Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (151543) > Сторінка 2486 з 2526

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 252 504 756 1008 1260 1512 1764 2016 2268 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2520 2526  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.69 грн
9+109.26 грн
24+102.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.70 грн
10+129.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3443F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2127spbf.pdf?ci_sign=203f11987e306e198516b74fa296a60c82b6b5ef Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.08 грн
10+96.68 грн
27+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBE4549364958BF&compId=IGT60R190D1SATMA1.pdf?ci_sign=500d5346868d9d0d739574ae6a7257e739be002c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Gate current: 7.7mA
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Gate charge: 3.2nC
Technology: CoolGaN™
Kind of transistor: HEMT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10V
Pulsed drain current: 23A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.22 грн
3+429.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 125ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.21 грн
8+130.48 грн
20+123.41 грн
250+118.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 125ns
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.60 грн
10+71.53 грн
95+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2111.pdf?ci_sign=cfae4f602fb7282d14336c0c0f16766cd0eadcb6 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.47 грн
8+130.48 грн
20+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC01A6BF4675EA&compId=IR2111SPBF.pdf?ci_sign=e56e32f57f9de1414cd99b1b3cad0ce56d1a2232 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.06 грн
9+114.76 грн
23+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC847PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6A4E750E1A469&compId=BC846PNH6327.pdf?ci_sign=b3d707a0c8687f7783b02bc7f504750648a3ba4c Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.39 грн
43+9.28 грн
100+7.23 грн
164+5.58 грн
452+5.27 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.49 грн
10+39.93 грн
36+25.78 грн
99+24.37 грн
200+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.70 грн
31+12.89 грн
50+10.61 грн
100+8.49 грн
141+6.52 грн
389+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.55 грн
24+17.06 грн
50+11.95 грн
100+10.22 грн
186+4.95 грн
510+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.08 грн
34+11.71 грн
100+7.32 грн
200+4.62 грн
551+4.36 грн
3000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF IRL2505PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.83 грн
10+112.40 грн
11+84.11 грн
31+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6FF95B2795EA&compId=IRF7201TRPBF.pdf?ci_sign=1faf568f52c19e8c6dcda73263526dccd2553458 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.17 грн
49+18.94 грн
134+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Drain current: 38A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3-11
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.20 грн
4+302.63 грн
9+286.12 грн
30+276.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFF7BE8F13C749&compId=IKQ40N120CH3.pdf?ci_sign=c8ed0c89fcc600022b2a871e0b32fde7f3676f73 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD6AC8EDA0749&compId=IKQ40N120CT2.pdf?ci_sign=8253bd2051f94bd3337d2fb92cd05a3b6edcd14b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.60 грн
4+259.40 грн
10+245.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.46 грн
3+348.22 грн
8+329.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.11 грн
3+401.67 грн
7+379.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF3053B408E7820&compId=IKY40N120CH3.pdf?ci_sign=6f1d0b3f6ef77831abed12e2ffc7daa6f0f4c068 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF30BD6FCDAB820&compId=IKY40N120CS6.pdf?ci_sign=341ed47cf8e6482e67d81b7d878f560b2cace0b7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.33 грн
10+41.82 грн
11+39.22 грн
35+27.04 грн
94+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF PVT422PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0D6CE9F1E81EC&compId=pvt422.pdf?ci_sign=3f2ba5943339d5ad4b75c4067aaf5ceb997c203e description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Release time: 0.5ms
Manufacturer series: PVT422PbF
Control current: 2...25mA
Contacts configuration: DPST-NO
Max. operating current: 350mA
On-state resistance: 35Ω
Operate time: 2ms
Relay variant: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF PVT422SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0D6CE9F1E81EC&compId=pvt422.pdf?ci_sign=3f2ba5943339d5ad4b75c4067aaf5ceb997c203e description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Release time: 0.5ms
Manufacturer series: PVT422PbF
Control current: 2...25mA
Contacts configuration: DPST-NO
Max. operating current: 350mA
On-state resistance: 35Ω
Operate time: 2ms
Relay variant: MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.04 грн
2+509.36 грн
5+481.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB6C96BEB6D820&compId=IGB20N65S5.pdf?ci_sign=a4d8b063edbd433beb9ed958c8c2ba441c0328b3 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC6BCE91BE1820&compId=IHW20N65R5.pdf?ci_sign=b44b2ed99f625095237ebaf7c9ffdee8198ae140 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD5B574119B820&compId=IKB20N65EH5.pdf?ci_sign=84117916d2af3cf46356ecf8de4185ed193d681c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.33 грн
6+160.35 грн
10+151.71 грн
16+150.92 грн
100+145.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D5A62F654D811C&compId=SPD50N03S207G-DTE.pdf?ci_sign=068d79be9e9d324ac6f1de7a5a630c5f9ecd67a2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.10 грн
25+35.21 грн
71+34.19 грн
100+33.96 грн
500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FCC41651611C&compId=BSC050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=55fc8546e1bdca0ab93af1429ad045914edb6305 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FE70931A411C&compId=BSC050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=30504bf576f6632aed8312b78da20e1992fd0544 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.41 грн
10+49.76 грн
27+34.27 грн
75+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.70 грн
8+117.91 грн
22+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.17 грн
8+129.70 грн
20+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRPBF IRF7101TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F72EDED7238F1A303005056AB0C4F&compId=irf7101pbf.pdf?ci_sign=aaac22e0b6c73d3d5db65aef3b433a69d403b0bc Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.34 грн
7+56.91 грн
50+32.86 грн
65+14.38 грн
177+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73473BB245F1A303005056AB0C4F&compId=irf7104pbf.pdf?ci_sign=e5ad76f1ac31c77ea305a7fd6f10a5c85b412e65 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.55 грн
17+23.66 грн
25+20.44 грн
50+18.31 грн
82+11.32 грн
223+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.05 грн
10+82.61 грн
29+32.70 грн
78+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.10 грн
10+39.85 грн
47+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-1
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.57 грн
10+63.67 грн
24+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 BTS721L1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD63E1D1A0DB5EA&compId=BTS721L1.pdf?ci_sign=dc89e9f4aa46a4b01ce52b4c4547a9f1890db8d6 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Classic PROFET
Case: DSO20
Mounting: SMD
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.7W
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...34V DC
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.73 грн
3+350.58 грн
8+330.93 грн
25+319.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.94 грн
11+37.73 грн
12+34.59 грн
29+32.39 грн
79+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD84F5CA48F1A303005056AB0C4F&compId=irfl024npbf.pdf?ci_sign=82149718abf7d65abc0cc3f966ed8e67d81b09e0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B357CE50A06FA8&compId=IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=5364802f19d02231e857b5a684b7d43fa931e4d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.87 грн
3+191.80 грн
6+166.64 грн
10+162.71 грн
16+157.21 грн
20+153.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B357CE50A06FA8&compId=IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=5364802f19d02231e857b5a684b7d43fa931e4d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.87 грн
3+194.94 грн
7+152.49 грн
17+143.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR21271SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.69 грн
9+109.26 грн
24+102.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR2127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.70 грн
10+129.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3443F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2127spbf.pdf?ci_sign=203f11987e306e198516b74fa296a60c82b6b5ef
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.08 грн
10+96.68 грн
27+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBE4549364958BF&compId=IGT60R190D1SATMA1.pdf?ci_sign=500d5346868d9d0d739574ae6a7257e739be002c
IGT60R190D1SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Gate current: 7.7mA
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Gate charge: 3.2nC
Technology: CoolGaN™
Kind of transistor: HEMT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10V
Pulsed drain current: 23A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.22 грн
3+429.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09
IRFP3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 125ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.21 грн
8+130.48 грн
20+123.41 грн
250+118.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 125ns
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+71.53 грн
95+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2111.pdf?ci_sign=cfae4f602fb7282d14336c0c0f16766cd0eadcb6
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.47 грн
8+130.48 грн
20+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC01A6BF4675EA&compId=IR2111SPBF.pdf?ci_sign=e56e32f57f9de1414cd99b1b3cad0ce56d1a2232
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.06 грн
9+114.76 грн
23+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6A4E750E1A469&compId=BC846PNH6327.pdf?ci_sign=b3d707a0c8687f7783b02bc7f504750648a3ba4c
BC847PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.39 грн
43+9.28 грн
100+7.23 грн
164+5.58 грн
452+5.27 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.49 грн
10+39.93 грн
36+25.78 грн
99+24.37 грн
200+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.70 грн
31+12.89 грн
50+10.61 грн
100+8.49 грн
141+6.52 грн
389+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.55 грн
24+17.06 грн
50+11.95 грн
100+10.22 грн
186+4.95 грн
510+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.08 грн
34+11.71 грн
100+7.32 грн
200+4.62 грн
551+4.36 грн
3000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7
IRL2505PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.83 грн
10+112.40 грн
11+84.11 грн
31+80.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6FF95B2795EA&compId=IRF7201TRPBF.pdf?ci_sign=1faf568f52c19e8c6dcda73263526dccd2553458
IRF7201TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780
IRF7205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.17 грн
49+18.94 грн
134+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Drain current: 38A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3-11
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS® -T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.20 грн
4+302.63 грн
9+286.12 грн
30+276.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFF7BE8F13C749&compId=IKQ40N120CH3.pdf?ci_sign=c8ed0c89fcc600022b2a871e0b32fde7f3676f73
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A2AFD6AC8EDA0749&compId=IKQ40N120CT2.pdf?ci_sign=8253bd2051f94bd3337d2fb92cd05a3b6edcd14b
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.60 грн
4+259.40 грн
10+245.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.46 грн
3+348.22 грн
8+329.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+628.11 грн
3+401.67 грн
7+379.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF3053B408E7820&compId=IKY40N120CH3.pdf?ci_sign=6f1d0b3f6ef77831abed12e2ffc7daa6f0f4c068
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF30BD6FCDAB820&compId=IKY40N120CS6.pdf?ci_sign=341ed47cf8e6482e67d81b7d878f560b2cace0b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.33 грн
10+41.82 грн
11+39.22 грн
35+27.04 грн
94+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8
IRL2203NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0D6CE9F1E81EC&compId=pvt422.pdf?ci_sign=3f2ba5943339d5ad4b75c4067aaf5ceb997c203e
PVT422PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Release time: 0.5ms
Manufacturer series: PVT422PbF
Control current: 2...25mA
Contacts configuration: DPST-NO
Max. operating current: 350mA
On-state resistance: 35Ω
Operate time: 2ms
Relay variant: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0D6CE9F1E81EC&compId=pvt422.pdf?ci_sign=3f2ba5943339d5ad4b75c4067aaf5ceb997c203e
PVT422SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Release time: 0.5ms
Manufacturer series: PVT422PbF
Control current: 2...25mA
Contacts configuration: DPST-NO
Max. operating current: 350mA
On-state resistance: 35Ω
Operate time: 2ms
Relay variant: MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+645.04 грн
2+509.36 грн
5+481.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB6C96BEB6D820&compId=IGB20N65S5.pdf?ci_sign=a4d8b063edbd433beb9ed958c8c2ba441c0328b3
IGB20N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC6BCE91BE1820&compId=IHW20N65R5.pdf?ci_sign=b44b2ed99f625095237ebaf7c9ffdee8198ae140
IHW20N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD5B574119B820&compId=IKB20N65EH5.pdf?ci_sign=84117916d2af3cf46356ecf8de4185ed193d681c
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.33 грн
6+160.35 грн
10+151.71 грн
16+150.92 грн
100+145.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D5A62F654D811C&compId=SPD50N03S207G-DTE.pdf?ci_sign=068d79be9e9d324ac6f1de7a5a630c5f9ecd67a2
SPD50N03S207GBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+37.10 грн
25+35.21 грн
71+34.19 грн
100+33.96 грн
500+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FCC41651611C&compId=BSC050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=55fc8546e1bdca0ab93af1429ad045914edb6305
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FE70931A411C&compId=BSC050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=30504bf576f6632aed8312b78da20e1992fd0544
BSC050N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9
BSZ050N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.41 грн
10+49.76 грн
27+34.27 грн
75+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.70 грн
8+117.91 грн
22+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1E5D4C00111BF&compId=SPP11N80C3-dte.pdf?ci_sign=b26c2386ea50a5506f83eacecebe4bf1a2b7bb44
SPP11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.17 грн
8+129.70 грн
20+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FF4C2BAF7A71BF&compId=SPW11N80C3-DTE.pdf?ci_sign=a5731e027b48697bfb5b7b556dd38587c18e85a8
SPW11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F72EDED7238F1A303005056AB0C4F&compId=irf7101pbf.pdf?ci_sign=aaac22e0b6c73d3d5db65aef3b433a69d403b0bc
IRF7101TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F730DD100BCF1A303005056AB0C4F&compId=irf7103pbf.pdf?ci_sign=2b12eb75b5f6dce55c65084304d884f8b12d91e4
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.34 грн
7+56.91 грн
50+32.86 грн
65+14.38 грн
177+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73473BB245F1A303005056AB0C4F&compId=irf7104pbf.pdf?ci_sign=e5ad76f1ac31c77ea305a7fd6f10a5c85b412e65
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.55 грн
17+23.66 грн
25+20.44 грн
50+18.31 грн
82+11.32 грн
223+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2
AUIRF7103QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.05 грн
10+82.61 грн
29+32.70 грн
78+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.10 грн
10+39.85 грн
47+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-1
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.57 грн
10+63.67 грн
24+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD63E1D1A0DB5EA&compId=BTS721L1.pdf?ci_sign=dc89e9f4aa46a4b01ce52b4c4547a9f1890db8d6
BTS721L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Classic PROFET
Case: DSO20
Mounting: SMD
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 3.7W
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...34V DC
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.73 грн
3+350.58 грн
8+330.93 грн
25+319.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.94 грн
11+37.73 грн
12+34.59 грн
29+32.39 грн
79+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120
IRFP4568PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 517W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD84F5CA48F1A303005056AB0C4F&compId=irfl024npbf.pdf?ci_sign=82149718abf7d65abc0cc3f966ed8e67d81b09e0
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B357CE50A06FA8&compId=IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=5364802f19d02231e857b5a684b7d43fa931e4d8
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.87 грн
3+191.80 грн
6+166.64 грн
10+162.71 грн
16+157.21 грн
20+153.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5XKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B357CE50A06FA8&compId=IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf?ci_sign=5364802f19d02231e857b5a684b7d43fa931e4d8
IGW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.87 грн
3+194.94 грн
7+152.49 грн
17+143.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 252 504 756 1008 1260 1512 1764 2016 2268 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2488 2489 2490 2491 2520 2526  [ Наступна Сторінка >> ]