Продукція > PJQ

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010-6L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1820_R1_00001

MOSFET /820/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MN//PJ/DFN10106L-AS02/PJQ1820-ASV3/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

MOSFET /821/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MP//PJ/DFN10106L-AS03/PJQ1821-ASV4/DFN10106L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1902_R1_00001

MOSFET /2/TR/7"/HF/8K/DFN 3L/MOS/DFN/NFET-30FNMN/NF30FN-QI01/PJ///

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ1905_R1_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1A; 500mW; DFN1006-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1906_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.34 грн
14+	26.60 грн
500+	16.77 грн
1000+	12.73 грн
2500+	11.18 грн
5000+	5.82 грн
10000+	3.26 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

PJQ1906_R1_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: 10V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908-AU-R1-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1908-AU_R1_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 900mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00001

MOSFET /G/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMN//PJ/DFN10063L-AS03/PJQ1916-ASV6/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	34.24 грн
15+	23.93 грн
100+	12.96 грн
500+	8.93 грн
1000+	7.53 грн
2500+	6.75 грн
5000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 8976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	24.35 грн
21+	15.77 грн
100+	10.60 грн
500+	7.68 грн
1000+	6.92 грн
2000+	6.27 грн
5000+	5.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 950mA; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1916_S1_00201

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00001

MOSFET /H/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMP//PJ/DFN10063L-AS04/PJQ1917-ASV7/DFN10062L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ1917_R1_00201

MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.34 грн
17+	22.23 грн
100+	10.95 грн
500+	7.38 грн
1000+	5.59 грн
2500+	5.05 грн
5000+	4.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-AU_R1_000A1

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405-R1-00001

MOSFET DFN2020B-6L/MOS/NFET-20FIMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.72 грн
10+	42.85 грн
100+	25.39 грн
500+	21.19 грн
1000+	18.63 грн
3000+	15.76 грн
6000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.35 грн
10+	37.93 грн
100+	26.27 грн
500+	20.60 грн
1000+	17.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.79 грн
11+	30.97 грн
100+	21.53 грн
500+	15.78 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2407_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.30 грн
11+	34.55 грн
100+	22.44 грн
500+	17.62 грн
1000+	14.05 грн
3000+	11.88 грн
9000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.63 грн
12+	28.79 грн
100+	17.22 грн
500+	14.97 грн
1000+	10.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2409_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.12 грн
12+	31.96 грн
100+	15.45 грн
1000+	10.56 грн
3000+	10.09 грн
9000+	8.31 грн
24000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.39 грн
11+	30.08 грн
100+	19.25 грн
500+	13.68 грн
1000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.79 грн
11+	31.38 грн
100+	21.79 грн
500+	15.96 грн
1000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.67 грн
13+	25.88 грн
100+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2422_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 5530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.91 грн
13+	26.44 грн
100+	18.36 грн
500+	13.45 грн
1000+	10.93 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2460_R1_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A-R1-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.82 грн
10+	41.08 грн
100+	28.24 грн
500+	21.02 грн
1000+	19.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2566A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.69 грн
10+	72.49 грн
100+	44.33 грн
500+	39.67 грн
1000+	34.24 грн
3000+	31.83 грн
6000+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.14 грн
10+	40.19 грн
100+	27.62 грн
500+	20.56 грн
1000+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.37 грн
10+	75.80 грн
100+	44.02 грн
500+	36.02 грн
1000+	32.68 грн
3000+	27.71 грн
6000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ2568A_R1_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815-R1-00001

MOSFET DFN2020-6L/MOS/DFN/NFET-20FHMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 7770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.55 грн
10+	41.32 грн
100+	28.65 грн
500+	22.47 грн
1000+	19.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2815_S1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ2888_R1_00001

MOSFET /888/TR/7"/HF/3K/DFN2020-8L/MOS/DFN/NFET-20FOMP//PJ/DFN20208L-AS02/DFN20208L-AS03/DFN20208L-AS01

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.60 грн
10+	56.25 грн
100+	32.84 грн
250+	32.76 грн
500+	26.40 грн
1000+	21.81 грн
2500+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.14 грн
10+	52.97 грн
100+	40.60 грн
500+	30.12 грн
1000+	24.10 грн
2000+	21.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.58 грн
10+	45.37 грн
100+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4401P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.42 грн
10+	45.93 грн
100+	30.08 грн
500+	21.81 грн
1000+	19.74 грн
2000+	18.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-AU_R2_000A1

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS39/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS15/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

на замовлення 4466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.87 грн
10+	40.11 грн
100+	27.76 грн
500+	21.77 грн
1000+	18.53 грн
2000+	16.50 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4402P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.08 грн
10000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 118084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.81 грн
10+	36.96 грн
100+	22.05 грн
500+	17.31 грн
1000+	14.28 грн
5000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 35914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.03 грн
10+	34.21 грн
100+	23.44 грн
500+	17.28 грн
1000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS14/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.71 грн
10+	39.95 грн
100+	27.80 грн
500+	20.37 грн
1000+	16.56 грн
2000+	14.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.30 грн
10+	36.63 грн
100+	23.72 грн
500+	17.04 грн
1000+	15.36 грн
2000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS05/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R1_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4407P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.56 грн
10+	41.78 грн
100+	24.84 грн
500+	19.49 грн
1000+	16.23 грн
2500+	15.06 грн
5000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.78 грн
10+	35.10 грн
100+	22.69 грн
500+	16.28 грн
1000+	14.66 грн
2000+	13.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-AU_R2_000A1

MOSFET /4408/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS20/PJQ4408P-AU-ASBF/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

на замовлення 4823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	54.59 грн
10+	32.83 грн
100+	21.13 грн
500+	15.12 грн
1000+	13.60 грн
2000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4409P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P-R2-00001

MOSFETs DFN3333 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.75 грн
11+	31.94 грн
100+	20.48 грн
500+	14.58 грн
1000+	13.08 грн
2000+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

на замовлення 4888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.58 грн
10+	45.37 грн
100+	29.65 грн
500+	21.48 грн
1000+	19.44 грн
2000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.94 грн
12+	32.14 грн
100+	19.10 грн
500+	14.36 грн
1000+	10.79 грн
2500+	10.25 грн
5000+	8.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 3456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.31 грн
13+	26.28 грн
100+	16.79 грн
500+	11.91 грн
1000+	10.32 грн
2000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4431EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.59 грн
10+	74.28 грн
25+	64.51 грн
100+	48.52 грн
250+	48.44 грн
500+	39.52 грн
1000+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.34 грн
10+	56.36 грн
100+	42.23 грн
500+	31.03 грн
1000+	27.74 грн
2000+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.81 грн
10+	61.07 грн
100+	41.38 грн
500+	35.09 грн
1000+	28.57 грн
5000+	24.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP-R2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4433EP_R2_00201

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -62A; Idm: -195A; 21.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -62A
Pulsed drain current: -195A
Power dissipation: 21.7W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU-R2-002A

MOSFETs DFN33 3 3PCH AN30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.98 грн
10+	54.10 грн
100+	35.63 грн
500+	25.98 грн
1000+	22.63 грн
2000+	21.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.39 грн
10+	55.89 грн
100+	31.98 грн
500+	25.39 грн
1000+	22.59 грн
2500+	20.65 грн
5000+	18.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP-R2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4435EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.82 грн
10+	50.70 грн
100+	33.16 грн
500+	24.04 грн
1000+	21.75 грн
2000+	19.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.86 грн
10+	44.23 грн
100+	30.48 грн
500+	22.75 грн
1000+	20.82 грн
2000+	19.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	52.58 грн
100+	31.21 грн
500+	26.08 грн
1000+	22.20 грн
2500+	21.04 грн
5000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.89 грн
10+	47.05 грн
100+	27.95 грн
500+	23.29 грн
1000+	19.87 грн
2500+	18.79 грн
5000+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.98 грн
10+	50.54 грн
100+	33.03 грн
500+	23.93 грн
1000+	21.65 грн
2000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.86 грн
10+	41.16 грн
100+	26.66 грн
500+	19.16 грн
1000+	17.27 грн
2000+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4439EP_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS49/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.10 грн
10+	47.06 грн
100+	30.83 грн
500+	22.38 грн
1000+	20.27 грн
2000+	18.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS32/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4441P_R2_00001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4442P-AU_R2_000A1

MOSFET /4442/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS34/PJQ4442P-ASM7/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.46 грн
10+	68.90 грн
100+	52.85 грн
500+	39.21 грн
1000+	31.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.60 грн
10+	71.51 грн
100+	47.74 грн
500+	37.73 грн
1000+	30.20 грн
2500+	29.42 грн
5000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.27 грн
10+	47.95 грн
100+	36.74 грн
500+	27.25 грн
1000+	21.80 грн
2000+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.34 грн
10+	52.64 грн
100+	40.93 грн
500+	32.56 грн
1000+	26.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

MOSFET /4444/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS55/PJQ4444P-ASB3/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.58 грн
10+	45.37 грн
100+	29.65 грн
500+	21.48 грн
1000+	19.44 грн
2000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

MOSFET /4446/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS38/PJQ4446P-ASE1/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.66 грн
10+	54.42 грн
100+	37.71 грн
500+	29.56 грн
1000+	25.16 грн
2000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.35 грн
10+	37.44 грн
100+	26.02 грн
500+	19.07 грн
1000+	15.50 грн
2000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.30 грн
10+	36.63 грн
100+	23.72 грн
500+	17.04 грн
1000+	15.36 грн
2000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	55.43 грн
10+	33.16 грн
100+	21.40 грн
500+	15.31 грн
1000+	13.78 грн
2000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4451EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.69 грн
10+	73.74 грн
25+	64.05 грн
100+	47.98 грн
250+	47.90 грн
500+	38.43 грн
1000+	32.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU-R2-002A

DFN33 3 3PCH AN40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	120.46 грн
10+	101.78 грн
100+	61.25 грн
500+	49.30 грн
1000+	42.00 грн
2500+	39.98 грн
5000+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4455P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -40 V, -43 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44605AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.29 грн
10+	57.85 грн
100+	33.15 грн
500+	26.24 грн
1000+	23.29 грн
2500+	21.81 грн
5000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ44607AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.08 грн
10+	47.41 грн
100+	26.94 грн
500+	20.73 грн
1000+	18.71 грн
2500+	17.39 грн
5000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.95 грн
11+	30.08 грн
100+	20.91 грн
500+	15.32 грн
1000+	12.45 грн
2000+	11.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJQ4460AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ44611AP-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.42 грн
11+	35.35 грн
100+	20.26 грн
500+	15.91 грн
1000+	13.59 грн
2500+	12.58 грн
5000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS44/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.22 грн
10+	46.42 грн
100+	31.96 грн
500+	23.88 грн
1000+	21.88 грн
2000+	20.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.35 грн
12+	29.03 грн
100+	19.76 грн
500+	14.54 грн
1000+	13.22 грн
2000+	12.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4463AP_R2_00001

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS12/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.62 грн
10+	45.53 грн
100+	31.47 грн
500+	24.63 грн
1000+	21.68 грн
2000+	20.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.30 грн
10+	52.50 грн
100+	31.52 грн
500+	25.08 грн
1000+	21.27 грн
2500+	21.19 грн
5000+	19.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4464AP_R2_00001

MOSFET /4464/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS27/PJQ4464AP-ASJ5/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.54 грн
10+	42.37 грн
100+	27.62 грн
500+	19.97 грн
1000+	17.49 грн
2000+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.89 грн
10+	47.94 грн
100+	27.17 грн
500+	20.96 грн
1000+	18.63 грн
2500+	17.23 грн
5000+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4465AP_R2_00001

MOSFET /4465/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS48/PJQ4465AP-AST0/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.32 грн
10000+	20.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 5003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.62 грн
10+	35.82 грн
100+	23.21 грн
500+	16.66 грн
1000+	15.01 грн
2000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-AU-R2

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-AU_R2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP-R2-00001

MOSFETs DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.70 грн
10+	55.07 грн
100+	36.29 грн
500+	26.51 грн
1000+	24.08 грн
2000+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.65 грн
10+	77.47 грн
100+	51.71 грн
500+	38.14 грн
1000+	34.80 грн
2000+	31.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.05 грн
10+	68.57 грн
100+	46.42 грн
500+	39.36 грн
1000+	32.06 грн
5000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

MOSFET /4476/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-100FQMN//PJ/DFN33338L-AS35/PJQ4476AP-ASN4/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4524P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.82 грн
10+	59.82 грн
100+	34.24 грн
500+	27.17 грн
1000+	24.14 грн
2500+	22.67 грн
5000+	19.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4524P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 22.7W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.03 грн
10+	45.89 грн
100+	27.25 грн
500+	22.75 грн
1000+	19.33 грн
2500+	17.55 грн
5000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4526P_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4528P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.70 грн
10+	61.24 грн
100+	36.33 грн
500+	30.43 грн
1000+	25.85 грн
2500+	23.45 грн
5000+	21.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4530P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	21.01 грн
26+	14.02 грн
100+	7.76 грн
500+	4.81 грн
1000+	3.73 грн
2500+	3.34 грн
5000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

PJQ4534P-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 4986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.29 грн
10+	49.73 грн
100+	29.50 грн
500+	24.69 грн
1000+	21.04 грн
2500+	19.02 грн
5000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4540S6CP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 168A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 168A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4540S6VCP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4544S6P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.87 грн
10+	65.89 грн
100+	38.04 грн
500+	29.97 грн
1000+	25.54 грн
2500+	25.15 грн
5000+	21.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.34 грн
10+	52.24 грн
100+	40.58 грн
500+	32.28 грн
1000+	26.30 грн
2000+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 42W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.54 грн
10+	55.48 грн
100+	43.18 грн
500+	34.35 грн
1000+	27.98 грн
2000+	26.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.50 грн
10+	60.53 грн
100+	36.64 грн
500+	30.74 грн
1000+	25.77 грн
5000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.25 грн
10+	52.14 грн
100+	30.43 грн
500+	24.07 грн
1000+	21.04 грн
5000+	16.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.18 грн
10+	43.51 грн
100+	29.98 грн
500+	22.37 грн
1000+	20.48 грн
2000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.76 грн
10+	59.10 грн
100+	34.55 грн
250+	34.47 грн
500+	27.64 грн
1000+	22.90 грн
2500+	22.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.29 грн
10+	66.55 грн
100+	46.51 грн
500+	35.22 грн
1000+	32.46 грн
2000+	30.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4564AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.46 грн
10+	52.64 грн
100+	36.47 грн
500+	27.39 грн
1000+	25.15 грн
2000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4568AP-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4574AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.97 грн
10+	81.84 грн
100+	57.67 грн
500+	44.02 грн
1000+	40.71 грн
2000+	37.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.29 грн
10+	66.55 грн
100+	46.51 грн
500+	35.22 грн
1000+	32.46 грн
2000+	30.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4594P-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.74 грн
10+	87.58 грн
100+	59.31 грн
500+	50.31 грн
1000+	40.91 грн
2500+	38.58 грн
5000+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4602_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 17.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343pF @ 15V, 870pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4606_R1_00001

MOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.30 грн
10+	49.90 грн
100+	32.77 грн
500+	23.84 грн
1000+	21.01 грн
2000+	19.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.61 грн
10000+	17.55 грн
15000+	16.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.27 грн
10+	47.95 грн
100+	36.74 грн
500+	27.25 грн
1000+	21.80 грн
2000+	19.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

MOSFET /4848/TR/13"/HF/5K/DFN3333B-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN3333B8L-AS01/PJQ4848P-ASC8/DFN33338L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 1492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.18 грн
10+	40.68 грн
100+	26.43 грн
500+	19.06 грн
1000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 7455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.70 грн
10+	41.73 грн
100+	27.18 грн
500+	19.62 грн
1000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5411_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.46 грн
10+	40.53 грн
100+	24.07 грн
500+	20.11 грн
1000+	17.62 грн
3000+	14.91 грн
6000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412-R2-00001

MOSFETs DFN5060 N CHAN 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.62 грн
10+	35.58 грн
100+	22.92 грн
500+	16.38 грн
1000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5413_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5420_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	53.53 грн
100+	35.09 грн
500+	25.49 грн
1000+	23.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.94 грн
10+	47.39 грн
100+	31.07 грн
500+	22.55 грн
1000+	20.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5424_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5425_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.05 грн
10+	98.74 грн
100+	76.99 грн
500+	59.68 грн
1000+	47.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5428_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.57 грн
10+	89.10 грн
100+	51.32 грн
500+	41.15 грн
1000+	37.81 грн
3000+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5431E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.22 грн
10+	56.12 грн
100+	37.00 грн
500+	27.04 грн
1000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.73 грн
10+	71.00 грн
100+	47.40 грн
500+	34.98 грн
1000+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.99 грн
10+	78.30 грн
100+	45.42 грн
500+	37.26 грн
1000+	33.69 грн
3000+	28.57 грн
6000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5433E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.90 грн
10+	56.93 грн
100+	37.82 грн
500+	28.02 грн
1000+	25.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.76 грн
10+	81.33 грн
100+	64.82 грн
500+	60.40 грн
1000+	56.28 грн
3000+	24.38 грн
6000+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.33 грн
10+	65.66 грн
100+	43.42 грн
500+	31.80 грн
1000+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5435E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.05 грн
10+	77.67 грн
100+	50.00 грн
500+	41.84 грн
1000+	39.36 грн
3000+	23.91 грн
6000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.90 грн
10+	53.37 грн
100+	35.30 грн
500+	27.21 грн
1000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5437E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.50 грн
10+	55.80 грн
100+	32.84 грн
500+	25.93 грн
1000+	23.60 грн
3000+	21.58 грн
6000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.42 грн
10+	48.28 грн
100+	32.65 грн
500+	24.16 грн
1000+	21.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.06 грн
10+	56.93 грн
100+	37.43 грн
500+	27.26 грн
1000+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

на замовлення 2814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.39 грн
10+	55.89 грн
100+	31.98 грн
500+	25.39 грн
1000+	23.21 грн
3000+	19.72 грн
6000+	18.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5439E_R2_00201

Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.87 грн
10+	124.29 грн
100+	85.00 грн
500+	64.00 грн
1000+	58.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440-R2-00001

MOSFET DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.60 грн
10+	87.66 грн
100+	58.84 грн
500+	43.64 грн
1000+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	71.49 грн
100+	47.51 грн
500+	34.93 грн
1000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

7+	60.32 грн
10+	52.67 грн
100+	35.09 грн
500+	27.71 грн
1000+	23.06 грн
3000+	19.56 грн
9000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.86 грн
10+	54.26 грн
100+	35.61 грн
500+	25.88 грн
1000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU-R2-000A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.44 грн
10+	67.05 грн
100+	44.72 грн
500+	35.32 грн
1000+	28.34 грн
3000+	25.54 грн
6000+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-AU_R2_000A1 транзистор
Код товару: 210852

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 7854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.86 грн
10+	54.26 грн
100+	35.61 грн
500+	25.88 грн
1000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5444_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5445_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	53.70 грн
100+	35.17 грн
500+	25.55 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.24 грн
6000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.26 грн
10+	46.50 грн
100+	30.27 грн
500+	21.86 грн
1000+	19.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5447E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -40 V, -120 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.86 грн
10+	41.24 грн
100+	26.72 грн
500+	19.21 грн
1000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.50 грн
6000+	14.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.95 грн
100+	79.81 грн
500+	63.19 грн
3000+	21.04 грн
6000+	17.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.35 грн
10+	104.46 грн
100+	66.07 грн
500+	54.58 грн
1000+	48.52 грн
3000+	43.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5449E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.69 грн
10+	90.25 грн
100+	65.69 грн
500+	50.87 грн
1000+	45.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.62 грн
10+	48.36 грн
100+	31.57 грн
500+	22.84 грн
1000+	20.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450-AU_R2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.35 грн
10+	44.73 грн
100+	26.55 грн
500+	22.20 грн
1000+	19.41 грн
3000+	16.46 грн
6000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJQ5450_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.57 грн
1000+	125.88 грн
3000+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5451E-AU_R2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.77 грн
10+	74.40 грн
100+	49.78 грн
500+	36.81 грн
1000+	33.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.86 грн
10+	70.60 грн
100+	53.64 грн
500+	39.63 грн
1000+	36.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2858 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.52 грн
10+	81.42 грн
100+	46.89 грн
500+	38.43 грн
1000+	33.62 грн
3000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5453E-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Gate-source voltage: 25V
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.78 грн
10+	49.90 грн
100+	38.24 грн
500+	28.37 грн
1000+	22.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 23058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.67 грн
10+	39.46 грн
100+	22.67 грн
500+	17.78 грн
1000+	15.22 грн
3000+	13.12 грн
6000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; DFN5060-8
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5458A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5460A_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5461A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.85 грн
10+	80.87 грн
100+	54.06 грн
500+	39.96 грн
1000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.62 грн
10+	48.52 грн
100+	31.63 грн
500+	22.88 грн
1000+	20.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5462A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5463A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5463A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP//PJ/DFN50608L-AS55/PJQ5463A-ASV1/DFN50808L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5464A-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU-R2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A-R2-00001

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

на замовлення 3760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.54 грн
10+	42.46 грн
100+	27.66 грн
500+	19.99 грн
1000+	18.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.82 грн
10+	51.27 грн
100+	33.71 грн
500+	24.55 грн
1000+	22.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.49 грн
10+	65.34 грн
100+	43.18 грн
500+	31.63 грн
1000+	28.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.26 грн
10+	46.50 грн
100+	30.27 грн
500+	21.86 грн
1000+	19.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 2896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.86 грн
10+	41.49 грн
100+	27.04 грн
500+	19.52 грн
1000+	17.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5466A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5466A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMN//PJ/DFN50608L-AS30/DFN50608L-AS06/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.77 грн
10+	74.16 грн
100+	49.36 грн
500+	36.34 грн
1000+	33.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5472A_R2_00001

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.05 грн
10+	69.95 грн
100+	46.43 грн
500+	34.10 грн
1000+	31.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.65 грн
10+	64.29 грн
100+	42.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5494_R2_00001

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5524-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.14 грн
10+	83.65 грн
100+	48.13 грн
500+	39.44 грн
1000+	35.71 грн
3000+	30.28 грн
6000+	28.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5524_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.39 грн
10+	55.89 грн
100+	31.98 грн
500+	25.39 грн
1000+	23.21 грн
3000+	19.72 грн
6000+	18.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.37 грн
10+	75.35 грн
100+	43.47 грн
500+	34.31 грн
1000+	31.98 грн
3000+	27.09 грн
6000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5526_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.87 грн
10+	51.78 грн
100+	29.35 грн
500+	22.67 грн
1000+	21.04 грн
3000+	17.86 грн
6000+	16.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.69 грн
10+	67.76 грн
100+	39.13 грн
500+	30.90 грн
1000+	28.80 грн
3000+	24.38 грн
6000+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528S6-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.08 грн
10+	47.41 грн
100+	26.94 грн
500+	20.73 грн
1000+	19.33 грн
3000+	16.38 грн
6000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5528_R2_00201

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.06 грн
10+	65.17 грн
100+	37.50 грн
500+	30.82 грн
1000+	27.48 грн
3000+	23.29 грн
6000+	22.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5530_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.81 грн
10+	45.44 грн
100+	27.02 грн
500+	21.19 грн
1000+	18.17 грн
3000+	15.45 грн
6000+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU-R2-002A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.72 грн
10+	61.33 грн
100+	35.32 грн
500+	29.03 грн
1000+	25.93 грн
3000+	21.97 грн
6000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5534_R2_00201

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.02 грн
10+	40.89 грн
100+	24.30 грн
500+	19.10 грн
1000+	16.38 грн
3000+	13.82 грн
6000+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.75 грн
10+	144.63 грн
100+	92.38 грн
500+	77.48 грн
1000+	66.07 грн
3000+	60.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.48 грн
10+	150.33 грн
100+	137.52 грн
500+	105.32 грн
1000+	96.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.87 грн
10+	133.67 грн
100+	96.73 грн
500+	77.11 грн
1000+	71.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.01 грн
10+	136.60 грн
100+	86.17 грн
500+	73.44 грн
1000+	66.07 грн
3000+	64.12 грн
6000+	62.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 115.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.77 грн
10+	148.20 грн
100+	93.16 грн
500+	78.41 грн
1000+	68.08 грн
3000+	46.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.69 грн
10+	106.24 грн
100+	64.12 грн
500+	55.35 грн
1000+	50.93 грн
3000+	46.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.56 грн
10+	104.64 грн
100+	74.07 грн
500+	59.12 грн
1000+	54.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU-R2-002A1

MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.76 грн
10+	91.96 грн
100+	56.36 грн
500+	47.74 грн
1000+	43.86 грн
3000+	40.76 грн
6000+	39.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

на замовлення 1952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.47 грн
10+	70.60 грн
100+	50.78 грн
250+	45.61 грн
500+	42.37 грн
1000+	39.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

на замовлення 1952 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	133.77 грн
10+	87.98 грн
100+	60.94 грн
250+	54.73 грн
500+	50.85 грн
1000+	47.65 грн
3000+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.08 грн
10+	91.95 грн
100+	65.03 грн
500+	51.70 грн
1000+	47.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544S6-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.12 грн
10+	95.10 грн
100+	67.31 грн
500+	53.60 грн
1000+	49.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.01 грн
10+	96.42 грн
100+	58.38 грн
500+	50.23 грн
1000+	46.11 грн
3000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	63.92 грн
100+	38.82 грн
500+	32.61 грн
1000+	29.81 грн
3000+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.25 грн
10+	64.21 грн
100+	44.75 грн
500+	35.31 грн
1000+	32.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.63 грн
10+	65.71 грн
100+	39.83 грн
500+	34.93 грн
1000+	34.16 грн
3000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.45 грн
10+	65.99 грн
100+	46.01 грн
500+	36.30 грн
1000+	33.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.92 грн
10+	60.89 грн
100+	36.10 грн
500+	30.20 грн
1000+	26.40 грн
3000+	22.36 грн
6000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	56.36 грн
100+	38.14 грн
500+	29.24 грн
1000+	26.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5548V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.63 грн
10+	61.69 грн
100+	35.56 грн
500+	29.19 грн
1000+	25.23 грн
3000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.56 грн
10+	90.25 грн
100+	63.87 грн
500+	48.92 грн
1000+	45.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.17 грн
10+	71.00 грн
100+	49.75 грн
500+	37.77 грн
1000+	34.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5562A_R2_00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5564A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.25 грн
10+	77.55 грн
100+	54.53 грн
500+	41.53 грн
1000+	38.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	64.21 грн
100+	44.87 грн
500+	33.94 грн
1000+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.73 грн
10+	123.20 грн
100+	72.74 грн
500+	60.63 грн
1000+	56.13 грн
3000+	47.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5568A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	61.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5572A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.32 грн
10+	112.41 грн
100+	80.35 грн
500+	62.06 грн
1000+	57.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5574A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.08 грн
10+	92.35 грн
100+	65.40 грн
500+	50.13 грн
1000+	46.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5576A-AU_R2_002A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.25 грн
10+	77.55 грн
100+	54.53 грн
500+	41.53 грн
1000+	38.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5592-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.02 грн
10+	153.56 грн
100+	97.82 грн
500+	82.29 грн
1000+	76.78 грн
3000+	64.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.85 грн
10+	86.04 грн
100+	60.79 грн
500+	46.48 грн
1000+	43.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5594-AU_R2_002A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.27 грн
10+	107.13 грн
100+	64.75 грн
500+	54.89 грн
1000+	47.51 грн
3000+	40.29 грн
6000+	40.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606-R2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5606_R2_00001

MOSFET PJ/Q5606/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-30FKNP//PJ/DFN5060B8L-AS04/PJQ5606-ASN3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.18 грн
10+	108.92 грн
100+	64.05 грн
500+	51.08 грн
1000+	48.13 грн
3000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.32 грн
10+	105.61 грн
100+	71.77 грн
500+	53.71 грн
1000+	49.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5846_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5848_R2_00001

MOSFET PJ/Q5848/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN//PJ/DFN5060B8L-AS07/PJQ5848-ASP3/DFN50608L-AS01

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5850_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 12W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.06 грн
10+	57.09 грн
100+	44.40 грн
500+	35.32 грн
1000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.50 грн
10+	51.84 грн
100+	40.30 грн
500+	32.06 грн
1000+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.50 грн
10+	68.49 грн
100+	53.30 грн
500+	42.40 грн
1000+	34.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.05 грн
10+	83.65 грн
100+	46.97 грн
500+	37.19 грн
1000+	34.00 грн
3000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 35A; Idm: 140A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.38 грн
10+	72.62 грн
100+	56.44 грн
500+	44.89 грн
1000+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.48 грн
10+	86.78 грн
100+	49.14 грн
500+	38.89 грн
1000+	35.63 грн
3000+	31.44 грн
6000+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.32 грн
10+	105.29 грн
100+	71.36 грн
500+	53.33 грн
1000+	48.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJQ5968A-AU_R2_002A1