Продукція > NGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NGTB03N60R2DT4GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 9A 49000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB03N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 9A 600V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns
Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off)
Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 49 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB03N60R2DT4GonsemiIGBT Transistors RC2 IGBT 3A 600V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB03N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 9A 600V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/59ns
Switching Energy: 50µJ (on), 27µJ (off)
Test Condition: 300V, 3A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 49 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB05N60R2DT4GONN
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB05N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 5A 600V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB05N60R2DT4GON SemiconductorIGBT Transistors RC2 IGBT 5A 600V DPAK
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FGonsemiDescription: IGBT 600V 20A TO-220F-3FS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/145ns
Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FGonsemiIGBT Transistors IGBT N-Channel, 600V, 10A, VCE(sat)=1.5V, TO-220F-3FS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 40W 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60R2DT4GonsemiDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/120ns
Switching Energy: 412µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 72 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG
Код товару: 172890
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+296.12 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+334.18 грн
102+318.01 грн
500+300.76 грн
1000+274.43 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 111127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.08 грн
30+260.68 грн
120+218.36 грн
510+175.83 грн
1020+175.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+334.18 грн
102+318.01 грн
500+300.76 грн
1000+274.43 грн
10000+238.70 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+550.15 грн
10+367.67 грн
30+337.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+315.48 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 41990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.79 грн
10+462.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGonsemiIGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.88 грн
10+277.95 грн
120+223.94 грн
420+200.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.46 грн
10+295.04 грн
30+281.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 122520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+256.50 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+167.06 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+215.60 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 1200 V, 15 A, FS1 Solar/UPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHonsemionsemi LC IH RC OSV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/165ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 156 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHLWG
Код товару: 108636
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHLWGonsemiIGBTs IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.65 грн
10+109.30 грн
25+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRonsemionsemi 1200V/15A RC IGBT FSII TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+188.65 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG
Код товару: 185531
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWGON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB15N120IHRWG - IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+171.26 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+188.65 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+188.65 грн
500+178.95 грн
1000+168.17 грн
10000+152.81 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A RC IGBT FSII TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHTGonsemiDescription: IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHTGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A 15A 1200V RC IG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/130ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 278 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWGonsemiIGBT Transistors LC IH RC OSV
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.90 грн
10+212.00 грн
30+174.10 грн
120+148.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 278000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.63 грн
10+130.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB15N120LWG - IGBT, 1200V, 15A, FS1, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+145.53 грн
500+137.98 грн
1000+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+115.76 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+145.53 грн
500+137.98 грн
1000+130.44 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A IGBT LPT TO-247
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 229W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+145.53 грн
500+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N135IHRWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1350V 15A FS2-RC Induction Heating
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 420µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 156 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+141.14 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 30A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+215.60 грн
500+206.98 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 420µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 156 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60EGonsemiDescription: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 78ns/130ns
Switching Energy: 900µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60EGON SemiconductorIGBT Transistors 15A 600V IGBT
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60R2FGON SemiconductorIGBT Transistors RC2 IGBT 15A 600V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60R2FGonsemiDescription: IGBT 600V 24A TO-220F-3FS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220F-3FS
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/190ns
Switching Energy: 550µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 300V, 15A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 54 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60R2FGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 54W 3-Pin(3+Tab) TO-220F-3FS Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+94.42 грн
500+90.39 грн
Мінімальне замовлення: 343
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60S1EGonsemiIGBTs 15A 600V IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60S1EGonsemiDescription: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns
Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+121.81 грн
500+109.96 грн
1000+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120FL2WGON SemiconductorDescription: IGBT 1200V 20A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHLWGonsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 20A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHRonsemionsemi 1200V/20A RC IGBT FSII TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHRWGON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHRWG
Код товару: 151548
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 450µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHSWGON SemiconductorIGBT Transistors 1200/20A IGBT LPT TO-24
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHSWGonsemiDescription: IGBT 1200V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
Switching Energy: 650µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 156 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHTGonsemiIGBT Transistors 1200V/20A RC IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHTGonsemiDescription: IGBT 1200V 20A TO247
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 174993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+181.11 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHWGON SemiconductorIGBT Transistors LC IH RC OSV
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB20N120IHWG - IGBT, 40 A, 2.2 V, 341 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 174993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+201.53 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 341000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120IHWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 341 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/20A IGBT FSI TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N120LWGonsemiDescription: IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 86ns/235ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N135IHRonsemionsemi 1350V/20A IGBT FSII TO-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/245ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 82981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/20A IGBT FSII TO-24
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.23 грн
10+340.76 грн
120+242.38 грн
540+206.19 грн
1080+174.10 грн
2520+170.01 грн
5040+164.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/245ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 14615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorIGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.73 грн
10+130.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/193ns
Test Condition: 300V, 20A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 64 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WAG - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+425.36 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+190.08 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.02 грн
30+316.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGonsemiIGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+585.47 грн
10+337.62 грн
120+254.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 291570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+278.11 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 278691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.04 грн
30+278.43 грн
120+233.77 грн
510+190.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGonsemiIGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.17 грн
10+296.80 грн
120+216.43 грн
540+215.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 91ns/228ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 50A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWGonsemiIGBTs IGBT 1200V 25A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120LWGonsemiIGBT Transistors 1200/25A IGBT LPT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/235ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWGON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 1200V 50A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 452 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120FL2WG - TRANSISTOR, IGBT, 2V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+434.92 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.17 грн
10+551.98 грн
30+447.21 грн
120+399.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWGON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHRonsemionsemi 1200V/30A RC IGBT FSII TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHRWGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 384W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A RC IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120IHSWG - IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+159.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
на замовлення 5342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+148.60 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120L2WG - TRANSISTOR, IGBT, 1.7V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 534W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 560 W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+252.09 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Gen Mkt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 560 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRonsemionsemi 1350V/30A IGBT FSII TO-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHR1WG
Код товару: 129042
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHR1WGON SemiconductorIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHR1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.22 грн
10+363.53 грн
30+299.05 грн
120+258.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+223.03 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N140IHR3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 1400V 60A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N140IHR3WGonsemionsemi 1400V, 30A, IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode IGBT - 1400 V 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWGON SemiconductorDescription: IGBT 600V 60A 250W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWGON Semiconductor
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60FWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+226.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+198.03 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/30A IGBT FS1 IH TO-2
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+174.59 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60IHLWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+198.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.43 грн
30+194.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 600V 30A IGBT TO-247
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT FSI TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+175.24 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60SWG - 600V-30A IGBT FSI TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+191.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/30A FAST IGBT FSII T
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.61 грн
10+449.90 грн
120+312.70 грн
210+305.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+256.01 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2onsemionsemi 600V/35A FAST IGBT FSII T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGonsemiIGBT Transistors 600V/35A FAST IGBT FSII T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+274.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGonsemiIGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.26 грн
10+255.97 грн
120+162.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.36 грн
30+241.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+243.10 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2onsemionsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 1200V 160A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 536 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 536W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WAGonsemiIGBT Transistors IGBT, 1200 VField Stop II, 40 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WAGON Semiconductor
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WAG
Код товару: 171155
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGONN
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120FL2WG - IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGONN
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGonsemiIGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.39 грн
10+292.08 грн
120+191.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG
Код товару: 165841
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGONN
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.44 грн
30+270.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3onsemionsemi IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG
Код товару: 133614
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 21210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+302.29 грн
120+254.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.98 грн
3+433.11 грн
10+412.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/145ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.05 грн
30+240.68 грн
120+201.04 грн
510+161.41 грн
1020+159.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGonsemiIGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.03 грн
10+256.75 грн
120+163.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+591.57 грн
3+539.72 грн
10+495.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 21210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+281.83 грн
120+237.43 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 130ns/385ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 415 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FLWGonsemiIGBT Transistors IGBT, 1200 V, 40 A, FS1 Solar/UPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.02 грн
30+252.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120IHRWGON Semiconductor
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 120A 384000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120IHRWGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A RC IGBT FSII
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.01 грн
5+309.86 грн
10+307.47 грн
50+276.63 грн
100+246.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WGonsemiIGBTs IGBT, Ultra Field stop - 1200V 40A, Low VCEsat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WG
Код товару: 166585
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120L3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS1 Gen Mkt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/360ns
Switching Energy: 5.5mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120Sonsemionsemi FSII 40A 1200V WELDING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120S3onsemionsemi IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120S3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 163 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/145ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120S3WGON Semiconductor
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120S3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+346.04 грн
100+332.02 грн
500+318.01 грн
1000+290.02 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120S3WGonsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120S3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.51 грн
10+367.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120SWG
Код товару: 162412
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120SWGonsemiIGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 1200V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRonsemionsemi 1350V/40A IGBT FSII TO-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/40A IGBT FSII TO-24
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.94 грн
10+461.68 грн
30+379.61 грн
120+329.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 120A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 97876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+279.20 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWG
Код товару: 168994
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60FL2onsemionsemi 600V/40A FAST IGBT FSII T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns
Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 366 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60FL2WG
Код товару: 171527
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60FL2WGonsemiIGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 85ns/174ns
Switching Energy: 890µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 257 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60FLWGonsemiIGBTs IGBT 600V 40A FS1 Solar/UPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 451312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+181.53 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+338.49 грн
101+321.24 грн
500+305.07 грн
1000+277.55 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N60L2WG - 600V-40A FAST IGBT FSII T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+278.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60L2WGON Semiconductor
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+338.49 грн
101+321.24 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60L2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 228 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N60L2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns
Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 366 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WGonsemiIGBTs 650V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.29 грн
10+285.80 грн
120+211.66 грн
540+202.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 183W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/140ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.57 грн
10+242.27 грн
25+237.93 грн
100+218.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/140ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 10625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHRTGonsemiDescription: IGBT 650V 40A
Packaging: Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.55 грн
30+114.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHRTGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB40N65IHRTG - IGBT, 80 A, 1.55 V, 405 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 74703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+120.28 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHRTGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A MONOLITHIC RC IG
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHRWGON SemiconductorIGBT Transistors 40A 650V MONOLITHIC RC IG
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHRWGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Switching Energy: 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 405 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 90A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60S1WGON SemiconductorIGBT Transistors FSII 45A 600V Welding
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 90A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 11017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+106.92 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60S2onsemionsemi FSII 45A 600V WELDING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60S2WGonsemiIGBT Transistors FSII 45A 600V Welding
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60S2WGonsemiDescription: IGBT 45A 600V TO-247
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+141.91 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB45N60SWG - NGTB45N60S - 600V-45A IGBT
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+281.18 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 90A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 134 nC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/45A IGBT FS1 TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB45N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 90A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 134 nC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+207.25 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WAGonsemiIGBTs IGBT, 1200 V Field Stop II, 50 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WAGonsemiDescription: NGTB50N120 - IGBT, 1200 V FIELD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGONN
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/50A FAST IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGONN
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 256 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 118ns/282ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 311 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FLWGonsemiIGBTs IGBT, 600 V, 50 A, FS1 Solar/UPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+336.34 грн
102+319.09 грн
500+302.92 грн
1000+275.47 грн
10000+240.62 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+336.34 грн
102+319.09 грн
500+302.92 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+290.74 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+336.34 грн
102+319.09 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+254.81 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+336.34 грн
102+319.09 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGON Semiconductor
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+416.11 грн
100+395.63 грн
500+374.07 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+238.60 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N60S1WG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+285.96 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+300.76 грн
500+285.67 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+300.76 грн
500+285.67 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+282.44 грн
500+267.34 грн
1000+253.33 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+223.03 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+273.22 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAG
Код товару: 154577
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+191.72 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 160A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50 FAST IGBT FSII TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.92 грн
30+324.07 грн
120+272.53 грн
510+223.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGonsemiIGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.66 грн
10+310.93 грн
120+269.69 грн
600+227.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 208W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65S1WGonsemiIGBTs IGBT, FSII, 650V, 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65S1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 650V 140A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/128ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N60SWG - 600V-60A IGBT LPT TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+293.13 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/60A IGBT LPT TO-247
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/180ns
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 173 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+259.14 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/60A FAST IGBT FSII
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+904.09 грн
10+805.59 грн
120+579.66 грн
600+554.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/265ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 318 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 595 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG - IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+583.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB60N65FL2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG. - IGBT, 100 A, 1.64 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 595
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.64
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60FL2onsemionsemi 600V/75A FAST FSII TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60FL2WGonsemiIGBT Transistors IGBT, 600V 75A FS2 Solar/UPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60Sonsemionsemi FSII 75A 600V WELDING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N60SWG - IGBT, SINGLE, 600V, 100A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+313.84 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+282.62 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGonsemiDescription: IGBT 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWGonsemiIGBT Transistors FSII 75A 600V Welding
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.25 грн
10+420.07 грн
30+340.01 грн
120+303.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N60SWG
Код товару: 184223
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WAGON SemiconductorIGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT FSII TO
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 650V 200A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/157ns
Switching Energy: 610µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 536 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 265W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 265W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.35 грн
30+370.49 грн
120+314.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.01 грн
5+728.05 грн
10+720.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGonsemiIGBTs 650V/75A FAST FSII TO-247
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.87 грн
10+394.94 грн
90+304.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB75N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST RECTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN34 FAST REC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 30A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD13T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD14T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2WPonsemiDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Standard
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD15R65F2WPonsemiIGBT Transistors 650V/50A CC15 FAST RECTIFIER UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST RECTI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2WPON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A CJ61 FAST REC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 600V 40A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD17T65F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2SWKonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2WPonsemiIGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD20T120F2WPonsemiDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
на замовлення 17461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 45A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD21T65F2WPON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD23T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT DIE SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD23T120F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD23T120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A CJ52 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 650V 75A FS2 bare die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD28T65F2WPON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD30T120F2SWKON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD30T120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD30T120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
на замовлення 11254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD5R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD5R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RECT
на замовлення 25376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD5R65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC87 LOW VF RE
на замовлення 32604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD8R65F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECTIF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD8R65F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 650V DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD8R65F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 650V/40A CC14 FAST RECT
на замовлення 36220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD9R120F2SWKON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAST
на замовлення 39850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTD9R120F2WPON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/85A BR69 VERY FAS
на замовлення 49753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG12N60TF1GonsemiIGBT Transistors 600V 12A IGBT TO-3PF
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.53 грн
10+127.20 грн
120+86.71 грн
270+80.57 грн
450+73.06 грн
900+62.81 грн
2700+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG12N60TF1GON SemiconductorDescription: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2onsemiON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 294W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+184.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+203.74 грн
500+192.96 грн
1000+182.18 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+203.74 грн
500+192.96 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG.ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG15N120FL2WG. - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGonsemiIGBTs 15A 600V IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EG
Код товару: 55979
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGonsemiDescription: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 65ns/170ns
Switching Energy: 550µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 88 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N60S1EGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG20N60L2TF1G - IGBT, SINGLE, N CH, 600V, 40A, TO-3PF-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG20N60L2TF1GON SemiconductorIGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG25N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG25N120FL2WG - IGBT, 1200V 25A SOLAR-UPS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 67378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+234.19 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 48084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+199.95 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.66 грн
10+257.54 грн
30+210.97 грн
120+180.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG30N60FLWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+178.43 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+155.69 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/30A IGBT NPT TO-247
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.87 грн
10+161.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG30N60FWGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG35N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 19945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+159.88 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG35N65FL2WGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 Solar/UPS
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2onsemionsemi 1200V/40A FAST IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG40N120FL2WG - IGBT, 1.2KV, 80A, 175DEG C, 535W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGON Semiconductor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG40N120FL2WGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGonsemiIGBTs IGBT, PFC, High Frequency, 50 A, 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+293.22 грн
500+280.28 грн
1000+265.19 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG50N60FLWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+254.10 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG
Код товару: 83454
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG50N60FWG - IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+244.54 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGON Semiconductor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+211.36 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.