Продукція > PJQ

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

MOSFET /820/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MN//PJ/DFN10106L-AS02/PJQ1820-ASV3/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

MOSFET /821/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MP//PJ/DFN10106L-AS03/PJQ1821-ASV4/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1902_R1_00001

MOSFET /2/TR/7"/HF/8K/DFN 3L/MOS/DFN/NFET-30FNMN/NF30FN-QI01/PJ///

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ1905_R1_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1A; 500mW; DFN1006-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1906_R1_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1906_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.25 грн
16+	20.05 грн
100+	9.90 грн
500+	6.62 грн
1000+	5.09 грн
2500+	4.53 грн
5000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908-AU-R1-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00001

MOSFET /G/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMN//PJ/DFN10063L-AS03/PJQ1916-ASV6/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 8976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.75 грн
21+	14.73 грн
100+	9.90 грн
500+	7.17 грн
1000+	6.46 грн
2000+	5.86 грн
5000+	5.11 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.75 грн
15+	21.49 грн
100+	11.64 грн
500+	8.02 грн
1000+	6.76 грн
2500+	6.07 грн
5000+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 950mA; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_S1_00201

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00001

MOSFET /H/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMP//PJ/DFN10063L-AS04/PJQ1917-ASV7/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00201

MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.25 грн
17+	19.97 грн
100+	9.83 грн
500+	6.62 грн
1000+	5.02 грн
2500+	4.53 грн
5000+	3.90 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-R1-00001

MOSFET DFN2020B-6L/MOS/NFET-20FIMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.66 грн
10+	38.49 грн
100+	22.80 грн
500+	19.03 грн
1000+	16.73 грн
3000+	14.15 грн
6000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.36 грн
10+	35.43 грн
100+	24.54 грн
500+	19.24 грн
1000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.09 грн
11+	31.03 грн
100+	20.15 грн
500+	15.83 грн
1000+	12.62 грн
3000+	10.67 грн
9000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.30 грн
11+	28.93 грн
100+	20.11 грн
500+	14.74 грн
1000+	11.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.08 грн
12+	26.89 грн
100+	16.09 грн
500+	13.98 грн
1000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.83 грн
12+	28.71 грн
100+	13.87 грн
1000+	9.48 грн
3000+	9.06 грн
9000+	7.46 грн
24000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.06 грн
11+	28.10 грн
100+	17.98 грн
500+	12.78 грн
1000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.30 грн
11+	29.31 грн
100+	20.35 грн
500+	14.91 грн
1000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.79 грн
13+	24.17 грн
100+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 5530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.81 грн
13+	24.70 грн
100+	17.15 грн
500+	12.56 грн
1000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-R1-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	38.37 грн
100+	26.38 грн
500+	19.64 грн
1000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2566A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.61 грн
10+	65.11 грн
100+	39.81 грн
500+	35.63 грн
1000+	30.75 грн
3000+	28.59 грн
6000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.00 грн
10+	68.07 грн
100+	39.53 грн
500+	32.35 грн
1000+	29.35 грн
3000+	24.89 грн
6000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.04 грн
10+	37.54 грн
100+	25.80 грн
500+	19.20 грн
1000+	17.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815-R1-00001

MOSFET DFN2020-6L/MOS/DFN/NFET-20FHMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 7770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.28 грн
10+	38.60 грн
100+	26.76 грн
500+	20.98 грн
1000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_S1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2888_R1_00001

MOSFET /888/TR/7"/HF/3K/DFN2020-8L/MOS/DFN/NFET-20FOMP//PJ/DFN20208L-AS02/DFN20208L-AS03/DFN20208L-AS01

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.19 грн
10+	50.51 грн
100+	29.49 грн
250+	29.42 грн
500+	23.71 грн
1000+	19.59 грн
2500+	18.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.04 грн
10+	49.47 грн
100+	37.93 грн
500+	28.13 грн
1000+	22.51 грн
2000+	20.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.60 грн
10+	42.53 грн
100+	27.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.38 грн
10+	42.90 грн
100+	28.10 грн
500+	20.37 грн
1000+	18.44 грн
2000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS39/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.71 грн
10+	37.46 грн
100+	25.93 грн
500+	20.33 грн
1000+	17.30 грн
2000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS15/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 19934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	35.35 грн
100+	22.95 грн
500+	16.51 грн
1000+	14.89 грн
2000+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 110495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.58 грн
10+	37.53 грн
100+	21.20 грн
500+	16.25 грн
1000+	13.32 грн
5000+	11.43 грн
10000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.33 грн
10000+	11.86 грн
15000+	11.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS14/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.49 грн
10+	37.31 грн
100+	25.97 грн
500+	19.03 грн
1000+	15.47 грн
2000+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS05/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.26 грн
10+	34.22 грн
100+	22.15 грн
500+	15.92 грн
1000+	14.35 грн
2000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.58 грн
10+	37.53 грн
100+	22.31 грн
500+	17.50 грн
1000+	14.57 грн
2500+	13.53 грн
5000+	11.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

MOSFET /4408/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS20/PJQ4408P-AU-ASBF/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.91 грн
10+	32.78 грн
100+	21.19 грн
500+	15.20 грн
1000+	13.69 грн
2000+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

на замовлення 4793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.99 грн
10+	30.74 грн
100+	19.81 грн
500+	14.17 грн
1000+	12.75 грн
2000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P-R2-00001

MOSFETs DFN3333 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.20 грн
11+	29.84 грн
100+	19.13 грн
500+	13.62 грн
1000+	12.22 грн
2000+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

на замовлення 4862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.89 грн
10+	39.88 грн
100+	26.00 грн
500+	18.79 грн
1000+	16.98 грн
2000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 3271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.44 грн
14+	22.89 грн
100+	14.57 грн
500+	10.31 грн
1000+	9.22 грн
2000+	8.31 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.87 грн
12+	28.87 грн
100+	17.15 грн
500+	12.90 грн
1000+	9.69 грн
2500+	9.20 грн
5000+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4431EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.43 грн
10+	66.71 грн
25+	57.94 грн
100+	43.58 грн
250+	43.51 грн
500+	35.49 грн
1000+	30.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.09 грн
10+	54.84 грн
100+	37.16 грн
500+	31.52 грн
1000+	25.66 грн
5000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.24 грн
10+	41.01 грн
100+	26.79 грн
500+	19.39 грн
1000+	17.53 грн
2000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-R2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2-002A

MOSFETs DFN33 3 3PCH AN30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.18 грн
10+	50.19 грн
100+	28.73 грн
500+	22.80 грн
1000+	20.29 грн
2500+	18.55 грн
5000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-R2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.81 грн
10+	42.00 грн
100+	27.44 грн
500+	19.89 грн
1000+	18.00 грн
2000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.50 грн
10+	47.23 грн
100+	28.03 грн
500+	23.43 грн
1000+	19.94 грн
2500+	18.90 грн
5000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.32 грн
10+	41.32 грн
100+	28.47 грн
500+	21.25 грн
1000+	19.44 грн
2000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.44 грн
10+	47.21 грн
100+	30.85 грн
500+	22.35 грн
1000+	20.22 грн
2000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.40 грн
10+	42.26 грн
100+	25.10 грн
500+	20.92 грн
1000+	17.85 грн
2500+	16.87 грн
5000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.32 грн
10+	38.45 грн
100+	24.90 грн
500+	17.90 грн
1000+	16.13 грн
2000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.89 грн
10+	39.88 грн
100+	26.01 грн
500+	18.80 грн
1000+	16.99 грн
2000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS49/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS32/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4442P-AU_R2_000A1

MOSFET /4442/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS34/PJQ4442P-ASM7/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.19 грн
10+	64.23 грн
100+	42.88 грн
500+	33.89 грн
1000+	27.12 грн
2500+	26.43 грн
5000+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.09 грн
10+	64.35 грн
100+	49.36 грн
500+	36.62 грн
1000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.55 грн
10+	44.79 грн
100+	34.32 грн
500+	25.46 грн
1000+	20.36 грн
2000+	18.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.97 грн
10+	49.17 грн
100+	38.23 грн
500+	30.41 грн
1000+	24.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

MOSFET /4444/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS55/PJQ4444P-ASB3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.60 грн
10+	42.37 грн
100+	27.69 грн
500+	20.06 грн
1000+	18.16 грн
2000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.40 грн
10+	50.83 грн
100+	35.22 грн
500+	27.61 грн
1000+	23.50 грн
2000+	20.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

MOSFET /4446/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS38/PJQ4446P-ASE1/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; DFN3333-8
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.36 грн
10+	34.97 грн
100+	24.31 грн
500+	17.81 грн
1000+	14.47 грн
2000+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.26 грн
10+	34.22 грн
100+	22.15 грн
500+	15.92 грн
1000+	14.35 грн
2000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.77 грн
10+	30.97 грн
100+	19.99 грн
500+	14.30 грн
1000+	12.87 грн
2000+	11.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4451EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.61 грн
10+	66.23 грн
25+	57.52 грн
100+	43.09 грн
250+	43.02 грн
500+	34.51 грн
1000+	29.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2-002A

DFN33 3 3PCH AN40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.19 грн
10+	91.41 грн
100+	55.01 грн
500+	44.27 грн
1000+	37.72 грн
2500+	35.91 грн
5000+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4455P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -40 V, -43 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44605AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.78 грн
10+	51.96 грн
100+	29.77 грн
500+	23.57 грн
1000+	20.92 грн
2500+	19.59 грн
5000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ44607AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.22 грн
10+	42.58 грн
100+	24.19 грн
500+	18.62 грн
1000+	16.80 грн
2500+	15.62 грн
5000+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.51 грн
11+	28.10 грн
100+	19.53 грн
500+	14.31 грн
1000+	11.63 грн
2000+	10.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44611AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.47 грн
11+	31.75 грн
100+	18.20 грн
500+	14.29 грн
1000+	12.20 грн
2500+	11.30 грн
5000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS44/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.46 грн
10+	43.36 грн
100+	29.85 грн
500+	22.31 грн
1000+	20.43 грн
2000+	18.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS12/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.36 грн
12+	27.12 грн
100+	18.45 грн
500+	13.58 грн
1000+	12.35 грн
2000+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.01 грн
10+	48.27 грн
100+	31.71 грн
500+	23.10 грн
1000+	20.95 грн
2000+	19.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.54 грн
10+	47.15 грн
100+	28.31 грн
500+	22.52 грн
1000+	19.10 грн
2500+	19.03 грн
5000+	17.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP_R2_00001

MOSFET /4464/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS27/PJQ4464AP-ASJ5/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.91 грн
10+	32.63 грн
100+	21.07 грн
500+	15.11 грн
1000+	13.61 грн
2000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.96 грн
10+	43.06 грн
100+	24.40 грн
500+	18.83 грн
1000+	16.73 грн
2500+	15.48 грн
5000+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP_R2_00001

MOSFET /4465/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS48/PJQ4465AP-AST0/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.79 грн
10000+	19.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 5003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.69 грн
10+	33.46 грн
100+	21.68 грн
500+	15.56 грн
1000+	14.02 грн
2000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-AU-R2

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-AU_R2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-R2-00001

MOSFETs DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.71 грн
10+	51.44 грн
100+	33.90 грн
500+	24.76 грн
1000+	22.49 грн
2000+	20.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.23 грн
10+	72.36 грн
100+	48.30 грн
500+	35.63 грн
1000+	32.51 грн
2000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 5882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.95 грн
10+	73.77 грн
100+	42.81 грн
500+	33.61 грн
1000+	28.24 грн
2500+	28.03 грн
5000+	25.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

MOSFET /4476/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-100FQMN//PJ/DFN33338L-AS35/PJQ4476AP-ASN4/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4524P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.85 грн
10+	53.72 грн
100+	30.75 грн
500+	24.40 грн
1000+	21.68 грн
2500+	20.36 грн
5000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.30 грн
10+	41.21 грн
100+	24.47 грн
500+	20.43 грн
1000+	17.36 грн
2500+	15.76 грн
5000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4528P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.48 грн
10+	55.00 грн
100+	32.63 грн
500+	27.33 грн
1000+	23.22 грн
2500+	21.06 грн
5000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4530P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	18.87 грн
26+	12.59 грн
100+	6.97 грн
500+	4.32 грн
1000+	3.35 грн
2500+	3.00 грн
5000+	2.51 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

PJQ4534P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	44.66 грн
100+	26.49 грн
500+	22.17 грн
1000+	18.90 грн
2500+	17.08 грн
5000+	15.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4544S6P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.97 грн
10+	48.79 грн
100+	37.90 грн
500+	30.15 грн
1000+	24.56 грн
2000+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.99 грн
10+	59.17 грн
100+	34.16 грн
500+	26.91 грн
1000+	22.94 грн
2500+	22.59 грн
5000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.68 грн
10+	54.36 грн
100+	32.91 грн
500+	27.61 грн
1000+	23.15 грн
5000+	21.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.89 грн
10+	51.82 грн
100+	40.34 грн
500+	32.09 грн
1000+	26.14 грн
2000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.07 грн
10+	46.83 грн
100+	27.33 грн
500+	21.61 грн
1000+	18.90 грн
5000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	40.64 грн
100+	28.00 грн
500+	20.90 грн
1000+	19.12 грн
2000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.82 грн
10+	53.08 грн
100+	31.03 грн
250+	30.96 грн
500+	24.82 грн
1000+	20.57 грн
2500+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.48 грн
10+	62.16 грн
100+	43.44 грн
500+	32.90 грн
1000+	30.32 грн
2000+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.09 грн
10+	49.17 грн
100+	34.07 грн
500+	25.59 грн
1000+	23.49 грн
2000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.66 грн
10+	76.44 грн
100+	53.87 грн
500+	41.11 грн
1000+	38.03 грн
2000+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.48 грн
10+	62.16 грн
100+	43.44 грн
500+	32.90 грн
1000+	30.32 грн
2000+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4594P-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.75 грн
10+	78.66 грн
100+	53.27 грн
500+	45.18 грн
1000+	36.74 грн
2500+	34.65 грн
5000+	33.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 17.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343pF @ 15V, 870pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

MOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.87 грн
10+	46.60 грн
100+	30.61 грн
500+	22.27 грн
1000+	19.62 грн
2000+	18.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.31 грн
10000+	16.39 грн
15000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

MOSFET /4848/TR/13"/HF/5K/DFN3333B-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN3333B8L-AS01/PJQ4848P-ASC8/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.55 грн
10+	44.79 грн
100+	34.32 грн
500+	25.46 грн
1000+	20.36 грн
2000+	18.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 1492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.75 грн
10+	37.99 грн
100+	24.68 грн
500+	17.80 грн
1000+	16.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.73 грн
10+	36.40 грн
100+	21.61 грн
500+	18.06 грн
1000+	15.83 грн
3000+	13.39 грн
6000+	12.90 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 7455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.10 грн
10+	38.98 грн
100+	25.39 грн
500+	18.33 грн
1000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412-R2-00001

MOSFETs DFN5060 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.69 грн
10+	33.23 грн
100+	21.41 грн
500+	15.30 грн
1000+	13.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.15 грн
10+	50.00 грн
100+	32.77 грн
500+	23.81 грн
1000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	44.26 грн
100+	29.02 грн
500+	21.06 грн
1000+	19.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5425_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.46 грн
10+	92.23 грн
100+	71.91 грн
500+	55.75 грн
1000+	44.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.46 грн
10+	80.02 грн
100+	46.09 грн
500+	36.95 грн
1000+	33.96 грн
3000+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.07 грн
10+	52.42 грн
100+	34.56 грн
500+	25.25 грн
1000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.25 грн
10+	70.32 грн
100+	40.79 грн
500+	33.47 грн
1000+	30.26 грн
3000+	25.66 грн
6000+	24.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	66.32 грн
100+	44.27 грн
500+	32.68 грн
1000+	29.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.03 грн
10+	53.18 грн
100+	35.33 грн
500+	26.17 грн
1000+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.82 грн
10+	73.05 грн
100+	58.22 грн
500+	54.24 грн
1000+	50.55 грн
3000+	21.89 грн
6000+	21.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.19 грн
10+	61.33 грн
100+	40.55 грн
500+	29.71 грн
1000+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.38 грн
10+	69.76 грн
100+	44.90 грн
500+	37.58 грн
1000+	35.35 грн
3000+	21.47 грн
6000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.03 грн
10+	49.85 грн
100+	32.97 грн
500+	25.42 грн
1000+	21.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.68 грн
10+	50.11 грн
100+	29.49 грн
500+	23.29 грн
1000+	21.20 грн
3000+	19.38 грн
6000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.38 грн
10+	45.09 грн
100+	30.49 грн
500+	22.57 грн
1000+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.18 грн
10+	50.19 грн
100+	28.73 грн
500+	22.80 грн
1000+	20.85 грн
3000+	17.71 грн
6000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.85 грн
10+	53.18 грн
100+	34.96 грн
500+	25.46 грн
1000+	23.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.68 грн
10+	116.10 грн
100+	79.39 грн
500+	59.78 грн
1000+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-R2-00001

MOSFET DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.13 грн
10+	81.88 грн
100+	54.96 грн
500+	40.76 грн
1000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.81 грн
10+	66.77 грн
100+	44.38 грн
500+	32.62 грн
1000+	29.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.45 грн
10+	49.39 грн
100+	28.10 грн
500+	21.75 грн
1000+	19.66 грн
3000+	16.87 грн
6000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.93 грн
10+	50.68 грн
100+	33.27 грн
500+	24.18 грн
1000+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.55 грн
10+	60.22 грн
100+	40.16 грн
500+	31.72 грн
1000+	25.45 грн
3000+	22.94 грн
6000+	22.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1 транзистор
Код товару: 210852

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 7854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.93 грн
10+	50.68 грн
100+	33.27 грн
500+	24.18 грн
1000+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.15 грн
10+	50.15 грн
100+	32.85 грн
500+	23.87 грн
1000+	21.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.77 грн
6000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.16 грн
10+	43.43 грн
100+	28.27 грн
500+	20.42 грн
1000+	18.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5447E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -40 V, -120 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.32 грн
10+	38.52 грн
100+	24.96 грн
500+	17.94 грн
1000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.41 грн
6000+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.09 грн
100+	71.68 грн
500+	56.75 грн
3000+	18.90 грн
6000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.03 грн
10+	93.81 грн
100+	59.33 грн
500+	49.02 грн
1000+	43.58 грн
3000+	38.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.93 грн
10+	84.30 грн
100+	61.36 грн
500+	47.52 грн
1000+	42.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.12 грн
10+	40.17 грн
100+	23.85 грн
500+	19.94 грн
1000+	17.43 грн
3000+	14.78 грн
6000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.30 грн
10+	45.17 грн
100+	29.49 грн
500+	21.33 грн
1000+	19.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.74 грн
10+	69.49 грн
100+	46.50 грн
500+	34.39 грн
1000+	31.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.46 грн
1000+	113.06 грн
3000+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.32 грн
10+	73.13 грн
100+	42.11 грн
500+	34.51 грн
1000+	30.19 грн
3000+	24.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.93 грн
10+	65.94 грн
100+	50.10 грн
500+	37.02 грн
1000+	33.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.91 грн
10+	46.60 грн
100+	35.72 грн
500+	26.50 грн
1000+	21.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 22734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.35 грн
10+	35.44 грн
100+	20.36 грн
500+	15.97 грн
1000+	13.67 грн
3000+	11.78 грн
6000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; DFN5060-8
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5460A_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A

JGSEMI

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 87,7W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: PJQ5462A_R2_00001; PJQ5462A JGSEMI TPJQ5462A JGS
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	10.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.15 грн
10+	75.53 грн
100+	50.49 грн
500+	37.32 грн
1000+	34.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.30 грн
10+	45.32 грн
100+	29.54 грн
500+	21.37 грн
1000+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5463A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP//PJ/DFN50608L-AS55/PJQ5463A-ASV1/DFN50808L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5464A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

на замовлення 3760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.89 грн
10+	39.66 грн
100+	25.84 грн
500+	18.67 грн
1000+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.22 грн
10+	47.89 грн
100+	31.49 грн
500+	22.93 грн
1000+	20.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.40 грн
10+	61.03 грн
100+	40.34 грн
500+	29.54 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.16 грн
10+	43.43 грн
100+	28.27 грн
500+	20.42 грн
1000+	18.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.32 грн
10+	38.75 грн
100+	25.26 грн
500+	18.23 грн
1000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5466A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMN//PJ/DFN50608L-AS30/DFN50608L-AS06/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.74 грн
10+	69.26 грн
100+	46.11 грн
500+	33.94 грн
1000+	30.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.46 грн
10+	65.34 грн
100+	43.36 грн
500+	31.85 грн
1000+	29.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.62 грн
10+	60.05 грн
100+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5524-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.58 грн
10+	75.13 грн
100+	43.23 грн
500+	35.42 грн
1000+	32.07 грн
3000+	27.19 грн
6000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5524_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.18 грн
10+	50.19 грн
100+	28.73 грн
500+	22.80 грн
1000+	20.85 грн
3000+	17.71 грн
6000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.00 грн
10+	67.67 грн
100+	39.05 грн
500+	30.82 грн
1000+	28.73 грн
3000+	24.33 грн
6000+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.22 грн
10+	46.51 грн
100+	26.36 грн
500+	20.36 грн
1000+	18.90 грн
3000+	16.04 грн
6000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.61 грн
10+	60.86 грн
100+	35.14 грн
500+	27.75 грн
1000+	25.87 грн
3000+	21.89 грн
6000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.22 грн
10+	42.58 грн
100+	24.19 грн
500+	18.62 грн
1000+	17.36 грн
3000+	14.71 грн
6000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.36 грн
10+	58.53 грн
100+	33.68 грн
500+	27.68 грн
1000+	24.68 грн
3000+	20.92 грн
6000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.19 грн
10+	40.81 грн
100+	24.26 грн
500+	19.03 грн
1000+	16.32 грн
3000+	13.87 грн
6000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU-R2-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.67 грн
10+	55.09 грн
100+	31.72 грн
500+	26.08 грн
1000+	23.29 грн
3000+	19.73 грн
6000+	18.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.19 грн
10+	36.72 грн
100+	21.82 грн
500+	17.15 грн
1000+	14.71 грн
3000+	12.41 грн
6000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.23 грн
10+	140.42 грн
100+	128.45 грн
500+	98.37 грн
1000+	90.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.86 грн
10+	129.89 грн
100+	82.97 грн
500+	69.58 грн
1000+	59.33 грн
3000+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.45 грн
10+	122.68 грн
100+	77.39 грн
500+	65.96 грн
1000+	59.33 грн
3000+	57.59 грн
6000+	56.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.68 грн
10+	124.86 грн
100+	90.35 грн
500+	72.02 грн
1000+	66.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.94 грн
10+	133.10 грн
100+	83.67 грн
500+	70.42 грн
1000+	61.15 грн
3000+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.73 грн
10+	95.42 грн
100+	57.59 грн
500+	49.71 грн
1000+	45.74 грн
3000+	42.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.03 грн
10+	97.74 грн
100+	69.19 грн
500+	55.22 грн
1000+	50.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.83 грн
10+	82.59 грн
100+	50.62 грн
500+	42.88 грн
1000+	39.39 грн
3000+	36.60 грн
6000+	35.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.78 грн
10+	85.88 грн
100+	60.74 грн
500+	48.29 грн
1000+	44.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.48 грн
10+	88.83 грн
100+	62.87 грн
500+	50.06 грн
1000+	46.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.34 грн
10+	86.60 грн
100+	52.43 грн
500+	45.11 грн
1000+	41.42 грн
3000+	37.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.77 грн
10+	59.97 грн
100+	41.80 грн
500+	32.98 грн
1000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.22 грн
10+	57.41 грн
100+	34.86 грн
500+	29.28 грн
1000+	26.77 грн
3000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.48 грн
10+	59.01 грн
100+	35.77 грн
500+	31.38 грн
1000+	30.68 грн
3000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.70 грн
10+	61.64 грн
100+	42.97 грн
500+	33.90 грн
1000+	31.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.80 грн
10+	54.68 грн
100+	32.42 грн
500+	27.12 грн
1000+	23.71 грн
3000+	20.08 грн
6000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.15 грн
10+	52.65 грн
100+	35.62 грн
500+	27.32 грн
1000+	24.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.48 грн
10+	55.41 грн
100+	31.93 грн
500+	26.22 грн
1000+	22.66 грн
3000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.42 грн
10+	84.30 грн
100+	59.66 грн
500+	45.69 грн
1000+	42.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.97 грн
10+	66.32 грн
100+	46.47 грн
500+	35.28 грн
1000+	32.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	72.44 грн
100+	50.93 грн
500+	38.79 грн
1000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.89 грн
10+	110.65 грн
100+	65.33 грн
500+	54.45 грн
1000+	50.41 грн
3000+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.56 грн
10+	59.97 грн
100+	41.91 грн
500+	31.70 грн
1000+	29.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.02 грн
10+	104.99 грн
100+	75.05 грн
500+	57.96 грн
1000+	53.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.78 грн
10+	86.26 грн
100+	61.08 грн
500+	46.82 грн
1000+	43.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	72.44 грн
100+	50.93 грн
500+	38.79 грн
1000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5592-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.56 грн
10+	137.91 грн
100+	87.85 грн
500+	73.91 грн
1000+	68.96 грн
3000+	58.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.93 грн
10+	96.22 грн
100+	58.15 грн
500+	49.29 грн
1000+	42.67 грн
3000+	36.19 грн
6000+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.15 грн
10+	80.37 грн
100+	56.78 грн
500+	43.41 грн
1000+	40.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

MOSFET PJ/Q5606/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-30FKNP//PJ/DFN5060B8L-AS04/PJQ5606-ASN3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5808-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -31A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain current: -31A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: 25V
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.74 грн
10+	97.82 грн
100+	57.52 грн
500+	45.88 грн
1000+	43.23 грн
3000+	37.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.02 грн
10+	98.65 грн
100+	67.04 грн
500+	50.17 грн
1000+	46.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846-AU_R2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5848_R2_00001

MOSFET PJ/Q5848/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN//PJ/DFN5060B8L-AS07/PJQ5848-ASP3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5850_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 12W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.24 грн
10+	53.33 грн
100+	41.48 грн
500+	32.99 грн
1000+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.18 грн
10+	48.42 грн
100+	37.65 грн
500+	29.95 грн
1000+	24.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5944S6V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5944S6V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.39 грн
10+	75.13 грн
100+	42.18 грн
500+	33.40 грн
1000+	30.54 грн
3000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.79 грн
10+	63.98 грн
100+	49.78 грн
500+	39.60 грн
1000+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.28 грн
10+	67.83 грн
100+	52.72 грн
500+	41.93 грн
1000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.27 грн
10+	77.94 грн
100+	44.13 грн
500+	34.93 грн
1000+	32.00 грн
3000+	28.24 грн
6000+	28.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1