Продукція > PJQ

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

MOSFET /820/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MN//PJ/DFN10106L-AS02/PJQ1820-ASV3/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

MOSFET /821/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MP//PJ/DFN10106L-AS03/PJQ1821-ASV4/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1902_R1_00001

MOSFET /2/TR/7"/HF/8K/DFN 3L/MOS/DFN/NFET-30FNMN/NF30FN-QI01/PJ///

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ1906_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.50 грн
14+	25.87 грн
500+	16.31 грн
1000+	12.38 грн
2500+	10.87 грн
5000+	5.66 грн
10000+	3.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908-AU-R1-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908-AU_R1_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 900mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908_R1_00201

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00001

MOSFET /G/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMN//PJ/DFN10063L-AS03/PJQ1916-ASV6/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.29 грн
15+	23.27 грн
100+	12.61 грн
500+	8.68 грн
1000+	7.32 грн
2500+	6.57 грн
5000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 8976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.68 грн
21+	15.33 грн
100+	10.31 грн
500+	7.47 грн
1000+	6.73 грн
2000+	6.10 грн
5000+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00001

MOSFET /H/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMP//PJ/DFN10063L-AS04/PJQ1917-ASV7/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00201

MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.50 грн
17+	21.62 грн
100+	10.64 грн
500+	7.17 грн
1000+	5.44 грн
2500+	4.91 грн
5000+	4.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-R1-00001

MOSFET DFN2020B-6L/MOS/NFET-20FIMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
10+	36.88 грн
100+	25.55 грн
500+	20.03 грн
1000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.35 грн
10+	41.67 грн
100+	24.69 грн
500+	20.61 грн
1000+	18.12 грн
3000+	15.32 грн
6000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.16 грн
11+	33.60 грн
100+	21.82 грн
500+	17.14 грн
1000+	13.66 грн
3000+	11.55 грн
9000+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
11+	30.12 грн
100+	20.93 грн
500+	15.34 грн
1000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.56 грн
12+	27.99 грн
100+	16.75 грн
500+	14.56 грн
1000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.95 грн
12+	31.08 грн
100+	15.02 грн
1000+	10.27 грн
3000+	9.81 грн
9000+	8.08 грн
24000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.00 грн
11+	29.25 грн
100+	18.72 грн
500+	13.30 грн
1000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.75 грн
11+	30.51 грн
100+	21.18 грн
500+	15.52 грн
1000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.46 грн
13+	25.16 грн
100+	16.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 12.8A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 12.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: DFN2020B-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 5530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.03 грн
13+	25.71 грн
100+	17.85 грн
500+	13.08 грн
1000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-R1-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.06 грн
10+	39.95 грн
100+	27.46 грн
500+	20.44 грн
1000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2566A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.69 грн
10+	70.49 грн
100+	43.10 грн
500+	38.58 грн
1000+	33.29 грн
3000+	30.95 грн
6000+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	39.08 грн
100+	26.86 грн
500+	19.99 грн
1000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.02 грн
10+	73.70 грн
100+	42.80 грн
500+	35.03 грн
1000+	31.78 грн
3000+	26.95 грн
6000+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815-R1-00001

MOSFET DFN2020-6L/MOS/DFN/NFET-20FHMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 7770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
10+	40.18 грн
100+	27.86 грн
500+	21.85 грн
1000+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_S1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2888_R1_00001

MOSFET /888/TR/7"/HF/3K/DFN2020-8L/MOS/DFN/NFET-20FOMP//PJ/DFN20208L-AS02/DFN20208L-AS03/DFN20208L-AS01

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	51.51 грн
100+	39.48 грн
500+	29.29 грн
1000+	23.43 грн
2000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.32 грн
10+	54.69 грн
100+	31.93 грн
250+	31.86 грн
500+	25.67 грн
1000+	21.21 грн
2500+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

на замовлення 1457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.48 грн
10+	49.23 грн
100+	32.19 грн
500+	23.33 грн
1000+	21.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS39/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.24 грн
10+	39.63 грн
100+	27.22 грн
500+	20.26 грн
1000+	18.53 грн
2000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS15/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.55 грн
10+	39.00 грн
100+	27.00 грн
500+	21.17 грн
1000+	18.02 грн
2000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.86 грн
10000+	13.74 грн
15000+	13.16 грн
25000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 118760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.94 грн
10+	35.07 грн
100+	20.91 грн
500+	16.46 грн
1000+	13.59 грн
5000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 36229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
10+	35.39 грн
100+	24.19 грн
500+	17.88 грн
1000+	14.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS14/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
10+	38.85 грн
100+	27.03 грн
500+	19.81 грн
1000+	16.10 грн
2000+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
11+	31.22 грн
100+	21.29 грн
500+	15.73 грн
1000+	14.33 грн
2000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS05/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.67 грн
10+	40.63 грн
100+	24.16 грн
500+	18.95 грн
1000+	15.78 грн
2500+	14.64 грн
5000+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.55 грн
11+	29.80 грн
100+	20.34 грн
500+	15.01 грн
1000+	13.66 грн
2000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

MOSFET /4408/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS20/PJQ4408P-AU-ASBF/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

на замовлення 4869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
12+	28.23 грн
100+	19.21 грн
500+	14.14 грн
1000+	12.86 грн
2000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P-R2-00001

MOSFETs DFN3333 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	52.26 грн
11+	31.06 грн
100+	19.92 грн
500+	14.18 грн
1000+	12.72 грн
2000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.71 грн
10+	46.63 грн
100+	35.72 грн
500+	26.50 грн
1000+	21.20 грн
2000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.84 грн
12+	31.25 грн
100+	18.57 грн
500+	13.97 грн
1000+	10.49 грн
2500+	9.96 грн
5000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 4068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
12+	28.54 грн
100+	18.24 грн
500+	12.93 грн
1000+	11.59 грн
2000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4431EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.57 грн
10+	72.23 грн
25+	62.73 грн
100+	47.18 грн
250+	47.11 грн
500+	38.42 грн
1000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.72 грн
10+	59.38 грн
100+	40.24 грн
500+	34.12 грн
1000+	27.78 грн
5000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-R2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP_R2_00201

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -62A; Idm: -195A; 21.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -62A
Pulsed drain current: -195A
Power dissipation: 21.7W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2-002A

MOSFETs DFN33 3 3PCH AN30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	54.35 грн
100+	31.10 грн
500+	24.69 грн
1000+	21.97 грн
2500+	20.08 грн
5000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.66 грн
10+	52.61 грн
100+	34.65 грн
500+	25.26 грн
1000+	22.00 грн
2000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-R2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.48 грн
10+	49.30 грн
100+	32.25 грн
500+	23.37 грн
1000+	21.15 грн
2000+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.96 грн
10+	43.01 грн
100+	29.64 грн
500+	22.12 грн
1000+	20.24 грн
2000+	18.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.01 грн
10+	51.13 грн
100+	30.35 грн
500+	25.36 грн
1000+	21.59 грн
2500+	20.46 грн
5000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.66 грн
10+	49.15 грн
100+	32.11 грн
500+	23.27 грн
1000+	21.05 грн
2000+	19.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.40 грн
10+	45.75 грн
100+	27.18 грн
500+	22.65 грн
1000+	19.33 грн
2500+	18.27 грн
5000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.96 грн
10+	40.03 грн
100+	25.93 грн
500+	18.63 грн
1000+	16.80 грн
2000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -90A
Drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 19.1mΩ
Power dissipation: 10W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS49/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.93 грн
10+	50.88 грн
100+	33.30 грн
500+	24.17 грн
1000+	21.89 грн
2000+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS32/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4442P-AU_R2_000A1

MOSFET /4442/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS34/PJQ4442P-ASM7/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.21 грн
10+	67.00 грн
100+	51.39 грн
500+	38.12 грн
1000+	30.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.32 грн
10+	69.54 грн
100+	46.43 грн
500+	36.69 грн
1000+	29.37 грн
2500+	28.61 грн
5000+	24.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.71 грн
10+	46.63 грн
100+	35.72 грн
500+	26.50 грн
1000+	21.20 грн
2000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

MOSFET /4444/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS55/PJQ4444P-ASB3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.51 грн
10+	51.19 грн
100+	39.80 грн
500+	31.66 грн
1000+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	39.00 грн
100+	26.81 грн
500+	19.95 грн
1000+	18.24 грн
2000+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

MOSFET /4446/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS38/PJQ4446P-ASE1/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.88 грн
10+	52.92 грн
100+	36.67 грн
500+	28.75 грн
1000+	24.46 грн
2000+	21.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
10+	36.41 грн
100+	25.30 грн
500+	18.54 грн
1000+	15.07 грн
2000+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.18 грн
11+	31.22 грн
100+	21.29 грн
500+	15.73 грн
1000+	14.33 грн
2000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

на замовлення 3049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
12+	28.54 грн
100+	19.45 грн
500+	14.33 грн
1000+	13.03 грн
2000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4451EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.69 грн
10+	71.71 грн
25+	62.28 грн
100+	46.65 грн
250+	46.58 грн
500+	37.37 грн
1000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2-002A

DFN33 3 3PCH AN40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.13 грн
10+	98.97 грн
100+	59.56 грн
500+	47.94 грн
1000+	40.84 грн
2500+	38.88 грн
5000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44605AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.71 грн
10+	56.25 грн
100+	32.23 грн
500+	25.52 грн
1000+	22.65 грн
2500+	21.21 грн
5000+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ44607AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.95 грн
10+	46.10 грн
100+	26.19 грн
500+	20.16 грн
1000+	18.19 грн
2500+	16.91 грн
5000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.93 грн
11+	29.25 грн
100+	20.34 грн
500+	14.90 грн
1000+	12.11 грн
2000+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44611AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.81 грн
11+	34.38 грн
100+	19.70 грн
500+	15.48 грн
1000+	13.21 грн
2500+	12.23 грн
5000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	45.14 грн
100+	31.08 грн
500+	23.23 грн
1000+	21.27 грн
2000+	19.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.70 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS44/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.10 грн
12+	28.23 грн
100+	19.21 грн
500+	14.14 грн
1000+	12.86 грн
2000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS12/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.47 грн
10+	51.05 грн
100+	30.65 грн
500+	24.38 грн
1000+	20.68 грн
2500+	20.61 грн
5000+	18.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	45.22 грн
100+	31.23 грн
500+	23.34 грн
1000+	21.38 грн
2000+	19.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP_R2_00001

MOSFET /4464/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS27/PJQ4464AP-ASJ5/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.74 грн
10+	46.62 грн
100+	26.42 грн
500+	20.38 грн
1000+	18.12 грн
2500+	16.76 грн
5000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.16 грн
10+	36.96 грн
100+	25.35 грн
500+	18.82 грн
1000+	17.18 грн
2000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP_R2_00001

MOSFET /4465/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS48/PJQ4465AP-AST0/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.68 грн
10000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 5003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.98 грн
10+	34.91 грн
100+	22.62 грн
500+	16.24 грн
1000+	14.63 грн
2000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-AU-R2

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-R2-00001

MOSFETs DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.99 грн
10+	59.45 грн
100+	39.20 грн
500+	28.63 грн
1000+	26.01 грн
2000+	23.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.12 грн
10+	75.33 грн
100+	50.29 грн
500+	37.09 грн
1000+	33.84 грн
2000+	31.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.70 грн
10+	66.67 грн
100+	45.14 грн
500+	38.27 грн
1000+	31.18 грн
5000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

MOSFET /4476/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-100FQMN//PJ/DFN33338L-AS35/PJQ4476AP-ASN4/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4524P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.09 грн
10+	55.82 грн
100+	33.06 грн
500+	27.63 грн
1000+	23.55 грн
2500+	21.36 грн
5000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.20 грн
10+	44.62 грн
100+	26.50 грн
500+	22.12 грн
1000+	18.80 грн
2500+	17.06 грн
5000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4528P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.47 грн
10+	59.55 грн
100+	35.33 грн
500+	29.59 грн
1000+	25.14 грн
2500+	22.80 грн
5000+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4530P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	20.43 грн
26+	13.63 грн
100+	7.55 грн
500+	4.68 грн
1000+	3.62 грн
2500+	3.25 грн
5000+	2.72 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

PJQ4534P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 152A; 10.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 10.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 152A
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4534P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.37 грн
10+	48.35 грн
100+	28.69 грн
500+	24.01 грн
1000+	20.46 грн
2500+	18.49 грн
5000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4534P_R2_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 144A; 7W; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.80 грн
10+	92.89 грн
100+	79.26 грн
1000+	68.32 грн
5000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.51 грн
10+	50.80 грн
100+	39.46 грн
500+	31.39 грн
1000+	25.57 грн
2000+	24.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 42W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.72 грн
10+	59.38 грн
100+	40.24 грн
500+	34.12 грн
1000+	27.78 грн
5000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.59 грн
10+	53.94 грн
100+	41.99 грн
500+	33.40 грн
1000+	27.21 грн
2000+	25.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.33 грн
10+	42.31 грн
100+	29.15 грн
500+	21.76 грн
1000+	19.91 грн
2000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.04 грн
10+	47.57 грн
100+	28.54 грн
500+	22.65 грн
1000+	19.10 грн
5000+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.34 грн
10+	57.47 грн
100+	33.59 грн
250+	33.52 грн
500+	26.87 грн
1000+	22.27 грн
2500+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	64.72 грн
100+	45.22 грн
500+	34.25 грн
1000+	31.57 грн
2000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.21 грн
10+	51.19 грн
100+	35.46 грн
500+	26.64 грн
1000+	24.46 грн
2000+	22.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.49 грн
10+	79.58 грн
100+	56.08 грн
500+	42.80 грн
1000+	39.59 грн
2000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	64.72 грн
100+	45.22 грн
500+	34.25 грн
1000+	31.57 грн
2000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4594P-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.49 грн
10+	85.16 грн
100+	57.67 грн
500+	48.92 грн
1000+	39.78 грн
2500+	37.52 грн
5000+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 17.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343pF @ 15V, 870pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

MOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.03 грн
10+	48.52 грн
100+	31.86 грн
500+	23.19 грн
1000+	20.43 грн
2000+	19.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.07 грн
10000+	17.06 грн
15000+	16.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

MOSFET /4848/TR/13"/HF/5K/DFN3333B-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN3333B8L-AS01/PJQ4848P-ASC8/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.71 грн
10+	46.63 грн
100+	35.72 грн
500+	26.50 грн
1000+	21.20 грн
2000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 1522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.68 грн
10+	43.64 грн
100+	28.37 грн
500+	20.46 грн
1000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.18 грн
10+	39.41 грн
100+	23.40 грн
500+	19.55 грн
1000+	17.14 грн
3000+	14.49 грн
6000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 8108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.79 грн
10+	38.92 грн
100+	26.69 грн
500+	19.80 грн
1000+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412-R2-00001

MOSFETs DFN5060 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.98 грн
10+	34.60 грн
100+	22.29 грн
500+	15.93 грн
1000+	14.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.56 грн
10+	52.06 грн
100+	34.12 грн
500+	24.78 грн
1000+	22.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

на замовлення 2180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.93 грн
10+	50.88 грн
100+	33.35 грн
500+	24.20 грн
1000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5425_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.87 грн
10+	96.01 грн
100+	74.86 грн
500+	58.03 грн
1000+	45.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.29 грн
10+	84.30 грн
100+	57.62 грн
500+	43.29 грн
1000+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.11 грн
10+	85.86 грн
100+	49.90 грн
500+	40.01 грн
1000+	36.76 грн
3000+	31.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.11 грн
10+	66.53 грн
100+	50.88 грн
500+	37.55 грн
1000+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.54 грн
10+	76.14 грн
100+	44.16 грн
500+	36.24 грн
1000+	32.76 грн
3000+	27.78 грн
6000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.34 грн
10+	79.09 грн
100+	63.03 грн
500+	58.73 грн
1000+	54.73 грн
3000+	23.70 грн
6000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.29 грн
10+	68.33 грн
100+	62.60 грн
500+	54.74 грн
1000+	51.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.34 грн
10+	63.85 грн
100+	42.22 грн
500+	30.92 грн
1000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.70 грн
10+	75.53 грн
100+	48.62 грн
500+	40.69 грн
1000+	38.27 грн
3000+	23.25 грн
6000+	21.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.29 грн
10+	69.28 грн
100+	56.77 грн
500+	44.58 грн
1000+	41.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.11 грн
10+	54.26 грн
100+	31.93 грн
500+	25.21 грн
1000+	22.95 грн
3000+	20.99 грн
6000+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.56 грн
10+	54.49 грн
100+	36.84 грн
500+	27.26 грн
1000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

на замовлення 2877 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	54.35 грн
100+	31.10 грн
500+	24.69 грн
1000+	22.57 грн
3000+	19.17 грн
6000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.46 грн
10+	55.36 грн
100+	36.40 грн
500+	26.50 грн
1000+	24.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.35 грн
10+	120.86 грн
100+	82.65 грн
500+	62.23 грн
1000+	57.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-R2-00001

MOSFET DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.64 грн
10+	85.24 грн
100+	57.21 грн
500+	42.43 грн
1000+	38.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.32 грн
10+	69.51 грн
100+	46.20 грн
500+	33.96 грн
1000+	30.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

7+	58.66 грн
10+	51.22 грн
100+	34.12 грн
500+	26.95 грн
1000+	22.42 грн
3000+	19.02 грн
9000+	17.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	52.76 грн
100+	34.63 грн
500+	25.17 грн
1000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.30 грн
10+	65.20 грн
100+	43.48 грн
500+	34.35 грн
1000+	27.55 грн
3000+	24.84 грн
6000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1 транзистор
Код товару: 210852

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 7854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	52.76 грн
100+	34.63 грн
500+	25.17 грн
1000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.56 грн
10+	52.21 грн
100+	34.20 грн
500+	24.85 грн
1000+	22.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.63 грн
6000+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	45.22 грн
100+	29.43 грн
500+	21.26 грн
1000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5447E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -40 V, -120 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.05 грн
6000+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.96 грн
10+	40.10 грн
100+	25.98 грн
500+	18.68 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.55 грн
100+	77.61 грн
500+	61.45 грн
3000+	20.46 грн
6000+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.20 грн
10+	101.57 грн
100+	64.24 грн
500+	53.07 грн
1000+	47.18 грн
3000+	42.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.39 грн
10+	47.02 грн
100+	30.70 грн
500+	22.21 грн
1000+	20.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.94 грн
10+	43.49 грн
100+	25.82 грн
500+	21.59 грн
1000+	18.87 грн
3000+	16.00 грн
6000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.75 грн
1000+	122.41 грн
3000+	30.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.94 грн
10+	79.17 грн
100+	45.60 грн
500+	37.37 грн
1000+	32.69 грн
3000+	27.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.38 грн
10+	68.65 грн
100+	52.16 грн
500+	38.53 грн
1000+	35.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 23558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.59 грн
10+	38.37 грн
100+	22.04 грн
500+	17.29 грн
1000+	14.80 грн
3000+	12.76 грн
6000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.16 грн
10+	48.52 грн
100+	37.19 грн
500+	27.59 грн
1000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5460A_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.21 грн
10+	78.64 грн
100+	52.57 грн
500+	38.85 грн
1000+	35.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.39 грн
10+	47.18 грн
100+	30.75 грн
500+	22.25 грн
1000+	20.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5463A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP//PJ/DFN50608L-AS55/PJQ5463A-ASV1/DFN50808L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5464A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

на замовлення 4279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	45.61 грн
100+	29.69 грн
500+	21.46 грн
1000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.48 грн
10+	49.85 грн
100+	32.78 грн
500+	23.87 грн
1000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.52 грн
10+	63.54 грн
100+	41.99 грн
500+	30.75 грн
1000+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.13 грн
10+	45.22 грн
100+	29.43 грн
500+	21.26 грн
1000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.96 грн
10+	40.34 грн
100+	26.30 грн
500+	18.98 грн
1000+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5466A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMN//PJ/DFN50608L-AS30/DFN50608L-AS06/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.41 грн
10+	72.11 грн
100+	48.00 грн
500+	35.34 грн
1000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.87 грн
10+	68.02 грн
100+	45.14 грн
500+	33.16 грн
1000+	30.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.71 грн
10+	62.51 грн
100+	41.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5524-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.46 грн
10+	81.34 грн
100+	46.80 грн
500+	38.35 грн
1000+	34.73 грн
3000+	29.44 грн
6000+	28.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5524_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	54.35 грн
100+	31.10 грн
500+	24.69 грн
1000+	22.57 грн
3000+	19.17 грн
6000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.02 грн
10+	73.27 грн
100+	42.27 грн
500+	33.37 грн
1000+	31.10 грн
3000+	26.35 грн
6000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.52 грн
10+	50.35 грн
100+	28.54 грн
500+	22.04 грн
1000+	20.46 грн
3000+	17.36 грн
6000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.69 грн
10+	65.89 грн
100+	38.05 грн
500+	30.04 грн
1000+	28.01 грн
3000+	23.70 грн
6000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.95 грн
10+	46.10 грн
100+	26.19 грн
500+	20.16 грн
1000+	18.80 грн
3000+	15.93 грн
6000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	63.37 грн
100+	36.46 грн
500+	29.97 грн
1000+	26.72 грн
3000+	22.65 грн
6000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.75 грн
10+	44.19 грн
100+	26.27 грн
500+	20.61 грн
1000+	17.66 грн
3000+	15.02 грн
6000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU-R2-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.00 грн
10+	59.64 грн
100+	34.35 грн
500+	28.23 грн
1000+	25.21 грн
3000+	21.36 грн
6000+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.17 грн
10+	39.76 грн
100+	23.63 грн
500+	18.57 грн
1000+	15.93 грн
3000+	13.44 грн
6000+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.17 грн
10+	140.64 грн
100+	89.83 грн
500+	75.34 грн
1000+	64.24 грн
3000+	59.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.77 грн
10+	146.18 грн
100+	133.72 грн
500+	102.41 грн
1000+	94.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.35 грн
10+	129.98 грн
100+	94.06 грн
500+	74.98 грн
1000+	69.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.71 грн
10+	132.82 грн
100+	83.79 грн
500+	71.41 грн
1000+	64.24 грн
3000+	62.35 грн
6000+	61.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.67 грн
10+	144.11 грн
100+	90.59 грн
500+	76.24 грн
1000+	66.20 грн
3000+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.15 грн
10+	101.75 грн
100+	72.03 грн
500+	57.49 грн
1000+	52.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.60 грн
10+	101.57 грн
100+	62.35 грн
500+	53.07 грн
1000+	48.92 грн
3000+	45.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 4.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1952 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	130.07 грн
10+	85.55 грн
100+	59.26 грн
250+	53.22 грн
500+	49.45 грн
1000+	46.33 грн
3000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

на замовлення 1952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.40 грн
10+	68.65 грн
100+	49.38 грн
250+	44.35 грн
500+	41.20 грн
1000+	38.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.19 грн
10+	89.41 грн
100+	63.24 грн
500+	50.27 грн
1000+	46.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.99 грн
10+	89.42 грн
100+	54.81 грн
500+	46.43 грн
1000+	42.65 грн
3000+	39.63 грн
6000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.09 грн
10+	92.47 грн
100+	65.46 грн
500+	52.12 грн
1000+	47.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.27 грн
10+	92.89 грн
100+	56.77 грн
500+	48.09 грн
1000+	44.24 грн
3000+	41.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.54 грн
10+	62.44 грн
100+	43.52 грн
500+	34.33 грн
1000+	31.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.36 грн
10+	62.16 грн
100+	37.74 грн
500+	31.71 грн
1000+	28.99 грн
3000+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	67.71 грн
100+	41.07 грн
500+	33.06 грн
1000+	30.50 грн
3000+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.62 грн
10+	64.17 грн
100+	44.74 грн
500+	35.30 грн
1000+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.56 грн
10+	54.81 грн
100+	37.08 грн
500+	28.44 грн
1000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.99 грн
10+	59.21 грн
100+	35.10 грн
500+	29.37 грн
1000+	25.67 грн
3000+	21.74 грн
6000+	20.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.88 грн
10+	59.99 грн
100+	34.57 грн
500+	28.38 грн
1000+	24.53 грн
3000+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.74 грн
10+	87.76 грн
100+	62.11 грн
500+	47.57 грн
1000+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.16 грн
10+	69.04 грн
100+	48.38 грн
500+	36.72 грн
1000+	33.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.96 грн
10+	75.41 грн
100+	53.02 грн
500+	40.39 грн
1000+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.35 грн
10+	119.80 грн
100+	70.73 грн
500+	58.96 грн
1000+	54.58 грн
3000+	46.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.36 грн
10+	62.44 грн
100+	43.63 грн
500+	33.00 грн
1000+	30.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.59 грн
10+	109.30 грн
100+	78.13 грн
500+	60.34 грн
1000+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.19 грн
10+	89.80 грн
100+	63.59 грн
500+	48.75 грн
1000+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.96 грн
10+	75.41 грн
100+	53.02 грн
500+	40.39 грн
1000+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5592-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.39 грн
10+	149.32 грн
100+	95.12 грн
500+	80.02 грн
1000+	74.66 грн
3000+	62.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.57 грн
10+	104.18 грн
100+	62.96 грн
500+	53.37 грн
1000+	46.20 грн
3000+	39.18 грн
6000+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.21 грн
10+	83.67 грн
100+	59.11 грн
500+	45.19 грн
1000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

MOSFET PJ/Q5606/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-30FKNP//PJ/DFN5060B8L-AS04/PJQ5606-ASN3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.20 грн
10+	98.10 грн
100+	60.09 грн
500+	49.07 грн
1000+	45.44 грн
3000+	43.93 грн
6000+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.59 грн
10+	102.70 грн
100+	69.79 грн
500+	52.23 грн
1000+	47.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5848_R2_00001

MOSFET PJ/Q5848/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN//PJ/DFN5060B8L-AS07/PJQ5848-ASP3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5850_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 12W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.04 грн
10+	55.52 грн
100+	43.18 грн
500+	34.35 грн
1000+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	50.41 грн
100+	39.19 грн
500+	31.18 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.11 грн
10+	66.60 грн
100+	51.83 грн
500+	41.23 грн
1000+	33.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.35 грн
10+	81.34 грн
100+	45.67 грн
500+	36.16 грн
1000+	33.06 грн
3000+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.63 грн
10+	84.38 грн
100+	47.78 грн
500+	37.82 грн
1000+	34.65 грн
3000+	30.57 грн
6000+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.83 грн
10+	70.61 грн
100+	54.88 грн
500+	43.65 грн
1000+	35.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 35A; Idm: 140A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1