Продукція > WNS

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.51 грн
13+	26.73 грн
100+	18.61 грн
500+	16.77 грн
1000+	15.52 грн
2000+	15.16 грн
10000+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNS-0420-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.87 грн
10+	53.13 грн
100+	36.93 грн
500+	34.80 грн
1000+	29.50 грн
10000+	28.25 грн
25000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS-632-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.06 грн
22+	15.65 грн
100+	10.89 грн
500+	9.86 грн
1000+	9.12 грн
2000+	8.90 грн
10000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

WNS-832-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS14Q575-FC

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100C

Dual power Schottky diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100C

WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.50 грн
10+	57.78 грн
100+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.05 грн
10+	56.43 грн
100+	33.18 грн
500+	32.15 грн
800+	22.44 грн
2400+	20.23 грн
4800+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.80 грн
10+	48.51 грн
39+	23.07 грн
107+	21.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.30 грн
15+	58.18 грн
100+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube

на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	38.79 грн
13+	29.96 грн
42+	22.30 грн
114+	21.07 грн
250+	20.31 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 8628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.01 грн
50+	33.01 грн
100+	29.30 грн
500+	21.36 грн
1000+	19.38 грн
2000+	17.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.66 грн
11+	31.39 грн
100+	23.32 грн
500+	19.50 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.07 грн
27+	30.70 грн
100+	26.33 грн
500+	18.32 грн
1000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	23.27 грн
1600+	20.61 грн
2400+	19.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 6411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.47 грн
10+	45.43 грн
100+	27.22 грн
500+	22.81 грн
800+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.07 грн
10+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 3054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.74 грн
10+	52.19 грн
100+	34.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.8V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	50.34 грн
13+	31.11 грн
42+	21.92 грн
115+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.05 грн
50+	32.58 грн
100+	29.25 грн
500+	21.82 грн
1000+	19.97 грн
2000+	18.39 грн
5000+	16.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.78 грн
24+	35.16 грн
100+	29.63 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.68 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 3850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.08 грн
10+	35.87 грн
100+	26.56 грн
500+	21.92 грн
1000+	20.30 грн
2000+	18.76 грн
5000+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; Ufmax: 0.95V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220FP
Max. forward voltage: 0.95V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

WNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 5466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.86 грн
10+	67.26 грн
100+	45.47 грн
500+	41.86 грн
800+	31.34 грн
2400+	29.50 грн
4800+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.13 грн
10+	78.17 грн
100+	52.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	36.70 грн
1600+	32.73 грн
2400+	31.39 грн
4000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 7485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.20 грн
10+	43.82 грн
100+	33.18 грн
500+	28.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 12652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.58 грн
50+	39.94 грн
100+	36.05 грн
500+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS32702

на замовлення 481 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.86 грн
10+	54.23 грн
100+	36.64 грн
500+	31.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 14995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.43 грн
10+	69.58 грн
100+	48.79 грн
500+	37.02 грн
1000+	34.16 грн
2000+	31.72 грн
5000+	29.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	57.77 грн
10+	44.83 грн
25+	36.17 грн
68+	34.18 грн
500+	33.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ
Код товару: 195265

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C

WeEn Semiconductors WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 7278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.74 грн
10+	98.14 грн
100+	59.08 грн
500+	54.81 грн
800+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	35.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.96 грн
10+	98.70 грн
100+	66.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ
Код товару: 203131

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.44 грн
10+	113.06 грн
100+	88.31 грн
500+	50.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	38.64 грн
1600+	38.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	52.27 грн
1600+	46.45 грн
2400+	44.47 грн
4000+	39.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.31 грн
500+	50.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	91.61 грн
10+	73.72 грн
23+	40.00 грн
62+	37.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; I2PAK; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: I2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube

на замовлення 854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	75.10 грн
10+	56.94 грн
20+	45.29 грн
55+	42.84 грн
500+	42.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.40 грн
10+	69.88 грн
100+	48.19 грн
500+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.33 грн
50+	64.69 грн
100+	58.62 грн
500+	44.84 грн
1000+	41.51 грн
2000+	38.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC010102

Software Data Center Expert Basic Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010103

Software Data Center Expert Advanced Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010104

Software Data Center Expert Alarm Threshold Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010105

Software Data Center Expert Alarm Action Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010106

Software Data Center Expert Alarm Profile Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010107

Software Data Center Expert Remote Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010108

Software Data Center Expert Network Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010109

Software Data Center Expert Building Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010110

Software Data Center Expert Surveillance Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010111

Software Data Center Device Identification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010203

Data Center Operation Floor Layout Creation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010210

Data Center Operation Labeling Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010212

Data Center Operation Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010213

Data Center Operation Additional Module Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010214

Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010215

Data Center Expert Standard Support Software Contract

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010216

StruxureWare Portal Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010401

Software Data Center Expert Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010402

Data Center Capacity Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.73 грн
10+	89.13 грн
100+	70.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.81 грн
10+	156.52 грн
100+	133.16 грн
1000+	113.30 грн
2000+	108.15 грн
5000+	80.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.40 грн
13+	65.61 грн
100+	51.99 грн
500+	46.82 грн
1000+	43.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.71 грн
10+	145.91 грн
100+	117.24 грн
500+	90.40 грн
1000+	75.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.09 грн
10+	153.98 грн
100+	108.15 грн
500+	88.28 грн
1000+	73.27 грн
3000+	69.15 грн
6000+	68.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.99 грн
500+	46.82 грн
1000+	43.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	507.55 грн
10+	499.30 грн
100+	473.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.88 грн
10+	381.02 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.30 грн
10+	181.90 грн
100+	125.80 грн
500+	105.94 грн
1000+	91.22 грн
3000+	84.60 грн
6000+	83.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.97 грн
500+	64.60 грн
1000+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.29 грн
10+	89.13 грн
100+	70.97 грн
500+	64.60 грн
1000+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08

Software ITA Base Remote Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.48 грн
10+	217.95 грн
100+	178.60 грн
500+	142.68 грн
1000+	125.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.78 грн
10+	231.81 грн
100+	164.79 грн
500+	140.52 грн
1000+	118.44 грн
3000+	113.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC09

Software ITA Base Onsite Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	703.97 грн
5+	569.45 грн
10+	440.70 грн
50+	347.15 грн
100+	288.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.06 грн
10+	509.31 грн
100+	395.80 грн
1000+	384.03 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	635.47 грн
10+	514.15 грн
100+	397.79 грн
500+	313.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.34 грн
10+	229.43 грн
100+	184.86 грн
500+	137.94 грн
1000+	116.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.97 грн
10+	262.27 грн
100+	186.86 грн
500+	158.91 грн
1000+	133.89 грн
3000+	128.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	184.86 грн
500+	137.94 грн
1000+	116.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.90 грн
10+	194.77 грн
100+	156.80 грн
500+	123.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.48 грн
10+	222.51 грн
100+	158.17 грн
600+	134.63 грн
1200+	113.30 грн
5400+	112.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12

Specialist Controllers Remote System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.29 грн
10+	200.78 грн
100+	162.43 грн
500+	135.49 грн
1000+	116.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.48 грн
10+	180.74 грн
100+	137.82 грн
500+	114.95 грн
1000+	93.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	137.82 грн
500+	114.95 грн
1000+	93.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.35 грн
10+	185.69 грн
100+	149.38 грн
500+	131.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.87 грн
10+	289.34 грн
100+	206.73 грн
600+	175.83 грн
1200+	148.61 грн
3000+	142.72 грн
5400+	141.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.59 грн
10+	264.77 грн
100+	216.97 грн
500+	173.34 грн
1000+	152.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC13

Calibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC14

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	426.57 грн
10+	377.33 грн
100+	268.52 грн
480+	239.10 грн
1200+	217.76 грн
2640+	214.08 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	410.17 грн
10+	344.14 грн
100+	247.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	937.26 грн
10+	834.19 грн
100+	717.29 грн
480+	595.90 грн
1200+	556.91 грн
2640+	548.08 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	605.76 грн
5+	562.84 грн
10+	519.10 грн
50+	433.75 грн
100+	355.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 220A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	937.26 грн
10+	834.19 грн
100+	682.71 грн
3000+	532.63 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	598.33 грн
5+	558.72 грн
10+	519.10 грн
50+	442.18 грн
100+	370.67 грн
250+	355.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC208006Q

WNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D001200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0212006Q

WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0212006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

WNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 2A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape
Technology: SiC
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 3A
Max. load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 4667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.65 грн
10+	86.83 грн
100+	58.43 грн
500+	43.40 грн
1000+	39.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.15 грн
10+	91.37 грн
100+	57.90 грн
500+	46.79 грн
1000+	39.14 грн
5000+	38.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.58 грн
500+	32.03 грн
1000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 10523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.57 грн
10+	97.02 грн
100+	65.61 грн
500+	48.97 грн
1000+	44.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.66 грн
100+	34.58 грн
500+	32.03 грн
1000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 20A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.64 грн
10+	85.00 грн
100+	67.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.61 грн
50+	69.06 грн
100+	61.79 грн
500+	46.01 грн
1000+	42.16 грн
2000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 5A
Max. load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 5A
Max. load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051400D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 6997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.20 грн
10+	117.86 грн
100+	80.62 грн
500+	60.69 грн
1000+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.80 грн
10+	107.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.02 грн
10+	106.60 грн
100+	72.69 грн
500+	63.93 грн
1000+	54.29 грн
5000+	50.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.46 грн
12+	73.37 грн
100+	57.44 грн
500+	46.90 грн
1000+	41.24 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.30 грн
10+	130.28 грн
100+	89.56 грн
500+	67.71 грн
1000+	62.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.09 грн
100+	51.00 грн
500+	47.28 грн
1000+	43.58 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.00 грн
500+	47.28 грн
1000+	43.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.48 грн
11+	77.25 грн
100+	63.71 грн
500+	53.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	68.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 7463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.21 грн
10+	140.78 грн
100+	97.23 грн
500+	73.77 грн
1000+	68.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.21 грн
10+	133.70 грн
100+	107.29 грн
500+	71.65 грн
1000+	59.63 грн
2000+	57.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.14 грн
50+	105.25 грн
100+	96.00 грн
500+	74.64 грн
1000+	69.61 грн
2000+	69.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.80 грн
10+	137.06 грн
100+	97.11 грн
500+	81.66 грн
1000+	74.30 грн
2000+	72.02 грн
5000+	63.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q
Код товару: 203152

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.31 грн
12+	73.04 грн
100+	62.72 грн
500+	58.16 грн
1000+	53.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.72 грн
500+	58.16 грн
1000+	53.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200BT26J

WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 472 шт:

термін постачання 77-86 дні (днів)

2+	230.88 грн
10+	188.67 грн
100+	130.95 грн
480+	110.35 грн
1200+	93.43 грн
2640+	89.75 грн
5040+	86.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W-A6Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	372.20 грн
10+	260.79 грн
100+	193.94 грн
500+	162.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.06 грн
10+	301.19 грн
100+	211.14 грн
250+	200.11 грн
600+	188.33 грн
1200+	161.11 грн
3000+	152.29 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.88V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

на замовлення 2317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.30 грн
10+	242.62 грн
100+	179.96 грн
600+	146.73 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 4746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.31 грн
10+	170.90 грн
100+	110.35 грн
500+	105.94 грн
800+	84.60 грн
2400+	83.87 грн
4800+	79.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	92.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.26 грн
10+	89.96 грн
100+	85.83 грн
500+	76.33 грн
1000+	67.27 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 8768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.92 грн
10+	176.95 грн
100+	123.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.80 грн
10+	167.06 грн
100+	116.46 грн
500+	89.02 грн
1000+	82.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.09 грн
10+	134.52 грн
100+	101.51 грн
500+	69.74 грн
1000+	61.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	69.74 грн
1000+	61.97 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.46 грн
10+	135.37 грн
100+	106.67 грн
500+	89.75 грн
1000+	89.02 грн
5000+	80.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.70 грн
10+	170.83 грн
100+	124.62 грн
500+	84.30 грн
1000+	75.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.17 грн
50+	122.57 грн
100+	112.08 грн
500+	87.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	79.70 грн
1000+	70.53 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.06 грн
10+	101.51 грн
100+	88.31 грн
500+	79.70 грн
1000+	70.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.54 грн
10+	158.25 грн
100+	114.95 грн
500+	89.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.95 грн
30+	134.21 грн
120+	111.95 грн
510+	89.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.89 грн
10+	148.06 грн
100+	91.22 грн
1200+	85.34 грн
3000+	84.60 грн
5400+	83.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.48 грн
10+	156.80 грн
100+	140.30 грн
500+	100.39 грн
1000+	80.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.29 грн
10+	191.51 грн
100+	140.38 грн
500+	110.68 грн
1000+	109.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200BT26J

WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

на замовлення 4259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	571.39 грн
30+	325.85 грн
120+	283.28 грн
510+	239.41 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	484.94 грн
10+	410.33 грн
100+	297.95 грн
250+	290.59 грн
600+	262.64 грн
1200+	225.12 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 102A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 15A
Max. forward voltage: 1.95V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	349.92 грн
10+	217.88 грн
100+	196.42 грн
500+	162.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.01 грн
30+	195.57 грн
120+	165.20 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.48 грн
10+	265.65 грн
100+	183.92 грн
250+	181.71 грн
480+	164.79 грн
960+	146.40 грн
2880+	135.37 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	164.23 грн
10+	151.85 грн
100+	139.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.04 грн
240+	202.20 грн
1200+	133.89 грн
2640+	126.54 грн
5040+	124.33 грн
10080+	122.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200BT26J

WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	600.81 грн
5+	458.86 грн
10+	401.09 грн
50+	346.38 грн
100+	314.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-A6Q

SiC Schottky Diodes Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-B6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	693.15 грн
10+	457.58 грн
100+	339.17 грн
600+	282.76 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	744.41 грн
5+	627.22 грн
10+	510.03 грн
50+	426.08 грн
100+	291.44 грн
250+	285.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 125A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.8V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	430.86 грн
10+	357.03 грн
100+	250.87 грн
250+	236.89 грн
480+	222.91 грн
960+	178.04 грн
2880+	136.84 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	258.31 грн
10+	170.83 грн
100+	144.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	374.83 грн
30+	217.82 грн
120+	184.60 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	381.94 грн
10+	248.73 грн
100+	183.18 грн
240+	182.45 грн
1200+	175.09 грн
2640+	164.06 грн
5040+	162.59 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.8V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CW6Q

WNSC2D301200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 102A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.84 грн
30+	247.40 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.37 грн
30+	321.20 грн
120+	270.02 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.29 грн
10+	407.69 грн
100+	338.37 грн
500+	281.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CWQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 350A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 40A
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 80A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 420A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 50A
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 100A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D601200W6Q

WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 152.8A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 1071W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 19.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 321nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20.3A; Idm: 58A; 231W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20.3A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 231W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R6Q

WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16.5A; Idm: 46A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7J

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7J

WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170JQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

480+	210.28 грн

Мінімальне замовлення: 480

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 109.2A; Idm: 300A; 789W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 109.2A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 789W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 27.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120TB6J

***PLEASE NOTE: Part is not fully released, so DC price not ready yet, and we can accept 90pcs as sample order moment.***

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120B76J

WNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75.2A; Idm: 200A; 652W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75.2A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 652W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B76J

WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120W6Q

WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40140R6Q

Schottky Diodes & Rectifiers N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065B76J

SiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065B76J

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B76J

WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43.2A; Idm: 120A; 417W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43.2A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120W6Q

WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B76J

WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38.1A; Idm: 100A; 366W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 366W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120W6Q

WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1197.49 грн
5+	909.46 грн
10+	828.59 грн
50+	727.25 грн
100+	657.87 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D046506Q

WeEn Semiconductors WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D046506Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 28A
Kind of package: tube
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 2.2V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650D6J

WNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650D6J

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650T6J

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D066506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D086506Q

WNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650X6Q

WNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D106506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650D6J

WNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D16650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 2.2V

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	173.31 грн
5+	144.07 грн
9+	110.35 грн
23+	104.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D208006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5RACK

Struxure Ware 5 Rack Installation Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D02650D-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D046506Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.55V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.48 грн
10+	117.60 грн
100+	81.66 грн
500+	73.57 грн
1000+	62.83 грн
5000+	56.79 грн
10000+	55.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.54 грн
10+	95.73 грн
100+	76.34 грн
500+	63.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650D6J

WNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.17 грн
10+	113.89 грн
100+	104.81 грн
500+	87.36 грн
1000+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 9011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.76 грн
10+	115.91 грн
100+	92.70 грн
1000+	78.72 грн
2000+	64.89 грн
5000+	64.81 грн
10000+	64.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Y6Q

WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.09 грн
10+	143.83 грн
100+	116.24 грн
1000+	97.85 грн
2000+	91.96 грн
5000+	88.28 грн
10000+	87.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.88 грн
10+	137.82 грн
100+	127.92 грн
500+	101.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650X6Q

WNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.76 грн
50+	145.17 грн
100+	133.10 грн
500+	104.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.86 грн
10+	157.63 грн
100+	144.42 грн
500+	112.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.61 грн
10+	160.75 грн
100+	128.01 грн
500+	107.41 грн
1000+	106.67 грн
2000+	105.20 грн
5000+	97.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

Description: WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.23 грн
10+	269.87 грн
100+	233.56 грн
500+	202.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.60 грн
50+	137.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	147.99 грн
1600+	141.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.33 грн
10+	251.36 грн
100+	179.84 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240.33 грн
30+	147.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	264.09 грн
500+	236.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	375.62 грн
10+	252.81 грн
100+	188.38 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	341.67 грн
10+	311.96 грн
100+	264.09 грн
500+	236.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	172.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CJ6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	297.93 грн
10+	260.79 грн
100+	216.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.78 грн
30+	222.49 грн
120+	188.75 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650W6Q

WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	204.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	475.89 грн
10+	413.82 грн
100+	342.60 грн
500+	279.97 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. load current: 77A
Max. forward impulse current: 215A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D40650CW-A6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 140A
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Load current: 20A x2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D40650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 170A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Load current: 20A x2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D40650CW6Q

WNSC6D40650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCCAPADM

Development Software Data Center Capacity Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESOSTRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRM

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRT

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBASE

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Base Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBMS

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBMS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREDAY

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREMIG

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESRETRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREVS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESSUCORE

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXCADM

Development Software Data Center Expert Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXOADM

Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120W6Q

MOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120W6Q

WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

MOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120W6Q

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120W6Q

MOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

MOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

Description: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCRCAPADM