Продукція > WNS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
WNs
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-032-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
14+27.52 грн
100+19.21 грн
500+17.29 грн
1000+16.01 грн
2000+15.61 грн
10000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-0420-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.55 грн
10+57.81 грн
100+40.18 грн
500+37.86 грн
1000+32.10 грн
10000+30.74 грн
25000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-632-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.09 грн
22+17.31 грн
100+12.09 грн
500+10.89 грн
1000+10.09 грн
2000+9.85 грн
10000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-832-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-SET-MFTBESSEYWNS-SET-MFT Vices and Clamps
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+6451.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNS14Q575-FC
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CWeenDual power Schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CWeEn SemiconductorsWeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeenWNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsWNS20H100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+99.24 грн
40+30.12 грн
109+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.90 грн
10+62.87 грн
100+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.72 грн
10+63.33 грн
100+36.26 грн
500+28.74 грн
800+26.57 грн
4800+25.29 грн
9600+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.37 грн
15+63.30 грн
100+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 8528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.91 грн
50+40.52 грн
100+35.95 грн
500+26.21 грн
1000+23.79 грн
2000+21.74 грн
5000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.68 грн
11+35.62 грн
100+27.53 грн
500+21.37 грн
1000+19.37 грн
2000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeenWNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.74 грн
26+35.11 грн
100+31.16 грн
500+20.68 грн
1000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeEn SemiconductorsWNS20H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+54.20 грн
43+27.71 грн
119+26.21 грн
1000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.38 грн
10+56.78 грн
100+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeenDual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsWNS20S100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.20 грн
40+30.42 грн
108+28.72 грн
4800+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+25.32 грн
1600+22.42 грн
2400+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.52 грн
10+56.06 грн
100+32.26 грн
500+25.37 грн
800+22.89 грн
2400+20.89 грн
4800+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.07 грн
50+31.70 грн
100+28.46 грн
500+21.23 грн
1000+19.42 грн
2000+17.89 грн
5000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeenDual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeEn SemiconductorsWNS20S100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.61 грн
42+28.52 грн
115+27.01 грн
2000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.85 грн
11+35.35 грн
100+27.61 грн
500+21.93 грн
1000+20.01 грн
2000+18.41 грн
5000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.74 грн
31+29.63 грн
100+26.67 грн
500+19.59 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeenWNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1142+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 1142
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.03 грн
1600+32.13 грн
2400+30.81 грн
4000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDual Power Schottky Diode
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+53.12 грн
1000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 597
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.47 грн
10+84.69 грн
100+49.07 грн
500+33.22 грн
800+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsWNS30H100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+147.40 грн
27+45.82 грн
72+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.55 грн
10+76.71 грн
100+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 7379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.13 грн
10+61.58 грн
100+46.42 грн
500+37.62 грн
1000+34.26 грн
2000+31.54 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 12617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.95 грн
50+56.05 грн
100+49.98 грн
500+36.92 грн
1000+33.71 грн
2000+31.01 грн
5000+27.62 грн
10000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS32702
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQ
Код товару: 195265
Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.99 грн
10+75.11 грн
100+45.70 грн
500+36.98 грн
1000+34.18 грн
2000+31.70 грн
5000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQWeEn SemiconductorsWNS40100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 731 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.22 грн
26+47.23 грн
70+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.37 грн
10+69.54 грн
100+48.76 грн
500+37.00 грн
1000+34.13 грн
2000+31.70 грн
5000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CWeEn Semiconductors WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.25 грн
1600+47.32 грн
2400+45.31 грн
4000+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.48 грн
10+123.01 грн
100+96.08 грн
500+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsWNS40H100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.47 грн
23+52.33 грн
63+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeenWNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.63 грн
10+110.46 грн
100+65.23 грн
500+56.27 грн
800+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.78 грн
10+100.55 грн
100+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJ
Код товару: 203131
Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.08 грн
500+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CGQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CGQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CQWeEn SemiconductorsWNS40H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 733 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+103.44 грн
21+57.03 грн
58+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.14 грн
10+72.53 грн
100+57.15 грн
500+46.50 грн
1000+43.06 грн
2000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.18 грн
50+74.69 грн
100+66.94 грн
500+50.05 грн
1000+45.94 грн
2000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010102APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Basic Administration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010103APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Advanced Administration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010104APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Alarm Threshold Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010105APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Alarm Action Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010106APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Alarm Profile Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010107APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Remote Management Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010108APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Network Management Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010109APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Building Management Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010110APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Surveillance Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010111APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Device Identification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010203American Power ConversionData Center Operation Floor Layout Creation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010210American Power ConversionData Center Operation Labeling Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010212American Power ConversionData Center Operation Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010213APC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Additional Module Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010213American Power ConversionData Center Operation Additional Module Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010214American Power ConversionData Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010215American Power ConversionData Center Expert Standard Support Software Contract
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010216American Power ConversionStruxureWare Portal Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010401APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Post Configuration Review
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010402American Power ConversionData Center Capacity Post Configuration Review
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC0112American Power ConversionIT 5 Rack Management Solution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC0112Schneider ElectricRacks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.37 грн
10+170.29 грн
100+144.88 грн
1000+123.27 грн
2000+117.66 грн
5000+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.93 грн
10+105.95 грн
100+84.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200QWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.30 грн
13+71.38 грн
100+56.57 грн
500+50.94 грн
1000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.57 грн
500+50.94 грн
1000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.50 грн
10+167.53 грн
100+117.66 грн
500+96.05 грн
1000+79.72 грн
3000+75.24 грн
6000+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.56 грн
10+158.75 грн
100+127.56 грн
500+98.35 грн
1000+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.33 грн
10+238.85 грн
100+190.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200QWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.68 грн
10+414.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.06 грн
10+186.86 грн
100+127.27 грн
500+106.46 грн
1000+93.65 грн
3000+90.45 грн
6000+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.22 грн
500+70.29 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.73 грн
10+96.98 грн
100+77.22 грн
500+70.29 грн
1000+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08APC by Schneider ElectricSoftware ITA Base Remote Software Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.82 грн
10+252.22 грн
100+179.30 грн
500+152.88 грн
1000+128.87 грн
3000+123.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.61 грн
10+237.13 грн
100+194.32 грн
500+155.24 грн
1000+136.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC09APC by Schneider ElectricSoftware ITA Base Onsite Software Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+765.92 грн
5+619.56 грн
10+479.49 грн
50+377.70 грн
100+314.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.67 грн
10+554.14 грн
100+430.63 грн
1000+417.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.50 грн
10+399.57 грн
100+319.66 грн
500+276.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.27 грн
10+238.85 грн
100+184.07 грн
500+144.24 грн
1000+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.11 грн
10+285.35 грн
100+203.31 грн
500+172.89 грн
1000+145.68 грн
3000+140.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.07 грн
500+144.24 грн
1000+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.61 грн
10+242.09 грн
100+172.09 грн
600+146.48 грн
1200+123.27 грн
5400+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.07 грн
10+192.15 грн
100+154.44 грн
500+125.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12APC by Schneider ElectricSpecialist Controllers Remote System Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.95 грн
500+123.40 грн
1000+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Max. forward impulse current: 57A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.56 грн
10+189.46 грн
100+149.95 грн
500+123.40 грн
1000+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+335.95 грн
10+213.61 грн
100+151.40 грн
500+117.15 грн
1000+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeenDiode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.11 грн
10+227.17 грн
100+180.48 грн
500+164.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.49 грн
10+288.07 грн
100+236.07 грн
500+188.60 грн
1000+165.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+356.72 грн
10+314.81 грн
100+224.92 грн
600+191.30 грн
1200+161.69 грн
3000+155.28 грн
5400+154.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC13APC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC14Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.12 грн
10+410.54 грн
100+292.16 грн
480+260.14 грн
1200+236.93 грн
2640+232.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.70 грн
10+289.13 грн
100+251.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.75 грн
10+907.61 грн
100+780.42 грн
480+648.35 грн
1200+605.92 грн
2640+596.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.52 грн
5+673.44 грн
10+621.36 грн
50+528.62 грн
100+443.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.75 грн
10+907.61 грн
100+742.80 грн
3000+579.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.61 грн
5+817.10 грн
10+732.70 грн
50+626.17 грн
100+481.80 грн
250+471.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC208006QWeenWNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D001200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0212006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0212006QWeenWNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 26A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.67 грн
500+30.18 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.78 грн
26+34.84 грн
100+33.67 грн
500+30.18 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeenWNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeenWNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.54 грн
10+84.80 грн
100+57.05 грн
500+42.38 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.40 грн
12+81.62 грн
100+54.05 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.05 грн
500+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.94 грн
10+89.47 грн
100+51.55 грн
500+42.26 грн
1000+36.98 грн
2000+34.42 грн
5000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeenWNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.38 грн
11+87.82 грн
100+58.18 грн
500+42.02 грн
1000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeenDiode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.25 грн
500+39.94 грн
1000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+124.81 грн
12+79.38 грн
100+53.25 грн
500+39.94 грн
1000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 10503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.12 грн
10+94.72 грн
100+64.06 грн
500+47.81 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.33 грн
50+67.70 грн
100+60.57 грн
500+45.11 грн
1000+41.34 грн
2000+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.95 грн
13+73.72 грн
100+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051400D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+170.60 грн
10+116.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.16 грн
10+115.14 грн
100+78.72 грн
500+59.25 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.49 грн
10+111.38 грн
100+66.76 грн
500+56.59 грн
1000+47.23 грн
2000+43.62 грн
5000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.42 грн
10+104.16 грн
100+72.19 грн
500+52.28 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.14 грн
100+54.05 грн
500+50.11 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.05 грн
500+50.11 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.34 грн
10+127.23 грн
100+87.45 грн
500+66.12 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.52 грн
18+52.62 грн
100+51.72 грн
500+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.93 грн
10+137.49 грн
100+94.94 грн
500+72.03 грн
1000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.41 грн
50+102.76 грн
100+93.73 грн
500+72.88 грн
1000+67.97 грн
2000+67.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.91 грн
10+95.18 грн
100+77.85 грн
500+59.87 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q
Код товару: 203152
Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.83 грн
10+149.12 грн
100+105.66 грн
500+88.85 грн
1000+80.84 грн
2000+78.36 грн
5000+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.08 грн
12+79.47 грн
100+68.24 грн
500+63.28 грн
1000+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.24 грн
500+63.28 грн
1000+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D101200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D1012006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D1012006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200BT26JWeenWNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.53 грн
10+157.40 грн
100+100.85 грн
480+92.05 грн
1200+82.44 грн
2640+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W-A6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.57 грн
10+269.38 грн
100+197.54 грн
500+168.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.01 грн
10+327.70 грн
100+229.72 грн
250+217.72 грн
600+204.91 грн
1200+175.29 грн
3000+165.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.47 грн
10+260.81 грн
100+187.57 грн
600+147.29 грн
1200+143.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.36 грн
500+85.88 грн
1000+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.47 грн
10+172.76 грн
100+120.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+221.79 грн
10+142.77 грн
100+102.36 грн
500+85.88 грн
1000+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeenWNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.80 грн
10+154.64 грн
100+96.05 грн
500+76.44 грн
800+68.68 грн
2400+65.23 грн
4800+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.55 грн
500+88.38 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.75 грн
10+163.09 грн
100+113.71 грн
500+86.92 грн
1000+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+211.01 грн
10+145.46 грн
100+109.55 грн
500+88.38 грн
1000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.98 грн
10+132.55 грн
100+84.04 грн
500+71.56 грн
1000+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+175.09 грн
10+110.44 грн
100+80.90 грн
500+73.96 грн
1000+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.72 грн
50+119.68 грн
100+109.43 грн
500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.56 грн
10+160.73 грн
100+120.32 грн
500+97.55 грн
1000+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.53 грн
10+176.84 грн
100+123.88 грн
500+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.32 грн
500+97.55 грн
1000+83.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.78 грн
30+131.60 грн
120+109.75 грн
510+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.66 грн
10+143.60 грн
100+99.25 грн
600+84.04 грн
1200+71.56 грн
3000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.13 грн
10+121.22 грн
100+96.08 грн
500+82.21 грн
1000+69.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.78 грн
10+175.09 грн
100+131.10 грн
500+96.72 грн
1000+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+330.75 грн
10+210.11 грн
100+148.71 грн
500+114.99 грн
1000+107.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200BT26JWeenWNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.36 грн
10+459.73 грн
100+342.11 грн
500+254.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.62 грн
10+446.44 грн
100+324.17 грн
250+316.17 грн
600+285.75 грн
1200+244.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.20 грн
30+319.45 грн
120+277.73 грн
510+234.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+343.74 грн
30+198.19 грн
120+167.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.67 грн
10+289.03 грн
100+200.11 грн
250+197.71 грн
480+179.30 грн
960+159.29 грн
2880+147.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.34 грн
240+220.00 грн
1200+145.68 грн
2640+137.67 грн
5040+135.27 грн
10080+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+178.69 грн
10+165.22 грн
100+151.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200-A6QWeEn Semiconductors WNSC2D201200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D2012006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D2012006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200BT26JWeenWNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200CW-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+727.31 грн
5+551.32 грн
10+443.57 грн
50+391.88 грн
100+354.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200TB6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.86 грн
10+246.93 грн
100+193.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701.34 грн
10+463.00 грн
100+343.18 грн
600+286.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.66 грн
5+521.69 грн
10+424.71 грн
50+343.52 грн
100+269.38 грн
250+263.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.30 грн
10+364.52 грн
100+248.13 грн
480+175.29 грн
960+172.09 грн
2880+135.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+347.39 грн
10+229.20 грн
100+153.68 грн
480+135.27 грн
1200+116.06 грн
2640+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeenWNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.11 грн
30+220.73 грн
120+187.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.31 грн
10+224.48 грн
100+190.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D251200W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D251200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D251700W6QWeEn Semiconductors WNSC2D251700W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CW6QWeenWNSC2D301200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.43 грн
10+327.74 грн
100+271.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301400CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301400W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.50 грн
30+337.90 грн
120+284.44 грн
510+234.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+464.22 грн
10+285.54 грн
100+221.79 грн
500+201.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWeenWNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.58 грн
30+325.48 грн
120+273.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200W6QWeenWNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D501200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6QWeenWNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1024.52 грн
5+733.60 грн
10+587.24 грн
50+508.61 грн
100+455.63 грн
250+441.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.07 грн
5+562.10 грн
10+465.12 грн
50+396.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M100065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M100065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M100065W6QWeEn Semiconductors WNSC2M100065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M12065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120R6QWeenWNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M12120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120B7-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120B76JWeenWNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120R6QWeenWNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M150120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120W-A6QWeEn Semiconductors WNSC2M150120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120W6QWeenWNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170B7-AJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M1K0170B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170B7JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170B7JWeenWNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170JQWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170WQWeenWNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+228.79 грн
Мінімальне замовлення: 480
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170WQWeEn SemiconductorsDescription: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170WQWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M20065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20065TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M20065TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120B76JWeenWNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6QWeenWNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120TB6JWeen***PLEASE NOTE: Part is not fully released, so DC price not ready yet, and we can accept 90pcs as sample order moment.***
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M25065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M25065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M25065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M25065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M30065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M30065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30065W6QWeEn Semiconductors WNSC2M30065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M30120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120B76JWeenWNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120R6QWeenWNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B7-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M40120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B76JWeenWNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120R6QWeenWNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M40120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET in a TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120W6QWeenWNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40140R6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M40140R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M43065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M43065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M43065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M43065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M43065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M43065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065B76JWeenN-Channel Silicon Carbide MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M55065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M55065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120B7-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M60120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120B76JWeenWNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120W-A6QWeEn Semiconductors WNSC2M60120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M70065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M70065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M70065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M70065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120B76JWeenWNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120R-A6QWeEn Semiconductors WNSC2M75120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120W6QWeenWNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC401200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC401200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC401200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.88 грн
5+989.50 грн
10+901.51 грн
50+791.26 грн
100+715.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D046506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D04650D6JWeenWNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D04650T6JWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D04650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D066506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650D6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650Y6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D086506QWeenWNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D08650D6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D08650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D08650X6QWeenWNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D106506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650D6JWeenWNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650W-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650X6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D126506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D126506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D12650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D12650Y6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D12650Y6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. load current: 24A
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D16650CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.05 грн
10+158.93 грн
100+119.42 грн
500+97.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650CJ6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.84 грн
10+184.07 грн
100+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWeenWNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.81 грн
5+140.08 грн
25+124.23 грн
100+111.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+202.57 грн
5+174.56 грн
25+149.08 грн
100+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D208006QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D30650CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D30650CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D30650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5RACKAmerican Power ConversionStruxure Ware 5 Rack Installation Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D01650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D01650MBJWeenWNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D01650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D02650D-A6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D02650P6XWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D02650P/SOD123/REEL 7" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D046506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.43 грн
10+112.30 грн
100+67.32 грн
500+57.07 грн
1000+47.55 грн
2000+43.94 грн
5000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.32 грн
10+105.06 грн
100+72.55 грн
500+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650D6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650D6JWeenWNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.62 грн
10+131.10 грн
100+89.34 грн
500+64.53 грн
1000+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 9011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.15 грн
10+126.11 грн
100+100.85 грн
1000+85.65 грн
2000+70.60 грн
5000+70.52 грн
10000+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650QWeenWNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650Y6QWeenWNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650Y6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.50 грн
10+156.48 грн
100+126.47 грн
1000+106.46 грн
2000+100.05 грн
5000+96.05 грн
10000+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650QWeenWNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.64 грн
10+128.40 грн
100+94.28 грн
500+79.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650X6QWeenWNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D106506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650BT2-A6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650D6JWeenWNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+319.50 грн
50+143.93 грн
100+132.26 грн
500+102.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.35 грн
10+158.32 грн
100+119.26 грн
500+100.05 грн
1000+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.48 грн
10+155.34 грн
100+134.69 грн
500+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWeenWNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650T6JWeenWNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650Y6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D166506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.49 грн
10+263.99 грн
100+211.91 грн
500+187.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D166506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D166506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.77 грн
50+195.40 грн
100+178.09 грн
500+138.66 грн
1000+130.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.08 грн
10+260.64 грн
100+186.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+153.48 грн
1600+146.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.07 грн
30+227.71 грн
120+188.86 грн
510+150.50 грн
1020+143.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D206506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.68 грн
10+275.06 грн
100+204.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+668.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.92 грн
10+694.99 грн
100+668.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeenWNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650BT2-A6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CJ6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CW-A6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.47 грн
30+242.07 грн
120+205.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CW6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.89 грн
10+231.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650W6QWeenWNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.76 грн
30+336.18 грн
120+282.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.56 грн
10+356.47 грн
100+299.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650X6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D30650CW-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D30650CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D30650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.28 грн
10+265.10 грн
100+183.30 грн
480+162.49 грн
1200+139.27 грн
2640+131.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D40650CW-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D40650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D40650CW6QWeenWNSC6D40650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D50650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D50650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D60650W6QWeEn Semiconductors WNSC6D60650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCCAPADMAPC by Schneider ElectricDevelopment Software Data Center Capacity Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESOSTRAINAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREALRMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREALRTAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREBASEAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Base Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREBMSAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREDAYAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREMIGAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESRETRAINAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREVSAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESSUCORESchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESSUCOREAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCISXCADMAPC by Schneider ElectricDevelopment Software Data Center Expert Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCISXOADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120W6QWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120W6QWeenWNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120WQWeenWNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120WQWeEn SemiconductorsDescription: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120WQWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120R6QWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120R6QWeenWNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120RQWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120RQWeEn SemiconductorsDescription: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120RQWeenWNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120W6QWeenN-Channel Silicon Carbide MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120W6QWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120WQWeEn SemiconductorsDescription: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120WQWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120WQWeenWNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCRCAPADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Capacity Administration Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCRISXEADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Remote Data Center Expert Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCRISXOADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Administration Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACS10DDFAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Expedited DDF Creation Service 10 DDF Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACS20DDFAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Expedited DDF Creation Service 20 Device Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACS30HRAPC by Schneider ElectricDevelopment Software ACS Professional Custom Software Development 30 Hours
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACSTPMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Technical Project Management Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWDCIMCUSTOMSchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWDCIMCUSTOMHSchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Custom Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWDCIMCUSTOMRSchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Service ROW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWSERVICEAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWSERVICEHAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Custom Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.