Продукція > PJQ

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

MOSFET /820/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MN//PJ/DFN10106L-AS02/PJQ1820-ASV3/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

MOSFET /821/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MP//PJ/DFN10106L-AS03/PJQ1821-ASV4/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1902_R1_00001

MOSFET /2/TR/7"/HF/8K/DFN 3L/MOS/DFN/NFET-30FNMN/NF30FN-QI01/PJ///

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ1906_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	23.18 грн
100+	17.36 грн
1000+	13.24 грн
2500+	11.55 грн
10000+	3.83 грн
20000+	3.38 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908-AU-R1-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908-AU_R1_002A1

PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908_R1_00201

PJQ1908-R1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00001

MOSFET /G/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMN//PJ/DFN10063L-AS03/PJQ1916-ASV6/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.47 грн
14+	25.04 грн
100+	13.54 грн
1000+	7.14 грн
2500+	6.40 грн
10000+	5.52 грн
20000+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 8976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.08 грн
21+	14.94 грн
100+	10.05 грн
500+	7.28 грн
1000+	6.56 грн
2000+	5.94 грн
5000+	5.18 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00001

MOSFET /H/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMP//PJ/DFN10063L-AS04/PJQ1917-ASV7/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00201

MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.62 грн
14+	24.96 грн
100+	13.46 грн
1000+	7.14 грн
2500+	6.33 грн
10000+	5.52 грн
20000+	5.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-R1-00001

MOSFET DFN2020B-6L/MOS/NFET-20FIMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.12 грн
10+	40.61 грн
100+	24.06 грн
500+	20.08 грн
1000+	17.66 грн
3000+	14.93 грн
6000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.97 грн
10+	35.94 грн
100+	24.90 грн
500+	19.52 грн
1000+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.14 грн
11+	32.74 грн
100+	21.26 грн
500+	16.70 грн
1000+	13.32 грн
3000+	11.26 грн
9000+	10.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.81 грн
11+	29.35 грн
100+	20.40 грн
500+	14.95 грн
1000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.61 грн
12+	27.28 грн
100+	16.32 грн
500+	14.19 грн
1000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.75 грн
11+	28.51 грн
100+	18.25 грн
500+	12.96 грн
1000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.91 грн
12+	30.29 грн
100+	14.64 грн
1000+	10.01 грн
3000+	9.56 грн
9000+	7.87 грн
24000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.81 грн
11+	29.73 грн
100+	20.65 грн
500+	15.13 грн
1000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.38 грн
13+	24.52 грн
100+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

PJQ2460-AU-R1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 5530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.24 грн
13+	25.06 грн
100+	17.40 грн
500+	12.74 грн
1000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-R1-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.48 грн
10+	38.93 грн
100+	26.76 грн
500+	19.92 грн
1000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2566A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.00 грн
10+	68.70 грн
100+	42.01 грн
500+	37.59 грн
1000+	32.44 грн
3000+	30.16 грн
6000+	29.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.89 грн
10+	38.09 грн
100+	26.18 грн
500+	19.48 грн
1000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.41 грн
10+	63.45 грн
100+	38.70 грн
500+	34.72 грн
1000+	29.94 грн
3000+	27.88 грн
6000+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815-R1-00001

MOSFET DFN2020-6L/MOS/DFN/NFET-20FHMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 7770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.95 грн
10+	39.16 грн
100+	27.15 грн
500+	21.29 грн
1000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_S1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2888_R1_00001

MOSFET /888/TR/7"/HF/3K/DFN2020-8L/MOS/DFN/NFET-20FOMP//PJ/DFN20208L-AS02/DFN20208L-AS03/DFN20208L-AS01

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.91 грн
10+	54.65 грн
100+	36.34 грн
500+	28.77 грн
1000+	23.03 грн
2500+	20.89 грн
5000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.89 грн
10+	50.19 грн
100+	38.48 грн
500+	28.54 грн
1000+	22.84 грн
2000+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

на замовлення 1457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.38 грн
10+	47.97 грн
100+	31.37 грн
500+	22.73 грн
1000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS39/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.69 грн
10+	38.62 грн
100+	26.52 грн
500+	19.75 грн
1000+	18.06 грн
2000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS15/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.36 грн
10+	38.01 грн
100+	26.31 грн
500+	20.63 грн
1000+	17.56 грн
2000+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.48 грн
10000+	13.39 грн
15000+	12.83 грн
25000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 127138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.15 грн
10+	36.04 грн
100+	21.41 грн
500+	16.85 грн
1000+	13.90 грн
5000+	12.65 грн
10000+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 36229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.95 грн
10+	34.49 грн
100+	23.57 грн
500+	17.42 грн
1000+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS14/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.16 грн
10+	37.86 грн
100+	26.35 грн
500+	19.30 грн
1000+	15.69 грн
2000+	14.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.95 грн
11+	30.42 грн
100+	20.75 грн
500+	15.33 грн
1000+	13.96 грн
2000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS05/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.29 грн
10+	40.02 грн
100+	25.97 грн
500+	20.38 грн
1000+	16.26 грн
5000+	13.76 грн
10000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

MOSFET /4408/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS20/PJQ4408P-AU-ASBF/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.36 грн
11+	29.04 грн
100+	19.82 грн
500+	14.63 грн
1000+	13.31 грн
2000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

на замовлення 4869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.97 грн
12+	27.51 грн
100+	18.72 грн
500+	13.78 грн
1000+	12.53 грн
2000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P-R2-00001

MOSFETs DFN3333 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.93 грн
11+	30.27 грн
100+	19.41 грн
500+	13.82 грн
1000+	12.40 грн
2000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	45.44 грн
100+	34.81 грн
500+	25.83 грн
1000+	20.66 грн
2000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 4068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.16 грн
12+	27.82 грн
100+	17.77 грн
500+	12.60 грн
1000+	11.29 грн
2000+	10.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.85 грн
12+	30.46 грн
100+	18.10 грн
500+	13.61 грн
1000+	10.23 грн
2500+	9.71 грн
5000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4431EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.12 грн
10+	72.93 грн
100+	49.36 грн
500+	41.86 грн
1000+	34.06 грн
5000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.84 грн
10+	57.87 грн
100+	39.21 грн
500+	33.25 грн
1000+	27.07 грн
5000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP_R2_00201

PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2-002A

MOSFETs DFN33 3 3PCH AN30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.00 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.31 грн
10+	55.87 грн
100+	36.76 грн
500+	26.80 грн
1000+	24.32 грн
2000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.80 грн
10+	61.17 грн
100+	35.09 грн
500+	27.29 грн
1000+	22.59 грн
5000+	18.32 грн
25000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-R2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.38 грн
10+	48.05 грн
100+	31.43 грн
500+	22.78 грн
1000+	20.61 грн
2000+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

PJQ4435EP-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	49.83 грн
100+	29.57 грн
500+	24.72 грн
1000+	21.04 грн
2500+	19.94 грн
5000+	16.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.26 грн
10+	41.92 грн
100+	28.88 грн
500+	21.56 грн
1000+	19.73 грн
2000+	18.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP_R2_00201

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; DFN8
Case: DFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP_R2_00201

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.58 грн
10+	47.90 грн
100+	31.30 грн
500+	22.68 грн
1000+	20.52 грн
2000+	18.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.07 грн
10+	44.59 грн
100+	26.48 грн
500+	22.07 грн
1000+	18.83 грн
2500+	17.80 грн
5000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.26 грн
10+	39.01 грн
100+	25.27 грн
500+	18.16 грн
1000+	16.37 грн
2000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS49/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.76 грн
10+	49.58 грн
100+	32.45 грн
500+	23.56 грн
1000+	21.33 грн
2000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS32/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4442P-AU_R2_000A1

MOSFET /4442/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS34/PJQ4442P-ASM7/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.28 грн
10+	67.77 грн
100+	45.24 грн
500+	35.75 грн
1000+	28.62 грн
2500+	27.88 грн
5000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	65.29 грн
100+	50.08 грн
500+	37.15 грн
1000+	29.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	45.44 грн
100+	34.81 грн
500+	25.83 грн
1000+	20.66 грн
2000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.87 грн
10+	49.89 грн
100+	38.78 грн
500+	30.85 грн
1000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

MOSFET /4444/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS55/PJQ4444P-ASB3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.89 грн
10+	38.01 грн
100+	26.12 грн
500+	19.44 грн
1000+	17.77 грн
2000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

MOSFET /4446/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS38/PJQ4446P-ASE1/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.28 грн
10+	51.57 грн
100+	35.73 грн
500+	28.01 грн
1000+	23.84 грн
2000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.97 грн
10+	35.48 грн
100+	24.66 грн
500+	18.07 грн
1000+	14.69 грн
2000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.95 грн
11+	30.42 грн
100+	20.75 грн
500+	15.33 грн
1000+	13.96 грн
2000+	12.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

на замовлення 3049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.97 грн
12+	27.82 грн
100+	18.96 грн
500+	13.96 грн
1000+	12.70 грн
2000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4451EP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.82 грн
10+	64.38 грн
100+	43.55 грн
500+	36.93 грн
1000+	30.09 грн
5000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2-002A

DFN33 3 3PCH AN40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	94.76 грн
100+	56.79 грн
500+	45.69 грн
1000+	38.92 грн
2500+	37.08 грн
5000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44605AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44607AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.02 грн
11+	28.51 грн
100+	19.82 грн
500+	14.52 грн
1000+	11.80 грн
2000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44611AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS44/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.44 грн
10+	43.99 грн
100+	30.29 грн
500+	22.63 грн
1000+	20.73 грн
2000+	19.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS12/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.97 грн
12+	27.51 грн
100+	18.72 грн
500+	13.78 грн
1000+	12.53 грн
2000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.44 грн
10+	44.06 грн
100+	30.43 грн
500+	22.75 грн
1000+	20.84 грн
2000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.83 грн
10+	49.75 грн
100+	29.87 грн
500+	23.76 грн
1000+	20.16 грн
2500+	20.08 грн
5000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP_R2_00001

MOSFET /4464/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS27/PJQ4464AP-ASJ5/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.47 грн
10+	44.25 грн
100+	25.68 грн
500+	20.67 грн
1000+	17.21 грн
2500+	16.41 грн
5000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.71 грн
10+	36.02 грн
100+	24.71 грн
500+	18.34 грн
1000+	16.74 грн
2000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP_R2_00001

MOSFET /4465/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS48/PJQ4465AP-AST0/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.10 грн
10000+	21.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 4131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.16 грн
11+	29.81 грн
100+	20.29 грн
500+	14.98 грн
1000+	13.64 грн
2000+	12.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-AU-R2

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-R2-00001

MOSFETs DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.50 грн
10+	57.93 грн
100+	38.20 грн
500+	27.90 грн
1000+	25.34 грн
2000+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.96 грн
10+	73.41 грн
100+	49.01 грн
500+	36.15 грн
1000+	32.98 грн
2000+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.59 грн
10+	64.98 грн
100+	43.99 грн
500+	37.30 грн
1000+	30.38 грн
5000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

MOSFET /4476/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-100FQMN//PJ/DFN33338L-AS35/PJQ4476AP-ASN4/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4524P-AU_R2_002A1

PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.18 грн
10+	45.86 грн
100+	27.22 грн
500+	22.73 грн
1000+	19.27 грн
2500+	17.51 грн
5000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P-AU_R2_002A1

PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4528P-AU_R2_002A1

PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4530P-AU_R2_002A1

PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4530P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.97 грн
10+	53.64 грн
100+	31.78 грн
500+	26.56 грн
1000+	22.66 грн
2500+	21.41 грн
5000+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4534P-AU_R2_002A1

PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4534P_R2_00201

PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.14 грн
10+	90.53 грн
100+	77.25 грн
1000+	66.58 грн
5000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.87 грн
10+	49.51 грн
100+	38.45 грн
500+	30.59 грн
1000+	24.92 грн
2000+	23.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.85 грн
10+	52.57 грн
100+	40.92 грн
500+	32.55 грн
1000+	26.52 грн
2000+	24.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.84 грн
10+	57.87 грн
100+	39.21 грн
500+	33.25 грн
1000+	27.07 грн
5000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.21 грн
10+	46.36 грн
100+	27.81 грн
500+	22.07 грн
1000+	18.61 грн
5000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.66 грн
10+	41.23 грн
100+	28.41 грн
500+	21.20 грн
1000+	19.40 грн
2000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	52.45 грн
100+	31.12 грн
500+	25.97 грн
1000+	22.14 грн
2500+	20.97 грн
5000+	17.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.88 грн
10+	63.07 грн
100+	44.07 грн
500+	33.38 грн
1000+	30.76 грн
2000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	49.89 грн
100+	34.56 грн
500+	25.96 грн
1000+	23.83 грн
2000+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.37 грн
10+	77.55 грн
100+	54.66 грн
500+	41.71 грн
1000+	38.58 грн
2000+	35.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

PJQ4576AP-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.88 грн
10+	63.07 грн
100+	44.07 грн
500+	33.38 грн
1000+	30.76 грн
2000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 17.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343pF @ 15V, 870pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

MOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	51.19 грн
100+	33.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	45.44 грн
100+	34.81 грн
500+	25.83 грн
1000+	20.66 грн
2000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

PJQ4848P-R2 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

MOSFET /4848/TR/13"/HF/5K/DFN3333B-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN3333B8L-AS01/PJQ4848P-ASC8/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 1522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.83 грн
10+	42.53 грн
100+	27.65 грн
500+	19.94 грн
1000+	18.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.03 грн
10+	38.41 грн
100+	22.81 грн
500+	19.05 грн
1000+	16.70 грн
3000+	14.13 грн
6000+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 8108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.30 грн
10+	37.93 грн
100+	26.01 грн
500+	19.29 грн
1000+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412-R2-00001

MOSFETs DFN5060 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.50 грн
10+	33.72 грн
100+	21.72 грн
500+	15.52 грн
1000+	13.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	50.73 грн
100+	33.25 грн
500+	24.15 грн
1000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

на замовлення 2180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.76 грн
10+	49.58 грн
100+	32.50 грн
500+	23.59 грн
1000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5425_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	93.57 грн
100+	72.96 грн
500+	56.56 грн
1000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	88.83 грн
100+	53.70 грн
500+	42.52 грн
1000+	38.84 грн
3000+	34.21 грн
6000+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.92 грн
10+	82.15 грн
100+	56.16 грн
500+	42.19 грн
1000+	38.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.97 грн
10+	64.83 грн
100+	49.58 грн
500+	36.59 грн
1000+	33.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.03 грн
10+	67.94 грн
100+	45.98 грн
500+	38.99 грн
1000+	33.25 грн
3000+	28.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.17 грн
10+	66.59 грн
100+	61.01 грн
500+	53.35 грн
1000+	49.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.17 грн
10+	77.07 грн
100+	61.43 грн
500+	57.24 грн
1000+	53.34 грн
3000+	23.10 грн
6000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	62.23 грн
100+	41.14 грн
500+	30.14 грн
1000+	27.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.17 грн
10+	67.51 грн
100+	55.32 грн
500+	43.45 грн
1000+	40.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.59 грн
10+	73.60 грн
100+	47.38 грн
500+	39.65 грн
1000+	37.30 грн
3000+	22.66 грн
6000+	21.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	53.11 грн
100+	35.90 грн
500+	26.56 грн
1000+	24.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.47 грн
10+	57.45 грн
100+	33.55 грн
500+	26.85 грн
1000+	23.91 грн
3000+	20.67 грн
6000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.91 грн
10+	52.37 грн
100+	31.05 грн
500+	25.90 грн
1000+	22.07 грн
3000+	20.01 грн
6000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.13 грн
10+	53.95 грн
100+	35.47 грн
500+	25.83 грн
1000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.40 грн
10+	117.79 грн
100+	80.55 грн
500+	60.65 грн
1000+	55.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-R2-00001

MOSFET DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.08 грн
10+	83.07 грн
100+	55.76 грн
500+	41.35 грн
1000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.41 грн
10+	67.74 грн
100+	45.02 грн
500+	33.10 грн
1000+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

7+	57.16 грн
10+	49.92 грн
100+	33.25 грн
500+	26.26 грн
1000+	21.85 грн
3000+	18.54 грн
9000+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.15 грн
10+	51.42 грн
100+	33.75 грн
500+	24.53 грн
1000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.38 грн
10+	63.54 грн
100+	42.38 грн
500+	33.47 грн
1000+	26.85 грн
3000+	24.20 грн
6000+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1 транзистор
Код товару: 210852

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 7854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.15 грн
10+	51.42 грн
100+	33.75 грн
500+	24.53 грн
1000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	50.88 грн
100+	33.33 грн
500+	24.21 грн
1000+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.08 грн
6000+	18.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.21 грн
10+	44.06 грн
100+	28.68 грн
500+	20.72 грн
1000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.26 грн
10+	39.08 грн
100+	25.32 грн
500+	18.20 грн
1000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.64 грн
6000+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.40 грн
100+	75.64 грн
500+	59.88 грн
3000+	19.94 грн
6000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.19 грн
10+	106.60 грн
100+	69.08 грн
250+	65.84 грн
500+	56.21 грн
1000+	49.88 грн
3000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.67 грн
10+	42.39 грн
100+	25.16 грн
500+	21.04 грн
1000+	18.39 грн
3000+	15.60 грн
6000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.40 грн
10+	45.83 грн
100+	29.92 грн
500+	21.64 грн
1000+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.32 грн
1000+	119.29 грн
3000+	30.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.40 грн
10+	68.61 грн
100+	46.42 грн
500+	39.43 грн
1000+	33.69 грн
3000+	28.54 грн
9000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.15 грн
10+	66.90 грн
100+	50.83 грн
500+	37.55 грн
1000+	34.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.71 грн
10+	47.28 грн
100+	36.24 грн
500+	26.89 грн
1000+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 21393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.18 грн
10+	45.09 грн
100+	26.78 грн
500+	22.36 грн
1000+	19.57 грн
3000+	16.55 грн
24000+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5460A_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.94 грн
10+	76.63 грн
100+	51.23 грн
500+	37.86 грн
1000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.40 грн
10+	45.98 грн
100+	29.97 грн
500+	21.68 грн
1000+	19.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5463A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP//PJ/DFN50608L-AS55/PJQ5463A-ASV1/DFN50808L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5464A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

на замовлення 4279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.21 грн
10+	44.45 грн
100+	28.94 грн
500+	20.91 грн
1000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.93 грн
10+	53.95 грн
100+	35.45 грн
500+	25.81 грн
1000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.86 грн
10+	61.92 грн
100+	40.92 грн
500+	29.97 грн
1000+	27.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.21 грн
10+	44.06 грн
100+	28.68 грн
500+	20.72 грн
1000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5466A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMN//PJ/DFN50608L-AS30/DFN50608L-AS06/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.21 грн
10+	43.60 грн
100+	28.43 грн
500+	20.52 грн
1000+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.39 грн
10+	70.27 грн
100+	46.78 грн
500+	34.44 грн
1000+	31.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.03 грн
10+	66.29 грн
100+	44.00 грн
500+	32.32 грн
1000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	60.92 грн
100+	40.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5520-AU_R2_002A1

PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5522-AU_R2_002A1

PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5524_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.20 грн
10+	53.55 грн
100+	31.71 грн
500+	26.48 грн
1000+	22.59 грн
3000+	20.38 грн
6000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.65 грн
10+	62.52 грн
100+	42.30 грн
500+	35.83 грн
1000+	29.21 грн
3000+	27.44 грн
6000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.18 грн
10+	45.86 грн
100+	27.22 грн
500+	22.73 грн
1000+	19.27 грн
3000+	17.51 грн
6000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN5060-8
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528-AU_R2_002A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.35 грн
10+	56.26 грн
100+	38.11 грн
500+	32.30 грн
1000+	26.26 грн
3000+	24.72 грн
6000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.15 грн
10+	42.05 грн
100+	24.87 грн
500+	20.82 грн
1000+	17.66 грн
3000+	16.11 грн
6000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.61 грн
10+	63.62 грн
100+	37.67 грн
500+	31.56 грн
1000+	26.85 грн
3000+	24.28 грн
6000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.55 грн
10+	43.40 грн
100+	28.25 грн
500+	22.14 грн
1000+	17.14 грн
3000+	15.60 грн
9000+	13.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU-R2-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

PJQ5534-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.12 грн
10+	61.17 грн
100+	36.27 грн
500+	30.31 грн
1000+	25.82 грн
3000+	23.32 грн
6000+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.66 грн
10+	39.09 грн
100+	25.38 грн
500+	19.94 грн
1000+	15.38 грн
3000+	14.05 грн
9000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.51 грн
10+	156.52 грн
100+	124.33 грн
250+	116.24 грн
500+	104.47 грн
1000+	95.64 грн
3000+	62.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.55 грн
10+	142.46 грн
100+	130.32 грн
500+	99.80 грн
1000+	91.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.40 грн
10+	126.68 грн
100+	91.66 грн
500+	73.07 грн
1000+	67.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.98 грн
10+	137.06 грн
100+	86.07 грн
500+	70.63 грн
1000+	65.70 грн
3000+	65.62 грн
6000+	63.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.12 грн
10+	173.44 грн
100+	127.27 грн
250+	116.97 грн
500+	105.94 грн
1000+	95.64 грн
3000+	48.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.78 грн
10+	106.60 грн
100+	65.84 грн
500+	53.93 грн
1000+	50.03 грн
3000+	49.95 грн
6000+	49.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.20 грн
10+	99.16 грн
100+	70.20 грн
500+	56.03 грн
1000+	51.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3652 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.76 грн
10+	104.06 грн
100+	63.86 грн
500+	50.84 грн
1000+	46.64 грн
3000+	42.15 грн
6000+	40.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	116.86 грн
29+	37.80 грн
79+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.70 грн
10+	87.13 грн
100+	61.63 грн
500+	48.99 грн
1000+	45.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

PJQ5544V-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.48 грн
10+	95.60 грн
100+	58.56 грн
500+	47.82 грн
1000+	44.29 грн
3000+	44.21 грн
6000+	42.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.47 грн
10+	90.12 грн
100+	63.79 грн
500+	50.79 грн
1000+	46.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.11 грн
10+	60.85 грн
100+	42.41 грн
500+	33.46 грн
1000+	30.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.42 грн
10+	62.27 грн
100+	42.15 грн
500+	35.68 грн
1000+	30.53 грн
3000+	25.90 грн
9000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.09 грн
10+	62.53 грн
100+	43.60 грн
500+	34.40 грн
1000+	31.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.56 грн
10+	65.99 грн
100+	40.02 грн
500+	32.22 грн
1000+	29.72 грн
3000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.36 грн
10+	53.41 грн
100+	36.14 грн
500+	27.71 грн
1000+	25.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.26 грн
10+	57.70 грн
100+	34.21 грн
500+	28.62 грн
1000+	25.01 грн
3000+	21.19 грн
6000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.45 грн
10+	76.57 грн
100+	54.51 грн
500+	45.61 грн
1000+	42.89 грн
3000+	21.04 грн
6000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.31 грн
10+	85.52 грн
100+	60.53 грн
500+	46.36 грн
1000+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	67.28 грн
100+	47.14 грн
500+	35.79 грн
1000+	33.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.00 грн
10+	73.49 грн
100+	51.67 грн
500+	39.36 грн
1000+	36.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	60.85 грн
100+	42.52 грн
500+	32.16 грн
1000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.64 грн
10+	106.60 грн
100+	70.63 грн
250+	61.36 грн
500+	58.93 грн
1000+	52.38 грн
3000+	50.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.35 грн
10+	106.52 грн
100+	76.14 грн
500+	58.81 грн
1000+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.70 грн
10+	87.52 грн
100+	61.97 грн
500+	47.51 грн
1000+	44.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.00 грн
10+	73.49 грн
100+	51.67 грн
500+	39.36 грн
1000+	36.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.94 грн
10+	81.54 грн
100+	57.61 грн
500+	44.04 грн
1000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.16 грн
10+	97.29 грн
100+	66.28 грн
500+	56.21 грн
1000+	45.76 грн
3000+	43.11 грн
6000+	41.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

MOSFET PJ/Q5606/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-30FKNP//PJ/DFN5060B8L-AS04/PJQ5606-ASN3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.48 грн
10+	95.60 грн
100+	58.56 грн
500+	47.82 грн
1000+	44.29 грн
3000+	42.82 грн
6000+	42.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.35 грн
10+	100.08 грн
100+	68.01 грн
500+	50.90 грн
1000+	46.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of package: tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5848_R2_00001

MOSFET PJ/Q5848/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN//PJ/DFN5060B8L-AS07/PJQ5848-ASP3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.24 грн
10+	54.10 грн
100+	42.08 грн
500+	33.47 грн
1000+	27.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.07 грн
10+	49.12 грн
100+	38.19 грн
500+	30.38 грн
1000+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.97 грн
10+	64.91 грн
100+	50.51 грн
500+	40.18 грн
1000+	32.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.12 грн
10+	72.93 грн
100+	49.36 грн
500+	41.86 грн
1000+	35.68 грн
3000+	30.31 грн
9000+	30.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.44 грн
10+	75.97 грн
100+	46.42 грн
500+	37.52 грн
1000+	34.65 грн
3000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.54 грн
10+	68.82 грн
100+	53.48 грн
500+	42.54 грн
1000+	34.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1