Продукція > SQS

Crimpers / Crimping Tools SQS Applicator and Die Set

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GF-P-P

Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

на замовлення 378072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	21.51 грн
20+	18.21 грн
25+	13.47 грн
100+	12.32 грн
250+	10.25 грн
1000+	8.72 грн
2500+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact Body used with Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS120ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.63 грн
10+	65.67 грн
100+	47.42 грн
500+	35.00 грн
1000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS121ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 0.005 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.41 грн
500+	39.77 грн
1000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS121ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 0.005 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.56 грн
13+	68.50 грн
100+	51.41 грн
500+	39.77 грн
1000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS124ELNW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS124ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	63.27 грн
100+	36.42 грн
500+	29.92 грн
1000+	27.93 грн
3000+	23.72 грн
6000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	70.48 грн
100+	47.74 грн
500+	40.40 грн
1000+	37.87 грн
3000+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.36 грн
10+	63.60 грн
100+	49.50 грн
500+	41.28 грн
1000+	33.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	90.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.90 грн
10+	89.75 грн
100+	54.02 грн
500+	45.37 грн
1000+	41.47 грн
3000+	36.57 грн
6000+	35.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

SQS141ELNW-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.94 грн
10+	75.23 грн
100+	46.75 грн
500+	37.49 грн
1000+	34.89 грн
3000+	29.76 грн
6000+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.44 грн
500+	39.05 грн
1500+	31.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7458 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.91 грн
10+	69.50 грн
100+	48.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.15 грн
50+	71.93 грн
100+	52.44 грн
500+	39.05 грн
1500+	31.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW

MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.46 грн
12+	71.84 грн
100+	55.02 грн
500+	40.49 грн
1000+	27.00 грн
5000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 24226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.22 грн
10+	66.87 грн
100+	39.63 грн
500+	33.13 грн
1000+	29.00 грн
3000+	24.56 грн
6000+	23.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.02 грн
500+	40.49 грн
1000+	27.00 грн
5000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.53 грн
10+	52.21 грн
100+	41.53 грн
500+	30.43 грн
1000+	27.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.35 грн
10+	58.66 грн
100+	40.58 грн
500+	31.82 грн
1000+	27.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.69 грн
6000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

SQS142ENW-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS142ENW-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 37239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.52 грн
10+	65.29 грн
100+	38.72 грн
500+	32.37 грн
1000+	28.31 грн
3000+	23.95 грн
6000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS146ELNW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS146ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.90 грн
10+	49.72 грн
100+	29.53 грн
500+	24.64 грн
1000+	22.42 грн
3000+	19.05 грн
6000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS146ENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS146ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.25 грн
10+	68.54 грн
100+	48.22 грн
500+	35.59 грн
1000+	32.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 71940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.55 грн
10+	68.02 грн
25+	59.07 грн
100+	44.23 грн
500+	35.50 грн
1000+	31.06 грн
3000+	29.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS160ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3866 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS161ELNW-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.18 грн
10+	93.27 грн
100+	53.64 грн
500+	43.92 грн
1000+	39.79 грн
3000+	33.74 грн
6000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	60.26 грн
100+	42.89 грн
500+	32.02 грн
1000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	61.24 грн
100+	38.56 грн
500+	30.53 грн
1000+	27.85 грн
3000+	27.77 грн
6000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS164ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.73 грн
10+	57.90 грн
100+	33.13 грн
500+	26.32 грн
1000+	25.17 грн
3000+	21.42 грн
6000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS166ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 25 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.49 грн
10+	34.59 грн
25+	30.96 грн
100+	25.41 грн
250+	23.66 грн
500+	22.61 грн
1000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A33R0JL

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP
Packaging: Tube
Resistance (Ohms): 33
Tolerance: ±5%
Power Per Element: 100mW
Circuit Type: Isolated
Number of Pins: 16
Package / Case: 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.193" L x 0.154" W (4.89mm x 3.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 16-QSOP, 16-SSOP
Height - Seated (Max): 0.069" (1.75mm)
Number of Resistors: 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B-2002JS

03+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1000FS

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1001JL

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B47010JL

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS16B4701JL

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	76.73 грн
100+	51.95 грн
500+	44.00 грн
1000+	41.24 грн
3000+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 0.0038 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 72V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.56 грн
12+	77.68 грн
100+	60.43 грн
500+	47.58 грн
1000+	40.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS174ELNW-T1_GE3

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.43 грн
500+	47.58 грн
1000+	40.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS178ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.94 грн
10+	60.71 грн
100+	40.09 грн
500+	33.97 грн
1000+	31.45 грн
3000+	26.70 грн
6000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW

MOSFETs Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.16 грн
10+	63.88 грн
25+	54.94 грн
100+	49.20 грн
500+	47.29 грн
3000+	40.17 грн
6000+	39.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.69 грн
14+	62.57 грн
100+	55.45 грн
500+	49.50 грн
1000+	42.30 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.63 грн
10+	54.60 грн
100+	48.39 грн
500+	40.34 грн
1000+	32.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.45 грн
500+	49.50 грн
1000+	42.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.15 грн
10+	60.26 грн
100+	46.83 грн
500+	37.25 грн
1000+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V

на замовлення 5140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.82 грн
10+	67.58 грн
100+	45.76 грн
500+	38.79 грн
1000+	33.13 грн
3000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.47 грн
6000+	30.00 грн
9000+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.91 грн
10+	73.21 грн
100+	47.21 грн
500+	37.65 грн
1000+	33.21 грн
3000+	30.15 грн
6000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.05 грн
500+	41.45 грн
1000+	34.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 44A 8-Pin PowerPAK 1212-SLW EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	121.88 грн
11+	79.31 грн
100+	56.05 грн
500+	41.45 грн
1000+	34.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS181ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.39 грн
10+	72.93 грн
100+	51.02 грн
500+	37.69 грн
1000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.16 грн
10+	56.23 грн
100+	38.10 грн
250+	38.03 грн
500+	31.29 грн
1000+	28.46 грн
3000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS182ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.91 грн
10+	55.63 грн
100+	41.84 грн
500+	31.30 грн
1000+	28.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS201CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.80 грн
10+	67.84 грн
100+	39.18 грн
500+	30.91 грн
1000+	30.07 грн
3000+	25.56 грн
6000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS20B-1001FS

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24A1001FS

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2F-02-1T

Automotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.31 грн
15+	60.94 грн
25+	56.65 грн
50+	48.62 грн
100+	41.20 грн
250+	38.26 грн
500+	35.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.53 грн
6000+	27.00 грн
9000+	25.94 грн
15000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 862942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.09 грн
10+	54.29 грн
100+	37.34 грн
500+	32.06 грн
1000+	26.09 грн
3000+	23.34 грн
6000+	23.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	57.55 грн
100+	45.42 грн
500+	34.22 грн
1000+	29.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 108781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3
Код товару: 183342

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.41 грн
13+	69.35 грн
100+	51.93 грн
500+	43.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 141950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.48 грн
10+	77.26 грн
100+	52.41 грн
500+	43.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW

SQS405CENW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 17714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.74 грн
500+	25.27 грн
1000+	20.53 грн
5000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 23241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.09 грн
10+	53.06 грн
100+	30.76 грн
500+	23.80 грн
1000+	21.58 грн
3000+	18.67 грн
6000+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.39 грн
10+	54.28 грн
100+	35.59 грн
500+	25.87 грн
1000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 17714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.86 грн
16+	54.85 грн
100+	36.74 грн
500+	25.27 грн
1000+	20.53 грн
5000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.31 грн
6000+	30.55 грн
9000+	29.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.28 грн
10+	63.44 грн
100+	49.34 грн
500+	39.26 грн
1000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.28 грн
10+	63.44 грн
100+	49.34 грн
500+	39.26 грн
1000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS405ENW-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.32 грн
10+	65.20 грн
100+	47.43 грн
500+	36.98 грн
1000+	32.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.95 грн
6000+	29.32 грн
9000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 71258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.44 грн
10+	44.44 грн
100+	35.50 грн
500+	31.68 грн
1000+	30.99 грн
3000+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.97 грн
10+	64.00 грн
100+	42.35 грн
500+	31.01 грн
1000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.63 грн
500+	32.92 грн
1000+	27.22 грн
5000+	24.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 7789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	63.35 грн
100+	36.42 грн
500+	28.46 грн
1000+	25.86 грн
3000+	22.57 грн
6000+	20.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0273 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 3558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.53 грн
13+	66.61 грн
100+	44.46 грн
500+	32.76 грн
1000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.45 грн
10+	51.74 грн
100+	29.38 грн
500+	22.57 грн
1000+	21.04 грн
3000+	17.83 грн
6000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.80 грн
6000+	18.48 грн
9000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.21 грн
10+	45.19 грн
100+	30.82 грн
500+	23.96 грн
1000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS414CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 27208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.77 грн
10+	45.14 грн
100+	26.86 грн
500+	22.04 грн
1000+	19.97 грн
3000+	17.06 грн
6000+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1 GE3

MOSFETs POWRPK P CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0161 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	58.71 грн
18+	48.41 грн
100+	43.35 грн
500+	37.54 грн
1000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	34.44 грн
2000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 352

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

340+	35.68 грн
343+	35.32 грн
345+	35.18 грн
346+	33.80 грн
500+	31.18 грн
1000+	29.82 грн

Мінімальне замовлення: 340

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	36.90 грн
2000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	39.62 грн
19+	38.22 грн
25+	37.84 грн
100+	36.35 грн
250+	33.53 грн
500+	32.07 грн
1000+	31.95 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.15 грн
500+	36.74 грн
1000+	27.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.54 грн
6000+	31.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	64.88 грн
100+	49.77 грн
500+	36.73 грн
1000+	32.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.75 грн
6000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 8168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.77 грн
10+	46.02 грн
100+	35.81 грн
500+	33.44 грн
1000+	31.52 грн
3000+	27.70 грн
6000+	26.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.34 грн
9000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

MOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.19 грн
10+	64.94 грн
100+	42.47 грн
500+	33.36 грн
1000+	30.38 грн
3000+	28.46 грн
6000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.84 грн
10+	63.20 грн
100+	47.94 грн
500+	36.24 грн
1000+	32.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFETs 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 13224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.41 грн
10+	60.01 грн
100+	34.58 грн
500+	28.39 грн
1000+	26.47 грн
3000+	22.50 грн
6000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.024 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	47.21 грн
29+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.53 грн
10+	56.59 грн
100+	37.24 грн
500+	27.13 грн
1000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.41 грн
10+	45.58 грн
100+	31.83 грн
500+	24.94 грн
1000+	22.57 грн
3000+	19.51 грн
6000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.70 грн
10+	79.38 грн
100+	59.67 грн
500+	44.29 грн
1000+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V

на замовлення 30467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.05 грн
10+	80.95 грн
100+	51.49 грн
500+	40.71 грн
1000+	37.42 грн
3000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.50 грн
6000+	35.53 грн
9000+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 74548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.83 грн
10+	82.45 грн
100+	51.49 грн
500+	40.71 грн
1000+	37.42 грн
3000+	35.35 грн
6000+	32.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

на замовлення 3353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.53 грн
10+	79.38 грн
100+	59.67 грн
500+	44.29 грн
1000+	40.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS460EN-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS460ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 14352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.55 грн
15+	58.97 грн
100+	44.72 грн
500+	34.91 грн
1000+	31.42 грн
5000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30653 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.25 грн
10+	56.67 грн
100+	37.42 грн
500+	30.22 грн
1000+	27.47 грн
3000+	24.03 грн
6000+	23.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.08 грн
10+	56.03 грн
100+	42.49 грн
500+	32.85 грн
1000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.12 грн
10+	68.81 грн
100+	43.08 грн
500+	33.97 грн
1000+	30.99 грн
3000+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.69 грн
6000+	29.27 грн
9000+	28.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.32 грн
10+	75.08 грн
100+	50.07 грн
500+	36.91 грн
1000+	33.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.74 грн
10+	69.98 грн
100+	47.71 грн
500+	36.91 грн
1000+	33.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.57 грн
6000+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS462EN-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.37 грн
10+	70.83 грн
100+	43.23 грн
500+	33.97 грн
1000+	30.99 грн
3000+	27.09 грн
6000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS462ENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.41 грн
10+	59.48 грн
100+	34.05 грн
500+	27.01 грн
1000+	25.17 грн
3000+	21.50 грн
6000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 1.095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.31 грн
15+	59.14 грн
100+	44.80 грн
500+	35.15 грн
1000+	27.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

MOSFETs -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 119275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.77 грн
10+	60.10 грн
100+	38.10 грн
500+	29.92 грн
1000+	27.09 грн
3000+	23.72 грн
6000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.52 грн
10+	49.57 грн
100+	40.32 грн
500+	29.86 грн
1000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.66 грн
500+	34.59 грн
1000+	28.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.29 грн
6000+	23.49 грн
9000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.39 грн
10+	68.78 грн
100+	45.67 грн
500+	33.54 грн
1000+	30.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.57 грн
6000+	26.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.04 грн
10+	59.22 грн
100+	41.25 грн
500+	33.54 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

MOSFETs 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	61.77 грн
100+	39.40 грн
500+	30.84 грн
1000+	28.08 грн
3000+	24.56 грн
6000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS482ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.97 грн
15+	59.48 грн
100+	50.73 грн
500+	36.90 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFETs 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 2489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.48 грн
10+	70.04 грн
100+	40.48 грн
500+	31.68 грн
1000+	28.85 грн
3000+	24.71 грн
6000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS482ENW-T1_GE3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.73 грн
500+	36.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.63 грн
10+	56.51 грн
100+	38.52 грн
500+	28.71 грн
1000+	26.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 9209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.57 грн
10+	54.73 грн
100+	33.97 грн
500+	26.40 грн
1000+	23.95 грн
3000+	19.82 грн
9000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 5497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.32 грн
10+	64.56 грн
100+	50.32 грн
500+	39.01 грн
1000+	30.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40V

на замовлення 246763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.91 грн
10+	54.29 грн
100+	33.67 грн
500+	28.00 грн
1000+	25.94 грн
3000+	23.95 грн
6000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

MOSFETs 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.83 грн
10+	73.21 грн
100+	42.47 грн
500+	33.36 грн
1000+	30.38 грн
3000+	28.46 грн
6000+	25.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 14249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.60 грн
10+	71.73 грн
100+	55.90 грн
500+	43.33 грн
1000+	34.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.29 грн
10+	63.52 грн
100+	42.07 грн
500+	30.80 грн
1000+	28.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.77 грн
13+	70.04 грн
100+	43.95 грн
500+	34.11 грн
1000+	28.84 грн
5000+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 4312 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.73 грн
10+	62.83 грн
100+	36.19 грн
500+	28.39 грн
1000+	25.63 грн
3000+	22.42 грн
6000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.05 грн
6000+	24.14 грн
9000+	23.11 грн
15000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1 GE3

MOSFET 40V N-CHANNEL (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.41 грн
13+	67.04 грн
100+	45.92 грн
500+	31.00 грн
1000+	25.82 грн
5000+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.91 грн
10+	64.08 грн
100+	43.41 грн
500+	31.81 грн
1000+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.92 грн
500+	31.00 грн
1000+	25.82 грн
5000+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.96 грн
10+	64.06 грн
100+	37.42 грн
500+	29.30 грн
1000+	26.63 грн
3000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 60879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.93 грн
10+	62.83 грн
100+	36.42 грн
500+	28.46 грн
1000+	25.86 грн
3000+	22.57 грн
6000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.11 грн
10+	59.86 грн
100+	40.77 грн
500+	29.84 грн
1000+	27.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFETs 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 6566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.90 грн
10+	49.01 грн
100+	28.62 грн
500+	23.03 грн
1000+	20.89 грн
3000+	17.83 грн
6000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 12532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.16 грн
500+	24.31 грн
1000+	19.72 грн
5000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 12532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	71.16 грн
17+	51.59 грн
100+	34.16 грн
500+	24.31 грн
1000+	19.72 грн
5000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.56 грн
10+	44.39 грн
100+	29.75 грн
500+	22.47 грн
1000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.84 грн
10+	58.74 грн
100+	38.89 грн
500+	28.50 грн
1000+	25.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.35 грн
10+	52.36 грн
100+	36.38 грн
500+	28.50 грн
1000+	25.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

MOSFETs 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.96 грн
10+	60.36 грн
100+	35.66 грн
500+	29.23 грн
1000+	26.55 грн
3000+	23.18 грн
6000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.91 грн
10+	67.51 грн
100+	45.02 грн
500+	33.18 грн
1000+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 12706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.10 грн
10+	45.14 грн
100+	35.96 грн
500+	34.05 грн
1000+	30.99 грн
3000+	27.16 грн
6000+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS850EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.57 грн
500+	34.03 грн
1000+	29.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.35 грн
10+	41.60 грн
100+	38.20 грн
500+	33.18 грн
1000+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQS850EN-T1_GE3

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	52.19 грн
19+	47.38 грн
100+	42.57 грн
500+	34.03 грн
1000+	29.58 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQS940ELNW-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS940ELNW-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQS944ENW-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 15019 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	62.12 грн
100+	41.01 грн
250+	40.94 грн
500+	33.44 грн
1000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS965ELNW-T1_GE3

MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.87 грн
10+	68.90 грн
100+	46.60 грн
500+	39.56 грн
1000+	34.51 грн
3000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS966ENW-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 10313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.66 грн
500+	33.63 грн
1000+	27.15 грн
5000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 40122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.77 грн
10+	55.17 грн
100+	37.95 грн
500+	32.75 грн
1000+	29.00 грн
3000+	25.79 грн
6000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.36 грн
6000+	27.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

на замовлення 10313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.45 грн
15+	59.05 грн
100+	45.66 грн
500+	33.63 грн
1000+	27.15 грн
5000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.66 грн
10+	57.86 грн
100+	44.98 грн
500+	35.78 грн
1000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.28 грн
10+	59.38 грн
100+	40.55 грн
500+	29.68 грн
1000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.93 грн
6000+	23.27 грн
9000+	22.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 20678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.39 грн
10+	57.90 грн
100+	34.97 грн
500+	30.61 грн
1000+	26.93 грн
3000+	23.87 грн
6000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0554ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.73 грн
500+	38.02 грн
1000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 31563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.84 грн
10+	57.31 грн
100+	44.59 грн
500+	35.46 грн
1000+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA70CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.0554 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0554ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.57 грн
13+	66.78 грн
100+	50.73 грн
500+	38.02 грн
1000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.09 грн
6000+	27.60 грн
9000+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.29 грн
50+	71.16 грн
100+	51.50 грн
500+	41.45 грн
1500+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.02 грн
10+	71.27 грн
100+	48.28 грн
500+	40.94 грн
1000+	33.28 грн
3000+	31.29 грн
6000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.98 грн
10+	64.08 грн
100+	47.10 грн
500+	37.73 грн
1000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.50 грн
500+	41.45 грн
1500+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.43 грн
6000+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 23941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.94 грн
11+	33.79 грн
100+	24.79 грн
500+	19.05 грн
1000+	17.22 грн
3000+	12.55 грн
6000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.83 грн
11+	30.69 грн
100+	25.42 грн
500+	18.33 грн
1000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.47 грн
500+	22.08 грн
1000+	18.10 грн
5000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V

на замовлення 22786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	50.61 грн
10+	43.56 грн
100+	25.86 грн
500+	21.58 грн
1000+	18.82 грн
3000+	15.99 грн
6000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3

SQSA84CENW-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQSA84CENW-T1_GE3