Продукція > SQS

Crimpers / Crimping Tools SQS Applicator and Die Set

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GF-P-P

Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

на замовлення 378072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	21.78 грн
20+	18.44 грн
25+	13.63 грн
100+	12.47 грн
250+	10.38 грн
1000+	8.83 грн
2500+	8.29 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact Body used with Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.89 грн
10+	66.48 грн
100+	48.00 грн
500+	35.42 грн
1000+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS121ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 0.005 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.04 грн
500+	40.26 грн
1000+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS121ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 0.005 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.70 грн
13+	69.33 грн
100+	52.04 грн
500+	40.26 грн
1000+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS124ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.01 грн
10+	64.04 грн
100+	36.87 грн
500+	30.28 грн
1000+	28.27 грн
3000+	24.01 грн
6000+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS124ELNW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.64 грн
10+	73.58 грн
100+	49.22 грн
500+	36.39 грн
1000+	33.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.92 грн
10+	82.74 грн
100+	47.71 грн
500+	39.11 грн
1000+	35.24 грн
3000+	29.90 грн
6000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 197W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.38 грн
500+	40.26 грн
1000+	34.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.54 грн
10+	90.85 грн
100+	54.68 грн
500+	45.93 грн
1000+	41.98 грн
3000+	37.02 грн
6000+	35.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	123.37 грн
11+	85.23 грн
100+	58.38 грн
500+	40.26 грн
1000+	34.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.40 грн
10+	91.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 7400 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	120.77 грн
50+	79.24 грн
100+	54.56 грн
500+	39.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.88 грн
6000+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.56 грн
500+	39.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.37 грн
10+	76.15 грн
100+	47.32 грн
500+	37.95 грн
1000+	35.32 грн
3000+	30.13 грн
6000+	29.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.10 грн
10+	68.66 грн
100+	45.77 грн
500+	33.73 грн
1000+	30.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW

MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.69 грн
500+	40.98 грн
1000+	27.33 грн
5000+	26.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 24226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.16 грн
10+	67.69 грн
100+	40.12 грн
500+	33.54 грн
1000+	29.35 грн
3000+	24.86 грн
6000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.67 грн
10+	52.84 грн
100+	42.04 грн
500+	30.80 грн
1000+	28.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.45 грн
12+	72.72 грн
100+	55.69 грн
500+	40.98 грн
1000+	27.33 грн
5000+	26.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 37239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.44 грн
10+	66.09 грн
100+	39.19 грн
500+	32.76 грн
1000+	28.66 грн
3000+	24.24 грн
6000+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.21 грн
10+	59.38 грн
100+	41.08 грн
500+	32.21 грн
1000+	27.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.02 грн
6000+	24.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS146ELNW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS146ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.36 грн
10+	54.69 грн
100+	31.13 грн
500+	24.09 грн
1000+	23.39 грн
3000+	19.90 грн
6000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS146ENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS146ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.26 грн
10+	56.11 грн
100+	32.14 грн
500+	25.48 грн
1000+	23.39 грн
3000+	19.83 грн
6000+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 71940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.81 грн
10+	68.85 грн
25+	59.79 грн
100+	44.77 грн
500+	35.94 грн
1000+	31.44 грн
3000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.59 грн
10+	69.38 грн
100+	48.81 грн
500+	36.02 грн
1000+	32.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS161ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.77 грн
500+	51.55 грн
1000+	43.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS161ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.73 грн
10+	102.52 грн
100+	67.77 грн
500+	51.55 грн
1000+	43.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS161ELNW-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.99 грн
10+	94.41 грн
100+	54.29 грн
500+	44.46 грн
1000+	40.27 грн
3000+	34.16 грн
6000+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.39 грн
10+	63.24 грн
100+	39.58 грн
500+	30.90 грн
1000+	28.19 грн
3000+	28.11 грн
6000+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.18 грн
10+	60.99 грн
100+	43.41 грн
500+	32.41 грн
1000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.88 грн
10+	58.61 грн
100+	33.54 грн
500+	26.64 грн
1000+	25.48 грн
3000+	21.69 грн
6000+	19.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.11 грн
10+	35.01 грн
25+	31.33 грн
100+	25.72 грн
250+	23.95 грн
500+	22.88 грн
1000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A33R0JL

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP
Resistance (Ohms): 33
Tolerance: ±5%
Packaging: Tube
Power Per Element: 100mW
Circuit Type: Isolated
Number of Pins: 16
Package / Case: 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.193" L x 0.154" W (4.89mm x 3.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 16-QSOP, 16-SSOP
Height - Seated (Max): 0.069" (1.75mm)
Number of Resistors: 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B-2002JS

03+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1000FS

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1001JL

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B47010JL

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B4701JL

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.81 грн
500+	49.29 грн
1000+	44.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.67 грн
10+	89.96 грн
100+	51.97 грн
500+	42.60 грн
1000+	41.67 грн
3000+	35.32 грн
9000+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

на замовлення 2034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.78 грн
10+	97.31 грн
100+	64.81 грн
500+	49.29 грн
1000+	44.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS178ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.07 грн
10+	61.46 грн
100+	40.58 грн
500+	34.39 грн
1000+	31.83 грн
3000+	27.03 грн
6000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS178ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.56 грн
10+	72.06 грн
100+	41.59 грн
500+	32.84 грн
1000+	30.59 грн
3000+	25.95 грн
6000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW

MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.13 грн
500+	50.10 грн
1000+	42.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.26 грн
10+	64.66 грн
25+	55.61 грн
100+	49.80 грн
500+	47.86 грн
3000+	40.66 грн
6000+	39.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.59 грн
10+	55.26 грн
100+	48.98 грн
500+	40.83 грн
1000+	33.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.75 грн
14+	63.34 грн
100+	56.13 грн
500+	50.10 грн
1000+	42.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.94 грн
10+	69.70 грн
100+	46.46 грн
500+	34.27 грн
1000+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.89 грн
10+	76.33 грн
100+	44.30 грн
500+	36.32 грн
1000+	32.53 грн
3000+	29.28 грн
6000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	123.37 грн
11+	80.28 грн
100+	56.73 грн
500+	41.95 грн
1000+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.51 грн
6000+	28.80 грн
9000+	27.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.24 грн
10+	74.10 грн
100+	47.79 грн
500+	38.11 грн
1000+	33.61 грн
3000+	30.52 грн
6000+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.73 грн
500+	41.95 грн
1000+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.13 грн
10+	71.80 грн
100+	48.03 грн
500+	35.48 грн
1000+	32.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.97 грн
10+	56.31 грн
100+	42.36 грн
500+	31.68 грн
1000+	28.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.20 грн
10+	56.91 грн
100+	38.57 грн
250+	38.49 грн
500+	31.68 грн
1000+	28.81 грн
3000+	28.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS201CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.14 грн
10+	68.67 грн
100+	39.65 грн
500+	31.29 грн
1000+	30.44 грн
3000+	25.87 грн
6000+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS20B-1001FS

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24A1001FS

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2F-02-1T

Automotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.24 грн
15+	61.69 грн
25+	57.34 грн
50+	49.21 грн
100+	41.70 грн
250+	38.72 грн
500+	35.82 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.90 грн
6000+	27.33 грн
9000+	26.26 грн
15000+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 862942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.94 грн
10+	54.95 грн
100+	37.80 грн
500+	32.45 грн
1000+	26.41 грн
3000+	23.62 грн
6000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.24 грн
10+	58.25 грн
100+	45.98 грн
500+	34.63 грн
1000+	30.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.49 грн
13+	70.20 грн
100+	52.56 грн
500+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 108781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3
Код товару: 183342

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 141950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.55 грн
10+	78.20 грн
100+	53.05 грн
500+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW

SQS405CENW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 17364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.50 грн
17+	52.74 грн
100+	35.10 грн
500+	23.23 грн
1000+	19.44 грн
5000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 23241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.06 грн
10+	53.71 грн
100+	31.13 грн
500+	24.09 грн
1000+	21.84 грн
3000+	18.90 грн
6000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 17364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.10 грн
500+	23.23 грн
1000+	19.44 грн
5000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.48 грн
10+	54.94 грн
100+	36.02 грн
500+	26.19 грн
1000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.27 грн
10+	64.22 грн
100+	49.95 грн
500+	39.74 грн
1000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.72 грн
6000+	30.92 грн
9000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.27 грн
10+	64.22 грн
100+	49.95 грн
500+	39.74 грн
1000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 71258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.72 грн
10+	44.98 грн
100+	35.94 грн
500+	32.06 грн
1000+	31.37 грн
3000+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.54 грн
10+	65.99 грн
100+	48.01 грн
500+	37.43 грн
1000+	32.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.33 грн
6000+	29.68 грн
9000+	28.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0273 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.02 грн
13+	69.77 грн
100+	46.22 грн
500+	33.48 грн
1000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.91 грн
10+	64.78 грн
100+	42.86 грн
500+	31.38 грн
1000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 7789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.64 грн
10+	64.13 грн
100+	36.87 грн
500+	28.81 грн
1000+	26.18 грн
3000+	22.85 грн
6000+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.18 грн
500+	33.32 грн
1000+	27.55 грн
5000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.48 грн
10+	52.37 грн
100+	29.74 грн
500+	22.85 грн
1000+	21.30 грн
3000+	18.05 грн
6000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.06 грн
6000+	18.71 грн
9000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.02 грн
10+	45.74 грн
100+	31.20 грн
500+	24.26 грн
1000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 27208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.59 грн
10+	45.69 грн
100+	27.18 грн
500+	22.31 грн
1000+	20.21 грн
3000+	17.27 грн
6000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1 GE3

MOSFETs POWRPK P CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 8168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.47 грн
10+	46.58 грн
100+	36.25 грн
500+	33.85 грн
1000+	31.91 грн
3000+	28.04 грн
6000+	26.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.70 грн
500+	37.19 грн
1000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	35.28 грн
2000+	32.94 грн

Мінімальне замовлення: 352

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

340+	36.54 грн
343+	36.18 грн
345+	36.04 грн
346+	34.62 грн
500+	31.93 грн
1000+	30.54 грн

Мінімальне замовлення: 340

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	64.12 грн
17+	52.48 грн
100+	47.00 грн
500+	40.58 грн
1000+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	37.80 грн
2000+	35.29 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	40.58 грн
19+	39.15 грн
25+	38.76 грн
100+	37.23 грн
250+	34.35 грн
500+	32.85 грн
1000+	32.72 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.35 грн
6000+	32.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.18 грн
10+	65.67 грн
100+	50.37 грн
500+	37.17 грн
1000+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.62 грн
6000+	34.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.02 грн
10+	63.98 грн
100+	48.53 грн
500+	36.68 грн
1000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.70 грн
9000+	28.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

MOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.39 грн
10+	65.73 грн
100+	42.98 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.75 грн
3000+	28.81 грн
6000+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFETs 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 13224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.59 грн
10+	60.74 грн
100+	35.01 грн
500+	28.73 грн
1000+	26.80 грн
3000+	22.77 грн
6000+	21.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.29 грн
10+	46.14 грн
100+	32.22 грн
500+	25.25 грн
1000+	22.85 грн
3000+	19.75 грн
6000+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.67 грн
10+	57.28 грн
100+	37.70 грн
500+	27.46 грн
1000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	47.79 грн
29+	30.06 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.13 грн
10+	80.35 грн
100+	60.39 грн
500+	44.83 грн
1000+	41.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

на замовлення 30457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.27 грн
10+	84.26 грн
100+	52.12 грн
500+	41.20 грн
1000+	37.87 грн
3000+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.96 грн
6000+	35.96 грн
9000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 74248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.08 грн
10+	85.77 грн
100+	52.12 грн
500+	41.20 грн
1000+	37.87 грн
3000+	35.01 грн
6000+	32.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

на замовлення 3353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.97 грн
10+	80.35 грн
100+	60.39 грн
500+	44.83 грн
1000+	41.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30653 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.01 грн
10+	57.36 грн
100+	37.87 грн
500+	30.59 грн
1000+	27.80 грн
3000+	24.32 грн
6000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.13 грн
10+	56.72 грн
100+	43.01 грн
500+	33.26 грн
1000+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.62 грн
15+	59.69 грн
100+	45.27 грн
500+	35.34 грн
1000+	31.80 грн
5000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.83 грн
10+	76.00 грн
100+	50.68 грн
500+	37.36 грн
1000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.43 грн
10+	69.65 грн
100+	43.60 грн
500+	34.39 грн
1000+	31.37 грн
3000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.08 грн
6000+	29.62 грн
9000+	28.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.75 грн
10+	71.70 грн
100+	43.76 грн
500+	34.39 грн
1000+	31.37 грн
3000+	27.42 грн
6000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.10 грн
10+	70.83 грн
100+	48.29 грн
500+	37.36 грн
1000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.97 грн
6000+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.59 грн
10+	60.21 грн
100+	34.46 грн
500+	27.34 грн
1000+	25.48 грн
3000+	21.76 грн
6000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.22 грн
500+	35.01 грн
1000+	28.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

MOSFETs -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 117550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.39 грн
10+	63.86 грн
100+	38.57 грн
500+	30.28 грн
1000+	27.42 грн
3000+	24.01 грн
6000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.37 грн
10+	50.18 грн
100+	40.81 грн
500+	30.23 грн
1000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 1.095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.32 грн
15+	59.86 грн
100+	45.35 грн
500+	35.58 грн
1000+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.62 грн
6000+	23.78 грн
9000+	22.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.93 грн
6000+	26.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.78 грн
10+	69.62 грн
100+	46.23 грн
500+	33.95 грн
1000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.16 грн
10+	59.94 грн
100+	41.75 грн
500+	33.95 грн
1000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

MOSFETs 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.78 грн
10+	62.52 грн
100+	39.89 грн
500+	31.21 грн
1000+	28.42 грн
3000+	24.86 грн
6000+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS482ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.35 грн
500+	37.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFETs 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.85 грн
10+	70.90 грн
100+	40.97 грн
500+	32.06 грн
1000+	29.20 грн
3000+	25.02 грн
6000+	23.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS482ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	120.77 грн
12+	75.94 грн
100+	51.09 грн
500+	37.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.59 грн
10+	57.20 грн
100+	38.99 грн
500+	29.06 грн
1000+	26.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 9209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.52 грн
10+	55.40 грн
100+	34.39 грн
500+	26.72 грн
1000+	24.24 грн
3000+	20.06 грн
9000+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 5497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.24 грн
10+	65.35 грн
100+	50.93 грн
500+	39.48 грн
1000+	31.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V

на замовлення 246599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.24 грн
10+	48.36 грн
100+	31.52 грн
500+	26.95 грн
1000+	25.33 грн
3000+	23.54 грн
6000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

MOSFETs 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.27 грн
10+	74.10 грн
100+	42.98 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.75 грн
3000+	28.81 грн
6000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 14249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.62 грн
10+	72.61 грн
100+	56.58 грн
500+	43.86 грн
1000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.35 грн
10+	58.09 грн
100+	38.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 4312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.88 грн
10+	63.59 грн
100+	36.63 грн
500+	28.73 грн
1000+	25.95 грн
3000+	22.69 грн
6000+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	84.80 грн
13+	70.90 грн
100+	44.48 грн
500+	34.53 грн
1000+	29.19 грн
5000+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1 GE3

MOSFET 40V N-CHANNEL (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.83 грн
500+	28.56 грн
1000+	23.98 грн
5000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.71 грн
14+	63.16 грн
100+	42.83 грн
500+	28.56 грн
1000+	23.98 грн
5000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.97 грн
10+	64.86 грн
100+	43.94 грн
500+	32.20 грн
1000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.01 грн
10+	64.84 грн
100+	37.87 грн
500+	29.66 грн
1000+	26.95 грн
3000+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 60669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.26 грн
10+	64.04 грн
100+	36.87 грн
500+	28.81 грн
1000+	26.80 грн
3000+	24.01 грн
6000+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.10 грн
10+	60.59 грн
100+	41.27 грн
500+	30.21 грн
1000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.59 грн
10+	48.08 грн
100+	31.49 грн
500+	22.86 грн
1000+	20.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFETs 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 6466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.29 грн
10+	50.59 грн
100+	29.59 грн
500+	23.31 грн
1000+	21.14 грн
3000+	17.97 грн
6000+	17.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 12567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.11 грн
18+	49.78 грн
100+	33.45 грн
500+	22.59 грн
1000+	18.84 грн
5000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 12567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.45 грн
500+	22.59 грн
1000+	18.84 грн
5000+	16.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.02 грн
10+	59.78 грн
100+	39.58 грн
500+	29.00 грн
1000+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.02 грн
10+	59.78 грн
100+	39.58 грн
500+	29.00 грн
1000+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

MOSFETs 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.01 грн
10+	61.10 грн
100+	36.09 грн
500+	29.59 грн
1000+	26.87 грн
3000+	23.47 грн
6000+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.10 грн
10+	68.74 грн
100+	45.81 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS850EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.09 грн
500+	34.45 грн
1000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.32 грн
10+	47.47 грн
100+	37.95 грн
500+	34.46 грн
1000+	31.37 грн
3000+	27.49 грн
6000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	52.82 грн
19+	47.96 грн
100+	43.09 грн
500+	34.45 грн
1000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.10 грн
10+	68.74 грн
100+	45.81 грн
500+	33.77 грн
1000+	30.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS940ELNW-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS940ELNW-T1_GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS940ELNW-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.89 грн
10+	75.88 грн
100+	43.76 грн
500+	34.54 грн
1000+	32.22 грн
3000+	27.34 грн
6000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS944ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS944ENW-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 14953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.72 грн
10+	68.76 грн
100+	41.28 грн
500+	32.37 грн
1000+	29.51 грн
3000+	28.35 грн
6000+	27.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS944ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.24 грн
10+	65.03 грн
100+	43.20 грн
500+	31.77 грн
1000+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS965ELNW-T1_GE3

Description: DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS965ELNW-T1_GE3

MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.21 грн
10+	80.43 грн
100+	46.62 грн
500+	38.26 грн
1000+	34.62 грн
3000+	29.35 грн
6000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 39942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.18 грн
10+	61.01 грн
100+	41.28 грн
500+	33.15 грн
1000+	30.21 грн
3000+	26.41 грн
6000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.91 грн
10+	66.40 грн
100+	44.18 грн
500+	32.52 грн
1000+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS966ENW-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 9746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.24 грн
16+	55.95 грн
100+	43.35 грн
500+	32.03 грн
1000+	26.14 грн
5000+	23.53 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

на замовлення 10313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.22 грн
500+	34.05 грн
1000+	27.48 грн
5000+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.71 грн
6000+	22.05 грн
9000+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.35 грн
10+	58.09 грн
100+	38.43 грн
500+	28.13 грн
1000+	25.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 14221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.83 грн
10+	63.15 грн
100+	36.63 грн
500+	28.73 грн
1000+	25.95 грн
3000+	22.69 грн
6000+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.78 грн
13+	67.59 грн
100+	51.35 грн
500+	38.48 грн
1000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.46 грн
6000+	27.94 грн
9000+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0554ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.35 грн
500+	38.48 грн
1000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 31563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	58.01 грн
100+	45.13 грн
500+	35.90 грн
1000+	29.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.13 грн
500+	41.95 грн
1500+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.76 грн
6000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.09 грн
10+	72.14 грн
100+	48.87 грн
500+	41.44 грн
1000+	33.69 грн
3000+	31.68 грн
6000+	30.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.60 грн
50+	72.03 грн
100+	52.13 грн
500+	41.95 грн
1500+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.97 грн
10+	72.37 грн
100+	48.41 грн
500+	35.76 грн
1000+	32.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.02 грн
10+	40.34 грн
100+	26.25 грн
500+	18.93 грн
1000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.32 грн
500+	18.64 грн
1000+	15.56 грн
5000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.33 грн
6000+	14.47 грн
9000+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 23916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.58 грн
11+	34.20 грн
100+	25.09 грн
500+	19.28 грн
1000+	17.43 грн
3000+	12.70 грн
6000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

на замовлення 5650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.87 грн
26+	33.54 грн
100+	28.32 грн
500+	18.64 грн
1000+	15.56 грн
5000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V

на замовлення 22786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.23 грн
10+	44.09 грн
100+	26.18 грн
500+	21.84 грн
1000+	19.05 грн
3000+	16.19 грн
6000+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.75 грн
10+	40.10 грн
100+	27.74 грн
500+	21.75 грн
1000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3