Продукція > BFP
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFP 181 E7764 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17.5dB ~ 21dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 181 E7764 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | на замовлення 2865 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 182 E7764 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 182 E7764 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 182 E7764 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Obsolete | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 182R E7764 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 182W H6327 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 182W H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 183 E7764 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | на замовлення 17780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 183 E7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 183W E6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 183W H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 12336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 193 E6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | на замовлення 8019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 193W H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 6339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 196 E6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 196R E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16.5dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 196R E6501 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16.5dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 196W H6327 | Infineon | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP 196W H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 4210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 405 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 405 H6433 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 405 H6740 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 405 H6740 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 405F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 55mW Current - Collector (Ic) (Max): 12mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 405F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 410 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 410 H6327 | Infineon | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP 420 E6327 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 420 E6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP 420 E6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors TRANS GP BJT NPN 4.5V.035A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 420 H6327 | Infineon | на замовлення 918100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP 420 H6327 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP 420 H6327 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412900 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 160 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 hazardous: false Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 35 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 420 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 20901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 420 H6327 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP 420 H6327 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 95 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: 25 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 35 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 420 H6433 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 420 H6433 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 8799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 420 H6740 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 5655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 420 H6801 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 420-E6327 | SIEMENS | SOT343 | на замовлення 2014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP 420F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 420F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 420F-E6327 | INF | SOT343 | на замовлення 2848 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP 450 E6327 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 450 E6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors TRANS GP BJT NPN 4.5V 0.1A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 450 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 450 H6433 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 460 E6433 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 460 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 460 H6327 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP 520 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 520F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 520F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 520F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 540 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 24987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP 540ESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 106-115 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 540F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 540FESD E6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 540FESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 620 E7764 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN 2.3 V 80 mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 620 H7764 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 8343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 620 H7764 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 620F E7764 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 620F H7764 Код товару: 188800 | Транзистори > ВЧ | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP 620F H7764 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 17327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 640 H6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 640 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 640 H6433 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 640ESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 640F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 640FESD E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 640FESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BI | на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 650 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 650F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 650F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 650F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 720 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 720ESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 720F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 720F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 720F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 4521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 720FESD E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 29dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 720FESD E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 29dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 720FESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 740 E6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 740 H6327 | Infineon | на замовлення 72100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP 740 H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 740 H6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN | на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP 740ESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 5448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 740F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 740F E6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 740F E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 740F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 7130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 740FESD E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 31dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 740FESD H6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 740FESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BI | на замовлення 3272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 760 H6327 | Infineon | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP 840ESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 2002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 840FESD Код товару: 73556 | Транзистори > ВЧ | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP 840FESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP 842ESD H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP 842ESD H6327 | Infineon | на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP-064064-25-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Identification BFP .25/.25" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-101101-1.3-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 4/4" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-127032-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP .5/.126" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-127064-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP .5/.252" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-127111-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP .5/.437" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-127111-10-9 | TE Connectivity Raychem Cable Protection | Description: BFP-127111-10-9 Packaging: Box Applications: General Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-127127-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP .5/.5" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-191064-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP .75/.25" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-203127-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP .8/.5" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-254064-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 1/.25" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-254097-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 1/.38" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-254127-10-4 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 1/.5" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-254254-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 1/1" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-318064-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Identification BFP 1.25/.25" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-318097-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 1.25/.38" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-381064-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Identification BFP 1.5/.25" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-381127-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Identification BFP 1.5/.5" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-381191-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 1.5/.75" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-445102-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 1.7/.4" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-508064-10-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 2/.25" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-508095-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 2/.375" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-508127-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 2/.5" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-508254-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 2/1" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-508318-2.5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 2/1.25" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-699191-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 2.75/.75" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-699254-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 2.75/1" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-762127-1-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Identification BFP 3/5" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP-762254-5-9 | TE Connectivity / Raychem | Wire Labels & Markers BFP 3/1" LABEL PRICE PER LABEL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP1-1/2A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories BOLT FLANGE PROTECTOR:LDPE BLUE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP1-1/4A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP1/2A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP136W E6327 | INFINEON | SOT343-PA PB-FRE | на замовлення 279000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP136W E6327 SOT343-PA | INFINEON | на замовлення 207000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP136WE-6327 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP136WE6327SOT343-PAPB-FREE | INFINEON | на замовлення 279000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP169WH6740 | Rochester Electronics, LLC | Description: SI- AND SIGE:C-TRANSISTOR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP177 | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP178 | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP179 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP181 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181 E7764 | INFINEON | SOT143-RF PB-FRE | на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP181 E7764 SOT143-RF P | INFINEON | на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP181E7764 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT143-4 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181E7764 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 11975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17.5dB ~ 21dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17.5dB ~ 21dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP181E7764SOT143-RFPB-FREE | INFINEON | на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP181RE7764 | INFINEON | 04+ | на замовлення 114010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP181TRW-GS08 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181TRW-GS08 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP181TRW-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-343R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181TRW-GS08 Код товару: 106848 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP181TW | на замовлення 30300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP181TW-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-343 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181TW-GS08 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP181TW-GS08 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP182 | INF | 04+ROHS SOT-143 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182 | INF | 09+ | на замовлення 90018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182 | infinen | SOT143 | на замовлення 36440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182 | INF | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182 | infinen | 09+ | на замовлення 2338 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182 E7764 Q62702 | INFINEON | 0413+ | на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182 E7764 Q62702F1396 | INFINEON | 0413+ | на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182-R | SIEMENS | 00+ | на замовлення 1031 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182E-7764 | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP182E7764 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP182E7764XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182R | infinen | SOT143 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182R | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182R E7764 | INFINEON | SOT143-RG PB-FRE | на замовлення 195000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182R E7764 SOT143-RG P | INFINEON | на замовлення 195000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP182RE7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182RE7764 | INFINEON | 06+ | на замовлення 108010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182RE7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182RE7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182RE7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT143-4-1 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182RE7764HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182T-GS08 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182T-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182T-GS08 | Vishay | Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 200mW 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182TW-GS08 | VISHAY | SOT343 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182W | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182W | INFINEON | 09+ | на замовлення 21018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182W | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182W | Infineon | на замовлення 5897 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP182W E6327 | INFINEON | SOT343-RG PB-FRE | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182W E6327 SOT343-RG | INFINEON | на замовлення 74970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP182W-E6327 | на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP182WE-6327 | на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP182WE-6372 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP182WE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 159010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP182WE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182WE6327SOT343-RGPB-FREE | INFINEON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP182WH6327 | Infineon technologies | на замовлення 8946 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 333000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 | на замовлення 403440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 8771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183 | INFINEON | SOT-143 0527+ | на замовлення 3670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183 | INFINEON | SOT-143 | на замовлення 710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183 | SIEMENS | SOT143 | на замовлення 4144 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183 | Infineon Technologies | Description: BFP183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183 | INFINEON | 07+ DIP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 37017 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP183 E7764 | INFINEON | 06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183 E7764 | INFINEON | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183 E7764 | INFINEON | 06+NOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183-E7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT143-4 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183E7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 22455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP183E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Bauform - HF-Transistor: SOT-143 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 65mA Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 250mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183E7764HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183T-GS08 | VISHAY | SOT143 | на замовлення 123000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183T-GS08/83P | VISHAY | на замовлення 2760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP183TGS08 | VISHAY | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP183W | Infineon | SOT-343 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183W E6327 | INFINEON | 09+ | на замовлення 30018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183W E6327 | INFINEON | TO23-4 | на замовлення 736 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183WE6327 | INFINEON | 07+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP183WE6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183WE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183WE6327SOT343-RH | INFINEON | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP183WE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183WH6327 | Infineon technologies | на замовлення 11545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP183WH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT343 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2815 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-343 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 65mA Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 13949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT343 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP183WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193 Код товару: 73681 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP193 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193 | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP193 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193 E6327 | INFINEON | RCS/143 BD | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP193-E6327 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP193E-7764 | на замовлення 1222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP193E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143 Mounting: SMD Frequency: 8GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 80mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Case: SOT143 | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327 Код товару: 113898 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP193E6327 | Infineon Technologies | Description: BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND Packaging: Bulk Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT143 (SC-61) Part Status: Active | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143 Mounting: SMD Frequency: 8GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 80mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Case: SOT143 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 348 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 580mW euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-143 Bauform - HF-Transistor: SOT-143 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 80mA Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 2701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 18dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | на замовлення 5897 шт: термін постачання 225-234 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 2701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 18dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 11472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193E6327SOT143-RC | INFINEON | на замовлення 126000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP193T-GS08 | VISHAY | SOT143 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP193W | infineon | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP193W | INFINEON | SOT423 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP193W | Infineon | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP193W | Infineon | SOT343 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP193W E6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP193W E6327 | INFINEON | RCS/343 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP193WE6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 17054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 53106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 10948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 17054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 580mW euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-343 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 80mA Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196 | Infineon | SOT143 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196E-6327 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP196E6327 | INF | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196E6327 | Infineon technologies | на замовлення 11898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.7W Case: SOT143 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 7.5GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.7W Case: SOT143 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 7.5GHz кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16.5dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 13440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 700mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16.5dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196R | INF | SOT143 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196R | INF | 07+; | на замовлення 44540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196R/RI | INFINEON | SOT-143 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196RE7840 | на замовлення 186000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP196W | Infineon | SOT-343 | на замовлення 7140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196WE-6327 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP196WE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 32200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WE6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196WE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196WE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.7W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2375 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.7W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Active | на замовлення 24268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon | NPN 12V 7.5GHz 150mA 700mW BFP196WH6327 Infineon TBFP196w | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 5712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Active | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WH6740 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 4621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.7dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP196WNH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP1A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP280WE-6327 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP320F | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP320W | INFINEON | SOT-343 05+ | на замовлення 16650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP320W | INFINEON | 99+ | на замовлення 2806 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP320WE6327 | INFINEON | на замовлення 39010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP320WE6700 | INFINEON | на замовлення 195010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP405 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405 | INFINEON | SOT-343 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP405 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP405 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 95 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 55 Übergangsfrequenz ft: 25 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405 | SIEMENS | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP405 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405 | INFINEON | 09+ | на замовлення 1341 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP405 | INFINEON | SOT343 05+ | на замовлення 6520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP405 ALs | Infineon | NPN 12mA 4.5V 55mW 25GHz BFP405 smd TBFP405 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405 E6327 | INFINEON | SOT343-AL | на замовлення 1884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP405 E6327 SOT343-AL | INFINEON | на замовлення 866 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP405 E6327 SOT343-AL P | INFINEON | на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP405E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 4.5V; 12mA; 0.075W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 12mA Power dissipation: 75mW Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405E6327 | INF | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP405E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405E6327SOT343-ALPB-FREE | INFINEON | на замовлення 1884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP405E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405E6433XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405E6740HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405F | на замовлення 53000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP405FE6327 | INFINEON | 05+ | на замовлення 15010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP405FH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 145915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 55mW euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12mA Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 4696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 4696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327 | Infineon technologies | на замовлення 5940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 8618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 Код товару: 169422 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343 Frequency: 25GHz Collector-emitter voltage: 4.5V Current gain: 90...130 Collector current: 25mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 75mW Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Technology: SIEGET™ Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT343 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343 Frequency: 25GHz Collector-emitter voltage: 4.5V Current gain: 90...130 Collector current: 25mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 75mW Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Technology: SIEGET™ Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT343 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405H6740 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5 Verlustleistung: 75 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-343 Dauer-Kollektorstrom: 25 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 75 Übergangsfrequenz ft: 25 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 347450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP405H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP410H6327 | Infineon technologies | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP410H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.04A 150mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP410H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 13mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP410H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 150 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-343 Dauer-Kollektorstrom: 40 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP410H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 13mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP410H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP410H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 150 mW, 40 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 DC-Stromverstärkung hFE: 60 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-343 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 40 Übergangsfrequenz: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP410H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.04A 150mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP410H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.04A 150mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420 | Infineon | NPN 5.5V 0.16W 0.035A BFP420FH6327XTSA1, BFP420H6327XTSA1 BFP420 TBFP420 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420 Код товару: 4780 | Infineon | Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-343 Частота: 25 GHz Тип: NPN Uce, V: 4,5 V Ucb, V: 15 V Ic, A: 0,035 A | у наявності 107 шт: 86 шт - склад10 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BFP420 BOARD | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420 E6327 | INFINNEO | на замовлення 12757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP420 E6327 | INFINEON | SOT343-AM | на замовлення 5079 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP420/AMS | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP420E6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=35 mA; ft=25GHz; Pdmax=0,16W; h=50/150, Nf=1,1 dB @ 1,8 GHz | на замовлення 663 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420E6327 | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP420E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 139427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420E6327 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30624 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP420E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420E6327SOT343-AM | INFINEON | на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP420E6327SOT343-AMPB-FREE | INFINEON | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP420E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420E6433 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420E6433XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420E6746SOT343-AMPB-FREE | INFINEON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP420F | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420F | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420F | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP420FE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 216010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP420FH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 37dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 2.2dB @ 150MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.21W Case: TSFP-4 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 15399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 10707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 20038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.21W Case: TSFP-4 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 8880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 19265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.21W Case: SOT343 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz | на замовлення 5428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 16704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.21W Case: SOT343 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5428 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 19265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 18344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6433 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | Infineon | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6433XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 11582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6433XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6740 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6740 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 8398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6740XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 60mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP420H6801 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6801 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6801XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5 Verlustleistung: 210 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-343 Dauer-Kollektorstrom: 60 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 8825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP420H6801XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 210 Übergangsfrequenz ft: 25 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP420H6801XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450 | infinen | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP450 | infineon | SOT343 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP450 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450 | INF | SOT-343 | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP450 | Infineon Technologies | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 237742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450 | INFINEON | 07+ DIP14 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP450 (BFP450H6327) Код товару: 1817 | Infineon | Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-343 Частота: 24 GHz Тип: NPN Uce, V: 4,5 V Ucb, V: 15 V Ic, A: 0,1 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450 E6327 | INFINEON | SOT343-AN | на замовлення 1699 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP450 E6327 SOT343-AN | INFINEON | на замовлення 1699 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP450BOARDTOBO1 | Infineon Technologies | SP000416850 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450E6327 | INF | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP450E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450E6327 Код товару: 32322 | Infineon | Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-343 Частота: 24 GHz Тип: NPN Uce, V: 4,5 V Ucb, V: 1,5 V Ic, A: 0,1 A | у наявності 173 шт: 105 шт - склад20 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Харків 8 шт - РАДІОМАГ-Одеса 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BFP450E6327 | INFINEON | 08+ | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP450E6327 ANs | Infineon | NPN 5V 24GHz 100mA 450mW BFP450H6327 Infineon TBFP450 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450E6327SOT343-AN | INFINEON | на замовлення 1699 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP450E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450E6433BTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450G | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN | на замовлення 885 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 0.17A Power dissipation: 0.5W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 24GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1418 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 0.17A Power dissipation: 0.5W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 24GHz | на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450H6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V | на замовлення 2708 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XT | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 18064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 Код товару: 169423 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP450H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 24 GHz, 500 mW, 170 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 170mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 24GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP450H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 24 GHz, 500 mW, 170 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 170mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 24GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 8461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP450H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP450H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.17A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460 | Infineon | SOT343 09+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP460 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460 BOARD | Infineon Technologies | Description: BOARD APPLICATION W/BFP460 LNA Packaging: Box For Use With/Related Products: BFP460 Frequency: 0Hz ~ 22GHz Type: Transistor Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460 E6327 | infineon | на замовлення 2392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP460E6327 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP460E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460H6327 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.23W Case: SOT343 Current gain: 90...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 22GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.23W Case: SOT343 Current gain: 90...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 22GHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP460H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 230 mW, 70 mA, SOT-343 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP460H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 230 mW, 70 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 90 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 230 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Übergangsfrequenz: 22 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP460H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP490 | Транзисторы ВЧ | на замовлення 233 шт: термін постачання 1-2 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP490 Код товару: 1820 | Infineon | Транзистори > ВЧ Корпус: SCT-595 Частота: 17 GHz Тип: NPN Uce, V: 4,5 V Ucb, V: 15 V Ic, A: 0,6 A | у наявності 353 шт: 293 шт - склад32 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 18 шт - РАДІОМАГ-Харків |
| ||||||||||||||||||
BFP490E6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-80 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 200mA, 3V Frequency - Transition: 17.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SCD80-2 Part Status: Active | на замовлення 4238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP4A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories 4" NOM 3000 FLANGE PROTECTOR:LDPE BLUE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP519 | PH/MOT | на замовлення 4600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP520 | INFINEON | 09+ | на замовлення 29968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP520 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520 Код товару: 4846 | Infineon | Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-343 Частота: 45 GHz Тип: NPN Uce, V: 2,5 V Ucb, V: 12 V Ic, A: 0,004 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520 | INFINEON | 09+ SOP8 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP520 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520 E6327 | INFINEON | SOT343-AP | на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP520 E6327 | INFINEON | SOT-343 | на замовлення 5100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP520 E6327 SOT343-AP | INFINEON | на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP520 H6327 | Infineon | на замовлення 446 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP520-E6327 | Infineon | на замовлення 15595 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP520E-6327 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP520E6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 | на замовлення 1020 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520E6327SOT343-AP | INFINEON | на замовлення 2953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP520E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520F | Infineon | 09+ | на замовлення 18018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP520F | INFINEON | TSFP-4 | на замовлення 35750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP520FE6327 | Infineon Technologies | Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP520FH6327 | Infineon Technologies | Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 120 Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: TSFP Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50 Übergangsfrequenz: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 674811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 120mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP520FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 120 mW, 50 mA, TSFP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 120 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: TSFP Dauer-Kollektorstrom: 50 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520H6327 Код товару: 171554 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP520H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.5V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.1W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 45GHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 8819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 125 Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: SOT-343 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50 Übergangsfrequenz: 45 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 8819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.5V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.1W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 45GHz | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.5V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.1W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 45GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2270 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP520H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.5 V, 45 GHz, 125 mW, 50 mA, SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 125 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-343 Dauer-Kollektorstrom: 50 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP520H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP540 | INFINEON | SOT-343 | на замовлення 18670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540 | Infineon Technologies | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540 Код товару: 125155 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP540 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540 ATs | Infineon | Trans NPN-RF 4,5V 80mA 250mW 30GHz SOT343R BFP540ESHD6327 BFP540H6327 BFP540H6327XTSA1 BFP540 Infineon TBFP540 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540E6327 | infineon | 0534+ | на замовлення 1240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540ESD-E6327 | INFINEON | 07+ DIP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540ESDE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540ESDE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP540ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 3687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP540ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 136-145 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540F | infinen | 09+ | на замовлення 24018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540F | INF | TSFP-4 | на замовлення 126000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540FE6327 | INFINEON | 2002 TO23-4 | на замовлення 2815 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540FE6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540FESD | INFINEON | SOT-543 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540FESDE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540FESDE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327 | Infineon technologies | на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 11681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP540H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: SOT-343 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 80 Übergangsfrequenz: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP540H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP540H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 250 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343 Dauer-Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP5A | Essentra | Conduit Fittings & Accessories 5" NOM 3000 FLANGE PROTECTOR:LDPE BLUE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620 | INFINEON | SOT-343 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP620 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620 | INFINEON | 00+ | на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP620 | INFINEON | SOT343 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP620 E6327 | INFINEON | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP620E7764 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620E7764 | INF | 07+; | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP620E7764BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620E7764BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620E7764XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620F | на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP620F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620FE6327 | на замовлення 3150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP620FE7764SOT543-R2PB-FREE | INFINEON | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP620FE7764XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620FH7764 | Infineon technologies | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP620FH7764 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,8 V; Ic=0,08A; f=65GHz; Ptot=0,185W; hfe=110 @ 50mA, 1.5V, Nf=0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | на замовлення 200 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 4695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 3847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 12844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP620H7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP620H7764XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP620L7764 | на замовлення 1193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP620`E6327 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP620ЎЎE6327 | на замовлення 2933 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP640 | INFINEON | 07+ SOP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640 | INFINEON | SOT-343 05+ | на замовлення 14251 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640 | INFINEON | SOT-343 | на замовлення 12540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640 H6327 | Infineon | на замовлення 2884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP640BOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Development Tools Low noise wideband NPN bipolar RF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640E Код товару: 114709 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP640E6327 | Infineon | 02+ BGA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640E6327 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz | на замовлення 2008 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640E6327 | INF | 07+; | на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640E6327 | infineon | 0239+ | на замовлення 1710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640E6327 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 26583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640E6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640E6327XT Код товару: 32321 | Транзистори > ВЧ | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327 | Infineon technologies | на замовлення 755 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Anzahl der Pins: 4Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 17991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 27075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Anzahl der Pins: 4Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 17991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 4336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640F | INFINEON | SOT-543 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640FE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640FE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FESDE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FESDH6327 | Infineon technologies | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 110 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - HF-Transistor: TSFP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.1 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50 Übergangsfrequenz: 46 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 5970000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 23dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327 | Infineon technologies | на замовлення 2590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP640H6327 | Infineon Technologies | Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.1V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110...270 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz | на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 37452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 30574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.1V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110...270 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2029 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 4Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP640H6433XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650 | INFINEON | SOT343 05+ | на замовлення 6580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP650 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650 | INFINEON | SOT343 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP650(транзистор) Код товару: 55576 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP650E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650F | INFINEON | 08+ QFN | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP650F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650FE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Case: TSFP-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1719 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Case: TSFP-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz | на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 17542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343 Case: SOT343 Technology: SiGe:C Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Frequency: 42GHz Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF | на замовлення 2701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343 Case: SOT343 Technology: SiGe:C Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Frequency: 42GHz Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2701 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 40338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon | TRANS RF NPN 37GHz 4,5V 150MA SOT343 | на замовлення 3103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP650H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 21.5dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Frequency - Transition: 37GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active | на замовлення 207805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP650H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP67-GS08 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BFP67-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP67-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP67R-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP67R-GS08 | VISHAY | SOT143 | на замовлення 129000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP67R-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP67W-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-343 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP67W-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP67W-GS08/W67 | VISHAY | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP67W-GS08SOT343-W67 | VISHAY | на замовлення 2588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP720 транзистор Код товару: 102404 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 30.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 148726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 30.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 160 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 43 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB ~ 30.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 160 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 43 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FE6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FESDE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 29dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 29dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.03A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 160 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 45 Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 6365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 160 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 45 Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 5187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 5187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 25mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 2484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP7220ESDH6327 | Infineon Technologies | Description: LOW-NOISE SIGE:C TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740 | INFINEON | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP740 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz | на замовлення 1704 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740 Код товару: 25651 | Infineon | Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-343 Частота: 45 GHz Тип: NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740 | INFINEON | SOT-343 | на замовлення 1860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP740 E6327 | INFINEON | 09+ | на замовлення 51018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP740BOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Development Tools | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 31830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740E6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB ~30.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 6645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB ~30.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740FE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 15010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP740FE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740FESDE6327XT | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 39dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 142641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 8910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 31dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 5317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BI | на замовлення 6890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 31dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327 | Infineon | на замовлення 1927 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 134-143 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 Код товару: 196275 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 804000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 8354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327 | Infineon technologies | на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.16W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 44GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2620 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 9001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 17118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 5358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 9001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP740H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.16W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 44GHz | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP750H6327XTSA1 | Infineon Technologies | High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160 | на замовлення 2692 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 70mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 17802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.24W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 45GHz | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.24W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 45GHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2410 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon | PNP 4V 240mW 70mA BFP760H6327XTSA1 Infineon TBFP760 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 70mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 14282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BFP780H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 85 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 20 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V Frequency - Transition: 900MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BFP780H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BFP780H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 85 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 20 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній |