Продукція > SIZ

SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

на замовлення 13657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.33 грн
10+	60.27 грн
100+	43.23 грн
500+	36.19 грн
1000+	32.06 грн
3000+	28.23 грн
6000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ200DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ200DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 8305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.83 грн
10+	95.91 грн
25+	82.64 грн
100+	55.63 грн
500+	46.67 грн
1000+	38.10 грн
3000+	35.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ240DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 0.00671 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00671ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00671ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.32 грн
10+	97.85 грн
100+	66.61 грн
500+	51.57 грн
1000+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	88.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ240DT-T1-GE3

SIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ250DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ250DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.01007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.72 грн
50+	77.68 грн
100+	60.51 грн
500+	47.58 грн
1500+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIZ250DT-T1-GE3

SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

на замовлення 11663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.26 грн
10+	81.46 грн
100+	54.63 грн
500+	40.61 грн
1000+	36.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ250DT-T1-GE3

на замовлення 14464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.51 грн
500+	47.58 грн
1500+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ250DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S

на замовлення 34949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.72 грн
10+	81.66 грн
100+	53.71 грн
500+	42.85 грн
1000+	38.03 грн
3000+	34.28 грн
6000+	33.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ250DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 14A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V, 790pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 10A, 10V, 12.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.06 грн
6000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ250DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ254DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ254DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 6951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.02 грн
11+	80.08 грн
100+	59.05 грн
500+	44.63 грн
1000+	36.64 грн
5000+	32.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIZ254DT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 70V

на замовлення 3841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.62 грн
10+	79.02 грн
100+	48.28 грн
500+	41.93 грн
1000+	37.26 грн
3000+	33.21 грн
6000+	32.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ254DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ254DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 70V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active

на замовлення 4146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.05 грн
10+	84.72 грн
100+	56.82 грн
500+	42.09 грн
1000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ256DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 70 V, 31.8 A, 31.8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 70V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 31.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 70V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.19 грн
500+	38.58 грн
1000+	32.89 грн
5000+	29.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 70V 11.5A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3
Код товару: 185540

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

на замовлення 5830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.49 грн
10+	93.56 грн
100+	61.46 грн
500+	41.76 грн
1000+	35.68 грн
5000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIZ256DT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 70V

на замовлення 2184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	70.83 грн
100+	46.52 грн
500+	39.25 грн
1000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ260DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ260DT-T1-GE3

SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ260DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.37 грн
6000+	30.84 грн
9000+	30.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ260DT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S

на замовлення 7205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.44 грн
10+	85.26 грн
100+	53.71 грн
500+	42.69 грн
1000+	37.95 грн
3000+	34.13 грн
9000+	33.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ260DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 13613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.16 грн
500+	44.63 грн
1500+	35.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ260DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V

на замовлення 13846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.46 грн
10+	77.63 грн
100+	52.07 грн
500+	38.57 грн
1000+	35.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ260DT-T1-GE3

на замовлення 13613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.59 грн
50+	70.90 грн
100+	57.16 грн
500+	44.63 грн
1500+	35.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

на замовлення 11593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	81.54 грн
100+	63.44 грн
500+	50.47 грн
1000+	41.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ270DT-T1-GE3

MOSFETs Dual N-Ch 100V(D-S)

на замовлення 9808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.54 грн
10+	80.60 грн
100+	52.11 грн
500+	45.53 грн
1000+	44.76 грн
3000+	40.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 19.5 A, 19.5 A, 0.0302 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0302ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0302ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.00 грн
12+	72.79 грн
100+	55.71 грн
500+	40.57 грн
1000+	35.46 грн
5000+	33.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIZ270DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.83 грн
6000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ270DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ270DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.5 A, 0.0302 ohm, PowerPAIR 3 x 3S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ270DT-T1-GE3

SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	80.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3
Код товару: 106566

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SIZ3

на замовлення 1546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.44 грн
10+	82.36 грн
500+	60.22 грн
1000+	49.05 грн
3000+	31.68 грн
6000+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ320DT-T1-GE3

SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ320DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A/24.8A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ320DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 3904 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.72 грн
10+	69.78 грн
100+	46.52 грн
500+	36.80 грн
1000+	29.46 грн
3000+	26.63 грн
6000+	26.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ320DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ320DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.00353 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00353ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	85.23 грн
16+	57.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	62.57 грн
100+	43.29 грн
500+	33.94 грн
1000+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ320DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ320DT-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.45 грн
6000+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ322DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00529ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00529ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.26 грн
500+	33.55 грн
1000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	27.31 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.10 грн
14+	62.40 грн
100+	43.26 грн
500+	33.55 грн
1000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.04 грн
10+	55.87 грн
100+	38.70 грн
500+	30.34 грн
1000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 61170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.02 грн
10+	62.39 грн
100+	37.57 грн
500+	31.37 грн
1000+	26.78 грн
3000+	23.80 грн
6000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ322DT-T1-GE3
Код товару: 175930

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 4490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.05 грн
10+	62.65 грн
100+	34.81 грн
500+	29.99 грн
1000+	27.39 грн
3000+	25.48 грн
6000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ328DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.80 грн
10+	50.13 грн
100+	34.73 грн
500+	26.07 грн
1000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 16381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.94 грн
10+	64.64 грн
100+	50.28 грн
500+	40.00 грн
1000+	32.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V

на замовлення 10323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.21 грн
10+	71.10 грн
100+	48.13 грн
500+	40.78 грн
1000+	33.21 грн
3000+	31.22 грн
6000+	29.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33.4/69.7A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33.4/69.7A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.4/6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.9/12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 11672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.7A/25.4A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	37.68 грн
25+	37.05 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIZ340ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 0.00357 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00357ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00357ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.58 грн
16+	55.36 грн
100+	41.97 грн
500+	37.78 грн
1000+	33.92 грн
5000+	33.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69.3A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36/69.3A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 14.03/6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5/12.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 7463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.56 грн
10+	53.40 грн
100+	35.03 грн
500+	25.46 грн
1000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 69.3 A, 69.3 A, 0.00359 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 69.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 69.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00359ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00359ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.48 грн
500+	27.18 грн
1000+	19.42 грн
5000+	17.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 7010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.17 грн
6000+	19.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 16.9A

на замовлення 8228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.96 грн
10+	53.23 грн
100+	30.30 грн
500+	23.49 грн
1000+	21.35 грн
3000+	18.67 грн
6000+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A/25.3A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340BDT-T1-GE3

на замовлення 8113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66.44 грн
16+	54.59 грн
100+	36.48 грн
500+	27.18 грн
1000+	19.42 грн
5000+	17.80 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT HS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT LS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A/22.6A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ340DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 31W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 31W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.54 грн
15+	58.11 грн
100+	44.20 грн
500+	35.71 грн
1000+	27.22 грн
5000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

366+	33.13 грн
367+	33.04 грн
398+	30.44 грн
403+	29.05 грн
500+	26.52 грн
1000+	25.08 грн
3000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 366

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.63 грн
10+	64.24 грн
100+	44.11 грн
500+	33.61 грн
1000+	30.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30/40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 100...150A
Power dissipation: 16.7/31W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.7/7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 17681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.80 грн
10+	56.14 грн
100+	37.19 грн
500+	31.06 грн
1000+	28.31 грн
3000+	24.71 грн
6000+	23.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A/40A T/R

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	38.31 грн
20+	35.50 грн
25+	35.40 грн
100+	31.44 грн
250+	28.82 грн
500+	27.28 грн
1000+	26.88 грн
3000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIZ340DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342ADT-T1-GE3

SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ342ADT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Channel 30V

на замовлення 5351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.01 грн
10+	47.87 грн
100+	30.68 грн
500+	26.93 грн
1000+	23.87 грн
3000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	56.27 грн
100+	37.11 грн
500+	27.09 грн
1000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ342ADT-T1-GE3

N Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 0.0078 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0078ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0078ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.08 грн
18+	48.58 грн
100+	35.62 грн
500+	26.14 грн
1000+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SIZ342ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342BDT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 15.4A

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	55.70 грн
100+	31.91 грн
500+	25.33 грн
1000+	24.94 грн
3000+	21.12 грн
9000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ342BDT-T1-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.71 грн
6000+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ342DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0084ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.02 грн
12+	72.53 грн
100+	48.15 грн
500+	29.73 грн
1000+	21.92 грн
5000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.13 грн
6000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

SIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3.6W, 4.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

на замовлення 12104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.73 грн
10+	56.59 грн
100+	39.32 грн
500+	29.60 грн
1000+	27.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.46 грн
6000+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.91 грн
10+	59.31 грн
100+	40.17 грн
500+	34.05 грн
1000+	27.77 грн
3000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

на замовлення 5499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.41 грн
500+	30.37 грн
1000+	24.20 грн
5000+	20.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ342DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ346DT-T1-GE3

SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ346DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 5800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.70 грн
10+	50.33 грн
100+	29.84 грн
500+	24.26 грн
1000+	21.19 грн
3000+	19.51 грн
6000+	18.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIZ346DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ346DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.73 грн
10+	52.68 грн
100+	34.52 грн
500+	25.08 грн
1000+	22.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.60 грн
10+	65.75 грн
100+	51.15 грн
500+	40.69 грн
1000+	33.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	99.17 грн
10+	88.33 грн
25+	87.46 грн
100+	65.75 грн
250+	60.26 грн
500+	47.51 грн
1000+	37.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	103.98 грн
118+	102.96 грн
150+	81.03 грн
200+	74.07 грн
500+	58.83 грн
1000+	44.22 грн
2000+	41.65 грн
6000+	38.83 грн

Мінімальне замовлення: 117

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.53 грн
6000+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

326+	37.19 грн
329+	36.82 грн
333+	36.46 грн
336+	34.80 грн
500+	31.90 грн
1000+	30.30 грн

Мінімальне замовлення: 326

В кошику од. на суму грн.

SIZ348DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 4229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.55 грн
10+	69.69 грн
100+	43.31 грн
500+	37.49 грн
1000+	33.44 грн
3000+	32.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ350DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ350DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.00563 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00563ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00563ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 7345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.61 грн
500+	37.14 грн
1000+	27.52 грн
5000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 7529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.77 грн
10+	64.96 грн
100+	50.52 грн
500+	40.19 грн
1000+	32.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ350DT-T1-GE3

на замовлення 7345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.72 грн
12+	73.39 грн
100+	49.61 грн
500+	37.14 грн
1000+	27.52 грн
5000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIZ350DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

на замовлення 5830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	67.67 грн
100+	44.61 грн
500+	36.04 грн
1000+	33.13 грн
3000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ350DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ350DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIZ710DT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ700DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ700DT-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ702DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ702DT-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ704DT-T1-GE3

SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 6067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.50 грн
10+	75.08 грн
100+	50.25 грн
500+	37.14 грн
1000+	33.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ704DT-T1-GE3

MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ704DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.4A/14A 6-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ704DT-T1-GE3

QFN

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ704DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 16A/30A 6-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.75 грн
6000+	41.96 грн
9000+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 19342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.08 грн
10+	87.19 грн
100+	67.78 грн
500+	53.92 грн
1000+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.41 грн
10+	80.07 грн
100+	56.85 грн
500+	50.04 грн
1000+	43.00 грн
3000+	41.16 грн
6000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ720DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ720DT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ728DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 5506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ730DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/35A 6-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ730DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.04 грн
10+	53.48 грн
100+	46.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ790DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ790DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A/23.4A 6-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ790DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ900DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; 29/66W
Case: PowerPAIR® 3x3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21/65nC
On-state resistance: 14.5/8.3mΩ
Power dissipation: 29/66W
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50...80A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.78 грн
10+	95.48 грн
100+	64.56 грн
500+	48.15 грн
1000+	44.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.22 грн
10+	98.55 грн
100+	57.69 грн
500+	45.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ902DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ904DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A/14.5A 8-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ904DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ910DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ910DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ914DT-T1-GE3

MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ914DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ914DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ916DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22.7W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1208pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ918DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 100W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 100W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.41 грн
500+	64.88 грн
1000+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ918DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.58 грн
10+	112.63 грн
100+	78.04 грн
250+	76.51 грн
500+	65.19 грн
1000+	55.86 грн
3000+	51.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 20297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.50 грн
10+	120.43 грн
100+	82.27 грн
500+	61.88 грн
1000+	56.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ918DT-T1-GE3

на замовлення 2043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	195.70 грн
10+	128.75 грн
100+	88.41 грн
500+	64.88 грн
1000+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ918DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ918DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 22A/32A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ920DT-T1-GE3
Код товару: 118521

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ926DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ926DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.84 грн
10+	88.87 грн
100+	59.76 грн
500+	44.37 грн
1000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 5746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.08 грн
10+	82.36 грн
100+	50.27 грн
500+	45.07 грн
1000+	38.87 грн
3000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ926DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3
Код товару: 173623

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.50 грн
10+	110.72 грн
100+	78.11 грн
500+	53.08 грн
1000+	44.36 грн
5000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 14982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.50 грн
10+	97.67 грн
100+	67.10 грн
500+	55.40 грн
1000+	48.36 грн
3000+	48.05 грн
9000+	47.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/54.3A 8-Pin PowerPAIR EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 197A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 817µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 66W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 817µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 66W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.11 грн
500+	53.08 грн
1000+	44.36 грн
5000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ980BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 13593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.60 грн
10+	85.68 грн
100+	60.65 грн
500+	46.43 грн
1000+	43.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.93 грн
10+	105.59 грн
100+	62.05 грн
500+	49.50 грн
1000+	46.44 грн
3000+	45.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 7147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.54 грн
10+	102.10 грн
100+	69.28 грн
500+	51.82 грн
1000+	47.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ980DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ980DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0011 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ988DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.95 грн
500+	46.94 грн
1000+	38.04 грн
5000+	34.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

на замовлення 10248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	91.34 грн
100+	71.22 грн
500+	55.21 грн
1000+	43.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ988DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 4167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	82.62 грн
100+	55.86 грн
500+	47.36 грн
1000+	38.56 грн
3000+	36.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ988DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ988DT-T1-GE3

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.59 грн
11+	82.74 грн
100+	63.95 грн
500+	46.94 грн
1000+	38.04 грн
5000+	34.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 0.0018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	46.09 грн
100+	39.74 грн
500+	30.53 грн
1000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 17917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.35 грн
10+	55.95 грн
100+	43.49 грн
500+	34.59 грн
1000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch 30V(S1-S2)

на замовлення 2779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.11 грн
10+	42.59 грн
100+	28.85 грн
500+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.35 грн
6000+	26.92 грн
9000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ998BDT-T1-GE3

на замовлення 2904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.74 грн
500+	30.53 грн
1000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 3770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.29 грн
10+	93.41 грн
100+	63.23 грн
500+	47.21 грн
1000+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 11234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.33 грн
500+	50.45 грн
1000+	43.48 грн
5000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 6683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.68 грн
10+	101.19 грн
100+	59.45 грн
500+	47.21 грн
1000+	45.76 грн
3000+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

на замовлення 11234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.67 грн
10+	109.87 грн
100+	74.33 грн
500+	50.45 грн
1000+	43.48 грн
5000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZA20

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZA60

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZAL20

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZAL20/L291

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZAS4

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZB

SHINDENGEN

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZB20

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZB20/Z27N

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZB40

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZB4072

на замовлення 344 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZB60

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZB60-7072

на замовлення 2774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZE 0 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZE 12 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZE 16 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZE 20 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZE 4 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

ITT

SIZE 5 COAX PC TERM BKW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	40632.87 грн
2+	40285.15 грн
3+	38780.50 грн
5+	36219.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SIZE 8 SOCKET

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	39.03 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.87 грн
10+	72.29 грн
100+	56.25 грн
500+	44.75 грн
1000+	36.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.14 грн
20+	44.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.12 грн
10+	95.03 грн
100+	64.27 грн
500+	53.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZF300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF360DT-T1-GE3

N Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF360DT-T1-GE3

MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC

на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.40 грн
10+	121.43 грн
100+	91.82 грн
250+	89.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF360DT-T1-GE3

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

на замовлення 5803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.88 грн
10+	91.74 грн
100+	65.06 грн
500+	49.94 грн
1000+	46.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.80 грн
500+	57.55 грн
1000+	50.32 грн
5000+	42.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZF4800LDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZF4800LDT-T1-GE3

Dual N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAIR FS 3 x 3, 19 m @ 10V, 23.8 m @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A

на замовлення 4811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.04 грн
10+	110.87 грн
100+	67.79 грн
500+	53.87 грн
1000+	51.72 грн
3000+	44.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF4800LDT-T1-GE3

на замовлення 5506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.24 грн
10+	116.73 грн
100+	84.80 грн
500+	57.55 грн
1000+	50.32 грн
5000+	42.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 13410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	187.12 грн
10+	135.62 грн
100+	102.14 грн
500+	70.46 грн
1000+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIZF5300DT-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 9836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.14 грн
10+	135.51 грн
100+	94.11 грн
250+	93.35 грн
3000+	78.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

на замовлення 5314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.95 грн
10+	123.14 грн
100+	98.03 грн
500+	77.85 грн
1000+	66.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF5300DT-T1-GE3

на замовлення 13410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.14 грн
500+	70.46 грн
1000+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZF5300DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.64 грн
10+	116.73 грн
100+	89.27 грн
500+	70.46 грн
1000+	54.88 грн
5000+	53.56 грн
10000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIZF5302DT-T1-RE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active

на замовлення 3803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.99 грн
10+	122.10 грн
100+	83.50 грн
500+	62.84 грн
1000+	57.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZF5302DT-T1-RE3

на замовлення 13960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.27 грн
500+	70.46 грн
1000+	54.88 грн
5000+	53.56 грн
10000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZF5302DT-T1-RE3

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 28.1A

на замовлення 8772 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.14 грн
10+	95.91 грн
100+	62.05 грн
500+	52.72 грн
1000+	51.72 грн
3000+	48.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZF5302DT-T1-RE3-X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF640DT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 40V 41A

на замовлення 11660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.37 грн
10+	188.30 грн
100+	120.89 грн
500+	107.12 грн
1000+	91.82 грн
3000+	86.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	57.83 грн
13+	56.95 грн
25+	56.07 грн
100+	53.22 грн
250+	48.50 грн
500+	45.80 грн
1000+	45.04 грн
3000+	44.30 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

на замовлення 5804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.54 грн
10+	52.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF906ADT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF906ADT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	53.15 грн
232+	52.34 грн
236+	51.51 грн
250+	48.89 грн
500+	44.53 грн
1000+	42.04 грн
3000+	41.34 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	58.09 грн
25+	57.91 грн
50+	55.75 грн
100+	49.63 грн
250+	47.63 грн
500+	46.35 грн
1000+	45.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SIZF906BDT-T1-GE3

MOSFETs PWRPR N CHAN 30V

на замовлення 23256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.03 грн
10+	110.87 грн
100+	73.68 грн
500+	68.79 грн
1000+	63.58 грн
3000+	58.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZF906BDT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	54.22 грн
225+	53.96 грн
234+	50.03 грн
250+	46.31 грн
500+	43.26 грн
1000+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 224

В кошику од. на суму грн.

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZF906BDT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)

на замовлення 22279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.71 грн
10+	131.91 грн
100+	90.72 грн
500+	68.60 грн
1000+	63.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZF906DDT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.57 грн
250+	87.55 грн
1000+	66.31 грн
3000+	54.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZF906DDT-T1-GE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.18 грн
50+	99.57 грн
250+	87.55 грн
1000+	66.31 грн
3000+	54.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIZF906DDT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/ SCHOT

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.32 грн
10+	113.51 грн
100+	68.40 грн
500+	58.00 грн
1000+	50.58 грн
3000+	43.00 грн
9000+	42.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 16133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.67 грн
10+	95.72 грн
100+	74.47 грн
500+	59.24 грн
1000+	48.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SiZF906DT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

на замовлення 8964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.01 грн
10+	108.23 грн
100+	73.30 грн
500+	61.67 грн
1000+	59.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SiZF906DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.27 грн
6000+	46.10 грн
9000+	43.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF906DT-T1-GE3
Код товару: 186042

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF906DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF914DT-T1-GE3

SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF914DT-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.58 грн
10+	92.39 грн
100+	67.79 грн
500+	56.47 грн
1000+	51.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF914DT-T1-GE3

Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF914DT-T1-GE3

Description: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF916DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 23A/45A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF916DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF916DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 900 µohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.93 грн
10+	105.59 грн
100+	62.28 грн
1000+	57.08 грн
3000+	45.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF916DT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.74 грн
10+	116.68 грн
100+	90.95 грн
500+	70.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF918DT-T1-GE3

SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF918DT-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

на замовлення 5283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.36 грн
10+	103.83 грн
100+	60.91 грн
500+	48.51 грн
1000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF918DT-T1-GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF918DT-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF918DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 5957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.02 грн
10+	103.86 грн
100+	81.03 грн
500+	61.77 грн
1000+	42.23 грн
5000+	41.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

на замовлення 11890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	117.53 грн
10+	106.24 грн
25+	103.08 грн
100+	86.18 грн
250+	78.91 грн
500+	68.84 грн
1000+	60.83 грн
3000+	58.90 грн
6000+	58.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF920DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 2211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.58 грн
10+	129.44 грн
100+	88.75 грн
500+	66.97 грн
1000+	61.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZF920DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIZF920DT-T1-GE3

MOSFETs Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

на замовлення 11012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.97 грн
10+	107.35 грн
100+	78.04 грн
250+	75.44 грн
500+	68.71 грн
1000+	61.59 грн
3000+	58.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIZF928DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.33 грн
10+	97.85 грн
100+	72.96 грн
500+	53.88 грн
1000+	44.95 грн
5000+	39.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIZF928DT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIZF928DT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.96 грн
500+	53.88 грн
1000+	44.95 грн
5000+	39.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIZF928DT-T1-GE3

MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 30V 33A

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.00 грн
10+	116.15 грн
100+	69.09 грн
500+	54.94 грн
1000+	52.87 грн
3000+	48.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIZF928DT-T1-GE3