Продукція > IXX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXX0107100UTQFP
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX0107100UT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX0107100UTQFP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX016960007+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX016960007+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HVIXYSIGBTs TO263 650V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HVIXYSDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Gate charge: 143nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1015.85 грн
10+696.01 грн
120+566.21 грн
510+554.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 92ns
Gate charge: 143nC
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 220A 830W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.00 грн
30+569.39 грн
120+514.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.33 грн
10+914.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 190A 830W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 95s
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+950.69 грн
10+822.72 грн
120+618.24 грн
270+599.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 95s
Gate charge: 150nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65B4IXYSIGBTs TO247 650V 110A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/146ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 570 A
Power - Max: 880 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSIGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1093.52 грн
10+673.13 грн
510+573.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.99 грн
2+619.29 грн
5+585.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.35 грн
30+585.73 грн
120+503.65 грн
510+461.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1105.19 грн
2+771.73 грн
5+702.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.72 грн
5+884.08 грн
10+839.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSIGBTs TO247 650V 140A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSIGBTs TO247 650V 320A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 730 A
Power - Max: 1200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1067.77 грн
2+711.74 грн
3+710.95 грн
4+672.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 300A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1281.32 грн
2+886.94 грн
3+853.13 грн
4+807.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.69 грн
10+820.96 грн
120+706.23 грн
510+692.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 30A XPT
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.23 грн
10+332.61 грн
120+233.37 грн
510+215.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.22 грн
3+388.95 грн
4+310.04 грн
9+293.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSDescription: IGBT 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+558.26 грн
3+484.69 грн
4+372.05 грн
9+351.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.18 грн
5+499.55 грн
10+460.92 грн
50+392.14 грн
100+328.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.22 грн
3+426.41 грн
5+403.29 грн
10+398.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.16 грн
30+284.43 грн
120+238.41 грн
510+192.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+558.26 грн
3+531.37 грн
5+483.95 грн
10+478.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.88 грн
10+343.17 грн
510+286.93 грн
1020+281.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 60A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.92 грн
10+468.63 грн
25+459.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.88 грн
10+381.00 грн
120+284.63 грн
510+269.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.10 грн
30+348.99 грн
120+294.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 37ns
Gate charge: 37nC
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 37ns
Gate charge: 37nC
Turn-off time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 65A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.36 грн
30+284.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4IXYSIXXH30N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4IXYSIGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.27 грн
10+309.73 грн
510+248.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1IXYSIXXH30N65B4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1IXYSIXXH30N65C4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+524.27 грн
3+454.89 грн
4+349.10 грн
9+329.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.89 грн
3+365.04 грн
4+290.91 грн
9+274.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSIGBTs 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.41 грн
10+332.61 грн
120+268.57 грн
510+244.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.02 грн
30+296.73 грн
120+249.11 грн
510+202.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSDescription: IGBT 650V 120A 455W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/100ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 215 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+447.29 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.65 грн
10+711.85 грн
120+512.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1077.45 грн
10+740.01 грн
510+631.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.90 грн
30+580.31 грн
120+498.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.47 грн
10+512.99 грн
120+403.23 грн
510+394.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N60B4IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N60B4H1IXYSIGBTs 40 Amps 900V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+657.14 грн
3+454.89 грн
8+414.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.62 грн
3+365.04 грн
8+345.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSIGBTs 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.98 грн
10+332.61 грн
120+259.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSIGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+923.91 грн
10+667.85 грн
120+544.78 грн
510+507.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.99 грн
30+509.14 грн
120+435.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1183.47 грн
2+824.37 грн
4+749.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 265A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.22 грн
2+661.53 грн
4+624.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSIGBTs 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 118A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/133ns
Switching Energy: 3.2mJ (on), 830µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 118A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 75A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.71 грн
30+455.50 грн
120+386.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1IXYSIXXH75N60B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSIGBTs TO247 600V 75A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 105ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 125ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.13 грн
3+355.47 грн
8+336.34 грн
120+332.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXH80N65B4 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 160A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 625
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4 Series
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.99 грн
10+427.64 грн
120+364.97 грн
510+335.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.25 грн
30+381.00 грн
120+322.75 грн
510+275.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Turn-on time: 125ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+733.36 грн
3+442.97 грн
8+403.61 грн
120+398.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/112ns
Switching Energy: 3.36mJ (on), 1.83mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+936.93 грн
30+547.34 грн
120+469.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 222ns
Turn-on time: 125ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 222ns
Turn-on time: 125ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 123ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.69 грн
5+898.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 123ns
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW 3-Pin TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1617.28 грн
25+1057.27 грн
100+1036.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1IXYSIXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1704.99 грн
10+1247.72 грн
100+1030.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 695 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.92 грн
25+1065.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1IXYSIXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N75B4H1IXYSIGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1865.67 грн
10+1327.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 250A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2153.56 грн
5+1884.04 грн
10+1561.31 грн
50+1299.95 грн
100+1107.25 грн
250+1033.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1680.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1455.39 грн
3+1326.93 грн
25+1229.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1212.82 грн
3+1064.82 грн
25+1024.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 860 A
Power - Max: 940 W
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1887.93 грн
25+1191.23 грн
100+1101.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1735.55 грн
2+1582.19 грн
25+1516.90 грн
100+1465.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1446.29 грн
2+1269.66 грн
25+1264.08 грн
100+1221.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSIGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/197ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 422 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 940 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 380A 1630W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3IXYSIXXK200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 380A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3IXYSIGBTs GenX3 XPT 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 340A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3IXYSIXXK200N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 340A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4IXYSIGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3033.28 грн
10+2512.16 грн
100+2094.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4IXYSDescription: IGBT 650V 370A 1150W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4IXYSIXXK200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 550A 2300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1140 A
Power - Max: 2300 W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2355.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3IXYSIXXK300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 300A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2567.31 грн
10+2249.94 грн
25+1824.10 грн
50+1766.71 грн
100+1710.09 грн
250+1537.94 грн
500+1488.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 510A 2300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 438 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1075 A
Power - Max: 2300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3IXYSIXXK300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 510A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1IXYSIXXN100N60B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2478.04 грн
10+1842.54 грн
100+1467.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSIGBT Modules 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2216.49 грн
10+1591.76 грн
100+1292.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 650A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 215 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2101.48 грн
10+1484.06 грн
100+1273.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 650A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
Dauer-Kollektorstrom: 210A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2424.79 грн
5+2100.34 грн
10+1775.03 грн
25+1528.69 грн
100+1299.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSIGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2161.15 грн
10+1622.56 грн
100+1306.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 470A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2119.68 грн
10+1497.77 грн
100+1287.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 470A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2048.50 грн
10+1444.45 грн
100+1233.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 940W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 940W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1LittelfuseIGBT Module, XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Power dissipation: 780W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 780000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1IXYSIGBT Modules XPT 600V IGBT 98A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4IXYSIXXN200N65A4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN340N65B4LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN340N65B4IXYSIGBT Transistors IGBT XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/158ns
Switching Energy: 440µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1Littelfuse650V IGBT Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSDescription: IGBT 600V 33A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/150ns
Switching Energy: 550µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 90 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 90W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 292ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 90W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSIGBTs TO3P 600V 19A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1IXYSIXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1259.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1643.40 грн
10+1546.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1522.93 грн
30+926.91 грн
120+844.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HVIXYSIGBTs IGBT DISCRETE TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1IXYSIGBTs PLUS247 600V 100A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 200A 695W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1IXYSIXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1IXYSDescription: IGBT 600V 170A 695W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 695 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1IXYSIXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1IXYSIGBTs GenX3 w/Diode XPT 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N75B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1637.15 грн
10+974.95 грн
120+840.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1IXYSIGBTs PLUS247 650V 140A SN DIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1IXYSIXXX140N65B4H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2082.59 грн
10+1669.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 310A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 860 A
Power - Max: 940 W
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1911.94 грн
30+1184.86 грн
120+1119.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 290A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSIGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX4™; XPT™
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/197ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 422 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 940 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3IXYSIXXX200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 4.4mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 380A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3IXYSIGBTs PLUS247 600V 200A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60C3IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2151.33 грн
10+1956.05 грн
30+1453.01 грн
120+1452.24 грн
270+1367.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 340A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4IXYSIGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3067.20 грн
10+2821.89 грн
30+2221.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4IXYSDescription: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1998.02 грн
30+1595.14 грн
120+1495.44 грн
510+1197.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXX200N65B4 - IGBT, 480 A, 1.5 V, 1.63 kW, 650 V, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.63kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2852.24 грн
5+2621.35 грн
10+2390.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4IXYSIXXX200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXX300N60B3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 550A, PLUS247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: PLUS247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Kollektorstrom: 550
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX3 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2788.72 грн
5+2691.73 грн
10+2597.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3IXYSIXXX300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 300A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2519.11 грн
10+2183.07 грн
30+1620.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 550A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1140 A
Power - Max: 2300 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2540.97 грн
30+2028.53 грн
120+1901.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 510A 2300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 438 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1075 A
Power - Max: 2300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3IXYSIXXX300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 510A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.