemi | onsemi 1350V/20A IGBT FSII TO-24 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/245ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | ON Semiconductor | на замовлення 14615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1350V 40A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/245ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 234 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 394 W | на замовлення 82981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NGTB20N135IHRWG | onsemi | IGBT Transistors 1350V/20A IGBT FSII TO-24 | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

