Продукція > SIZ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ200DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 33W On-state resistance: 7.7/7.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30/28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ200DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 61A; Idm: 130A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 33W On-state resistance: 7.7/7.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30/28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | Vishay | SIZ240DT-T1-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.00671 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 48 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3S Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00671 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.00671 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 5905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | Vishay | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 38 A, 0.01007 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 38 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3S Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01007 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S | на замовлення 34726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.87/18.11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.87/18.11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ254DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ254DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Bauform - Transistor: PowerPAIR Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds: 70V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm Dauer-Drainstrom Id: 32.5A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 33W SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 12995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ254DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) S | на замовлення 5862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ254DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 31.8 A, 0.0137 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70 Dauer-Drainstrom Id: 31.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 33 Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3S Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 Код товару: 185540 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 31.8 A, 0.0137 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 70 Dauer-Drainstrom Id: 31.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 33 Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3S Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ260DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S | на замовлення 2130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ260DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V | на замовлення 6631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ260DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ260DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) | на замовлення 5915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ260DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19.5A; 33W Drain-source voltage: 100V Drain current: 19.5A Polarisation: unipolar On-state resistance: 54.1/51.7mΩ Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 33W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate charge: 27nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.5 A, 0.0302 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19.5A; 33W Drain-source voltage: 100V Drain current: 19.5A Polarisation: unipolar On-state resistance: 54.1/51.7mΩ Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 33W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate charge: 27nC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) | на замовлення 11593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 19.5 A, 19.5 A, 0.0302 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0302ohm Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung, p-Kanal: 33W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0302ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 33W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0302ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 14050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual N-Ch 100V(D-S) | на замовлення 11077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT SIZ342DT-T1-GE3 | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 Код товару: 106566 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ300DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ320DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ320DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ320DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ320DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ320DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A/24.8A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 8145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 Код товару: 175930 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ328DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 5682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ328DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ328DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340ADT | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69.7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 11672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4/69.7A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 33.4/69.7A Pulsed drain current: 100...150A Power dissipation: 16.7/31W On-state resistance: 14.4/6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.9/12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 16485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 11672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4/69.7A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 33.4/69.7A Pulsed drain current: 100...150A Power dissipation: 16.7/31W On-state resistance: 14.4/6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.9/12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V | на замовлення 12300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V N-CHANNEL DUAL | на замовлення 22333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ340BDT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 6089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 31W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 31W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16.7W, 31W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 9854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 6879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | Vishay | N Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Dual N-Channel 30V | на замовлення 5451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4A; 16.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 33.4A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 14.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4A; 16.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 33.4A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 14.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 12085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342BDT-T1-GE3 | Vishay | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 15.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 3.6W, 4.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 18553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 3.6W, 4.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Part Status: Active | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 16.7W On-state resistance: 15.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ346DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 4258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ346DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16W, 16.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 3924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ346DT-T1-GE3 | Vishay | Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ346DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ346DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 16W, 16.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 4761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 | на замовлення 6106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) | на замовлення 7529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ700DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ700DT-T1-GE3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZ700DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ702DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ702DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ702DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20W, 30W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PowerPair™ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.4A/14A 6-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ704DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ704DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20W, 30W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PowerPair™ | на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ704DT-T1-GE3 | VISHAY | QFN | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ710DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR | на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7 | на замовлення 3609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 16A/30A 6-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ720DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ720DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ728DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ728DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ730DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ730DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7 | на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ730DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16A/35A 6-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ730DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7 | на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A/23.4A 6-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 | на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W, 66W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 29/66W On-state resistance: 14.5/8.3mΩ Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Gate charge: 21/65nC Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50...80A Drain current: 16A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 29/66W On-state resistance: 14.5/8.3mΩ Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Gate charge: 21/65nC Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50...80A Drain current: 16A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W, 66W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A/14.5A 8-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ904DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR | на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR | на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ914DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZ914DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ914DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ914DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 | на замовлення 4736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W, 100W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W, 100W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 21962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ918DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 39W, 100W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 39W, 100W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ920DT-T1-GE3 Код товару: 118521 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.2W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ926DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5 | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.2W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ926DT-T1-GE3 | Vishay | Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky On-state resistance: 7.12/1.72mΩ Power dissipation: 20/66W Polarisation: unipolar Drain current: 54.8/197A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Gate charge: 18/79nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 90...130A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm Verlustleistung, p-Kanal: 66W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 66W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5 | на замовлення 15724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky On-state resistance: 7.12/1.72mΩ Power dissipation: 20/66W Polarisation: unipolar Drain current: 54.8/197A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Gate charge: 18/79nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 90...130A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 13638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 Код товару: 173623 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm Verlustleistung, p-Kanal: 66W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 66W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20W, 66W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20W, 66W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 7163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky On-state resistance: 10/2.2mΩ Power dissipation: 20/66W Polarisation: unipolar Drain current: 20/60A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Gate charge: 18/77nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 90...130A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 66 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 | на замовлення 3242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky On-state resistance: 10/2.2mΩ Power dissipation: 20/66W Polarisation: unipolar Drain current: 20/60A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Gate charge: 18/77nC Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 90...130A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ988DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.2W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ988DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 | на замовлення 4843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ988DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.2W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active | на замовлення 10248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998BDT | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998BDT | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 17917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2) | на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 | на замовлення 3538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.2W, 32.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20/60A Pulsed drain current: 90...130A Power dissipation: 20.2/32.9W On-state resistance: 10/3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18/44.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20/60A Pulsed drain current: 90...130A Power dissipation: 20.2/32.9W On-state resistance: 10/3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18/44.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.2W, 32.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 13250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZA20 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZA60 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZAL20 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZAL20/L291 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZAS4 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZB | SHINDENGEN | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
SIZB20 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZB20/Z27N | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZB40 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZB4072 | на замовлення 344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZB60 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZB60-7072 | на замовлення 2774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
SIZE 5 COAX PC TERM BKW | ITT | SIZE 5 COAX PC TERM BKW | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF300DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF300DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF300DT-T1-GE3 | Vishay | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF300DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3 | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF360DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PowerPair™ Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF360DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC | на замовлення 5936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF360DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PowerPair™ Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF360DT-T1-GE3 | Vishay | N Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF4800LDT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30 V PWRPAIR3X3FS | на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF4800LDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF4800LDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5300DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK | на замовлення 9936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5300DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active | на замовлення 5314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W | на замовлення 14725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active | на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK | на замовлення 10599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 14725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3-X | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF640DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET | на замовлення 12050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | VISHAY | SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F | на замовлення 5804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | на замовлення 28356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30-V (D-S) W/SCHOTT | на замовлення 23778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906BDT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 257A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung, p-Kanal: 83W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF906DT-T1-GE3 Код товару: 186042 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
SiZF906DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SiZF906DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5 | на замовлення 8964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SiZF906DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 16133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SiZF906DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF914DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF914DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF914DT-T1-GE3 | Vishay | Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF914DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF916DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 23A/45A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF916DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF916DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 900 µohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky Betriebswiderstand, Rds(on): 900 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF916DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH DUAL 30V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH DUAL 30V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF916DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF918DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF918DT-T1-GE3 | VISHAY | SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF918DT-T1-GE3 | Vishay | Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF918DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 5957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF918DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F | на замовлення 7305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F | на замовлення 11386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 11890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF928DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF928DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 6064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
SIZF928DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|