Продукція > SQS

Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

на замовлення 378811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	23.69 грн
18+	19.46 грн
100+	13.17 грн
500+	11.26 грн
1000+	9.34 грн
2500+	8.61 грн
6500+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact Body used with Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	66.21 грн
100+	47.83 грн
500+	35.30 грн
1000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS124ELNW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.50 грн
10+	64.22 грн
100+	49.93 грн
500+	41.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 2.53 mohm a. 10V, 3.45 mohm a. 4.5V

на замовлення 3778 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.83 грн
10+	69.97 грн
100+	47.38 грн
500+	40.09 грн
1000+	32.66 грн
3000+	30.75 грн
6000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	86.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	86.30 грн
100+	51.94 грн
500+	43.63 грн
1000+	39.87 грн
3000+	35.17 грн
6000+	34.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 6159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.46 грн
10+	81.22 грн
100+	46.86 грн
500+	36.86 грн
1000+	33.55 грн
3000+	29.50 грн
6000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.82 грн
500+	38.55 грн
1500+	32.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.64 грн
10+	66.82 грн
100+	46.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.27 грн
50+	79.56 грн
100+	52.82 грн
500+	38.55 грн
1500+	32.40 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

SQS141ELNW-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.90 грн
500+	38.93 грн
1000+	25.96 грн
5000+	25.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 24226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	64.30 грн
100+	38.11 грн
500+	31.86 грн
1000+	27.88 грн
3000+	23.62 грн
6000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.93 грн
10+	50.19 грн
100+	39.93 грн
500+	29.26 грн
1000+	26.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.32 грн
12+	69.08 грн
100+	52.90 грн
500+	38.93 грн
1000+	25.96 грн
5000+	25.18 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.64 грн
10+	56.40 грн
100+	39.02 грн
500+	30.60 грн
1000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.66 грн
6000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 37239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.61 грн
10+	62.78 грн
100+	37.23 грн
500+	31.12 грн
1000+	27.22 грн
3000+	23.03 грн
6000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS146ELNW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS146ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.08 грн
10+	50.42 грн
100+	29.94 грн
500+	24.94 грн
1000+	21.26 грн
3000+	19.27 грн
6000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS146ENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS146ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.05 грн
10+	65.90 грн
100+	46.36 грн
500+	34.22 грн
1000+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 73581 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.19 грн
10+	63.71 грн
100+	43.11 грн
500+	36.56 грн
1000+	29.80 грн
3000+	27.96 грн
6000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.31 грн
10+	57.93 грн
100+	41.24 грн
500+	30.78 грн
1000+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 11730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.44 грн
10+	56.01 грн
100+	37.89 грн
500+	36.49 грн
3000+	30.97 грн
6000+	30.38 грн
9000+	29.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.46 грн
10+	56.26 грн
100+	33.33 грн
500+	27.88 грн
1000+	23.69 грн
3000+	21.48 грн
6000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.54 грн
10+	33.26 грн
25+	29.76 грн
100+	24.43 грн
250+	22.75 грн
500+	21.73 грн
1000+	20.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A33R0JL

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP
Resistance (Ohms): 33
Tolerance: ±5%
Packaging: Tube
Power Per Element: 100mW
Circuit Type: Isolated
Number of Pins: 16
Package / Case: 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.193" L x 0.154" W (4.89mm x 3.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 16-QSOP, 16-SSOP
Height - Seated (Max): 0.069" (1.75mm)
Number of Resistors: 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B-2002JS

03+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1000FS

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1001JL

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B47010JL

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B4701JL

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 0.0038 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.96 грн
12+	74.69 грн
100+	58.10 грн
500+	45.75 грн
1000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

MOSFETs Automotive N-Channel 72 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 5.5 mohm a. 10V, 7.2 mohm a. 4.5V

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.27 грн
10+	77.84 грн
100+	52.60 грн
500+	44.58 грн
1000+	36.34 грн
3000+	34.21 грн
6000+	32.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.10 грн
500+	45.75 грн
1000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS178ELNW-T1_GE3

MOSFETs SQS178ELNW

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	60.07 грн
100+	40.68 грн
500+	34.43 грн
1000+	29.43 грн
3000+	24.94 грн
9000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.99 грн
500+	46.36 грн
1000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.58 грн
10+	55.10 грн
100+	48.81 грн
500+	40.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 6979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.63 грн
10+	68.44 грн
100+	46.35 грн
500+	44.51 грн
3000+	37.81 грн
6000+	37.08 грн
9000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

на замовлення 2563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.26 грн
12+	72.05 грн
100+	51.99 грн
500+	46.36 грн
1000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V

на замовлення 5140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.59 грн
10+	64.98 грн
100+	43.99 грн
500+	37.30 грн
1000+	31.86 грн
3000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.21 грн
10+	57.93 грн
100+	45.03 грн
500+	35.82 грн
1000+	29.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.89 грн
500+	39.85 грн
1000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.18 грн
6000+	28.84 грн
9000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.19 грн
11+	76.26 грн
100+	53.89 грн
500+	39.85 грн
1000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	70.12 грн
100+	49.05 грн
500+	36.24 грн
1000+	33.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 31 mohm a. 10V, 48 mohm a. 4.5V

на замовлення 17198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.29 грн
10+	70.56 грн
100+	46.79 грн
500+	37.30 грн
1000+	32.88 грн
3000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 5341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.89 грн
10+	54.48 грн
100+	36.86 грн
500+	35.46 грн
3000+	30.09 грн
6000+	29.50 грн
9000+	28.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	53.49 грн
100+	40.23 грн
500+	30.09 грн
1000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS201CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 8067 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.12 грн
10+	57.11 грн
100+	38.62 грн
500+	32.81 грн
1000+	26.71 грн
3000+	25.09 грн
6000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS20B-1001FS

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24A1001FS

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2F-02-1T

Automotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.73 грн
14+	62.80 грн
25+	58.43 грн
50+	50.12 грн
100+	42.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.42 грн
10+	55.33 грн
100+	43.67 грн
500+	32.90 грн
1000+	28.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 980365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.10 грн
10+	56.52 грн
100+	38.77 грн
500+	33.33 грн
1000+	27.15 грн
3000+	24.28 грн
6000+	24.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.40 грн
6000+	25.96 грн
9000+	24.94 грн
15000+	23.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.00 грн
13+	66.68 грн
100+	49.93 грн
500+	42.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3
Код товару: 183342

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 108781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 141950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.11 грн
10+	74.28 грн
100+	50.39 грн
500+	41.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW

SQS405CENW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 17714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.07 грн
17+	51.42 грн
100+	34.58 грн
500+	22.68 грн
1000+	19.03 грн
5000+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.95 грн
10+	52.19 грн
100+	34.22 грн
500+	24.88 грн
1000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 28118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.77 грн
10+	52.37 грн
100+	30.60 грн
500+	24.06 грн
1000+	21.85 грн
3000+	18.83 грн
6000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 17714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.58 грн
500+	22.68 грн
1000+	19.03 грн
5000+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.03 грн
6000+	29.37 грн
9000+	28.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	61.00 грн
100+	47.44 грн
500+	37.75 грн
1000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	61.00 грн
100+	47.44 грн
500+	37.75 грн
1000+	30.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.50 грн
10+	62.69 грн
100+	45.60 грн
500+	35.55 грн
1000+	30.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 71657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.28 грн
10+	58.46 грн
100+	38.48 грн
500+	32.88 грн
1000+	29.57 грн
3000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.76 грн
6000+	28.20 грн
9000+	27.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 13126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.07 грн
10+	63.03 грн
100+	37.30 грн
500+	29.57 грн
1000+	26.56 грн
3000+	23.17 грн
6000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.91 грн
500+	31.65 грн
1000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.01 грн
10+	61.54 грн
100+	40.72 грн
500+	29.81 грн
1000+	27.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

на замовлення 6219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.11 грн
100+	42.91 грн
500+	31.65 грн
1000+	26.17 грн
5000+	23.13 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.66 грн
10+	43.45 грн
100+	29.63 грн
500+	23.04 грн
1000+	20.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 53314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.49 грн
10+	43.32 грн
100+	25.90 грн
500+	21.70 грн
1000+	18.83 грн
3000+	17.95 грн
6000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.00 грн
6000+	17.77 грн
9000+	16.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1 GE3

MOSFETs POWRPK P CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	34.69 грн
2000+	32.39 грн

Мінімальне замовлення: 352

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

340+	35.94 грн
343+	35.58 грн
345+	35.44 грн
346+	34.05 грн
500+	31.40 грн
1000+	30.04 грн

Мінімальне замовлення: 340

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.21 грн
2000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.41 грн
500+	35.33 грн
1000+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	34.59 грн
19+	33.37 грн
25+	33.04 грн
100+	31.73 грн
250+	29.27 грн
500+	27.99 грн
1000+	27.89 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.78 грн
6000+	32.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.31 грн
10+	62.38 грн
100+	47.85 грн
500+	35.31 грн
1000+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.21 грн
6000+	29.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

на замовлення 3065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.91 грн
13+	66.27 грн
100+	51.58 грн
500+	40.62 грн
1000+	30.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 15060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.26 грн
10+	61.85 грн
100+	41.12 грн
500+	35.24 грн
1000+	30.90 грн
3000+	28.25 грн
6000+	28.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.21 грн
9000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

MOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.42 грн
10+	62.35 грн
100+	42.08 грн
500+	35.75 грн
1000+	29.13 грн
3000+	26.93 грн
6000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.11 грн
10+	60.77 грн
100+	46.10 грн
500+	34.84 грн
1000+	31.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFETs 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 5890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.21 грн
10+	56.35 грн
100+	36.49 грн
500+	32.59 грн
1000+	28.84 грн
3000+	24.42 грн
6000+	24.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.39 грн
29+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.93 грн
10+	54.41 грн
100+	35.81 грн
500+	26.08 грн
1000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	76.33 грн
100+	57.37 грн
500+	42.59 грн
1000+	38.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.06 грн
6000+	34.16 грн
9000+	34.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

на замовлення 30657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.59 грн
10+	78.51 грн
100+	47.97 грн
500+	42.96 грн
1000+	37.08 грн
3000+	34.50 грн
6000+	33.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

на замовлення 3353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.00 грн
10+	76.33 грн
100+	57.37 грн
500+	42.59 грн
1000+	38.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 86406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.70 грн
10+	76.57 грн
100+	47.53 грн
500+	38.55 грн
1000+	35.53 грн
3000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 32111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.66 грн
10+	55.25 грн
100+	37.37 грн
500+	31.71 грн
1000+	25.82 грн
3000+	23.91 грн
6000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.03 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 14479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.76 грн
14+	59.17 грн
100+	42.01 грн
500+	37.47 грн
1000+	33.11 грн
5000+	31.69 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.76 грн
10+	53.87 грн
100+	40.85 грн
500+	31.59 грн
1000+	27.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.43 грн
6000+	28.14 грн
9000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.05 грн
10+	63.71 грн
100+	43.11 грн
500+	36.56 грн
1000+	35.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.58 грн
10+	72.19 грн
100+	48.14 грн
500+	35.48 грн
1000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5776 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.05 грн
10+	63.71 грн
100+	43.11 грн
500+	36.56 грн
1000+	29.80 грн
3000+	27.96 грн
6000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.32 грн
6000+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.43 грн
10+	67.28 грн
100+	45.87 грн
500+	35.48 грн
1000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	54.26 грн
100+	40.16 грн
500+	30.12 грн
1000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.08 грн
500+	32.42 грн
1000+	27.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.36 грн
6000+	23.70 грн
9000+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.83 грн
15+	57.60 грн
100+	42.58 грн
500+	32.34 грн
1000+	26.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

MOSFETs -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 154104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	49.58 грн
100+	34.65 грн
500+	30.02 грн
1000+	25.53 грн
3000+	23.10 грн
6000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	66.13 грн
100+	43.91 грн
500+	32.24 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.43 грн
6000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

MOSFETs 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.21 грн
10+	56.68 грн
100+	38.33 грн
500+	32.52 грн
1000+	26.48 грн
3000+	24.87 грн
6000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.54 грн
10+	56.94 грн
100+	39.66 грн
500+	32.24 грн
1000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS482ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.70 грн
500+	34.71 грн
1000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

на замовлення 1206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.56 грн
14+	61.81 грн
100+	47.70 грн
500+	34.71 грн
1000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFETs 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.61 грн
10+	57.11 грн
100+	39.43 грн
500+	33.47 грн
1000+	27.22 грн
3000+	25.01 грн
6000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 9922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.54 грн
10+	53.89 грн
100+	31.49 грн
500+	27.22 грн
1000+	23.10 грн
3000+	21.41 грн
6000+	20.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.60 грн
10+	54.33 грн
100+	37.04 грн
500+	27.60 грн
1000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V

на замовлення 249352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	45.52 грн
100+	30.90 грн
500+	26.48 грн
1000+	24.79 грн
3000+	23.39 грн
6000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 5497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.42 грн
10+	62.07 грн
100+	48.38 грн
500+	37.51 грн
1000+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 14249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.38 грн
10+	68.97 грн
100+	53.74 грн
500+	41.66 грн
1000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

MOSFETs 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.61 грн
10+	59.14 грн
100+	40.54 грн
500+	34.72 грн
1000+	28.84 грн
3000+	27.96 грн
6000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.55 грн
13+	67.34 грн
100+	42.25 грн
500+	32.80 грн
1000+	27.73 грн
5000+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.27 грн
10+	61.08 грн
100+	40.45 грн
500+	29.61 грн
1000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 4834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.55 грн
10+	65.14 грн
100+	37.74 грн
500+	30.09 грн
1000+	26.85 грн
3000+	23.91 грн
6000+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.01 грн
6000+	23.21 грн
9000+	22.22 грн
15000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1 GE3

MOSFET 40V N-CHANNEL (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	61.61 грн
100+	41.73 грн
500+	30.58 грн
1000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.98 грн
10+	59.73 грн
100+	34.94 грн
500+	30.53 грн
1000+	27.00 грн
3000+	24.13 грн
6000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 66570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.03 грн
10+	56.01 грн
100+	33.77 грн
500+	29.50 грн
1000+	25.97 грн
3000+	23.32 грн
6000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.99 грн
10+	57.55 грн
100+	39.20 грн
500+	28.70 грн
1000+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.72 грн
16+	52.74 грн
100+	32.76 грн
500+	25.44 грн
1000+	16.91 грн
5000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 5136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.88 грн
10+	46.11 грн
100+	28.62 грн
500+	23.91 грн
1000+	20.30 грн
3000+	17.73 грн
6000+	17.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.40 грн
10+	48.28 грн
100+	32.94 грн
500+	23.97 грн
1000+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.91 грн
5000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	62.69 грн
100+	41.50 грн
500+	30.41 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.42 грн
10+	53.72 грн
100+	37.26 грн
500+	29.35 грн
1000+	26.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	64.72 грн
100+	39.58 грн
500+	32.96 грн
1000+	27.29 грн
3000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.58 грн
10+	72.04 грн
100+	48.03 грн
500+	35.41 грн
1000+	32.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS850EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.93 грн
500+	32.72 грн
1000+	28.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.18 грн
19+	45.56 грн
100+	40.93 грн
500+	32.72 грн
1000+	28.44 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.93 грн
10+	44.29 грн
100+	39.12 грн
500+	34.68 грн
1000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	52.37 грн
100+	37.30 грн
500+	32.88 грн
1000+	28.54 грн
2500+	27.15 грн
5000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS940ELNW-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS944ENW-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 15262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.42 грн
10+	67.68 грн
100+	42.67 грн
500+	33.91 грн
1000+	30.60 грн
3000+	26.19 грн
6000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.19 грн
6000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS966ENW-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 10489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.13 грн
14+	61.07 грн
100+	44.65 грн
500+	31.11 грн
1000+	25.40 грн
5000+	22.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 40382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	62.18 грн
100+	39.58 грн
500+	32.96 грн
1000+	29.13 грн
3000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

на замовлення 10734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.13 грн
500+	30.65 грн
1000+	26.67 грн
5000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.83 грн
10+	55.64 грн
100+	43.25 грн
500+	34.41 грн
1000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 20678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.03 грн
10+	55.67 грн
100+	33.62 грн
500+	29.43 грн
1000+	25.90 грн
3000+	22.95 грн
6000+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.93 грн
6000+	22.37 грн
9000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	57.09 грн
100+	38.99 грн
500+	28.54 грн
1000+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 31563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.03 грн
10+	55.10 грн
100+	42.87 грн
500+	34.10 грн
1000+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.93 грн
6000+	26.54 грн
9000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.09 грн
10+	61.61 грн
100+	45.28 грн
500+	36.28 грн
1000+	33.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 7739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	67.84 грн
50+	58.43 грн
100+	48.94 грн
500+	35.25 грн
1500+	31.90 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.63 грн
10+	68.53 грн
100+	46.42 грн
500+	39.36 грн
1000+	32.00 грн
3000+	30.09 грн
6000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 7739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.94 грн
500+	35.25 грн
1500+	31.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFETs Automotive N-Channel 80V (D-S) 175C MOSFET W 37mohms SG

на замовлення 27603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.86 грн
10+	42.56 грн
100+	24.65 грн
500+	19.20 грн
1000+	17.44 грн
3000+	13.90 грн
9000+	13.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.25 грн
500+	18.55 грн
1000+	15.49 грн
5000+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.73 грн
10+	33.11 грн
100+	26.64 грн
500+	19.21 грн
1000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.08 грн
6000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V

на замовлення 22786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.67 грн
10+	41.88 грн
100+	24.87 грн
500+	20.75 грн
1000+	18.10 грн
3000+	15.38 грн
6000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3