Продукція > WNS

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	37.94 грн
13+	27.04 грн
100+	18.83 грн
500+	16.97 грн
1000+	15.70 грн
2000+	15.33 грн
10000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNS-0420-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.75 грн
10+	53.74 грн
100+	37.36 грн
500+	35.20 грн
1000+	29.84 грн
10000+	28.57 грн
25000+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS-632-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.31 грн
22+	15.83 грн
100+	11.01 грн
500+	9.97 грн
1000+	9.23 грн
2000+	9.00 грн
10000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

WNS-832-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS14Q575-FC

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100C

WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100C

Dual power Schottky diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.59 грн
10+	58.45 грн
100+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 5270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.83 грн
10+	59.56 грн
100+	35.35 грн
500+	27.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.22 грн
15+	58.85 грн
100+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.62 грн
10+	49.07 грн
40+	23.33 грн
108+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 8628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.86 грн
50+	33.39 грн
100+	29.63 грн
500+	21.61 грн
1000+	19.61 грн
2000+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.19 грн
11+	31.75 грн
100+	23.59 грн
500+	19.72 грн
1000+	19.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.58 грн
27+	31.05 грн
100+	26.63 грн
500+	18.53 грн
1000+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	23.54 грн
1600+	20.84 грн
2400+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 6799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.18 грн
10+	56.22 грн
25+	45.76 грн
100+	32.52 грн
500+	25.00 грн
800+	19.35 грн
2400+	18.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 120A
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 0.8V
Semiconductor structure: common cathode; double

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.77 грн
10+	46.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 3054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.74 грн
10+	52.79 грн
100+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.8V
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 0.8V
Semiconductor structure: common cathode; double

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	50.92 грн
13+	31.47 грн
42+	21.94 грн
115+	20.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.81 грн
50+	32.96 грн
100+	29.59 грн
500+	22.07 грн
1000+	20.20 грн
2000+	18.61 грн
5000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.43 грн
24+	35.56 грн
100+	29.97 грн
500+	20.70 грн
1000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 3850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.73 грн
10+	36.28 грн
100+	26.86 грн
500+	22.18 грн
1000+	20.54 грн
2000+	18.98 грн
5000+	17.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

WNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

597+	51.15 грн
1000+	47.17 грн

Мінімальне замовлення: 597

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.13 грн
10+	72.55 грн
100+	48.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	34.10 грн
1600+	30.40 грн
2400+	29.16 грн
4000+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.82 грн
10+	59.30 грн
26+	35.19 грн
71+	33.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.67V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Case: TO220AB
Max. off-state voltage: 100V
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 330A

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	53.43 грн
11+	36.66 грн
29+	31.94 грн
78+	30.23 грн
250+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 7374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.48 грн
10+	71.80 грн
25+	38.40 грн
100+	34.68 грн
500+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 12632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.91 грн
50+	53.04 грн
100+	47.30 грн
500+	34.94 грн
1000+	31.90 грн
2000+	29.34 грн
5000+	26.14 грн
10000+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS32702

на замовлення 481 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.63 грн
10+	54.85 грн
100+	37.06 грн
500+	32.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 14995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.81 грн
10+	64.65 грн
100+	45.33 грн
500+	34.39 грн
1000+	31.73 грн
2000+	29.47 грн
5000+	27.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ
Код товару: 195265

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	58.43 грн
10+	45.35 грн
25+	36.59 грн
69+	34.57 грн
500+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C

WeEn Semiconductors WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 7104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.22 грн
10+	106.11 грн
100+	59.75 грн
500+	55.44 грн
800+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.89 грн
10+	114.36 грн
100+	89.32 грн
500+	50.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.80 грн
10+	99.84 грн
100+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ
Код товару: 203131

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	38.64 грн
1600+	38.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	92.66 грн
10+	74.57 грн
23+	40.38 грн
62+	38.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	52.87 грн
1600+	46.99 грн
2400+	44.99 грн
4000+	40.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.32 грн
500+	50.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	35.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.42 грн
10+	70.69 грн
100+	48.74 грн
500+	42.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.79 грн
50+	65.44 грн
100+	59.29 грн
500+	45.35 грн
1000+	41.99 грн
2000+	39.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC010102

Software Data Center Expert Basic Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010103

Software Data Center Expert Advanced Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010104

Software Data Center Expert Alarm Threshold Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010105

Software Data Center Expert Alarm Action Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010106

Software Data Center Expert Alarm Profile Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010107

Software Data Center Expert Remote Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010108

Software Data Center Expert Network Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010109

Software Data Center Expert Building Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010110

Software Data Center Expert Surveillance Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010111

Software Data Center Device Identification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010203

Data Center Operation Floor Layout Creation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010210

Data Center Operation Labeling Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010212

Data Center Operation Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010213

Data Center Operation Additional Module Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010214

Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010215

Data Center Expert Standard Support Software Contract

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010216

StruxureWare Portal Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010401

Software Data Center Expert Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010402

Data Center Capacity Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.83 грн
10+	90.16 грн
100+	71.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.84 грн
10+	158.32 грн
100+	134.69 грн
1000+	114.60 грн
2000+	109.39 грн
5000+	81.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.65 грн
10+	147.59 грн
100+	118.59 грн
500+	91.44 грн
1000+	76.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.59 грн
500+	47.36 грн
1000+	43.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.10 грн
10+	155.75 грн
100+	109.39 грн
500+	89.30 грн
1000+	74.12 грн
3000+	69.95 грн
6000+	69.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.30 грн
13+	66.36 грн
100+	52.59 грн
500+	47.36 грн
1000+	43.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	513.38 грн
10+	505.04 грн
100+	479.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	445.95 грн
10+	385.40 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.19 грн
10+	187.41 грн
100+	130.22 грн
500+	109.39 грн
1000+	104.92 грн
3000+	104.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.79 грн
500+	65.34 грн
1000+	60.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.52 грн
10+	90.16 грн
100+	71.79 грн
500+	65.34 грн
1000+	60.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08

Software ITA Base Remote Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.37 грн
10+	220.45 грн
100+	180.65 грн
500+	144.32 грн
1000+	126.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.79 грн
10+	234.48 грн
100+	166.69 грн
500+	142.13 грн
1000+	119.81 грн
3000+	114.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC09

Software ITA Base Onsite Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	712.06 грн
5+	575.99 грн
10+	445.77 грн
50+	351.14 грн
100+	291.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	581.67 грн
10+	515.17 грн
100+	400.35 грн
1000+	388.44 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	642.77 грн
10+	520.06 грн
100+	402.36 грн
500+	317.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	275.47 грн
10+	232.07 грн
100+	186.99 грн
500+	139.53 грн
1000+	117.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.38 грн
10+	265.29 грн
100+	189.01 грн
500+	160.73 грн
1000+	135.43 грн
3000+	130.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	186.99 грн
500+	139.53 грн
1000+	117.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.57 грн
10+	197.01 грн
100+	158.61 грн
500+	124.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.37 грн
10+	225.06 грн
100+	159.99 грн
600+	136.18 грн
1200+	114.60 грн
5400+	113.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12

Specialist Controllers Remote System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 57A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.08 грн
10+	181.00 грн
100+	132.83 грн
500+	104.79 грн
1000+	103.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.21 грн
10+	176.14 грн
100+	139.41 грн
500+	114.72 грн
1000+	93.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	139.41 грн
500+	114.72 грн
1000+	93.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.88 грн
10+	187.82 грн
100+	151.09 грн
500+	133.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.64 грн
10+	292.67 грн
100+	209.10 грн
600+	177.85 грн
1200+	150.32 грн
3000+	144.36 грн
5400+	143.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	309.10 грн
10+	267.81 грн
100+	219.47 грн
500+	175.33 грн
1000+	153.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC13

Calibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC14

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	431.48 грн
10+	381.67 грн
100+	271.61 грн
480+	241.84 грн
1200+	220.26 грн
2640+	216.54 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	414.88 грн
10+	348.10 грн
100+	250.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	948.03 грн
10+	843.78 грн
100+	725.53 грн
480+	602.75 грн
1200+	563.31 грн
2640+	554.38 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	612.72 грн
5+	569.31 грн
10+	525.07 грн
50+	438.73 грн
100+	359.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 110A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 220A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. forward voltage: 1.4V
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	948.03 грн
10+	843.78 грн
100+	690.56 грн
3000+	538.76 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	605.21 грн
5+	565.14 грн
10+	525.07 грн
50+	447.26 грн
100+	374.93 грн
250+	359.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC208006Q

WNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D001200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0212006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0212006Q

WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 2A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

WNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape
Technology: SiC
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 3A
Max. load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 4667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.01 грн
10+	80.69 грн
100+	54.28 грн
500+	40.32 грн
1000+	36.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.39 грн
10+	92.42 грн
100+	58.56 грн
500+	47.33 грн
1000+	39.59 грн
2000+	37.58 грн
5000+	36.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.98 грн
500+	32.40 грн
1000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 10503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.50 грн
10+	90.07 грн
100+	60.95 грн
500+	45.49 грн
1000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.06 грн
100+	34.98 грн
500+	32.40 грн
1000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.26 грн
50+	64.41 грн
100+	57.63 грн
500+	42.92 грн
1000+	39.33 грн
2000+	36.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.85 грн
10+	85.98 грн
100+	67.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 5A
Max. load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 5A
Max. load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051400D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.61 грн
10+	108.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 6497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.09 грн
10+	109.53 грн
100+	74.89 грн
500+	56.38 грн
1000+	51.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.41 грн
10+	107.83 грн
100+	73.52 грн
500+	64.67 грн
1000+	54.92 грн
5000+	51.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.39 грн
12+	74.21 грн
100+	58.10 грн
500+	47.44 грн
1000+	41.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.67 грн
100+	51.59 грн
500+	47.83 грн
1000+	44.08 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.80 грн
10+	121.00 грн
100+	83.20 грн
500+	62.90 грн
1000+	58.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.59 грн
500+	47.83 грн
1000+	44.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.49 грн
11+	78.13 грн
100+	64.44 грн
500+	53.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 7463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.29 грн
10+	130.77 грн
100+	90.33 грн
500+	68.53 грн
1000+	63.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	185.32 грн
10+	135.23 грн
100+	108.52 грн
500+	72.48 грн
1000+	60.32 грн
2000+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.55 грн
50+	97.78 грн
100+	89.18 грн
500+	69.34 грн
1000+	64.67 грн
2000+	64.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.76 грн
10+	138.63 грн
100+	98.23 грн
500+	82.60 грн
1000+	75.16 грн
2000+	72.85 грн
5000+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q
Код товару: 203152

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.32 грн
12+	73.88 грн
100+	63.44 грн
500+	58.83 грн
1000+	54.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.44 грн
500+	58.83 грн
1000+	54.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200BT26J

WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.54 грн
10+	190.83 грн
100+	132.46 грн
480+	111.62 грн
1200+	94.51 грн
2640+	90.78 грн
5040+	87.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W-A6Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.88V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	367.23 грн
10+	304.65 грн
100+	213.57 грн
250+	202.41 грн
600+	190.50 грн
1200+	162.97 грн
3000+	154.04 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

на замовлення 2317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	335.67 грн
10+	225.41 грн
100+	167.18 грн
600+	136.31 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	376.48 грн
10+	263.79 грн
100+	196.17 грн
500+	164.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 4736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.35 грн
10+	164.31 грн
100+	107.90 грн
500+	90.78 грн
800+	77.39 грн
2400+	75.16 грн
4800+	73.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.82 грн
500+	79.06 грн
1000+	67.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.81 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.87 грн
10+	97.67 грн
100+	91.82 грн
500+	79.06 грн
1000+	67.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 8768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.81 грн
10+	164.41 грн
100+	114.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.12 грн
10+	155.18 грн
100+	108.19 грн
500+	82.70 грн
1000+	76.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.39 грн
500+	70.77 грн
1000+	60.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	79.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.95 грн
10+	114.36 грн
100+	82.39 грн
500+	70.77 грн
1000+	60.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.43 грн
10+	136.92 грн
100+	107.90 грн
500+	90.78 грн
1000+	90.04 грн
2000+	88.55 грн
5000+	80.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.53 грн
50+	113.87 грн
100+	104.12 грн
500+	81.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.39 грн
10+	176.14 грн
100+	129.39 грн
500+	92.24 грн
1000+	83.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.31 грн
10+	146.92 грн
100+	116.03 грн
500+	96.12 грн
1000+	77.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.03 грн
500+	96.12 грн
1000+	77.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.17 грн
10+	146.97 грн
100+	106.78 грн
500+	83.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.17 грн
30+	125.19 грн
120+	104.43 грн
510+	83.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.09 грн
10+	201.96 грн
25+	130.22 грн
100+	107.16 грн
250+	92.27 грн
1200+	81.11 грн
3000+	80.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.47 грн
10+	158.61 грн
100+	141.91 грн
500+	101.54 грн
1000+	81.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.44 грн
10+	177.90 грн
100+	130.41 грн
500+	102.82 грн
1000+	101.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200BT26J

WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 102A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 15A
Max. forward voltage: 1.95V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.94 грн
10+	220.38 грн
100+	198.68 грн
500+	164.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

на замовлення 4259 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	532.88 грн
30+	303.93 грн
120+	264.24 грн
510+	223.31 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	490.51 грн
10+	415.04 грн
100+	301.38 грн
250+	293.93 грн
600+	265.66 грн
1200+	227.71 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.81 грн
30+	188.54 грн
120+	159.27 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.55 грн
10+	268.71 грн
100+	186.03 грн
250+	183.80 грн
480+	166.69 грн
960+	148.08 грн
2880+	136.92 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.82 грн
240+	204.53 грн
1200+	135.43 грн
2640+	127.99 грн
5040+	125.76 грн
10080+	123.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	166.12 грн
10+	153.60 грн
100+	141.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200-A6Q

WNSC2D201200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200BT26J

WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	607.71 грн
5+	464.13 грн
10+	405.70 грн
50+	350.36 грн
100+	318.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-A6Q

SiC Schottky Diodes Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-B6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	752.96 грн
5+	634.43 грн
10+	515.89 грн
50+	430.98 грн
100+	294.79 грн
250+	289.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	668.11 грн
10+	441.13 грн
100+	327.00 грн
600+	272.61 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 125A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Technology: SiC
Case: SOT1293; TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.31 грн
10+	361.99 грн
100+	254.50 грн
480+	180.08 грн
2880+	139.15 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.99 грн
10+	222.50 грн
100+	157.01 грн
240+	156.27 грн
480+	139.15 грн
1200+	119.81 грн
2640+	112.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.43 грн
30+	209.99 грн
120+	177.97 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	261.28 грн
10+	172.80 грн
100+	146.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 650V
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CW6Q

WNSC2D301200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 102A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.23 грн
30+	238.54 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	471.65 грн
10+	412.38 грн
100+	342.26 грн
500+	284.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	554.62 грн
30+	309.67 грн
120+	260.34 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 125A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CWQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 350A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 40A
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 80A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200CW6Q

WNSC2D501200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 420A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 50A
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 100A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D601200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 152.8A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 1071W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 19.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 321nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20.3A; Idm: 58A; 231W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20.3A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 231W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R6Q

WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16.5A; Idm: 46A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7J

WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7J

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170JQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

480+	212.70 грн

Мінімальне замовлення: 480

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B7-A6J

WNSC2M20120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 109.2A; Idm: 300A; 789W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 109.2A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 789W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 27.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120TB6J

***PLEASE NOTE: Part is not fully released, so DC price not ready yet, and we can accept 90pcs as sample order moment.***

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30065R6Q

WNSC2M30065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120B7-A6J

WNSC2M30120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120B76J

WNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B76J

WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120W6Q

WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40140R6Q

Schottky Diodes & Rectifiers N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065B76J

SiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065B76J

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B76J

WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M70065R6Q

WNSC2M70065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B76J

WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120W6Q

WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1211.25 грн
5+	919.92 грн
10+	838.11 грн
50+	735.61 грн
100+	665.43 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D046506Q

WeEn Semiconductors WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650D6J

WNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650T6J

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D066506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 12A
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 2.2V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D086506Q

WNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650X6Q

WNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D106506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650D6J

WNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D16650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.30 грн
5+	145.73 грн
9+	111.62 грн
23+	105.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D208006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5RACK

Struxure Ware 5 Rack Installation Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D02650D-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.11 грн
10+	118.95 грн
100+	82.60 грн
500+	74.41 грн
1000+	63.55 грн
5000+	57.45 грн
10000+	56.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.87 грн
10+	96.83 грн
100+	77.22 грн
500+	64.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650D6J

WNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.74 грн
10+	115.20 грн
100+	106.02 грн
500+	88.37 грн
1000+	69.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 9011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.38 грн
10+	117.24 грн
100+	93.76 грн
1000+	79.62 грн
2000+	65.63 грн
5000+	65.56 грн
10000+	65.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 12A
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.55V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Y6Q

WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.10 грн
10+	145.48 грн
100+	117.57 грн
1000+	98.97 грн
2000+	93.02 грн
5000+	89.30 грн
10000+	88.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.79 грн
10+	139.41 грн
100+	129.39 грн
500+	102.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650X6Q

WNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.43 грн
10+	162.59 грн
100+	129.48 грн
500+	108.64 грн
1000+	107.90 грн
2000+	106.41 грн
5000+	98.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.58 грн
10+	159.44 грн
100+	146.08 грн
500+	113.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.91 грн
50+	146.84 грн
100+	134.63 грн
500+	105.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN8x8N
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.09 грн
50+	186.31 грн
100+	169.79 грн
500+	132.20 грн
1000+	124.72 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.69 грн
10+	272.97 грн
100+	236.24 грн
500+	204.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	142.68 грн
1600+	136.30 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.52 грн
10+	242.31 грн
100+	173.39 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	389.60 грн
30+	211.69 грн
120+	175.58 грн
510+	139.91 грн
1020+	133.51 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	174.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	267.13 грн
500+	239.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

на замовлення 519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	345.59 грн
10+	315.54 грн
100+	267.13 грн
500+	239.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.94 грн
10+	255.72 грн
100+	190.55 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CJ6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.18 грн
30+	225.05 грн
120+	190.92 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.35 грн
10+	263.79 грн
100+	218.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650W6Q

WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	207.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	559.45 грн
30+	312.54 грн
120+	262.81 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. load current: 77A
Max. forward impulse current: 215A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D40650CW6Q

WNSC6D40650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCCAPADM

Development Software Data Center Capacity Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESOSTRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRM

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRT

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBASE

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Base Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBMS

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBMS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREDAY

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREMIG

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESRETRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREVS

Schneider Electric Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESSUCORE

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXCADM

Development Software Data Center Expert Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXOADM

Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120W6Q

MOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120W6Q

WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

MOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120W6Q

MOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120W6Q

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

MOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

Description: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCRCAPADM

Calibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Capacity Administration Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCRISXEADM