Продукція > SQS

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQS-A03-P/CMKSLJST AutomotiveCrimpers / Crimping Tools SQS Applicator and Die Set
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS-A03GF-P-PJST AutomotiveAutomotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE
на замовлення 370091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
18+17.78 грн
25+13.67 грн
100+11.80 грн
250+10.42 грн
1000+8.70 грн
2500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS120ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1800 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.12 грн
500+31.71 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+61.62 грн
100+44.50 грн
500+32.84 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS120ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS120ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1800 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
12+71.04 грн
100+47.12 грн
500+31.71 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS121ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
13+65.88 грн
100+43.81 грн
500+31.93 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS121ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.81 грн
500+31.93 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS124ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+57.08 грн
100+32.86 грн
500+26.99 грн
1000+25.20 грн
3000+21.40 грн
6000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS124ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
11+73.45 грн
100+48.97 грн
500+39.71 грн
1000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+68.21 грн
100+45.63 грн
500+33.73 грн
1000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+73.75 грн
100+42.52 грн
500+34.86 грн
1000+31.41 грн
3000+26.65 грн
6000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+48.97 грн
500+39.71 грн
1000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
11+79.01 грн
100+54.12 грн
500+37.32 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+80.98 грн
100+48.74 грн
500+40.94 грн
1000+37.42 грн
3000+33.00 грн
6000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 197W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.12 грн
500+37.32 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS141ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.69 грн
6000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS141ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 7400 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.73 грн
500+35.52 грн
1500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS141ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 7400 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.04 грн
50+70.47 грн
100+48.73 грн
500+35.52 грн
1500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS141ELNW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+67.88 грн
100+42.18 грн
500+33.83 грн
1000+31.48 грн
3000+26.85 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS141ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+63.64 грн
100+42.43 грн
500+31.27 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNWVishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET
на замовлення 24226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.67 грн
10+60.34 грн
100+35.76 грн
500+29.89 грн
1000+26.16 грн
3000+22.16 грн
6000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+48.99 грн
100+38.97 грн
500+28.55 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.63 грн
500+37.99 грн
1000+25.34 грн
5000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.43 грн
12+67.41 грн
100+51.63 грн
500+37.99 грн
1000+25.34 грн
5000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 36399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+61.21 грн
100+35.28 грн
500+27.48 грн
1000+24.99 грн
3000+21.81 грн
6000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+55.04 грн
100+38.08 грн
500+29.86 грн
1000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS142ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.04 грн
6000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS146ELNW-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS146ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 17788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+55.33 грн
100+31.62 грн
500+27.34 грн
1000+22.30 грн
3000+19.33 грн
6000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS146ENW-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS146ENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+53.91 грн
100+30.86 грн
500+23.95 грн
1000+21.75 грн
3000+18.85 грн
6000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS150ENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+77.17 грн
100+43.84 грн
500+34.45 грн
1000+29.48 грн
3000+23.82 грн
6000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS160ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+67.01 грн
100+44.66 грн
500+32.92 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS160ELNW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 71940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+61.37 грн
25+53.29 грн
100+39.90 грн
500+32.03 грн
1000+28.03 грн
3000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS160ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS161ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.00 грн
10+95.04 грн
100+62.82 грн
500+47.79 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS161ELNW-T1_GE3VishayMOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+84.15 грн
100+48.39 грн
500+39.63 грн
1000+35.90 грн
3000+30.44 грн
6000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS161ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.82 грн
500+47.79 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS164ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixN-Channel 60 V 82A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK 1212-8SLW Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS164ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.69 грн
100+37.63 грн
500+27.62 грн
1000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS164ELNW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+65.34 грн
100+37.69 грн
500+29.48 грн
1000+26.85 грн
3000+23.47 грн
6000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS164ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+52.24 грн
100+29.89 грн
500+23.75 грн
1000+22.71 грн
3000+19.33 грн
6000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS166ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
10+32.46 грн
25+29.05 грн
100+23.84 грн
250+22.20 грн
500+21.21 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16A1001JSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16A10R0JSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16A33R0JL
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16A33R0JSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP
Resistance (Ohms): 33
Tolerance: ±5%
Packaging: Tube
Power Per Element: 100mW
Circuit Type: Isolated
Number of Pins: 16
Package / Case: 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.193" L x 0.154" W (4.89mm x 3.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 16-QSOP, 16-SSOP
Height - Seated (Max): 0.069" (1.75mm)
Number of Resistors: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16A5100JSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16A51R0JSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B-2002JSBI03+
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B1000FS
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B1000GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B1001GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B1001JL
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B1002GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B2001GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B2200GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B47010JL
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B4701GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS16B4701JL
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS174ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+80.18 грн
100+46.32 грн
500+37.97 грн
1000+37.14 грн
3000+31.48 грн
9000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS174ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.28 грн
10+83.76 грн
100+56.06 грн
500+41.13 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS174ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 103W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.06 грн
500+41.13 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS178ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+64.23 грн
100+37.07 грн
500+29.27 грн
1000+27.27 грн
3000+23.13 грн
6000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS178ELNW-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+54.78 грн
100+36.17 грн
500+30.65 грн
1000+28.37 грн
3000+24.09 грн
6000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNWVishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1-GE3VishayVishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1/GE3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
14+58.71 грн
100+52.03 грн
500+46.44 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.81 грн
100+44.02 грн
500+32.52 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.03 грн
500+46.44 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+57.64 грн
25+49.57 грн
100+44.39 грн
500+42.66 грн
3000+36.24 грн
6000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+68.04 грн
100+39.49 грн
500+32.38 грн
1000+28.99 грн
3000+26.09 грн
6000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.42 грн
100+42.29 грн
500+31.19 грн
1000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.21 грн
6000+27.97 грн
9000+26.91 грн
15000+24.14 грн
21000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.59 грн
500+38.89 грн
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixP-Channel 80 V 44A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK 1212-8SLW Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
11+74.42 грн
100+52.59 грн
500+38.89 грн
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.20 грн
100+47.58 грн
500+35.15 грн
1000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 25085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.26 грн
10+66.05 грн
100+42.59 грн
500+33.96 грн
1000+29.96 грн
3000+27.20 грн
6000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+52.20 грн
100+39.26 грн
500+29.37 грн
1000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS182ELNW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.83 грн
10+50.73 грн
100+34.38 грн
250+34.31 грн
500+28.23 грн
1000+25.68 грн
3000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS201CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+61.05 грн
100+35.28 грн
500+27.54 грн
1000+25.13 грн
3000+25.06 грн
6000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS20B-1001FS
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQS20B1001GSLFTT Electronics/BIDescription: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]