Продукція > IXX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IXX0107100UTQFP
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX0107100UT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX0107100UTQFP
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX016960007+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXX016960007+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HVIXYSDescription: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HVIXYSIGBTs TO263 650V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.57 грн
10+945.02 грн
30+581.92 грн
60+568.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 220A 830W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+891.31 грн
30+547.47 грн
120+494.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.63 грн
10+798.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 190A 830W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 190 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+934.68 грн
10+920.49 грн
30+584.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65B4IXYSIGBTs TO247 650V 110A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 250A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/146ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 570 A
Power - Max: 880 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+893.78 грн
2+595.44 грн
3+594.68 грн
5+562.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.40 грн
30+577.74 грн
120+495.76 грн
510+450.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1072.54 грн
2+742.01 грн
3+713.61 грн
5+674.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 880
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.96 грн
5+850.04 грн
10+807.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4IXYSIGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1011.93 грн
10+875.65 грн
30+562.06 грн
60+552.50 грн
120+493.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSIGBTs TO247 650V 140A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSIGBTs TO247 650V 320A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 730 A
Power - Max: 1200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH140N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.14 грн
2+468.23 грн
6+442.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 300A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+843.77 грн
2+583.49 грн
6+531.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1106.34 грн
10+975.48 грн
30+731.27 грн
60+728.32 грн
120+727.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.30 грн
3+373.97 грн
4+298.10 грн
9+282.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSDescription: IGBT 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+536.76 грн
3+466.03 грн
4+357.73 грн
9+338.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.86 грн
3+407.69 грн
7+385.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.70 грн
30+243.06 грн
120+220.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+715.03 грн
3+508.04 грн
7+462.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.27 грн
30+324.88 грн
510+276.62 грн
1020+266.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH30N60B3D1 - IGBT, 60 A, 1.66 V, 270 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.33 грн
5+437.40 грн
10+414.29 грн
50+362.48 грн
100+314.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3IXYSIGBTs TO247 600V 60A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3IXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.07 грн
10+409.10 грн
25+401.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+573.34 грн
30+375.64 грн
120+286.18 грн
510+282.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 65A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 146 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.75 грн
30+273.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4IXYSIXXH30N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4IXYSIGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.14 грн
10+390.87 грн
30+230.27 грн
120+221.44 грн
510+216.29 грн
1020+214.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1IXYSIXXH30N65B4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1IXYSIXXH30N65C4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+504.08 грн
3+437.38 грн
4+335.65 грн
9+317.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.07 грн
3+350.98 грн
4+279.71 грн
9+264.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSIGBTs 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.12 грн
10+402.71 грн
30+297.22 грн
120+272.94 грн
270+224.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 115A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/115ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1IXYSDescription: IGBT 650V 120A 455W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/144ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/100ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 215 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+450.73 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.01 грн
10+838.42 грн
30+617.97 грн
120+538.52 грн
270+447.29 грн
510+446.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1072.01 грн
10+1024.55 грн
30+592.22 грн
120+567.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1101.40 грн
30+649.65 грн
120+559.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.09 грн
10+727.59 грн
30+576.77 грн
120+527.48 грн
270+484.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 100A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/62ns
Switching Energy: 720µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N60B4IXYSIGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N60B4H1IXYSIGBTs 40 Amps 900V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+631.84 грн
3+437.38 грн
8+398.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 145A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.53 грн
3+350.98 грн
8+331.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSIGBTs 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.36 грн
10+399.33 грн
30+328.11 грн
120+281.03 грн
270+234.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSIGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 420 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+858.30 грн
10+845.19 грн
30+517.92 грн
120+517.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.53 грн
30+513.60 грн
120+438.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH60N65B4H1 - IGBT, 60 A, 2.2 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 455
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1137.90 грн
2+791.67 грн
4+720.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+948.25 грн
2+635.29 грн
4+600.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSIGBTs 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 118A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/133ns
Switching Energy: 3.2mJ (on), 830µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 118 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 455 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 118A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3IXYSIGBTs TO247 600V 75A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+714.10 грн
10+619.30 грн
30+383.29 грн
120+339.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/118ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.96 грн
30+437.96 грн
120+371.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 108ns
Turn-off time: 315ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 108ns
Turn-off time: 315ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 150A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/90ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1IXYSIGBTs TO247 600V 75A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXH80N65B4 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 160A, TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 625
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4 Series
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.69 грн
10+589.69 грн
30+330.32 грн
120+289.86 грн
510+286.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.05 грн
30+380.20 грн
120+321.14 грн
510+270.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4IXYSIXXH80N65B4 THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+668.48 грн
3+472.68 грн
7+446.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 180A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/112ns
Switching Energy: 3.36mJ (on), 1.83mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1IXYSIXXH80N65B4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH80N65B4H1 - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.64 грн
5+821.98 грн
10+735.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYSIGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+980.17 грн
10+780.04 грн
30+542.93 грн
60+542.20 грн
120+516.45 грн
510+513.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1018.64 грн
30+597.10 грн
120+512.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1IXYSIXXH80N65B4H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW 3-Pin TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1IXYSIGBTs XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1555.01 грн
25+1016.56 грн
100+996.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1IXYSIXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1227.36 грн
25+1202.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 695 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.34 грн
25+1024.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1IXYSIXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N75B4H1IXYSIGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1774.96 грн
10+1555.01 грн
25+1314.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 250A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2070.64 грн
5+1811.50 грн
10+1501.19 грн
50+1249.89 грн
100+1064.62 грн
250+993.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1399.35 грн
3+1275.84 грн
25+1213.88 грн
50+1181.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1166.13 грн
3+1023.82 грн
25+1011.56 грн
50+984.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 310A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 860 A
Power - Max: 940 W
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1904.37 грн
25+1201.64 грн
100+1111.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1575.63 грн
3+1437.23 грн
25+1371.13 грн
100+1330.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1313.03 грн
3+1153.33 грн
25+1142.61 грн
100+1108.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940W 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSIGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/197ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 422 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 940 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3IXYSIXXK200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 380A 1630W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 380A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3IXYSIGBT Transistors GenX3 XPT 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3IXYSIXXK200N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 340A 1630W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 340A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4IXYSIGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2872.71 грн
10+2761.46 грн
25+2040.05 грн
50+1976.78 грн
100+1970.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4IXYSIXXK200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4IXYSDescription: IGBT 650V 370A 1150W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3IXYSIXXK300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 550A 2300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1140 A
Power - Max: 2300 W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2264.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 300A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2468.46 грн
10+2163.31 грн
25+1753.87 грн
50+1698.69 грн
100+1644.25 грн
250+1478.72 грн
500+1431.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3IXYSIXXK300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 510A 2300W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 438 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1075 A
Power - Max: 2300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 510A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2289.07 грн
10+1761.44 грн
20+1522.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSIGBT Modules 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2148.31 грн
10+1599.85 грн
100+1344.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 215 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.65 nF @ 25 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2164.60 грн
10+1527.31 грн
100+1306.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSIGBT Modules 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSDescription: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
Dauer-Kollektorstrom: 210A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2418.08 грн
5+2284.39 грн
10+2149.87 грн
25+1871.39 грн
100+1610.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2126.40 грн
10+1498.72 грн
100+1277.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3IXYSIXXN200N60B3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1LittelfuseIGBT Module, XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.97 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1IXYSIXXN200N60B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 200A 780W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.9 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1IXYSIXXN200N60C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 200A 780000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1IXYSIGBT Modules XPT 600V IGBT 98A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN340N65B4LittelfuseIGBT Module, 650V IGBT Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN340N65B4IXYSIGBT Transistors IGBT XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4LittelfuseIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSDescription: IGBT 650V 38A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/158ns
Switching Energy: 440µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1Littelfuse650V IGBT Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSIGBTs TO220 600V 50A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 120A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/150ns
Switching Energy: 670µJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSDescription: IGBT 600V 33A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/150ns
Switching Energy: 550µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 90 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3MIXYSIGBTs TO3P 600V 19A IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1IXYSIXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1IXYSIGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1210.54 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1591.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1571.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HVIXYSIGBTs IGBT DISCRETE TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HVIXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1IXYSIGBTs PLUS247 600V 100A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 200A 695W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Power - Max: 695 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1IXYSIXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1IXYSDescription: IGBT 600V 170A 695W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 695 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1IXYSIXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1IXYSIGBTs GenX3 w/Diode XPT 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N75B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSIGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1642.78 грн
10+1426.41 грн
30+1043.20 грн
60+1037.31 грн
120+951.24 грн
270+862.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/270ns
Switching Energy: 5.75mJ (on), 2.67mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 840 A
Power - Max: 1200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1IXYSIGBTs PLUS247 650V 140A SN DIO
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+1710.58 грн
10+1499.17 грн
30+1146.93 грн
60+1116.03 грн
120+978.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 310A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSIGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1908.85 грн
10+1779.21 грн
30+1364.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSDescription: IGBT PT 650V 310A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/220ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 860 A
Power - Max: 940 W
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1928.25 грн
30+1195.23 грн
120+1129.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 290A 940000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSIGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSDescription: IGBT PT 650V 290A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/197ns
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 422 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 940 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 4.4mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
Power - Max: 1630 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3IXYSIXXX200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 380A 1630000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60C3IXYSIGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2068.49 грн
10+1880.73 грн
30+1397.06 грн
120+1396.32 грн
270+1314.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 200A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 900 A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1908.35 грн
10+1695.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4IXYSDescription: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1921.08 грн
30+1533.72 грн
120+1437.86 грн
510+1151.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXX200N65B4 - IGBT, 480 A, 1.5 V, 1.63 kW, 650 V, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.63kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2742.42 грн
5+2520.42 грн
10+2298.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4IXYSIXXX200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4IXYSIGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2949.10 грн
10+2713.23 грн
30+2135.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXXX300N60B3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 550A, PLUS247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: PLUS247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Kollektorstrom: 550
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX3 Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2681.35 грн
5+2588.09 грн
10+2497.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3IXYSIXXX300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3IXYSIGBTs XPT 600V IGBT 300A
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2422.11 грн
10+2099.01 грн
30+1558.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 550A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 3.45mJ (on), 2.86mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1140 A
Power - Max: 2300 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2443.14 грн
30+1950.43 грн
120+1828.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3IXYSIGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 510A 2300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 3.35mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 438 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 510 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1075 A
Power - Max: 2300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3IXYSIXXX300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 510A 2300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.