НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SIZ200DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ200DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ200DT-T1-GE3VISHAYSIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ200DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ200DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
на замовлення 13657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.33 грн
10+60.27 грн
100+43.23 грн
500+36.19 грн
1000+32.06 грн
3000+28.23 грн
6000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3VISHAYSIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3VishayDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 8305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.83 грн
10+95.91 грн
25+82.64 грн
100+55.63 грн
500+46.67 грн
1000+38.10 грн
3000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.32 грн
10+97.85 грн
100+66.61 грн
500+51.57 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3VishaySIZ240DT-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3VishayTransistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ240DT-T1-GE3VishayDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ250DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.72 грн
50+77.68 грн
100+60.51 грн
500+47.58 грн
1500+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ250DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ250DT-T1-GE3VISHAYSIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ250DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 11663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.26 грн
10+81.46 грн
100+54.63 грн
500+40.61 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ250DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.51 грн
500+47.58 грн
1500+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ250DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S
на замовлення 34949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.72 грн
10+81.66 грн
100+53.71 грн
500+42.85 грн
1000+38.03 грн
3000+34.28 грн
6000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ250DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.06 грн
6000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ254DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 4146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.05 грн
10+84.72 грн
100+56.82 грн
500+42.09 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ254DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.02 грн
11+80.08 грн
100+59.05 грн
500+44.63 грн
1000+36.64 грн
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ254DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPR N CHAN 70V
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.62 грн
10+79.02 грн
100+48.28 грн
500+41.93 грн
1000+37.26 грн
3000+33.21 грн
6000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ254DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.49 грн
10+93.56 грн
100+61.46 грн
500+41.76 грн
1000+35.68 грн
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3
Код товару: 185540
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPR N CHAN 70V
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.58 грн
10+70.83 грн
100+46.52 грн
500+39.25 грн
1000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.19 грн
500+38.58 грн
1000+32.89 грн
5000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3VISHAYSIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 13846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.46 грн
10+77.63 грн
100+52.07 грн
500+38.57 грн
1000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.59 грн
50+70.90 грн
100+57.16 грн
500+44.63 грн
1500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3VISHAYSIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.37 грн
6000+30.84 грн
9000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.44 грн
10+85.26 грн
100+53.71 грн
500+42.69 грн
1000+37.95 грн
3000+34.13 грн
9000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.16 грн
500+44.63 грн
1500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.5 A, 0.0302 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3VISHAYSIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
на замовлення 11593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+81.54 грн
100+63.44 грн
500+50.47 грн
1000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 100V(D-S)
на замовлення 9808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.54 грн
10+80.60 грн
100+52.11 грн
500+45.53 грн
1000+44.76 грн
3000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 19.5 A, 19.5 A, 0.0302 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0302ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0302ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.00 грн
12+72.79 грн
100+55.71 грн
500+40.57 грн
1000+35.46 грн
5000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.83 грн
6000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.70 грн
10+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3
Код товару: 106566
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3VISHAYSIZ300DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ300DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.44 грн
10+82.36 грн
500+60.22 грн
1000+49.05 грн
3000+31.68 грн
6000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3VISHAYSIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.72 грн
10+69.78 грн
100+46.52 грн
500+36.80 грн
1000+29.46 грн
3000+26.63 грн
6000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.23 грн
16+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 17.2A/24.8A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.32 грн
10+62.57 грн
100+43.29 грн
500+33.94 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 61170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.02 грн
10+62.39 грн
100+37.57 грн
500+31.37 грн
1000+26.78 грн
3000+23.80 грн
6000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3
Код товару: 175930
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.45 грн
6000+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.26 грн
500+33.55 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.10 грн
14+62.40 грн
100+43.26 грн
500+33.55 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.04 грн
10+55.87 грн
100+38.70 грн
500+30.34 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ322DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ328DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.80 грн
10+50.13 грн
100+34.73 грн
500+26.07 грн
1000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ328DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ328DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.05 грн
10+62.65 грн
100+34.81 грн
500+29.99 грн
1000+27.39 грн
3000+25.48 грн
6000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADTVishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.58 грн
16+55.36 грн
100+41.97 грн
500+37.78 грн
1000+33.92 грн
5000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.94 грн
10+64.64 грн
100+50.28 грн
500+40.00 грн
1000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V
на замовлення 10323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.21 грн
10+71.10 грн
100+48.13 грн
500+40.78 грн
1000+33.21 грн
3000+31.22 грн
6000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4/69.7A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33.4/69.7A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.4/6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.9/12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4/69.7A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33.4/69.7A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.4/6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.9/12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.68 грн
25+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69.3A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36/69.3A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.03/6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5/12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.44 грн
16+54.59 грн
100+36.48 грн
500+27.18 грн
1000+19.42 грн
5000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69.3A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36/69.3A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.03/6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5/12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.56 грн
10+53.40 грн
100+35.03 грн
500+25.46 грн
1000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.17 грн
6000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 16.9A
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.96 грн
10+53.23 грн
100+30.30 грн
500+23.49 грн
1000+21.35 грн
3000+18.67 грн
6000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.48 грн
500+27.18 грн
1000+19.42 грн
5000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT HSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT LSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.7/7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+33.13 грн
367+33.04 грн
398+30.44 грн
403+29.05 грн
500+26.52 грн
1000+25.08 грн
3000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 366
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.54 грн
15+58.11 грн
100+44.20 грн
500+35.71 грн
1000+27.22 грн
5000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.63 грн
10+64.24 грн
100+44.11 грн
500+33.61 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.7/7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 17681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.80 грн
10+56.14 грн
100+37.19 грн
500+31.06 грн
1000+28.31 грн
3000+24.71 грн
6000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.31 грн
20+35.50 грн
25+35.40 грн
100+31.44 грн
250+28.82 грн
500+27.28 грн
1000+26.88 грн
3000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3VishayN Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.08 грн
18+48.58 грн
100+35.62 грн
500+26.14 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3VISHAYSIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Dual N-Channel 30V
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.01 грн
10+47.87 грн
100+30.68 грн
500+26.93 грн
1000+23.87 грн
3000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.70 грн
10+56.27 грн
100+37.11 грн
500+27.09 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342BDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 15.4A
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.16 грн
10+55.70 грн
100+31.91 грн
500+25.33 грн
1000+24.94 грн
3000+21.12 грн
9000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342BDT-T1-GE3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.73 грн
10+56.59 грн
100+39.32 грн
500+29.60 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.46 грн
6000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.91 грн
10+59.31 грн
100+40.17 грн
500+34.05 грн
1000+27.77 грн
3000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.41 грн
500+30.37 грн
1000+24.20 грн
5000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.71 грн
6000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.02 грн
12+72.53 грн
100+48.15 грн
500+29.73 грн
1000+21.92 грн
5000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.13 грн
6000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342DT-T1-GE3VISHAYSIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.73 грн
10+52.68 грн
100+34.52 грн
500+25.08 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3VishayDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3VISHAYSIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.70 грн
10+50.33 грн
100+29.84 грн
500+24.26 грн
1000+21.19 грн
3000+19.51 грн
6000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VISHAYSIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.19 грн
329+36.82 грн
333+36.46 грн
336+34.80 грн
500+31.90 грн
1000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.55 грн
10+69.69 грн
100+43.31 грн
500+37.49 грн
1000+33.44 грн
3000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.60 грн
10+65.75 грн
100+51.15 грн
500+40.69 грн
1000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+99.17 грн
10+88.33 грн
25+87.46 грн
100+65.75 грн
250+60.26 грн
500+47.51 грн
1000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+103.98 грн
118+102.96 грн
150+81.03 грн
200+74.07 грн
500+58.83 грн
1000+44.22 грн
2000+41.65 грн
6000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.53 грн
6000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.61 грн
500+37.14 грн
1000+27.52 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.77 грн
10+64.96 грн
100+50.52 грн
500+40.19 грн
1000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3VISHAYSIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.16 грн
10+67.67 грн
100+44.61 грн
500+36.04 грн
1000+33.13 грн
3000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.72 грн
12+73.39 грн
100+49.61 грн
500+37.14 грн
1000+27.52 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ700DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ700DT-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ700DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.4A/14A 6-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3VISHAYSIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.50 грн
10+75.08 грн
100+50.25 грн
500+37.14 грн
1000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ704DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3VISHAYSIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.08 грн
10+87.19 грн
100+67.78 грн
500+53.92 грн
1000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 3609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.41 грн
10+80.07 грн
100+56.85 грн
500+50.04 грн
1000+43.00 грн
3000+41.16 грн
6000+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 16A/30A 6-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.75 грн
6000+41.96 грн
9000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ720DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ720DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ728DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ728DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.04 грн
10+53.48 грн
100+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A/35A 6-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ730DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 5506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ790DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.9A/23.4A 6-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W
Case: PowerPAIR® 3x3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21/65nC
On-state resistance: 14.5/8.3mΩ
Power dissipation: 29/66W
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50...80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W
Case: PowerPAIR® 3x3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21/65nC
On-state resistance: 14.5/8.3mΩ
Power dissipation: 29/66W
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50...80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.78 грн
10+95.48 грн
100+64.56 грн
500+48.15 грн
1000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.22 грн
10+98.55 грн
100+57.69 грн
500+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ902DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3VISHAYSIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ904DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A/14.5A 8-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ910DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ914DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ916DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ916DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.70 грн
10+128.75 грн
100+88.41 грн
500+64.88 грн
1000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.58 грн
10+112.63 грн
100+78.04 грн
250+76.51 грн
500+65.19 грн
1000+55.86 грн
3000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 20297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.50 грн
10+120.43 грн
100+82.27 грн
500+61.88 грн
1000+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.41 грн
500+64.88 грн
1000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3VISHAYSIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3
Код товару: 118521
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.08 грн
10+82.36 грн
100+50.27 грн
500+45.07 грн
1000+38.87 грн
3000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3VISHAYSIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3VishayDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+88.87 грн
100+59.76 грн
500+44.37 грн
1000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 13593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.60 грн
10+85.68 грн
100+60.65 грн
500+46.43 грн
1000+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.11 грн
500+53.08 грн
1000+44.36 грн
5000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3
Код товару: 173623
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 14982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.50 грн
10+97.67 грн
100+67.10 грн
500+55.40 грн
1000+48.36 грн
3000+48.05 грн
9000+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.50 грн
10+110.72 грн
100+78.11 грн
500+53.08 грн
1000+44.36 грн
5000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980BDT-T1-GE3VISHAYSIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.93 грн
10+105.59 грн
100+62.05 грн
500+49.50 грн
1000+46.44 грн
3000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.54 грн
10+102.10 грн
100+69.28 грн
500+51.82 грн
1000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VISHAYSIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.59 грн
11+82.74 грн
100+63.95 грн
500+46.94 грн
1000+38.04 грн
5000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 10248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.94 грн
10+91.34 грн
100+71.22 грн
500+55.21 грн
1000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.95 грн
500+46.94 грн
1000+38.04 грн
5000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.76 грн
10+82.62 грн
100+55.86 грн
500+47.36 грн
1000+38.56 грн
3000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ988DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDTVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDTVishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2)
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.11 грн
10+42.59 грн
100+28.85 грн
500+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.35 грн
6000+26.92 грн
9000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.74 грн
500+30.53 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 17917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.35 грн
10+55.95 грн
100+43.49 грн
500+34.59 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.09 грн
100+39.74 грн
500+30.53 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.67 грн
10+109.87 грн
100+74.33 грн
500+50.45 грн
1000+43.48 грн
5000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VISHAYSIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.29 грн
10+93.41 грн
100+63.23 грн
500+47.21 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.33 грн
500+50.45 грн
1000+43.48 грн
5000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.68 грн
10+101.19 грн
100+59.45 грн
500+47.21 грн
1000+45.76 грн
3000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZA20
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZA60
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZAL20
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZAL20/L291
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZAS4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZBSHINDENGEN
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB20/Z27N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB40
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB4072
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB60
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB60-7072
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 0 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 12 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 16 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 20 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 4 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 5 COAX PC TERM BKWITTSIZE 5 COAX PC TERM BKW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40632.87 грн
2+40285.15 грн
3+38780.50 грн
5+36219.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 8 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.87 грн
10+72.29 грн
100+56.25 грн
500+44.75 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.14 грн
20+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+95.03 грн
100+64.27 грн
500+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VISHAYSIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.40 грн
10+121.43 грн
100+91.82 грн
250+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3VishayN Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.04 грн
10+110.87 грн
100+67.79 грн
500+53.87 грн
1000+51.72 грн
3000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3VishayDual N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAIR FS 3 x 3, 19 m @ 10V, 23.8 m @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.24 грн
10+116.73 грн
100+84.80 грн
500+57.55 грн
1000+50.32 грн
5000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.88 грн
10+91.74 грн
100+65.06 грн
500+49.94 грн
1000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.80 грн
500+57.55 грн
1000+50.32 грн
5000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.14 грн
500+70.46 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.12 грн
10+135.62 грн
100+102.14 грн
500+70.46 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.14 грн
10+135.51 грн
100+94.11 грн
250+93.35 грн
3000+78.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 5314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.95 грн
10+123.14 грн
100+98.03 грн
500+77.85 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 28.1A
на замовлення 8772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.14 грн
10+95.91 грн
100+62.05 грн
500+52.72 грн
1000+51.72 грн
3000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.27 грн
500+70.46 грн
1000+54.88 грн
5000+53.56 грн
10000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.64 грн
10+116.73 грн
100+89.27 грн
500+70.46 грн
1000+54.88 грн
5000+53.56 грн
10000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.99 грн
10+122.10 грн
100+83.50 грн
500+62.84 грн
1000+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3-XVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF640DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAIR6X5 2NCH 40V 41A
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.37 грн
10+188.30 грн
100+120.89 грн
500+107.12 грн
1000+91.82 грн
3000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.54 грн
10+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3VISHAYSIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+53.15 грн
232+52.34 грн
236+51.51 грн
250+48.89 грн
500+44.53 грн
1000+42.04 грн
3000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+57.83 грн
13+56.95 грн
25+56.07 грн
100+53.22 грн
250+48.50 грн
500+45.80 грн
1000+45.04 грн
3000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
на замовлення 22279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.71 грн
10+131.91 грн
100+90.72 грн
500+68.60 грн
1000+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+58.09 грн
25+57.91 грн
50+55.75 грн
100+49.63 грн
250+47.63 грн
500+46.35 грн
1000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPR N CHAN 30V
на замовлення 23256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.03 грн
10+110.87 грн
100+73.68 грн
500+68.79 грн
1000+63.58 грн
3000+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+54.22 грн
225+53.96 грн
234+50.03 грн
250+46.31 грн
500+43.26 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.18 грн
50+99.57 грн
250+87.55 грн
1000+66.31 грн
3000+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3VishayMOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/ SCHOT
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.32 грн
10+113.51 грн
100+68.40 грн
500+58.00 грн
1000+50.58 грн
3000+43.00 грн
9000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.57 грн
250+87.55 грн
1000+66.31 грн
3000+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3
Код товару: 186042
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.67 грн
10+95.72 грн
100+74.47 грн
500+59.24 грн
1000+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3VISHAYSIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.01 грн
10+108.23 грн
100+73.30 грн
500+61.67 грн
1000+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.27 грн
6000+46.10 грн
9000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF914DT-T1-GE3VISHAYSIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF914DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.58 грн
10+92.39 грн
100+67.79 грн
500+56.47 грн
1000+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF914DT-T1-GE3VishayDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.74 грн
10+116.68 грн
100+90.95 грн
500+70.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23A/45A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF916DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 900 µohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3VISHAYSIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.93 грн
10+105.59 грн
100+62.28 грн
1000+57.08 грн
3000+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF918DT-T1-GE3VishayDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.02 грн
10+103.86 грн
100+81.03 грн
500+61.77 грн
1000+42.23 грн
5000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF918DT-T1-GE3VISHAYSIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF918DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 5283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.36 грн
10+103.83 грн
100+60.91 грн
500+48.51 грн
1000+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF918DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
на замовлення 11012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.97 грн
10+107.35 грн
100+78.04 грн
250+75.44 грн
500+68.71 грн
1000+61.59 грн
3000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+117.53 грн
10+106.24 грн
25+103.08 грн
100+86.18 грн
250+78.91 грн
500+68.84 грн
1000+60.83 грн
3000+58.90 грн
6000+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF920DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.58 грн
10+129.44 грн
100+88.75 грн
500+66.97 грн
1000+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.67 грн
10+104.73 грн
100+71.40 грн
500+53.63 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.33 грн
10+97.85 грн
100+72.96 грн
500+53.88 грн
1000+44.95 грн
5000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAIR6X5 2NCH 30V 33A
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.00 грн
10+116.15 грн
100+69.09 грн
500+54.94 грн
1000+52.87 грн
3000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.96 грн
500+53.88 грн
1000+44.95 грн
5000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.