Продукція > WNS

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.25 грн
14+	23.97 грн
100+	16.73 грн
500+	15.06 грн
1000+	13.94 грн
2000+	13.60 грн
10000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNS-0420-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.91 грн
10+	50.35 грн
100+	35.00 грн
500+	32.98 грн
1000+	27.96 грн
10000+	26.77 грн
25000+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS-632-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	20.99 грн
22+	15.07 грн
100+	10.53 грн
500+	9.48 грн
1000+	8.79 грн
2000+	8.58 грн
10000+	8.02 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

WNS-832-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS14Q575-FC

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100C

WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.48 грн
10+	55.17 грн
100+	31.58 грн
500+	25.03 грн
800+	23.15 грн
4800+	22.03 грн
9600+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.13 грн
10+	56.95 грн
100+	37.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.15 грн
15+	57.35 грн
100+	38.80 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.71 грн
21+	39.53 грн
100+	35.14 грн
500+	23.34 грн
1000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 8528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.36 грн
50+	36.71 грн
100+	32.57 грн
500+	23.74 грн
1000+	21.55 грн
2000+	19.70 грн
5000+	17.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 4345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.08 грн
11+	31.03 грн
100+	23.98 грн
500+	18.62 грн
1000+	16.87 грн
2000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.72 грн
10+	49.23 грн
100+	34.03 грн
500+	32.28 грн
800+	29.98 грн
2400+	27.33 грн
4800+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 3054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.50 грн
10+	51.44 грн
100+	33.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

WeEn Semiconductor

2 випрямних діоди SMD зі спільним катодом, Io, A = 10, Uзвор, В = 100, Uf (max), В = 0,95, If, А = 10, trr, нс = 500, Тексп, °C = макс. +150, I, мкА @ Ur, В = 50 @ 100,... Група товару: Діоди Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

800+	80.09 грн
1600+	75.08 грн
5600+	70.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	22.94 грн
1600+	20.31 грн
2400+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.04 грн
50+	28.72 грн
100+	25.78 грн
500+	19.23 грн
1000+	17.60 грн
2000+	16.21 грн
5000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.80 грн
27+	30.91 грн
100+	27.41 грн
500+	19.64 грн
1000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 3844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.85 грн
11+	30.79 грн
100+	24.05 грн
500+	19.10 грн
1000+	17.43 грн
2000+	16.04 грн
5000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1142+	28.27 грн

Мінімальне замовлення: 1142

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100C

WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

WeEn Semiconductor

2 випрямних діоди SMD зі спільним катодом, Io, A = 15, Uзвор, В = 100, Uf (max), В = 0,71, If, А = 15, trr, нс = 500, Тексп, °C = макс. +150, I, мкА @ Ur, В = 50,... Група товару: Діоди Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	32.64 грн
1600+	29.10 грн
2400+	27.91 грн
4000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 3620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.14 грн
10+	73.77 грн
100+	42.74 грн
500+	35.35 грн
800+	28.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

597+	54.10 грн
1000+	49.90 грн

Мінімальне замовлення: 597

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.74 грн
10+	69.49 грн
100+	46.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 168 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

5+	104.84 грн
10+	62.19 грн
100+	41.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 7379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.70 грн
10+	53.72 грн
100+	41.62 грн
500+	32.77 грн
1000+	29.84 грн
2000+	27.47 грн
5000+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Diode Schottky 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 12617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
50+	50.77 грн
100+	45.27 грн
500+	33.45 грн
1000+	30.54 грн
2000+	28.09 грн
5000+	25.02 грн
10000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.67V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS32702

на замовлення 481 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube

на замовлення 592 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

9+	50.61 грн
11+	39.53 грн
50+	36.00 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ
Код товару: 195265

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.43 грн
10+	65.43 грн
100+	39.88 грн
500+	32.21 грн
1000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 14995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.26 грн
10+	63.00 грн
100+	44.17 грн
500+	33.52 грн
1000+	30.92 грн
2000+	28.72 грн
5000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C

WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CB

Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.04 грн
500+	49.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	48.24 грн
1600+	42.87 грн
2400+	41.05 грн
4000+	36.60 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.64 грн
10+	111.44 грн
100+	87.04 грн
500+	49.40 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	32.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 4578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.11 грн
10+	96.22 грн
100+	56.82 грн
500+	49.02 грн
800+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

4+	136.48 грн
10+	79.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.47 грн
10+	91.09 грн
100+	61.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ
Код товару: 203131

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube

на замовлення 733 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

7+	69.59 грн
10+	52.03 грн
50+	45.32 грн
100+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.20 грн
10+	63.18 грн
100+	49.78 грн
500+	40.51 грн
1000+	37.51 грн
2000+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.11 грн
50+	67.66 грн
100+	60.65 грн
500+	45.34 грн
1000+	41.62 грн
2000+	38.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC010102

Software Data Center Expert Basic Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010103

Software Data Center Expert Advanced Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010104

Software Data Center Expert Alarm Threshold Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010105

Software Data Center Expert Alarm Action Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010106

Software Data Center Expert Alarm Profile Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010107

Software Data Center Expert Remote Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010108

Software Data Center Expert Network Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010109

Software Data Center Expert Building Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010110

Software Data Center Expert Surveillance Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010111

Software Data Center Device Identification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010203

Data Center Operation Floor Layout Creation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010210

Data Center Operation Labeling Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010212

Data Center Operation Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010213

Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Additional Module Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010213

Data Center Operation Additional Module Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010214

Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010215

Data Center Expert Standard Support Software Contract

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010216

StruxureWare Portal Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010401

Software Data Center Expert Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010402

Data Center Capacity Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

Schneider Electric

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0113

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Virtual Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.12 грн
10+	95.99 грн
100+	76.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.57 грн
10+	148.34 грн
100+	126.20 грн
1000+	107.37 грн
2000+	102.49 грн
5000+	76.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.28 грн
13+	64.67 грн
100+	51.25 грн
500+	46.15 грн
1000+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.94 грн
10+	145.93 грн
100+	102.49 грн
500+	83.67 грн
1000+	69.44 грн
3000+	65.54 грн
6000+	65.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.29 грн
10+	143.82 грн
100+	115.56 грн
500+	89.10 грн
1000+	74.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.25 грн
500+	46.15 грн
1000+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.55 грн
10+	375.55 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	293.65 грн
10+	222.07 грн
100+	174.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.96 грн
500+	63.68 грн
1000+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.24 грн
10+	162.77 грн
100+	110.86 грн
500+	92.73 грн
1000+	81.58 грн
3000+	78.79 грн
6000+	78.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.75 грн
10+	87.85 грн
100+	69.96 грн
500+	63.68 грн
1000+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC08

Software ITA Base Remote Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.10 грн
10+	219.70 грн
100+	156.18 грн
500+	133.17 грн
1000+	112.25 грн
3000+	107.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC09

Software ITA Base Onsite Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	693.87 грн
5+	561.27 грн
10+	434.38 грн
50+	342.17 грн
100+	284.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	545.01 грн
10+	482.70 грн
100+	375.11 грн
1000+	363.96 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.84 грн
10+	399.40 грн
100+	321.31 грн
500+	250.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.45 грн
10+	248.56 грн
100+	177.10 грн
500+	150.60 грн
1000+	126.90 грн
3000+	122.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.56 грн
10+	216.38 грн
100+	166.76 грн
500+	130.67 грн
1000+	103.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	166.76 грн
500+	130.67 грн
1000+	103.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	206.61 грн
10+	174.08 грн
100+	139.91 грн
500+	113.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.34 грн
10+	210.88 грн
100+	149.91 грн
600+	127.59 грн
1200+	107.37 грн
5400+	106.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12

Specialist Controllers Remote System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	135.84 грн
500+	111.79 грн
1000+	90.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.77 грн
10+	192.61 грн
100+	136.50 грн
500+	105.63 грн
1000+	98.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	210.68 грн
10+	171.64 грн
100+	135.84 грн
500+	111.79 грн
1000+	90.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.92 грн
10+	205.80 грн
100+	163.50 грн
500+	148.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.73 грн
10+	274.22 грн
100+	195.92 грн
600+	166.64 грн
1200+	140.84 грн
3000+	135.26 грн
5400+	134.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC13

Calibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC14

Schneider Electric

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	404.28 грн
10+	357.61 грн
100+	254.49 грн
480+	226.60 грн
1200+	206.38 грн
2640+	202.90 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	313.17 грн
10+	261.93 грн
100+	227.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	657.26 грн
5+	610.08 грн
10+	562.90 грн
50+	478.88 грн
100+	401.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	888.28 грн
10+	790.60 грн
100+	679.80 грн
480+	564.76 грн
1200+	527.81 грн
2640+	519.44 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	815.88 грн
5+	740.23 грн
10+	663.77 грн
50+	567.26 грн
100+	436.47 грн
250+	427.41 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	888.28 грн
10+	790.60 грн
100+	647.03 грн
3000+	504.80 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D001200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0212006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.50 грн
500+	27.34 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

на замовлення 1967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.04 грн
26+	31.56 грн
100+	30.50 грн
500+	27.34 грн
1000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.32 грн
12+	73.94 грн
100+	48.97 грн
500+	34.90 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 4561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.50 грн
10+	76.82 грн
100+	51.68 грн
500+	38.39 грн
1000+	35.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.97 грн
500+	34.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.46 грн
11+	79.55 грн
100+	52.71 грн
500+	38.07 грн
1000+	30.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.64 грн
10+	77.94 грн
100+	44.90 грн
500+	36.81 грн
1000+	32.21 грн
2000+	29.98 грн
5000+	26.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.24 грн
500+	36.18 грн
1000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 10503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.62 грн
10+	85.81 грн
100+	58.03 грн
500+	43.32 грн
1000+	39.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.07 грн
12+	71.91 грн
100+	48.24 грн
500+	36.18 грн
1000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.84 грн
13+	66.78 грн
100+	57.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.56 грн
50+	61.33 грн
100+	54.88 грн
500+	40.87 грн
1000+	37.45 грн
2000+	34.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051400D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 5198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.64 грн
10+	104.31 грн
100+	71.31 грн
500+	53.68 грн
1000+	49.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.55 грн
10+	105.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.05 грн
10+	94.36 грн
100+	65.40 грн
500+	47.36 грн
1000+	38.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.74 грн
10+	97.02 грн
100+	58.15 грн
500+	49.29 грн
1000+	41.14 грн
2000+	38.00 грн
5000+	35.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.12 грн
10+	115.26 грн
100+	79.22 грн
500+	59.90 грн
1000+	55.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	49.05 грн
100+	48.97 грн
500+	45.40 грн
1000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.97 грн
500+	45.40 грн
1000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.48 грн
18+	47.67 грн
100+	46.85 грн
500+	42.75 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 7463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.23 грн
10+	124.56 грн
100+	86.01 грн
500+	65.25 грн
1000+	60.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.11 грн
10+	86.22 грн
100+	70.53 грн
500+	54.23 грн
1000+	49.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q
Код товару: 203152

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.87 грн
10+	129.89 грн
100+	92.04 грн
500+	77.39 грн
1000+	70.42 грн
2000+	68.26 грн
5000+	60.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.84 грн
50+	93.09 грн
100+	84.92 грн
500+	66.03 грн
1000+	61.58 грн
2000+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.82 грн
500+	57.33 грн
1000+	52.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.04 грн
12+	71.99 грн
100+	61.82 грн
500+	57.33 грн
1000+	52.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D101200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.61 грн
10+	130.70 грн
100+	82.27 грн
480+	64.15 грн
1200+	60.59 грн
2640+	59.89 грн
5040+	58.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	307.48 грн
10+	218.82 грн
100+	156.99 грн
500+	142.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

на замовлення 2277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.29 грн
10+	236.27 грн
100+	169.92 грн
600+	133.44 грн
1200+	129.79 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	344.09 грн
10+	285.45 грн
100+	200.11 грн
250+	189.65 грн
600+	178.49 грн
1200+	152.69 грн
3000+	144.33 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	81.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.73 грн
500+	77.80 грн
1000+	64.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 4704 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.49 грн
10+	134.71 грн
100+	83.67 грн
500+	66.59 грн
800+	59.82 грн
2400+	56.82 грн
4800+	55.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	200.92 грн
10+	129.34 грн
100+	92.73 грн
500+	77.80 грн
1000+	64.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 8768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.65 грн
10+	156.51 грн
100+	109.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.32 грн
10+	147.74 грн
100+	103.01 грн
500+	78.74 грн
1000+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	75.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.24 грн
500+	80.07 грн
1000+	68.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.16 грн
10+	131.78 грн
100+	99.24 грн
500+	80.07 грн
1000+	68.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.62 грн
10+	100.05 грн
100+	73.29 грн
500+	67.00 грн
1000+	60.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.65 грн
10+	115.46 грн
100+	73.21 грн
500+	62.33 грн
1000+	52.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.29 грн
50+	108.42 грн
100+	99.13 грн
500+	77.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	210.68 грн
10+	145.61 грн
100+	109.00 грн
500+	88.37 грн
1000+	75.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.00 грн
500+	88.37 грн
1000+	75.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.14 грн
10+	160.21 грн
100+	112.23 грн
500+	86.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.79 грн
30+	119.22 грн
120+	99.43 грн
510+	79.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.12 грн
10+	125.08 грн
100+	86.46 грн
600+	73.21 грн
1200+	62.33 грн
3000+	59.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.21 грн
10+	109.81 грн
100+	87.04 грн
500+	74.48 грн
1000+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.78 грн
10+	158.62 грн
100+	118.76 грн
500+	87.62 грн
1000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.64 грн
10+	190.35 грн
100+	134.72 грн
500+	104.17 грн
1000+	97.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	523.04 грн
10+	416.48 грн
100+	309.92 грн
500+	230.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.50 грн
30+	289.40 грн
120+	251.60 грн
510+	212.63 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.59 грн
10+	388.88 грн
100+	282.38 грн
250+	275.41 грн
600+	248.91 грн
1200+	213.35 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	335.95 грн
10+	251.77 грн
100+	174.31 грн
250+	172.22 грн
480+	156.18 грн
960+	138.75 грн
2880+	128.29 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.17 грн
30+	169.12 грн
120+	133.34 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.87 грн
10+	149.67 грн
100+	137.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.39 грн
240+	191.64 грн
1200+	126.90 грн
2640+	119.92 грн
5040+	117.83 грн
10080+	115.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200-A6Q

WNSC2D201200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D201200CW-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	658.89 грн
5+	499.45 грн
10+	401.84 грн
50+	355.01 грн
100+	321.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200TB6J

SiC Schottky Diodes WNSC2D201200TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D201200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-B6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-B6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	367.68 грн
10+	223.70 грн
100+	174.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	560.46 грн
5+	472.61 грн
10+	384.76 грн
50+	311.20 грн
100+	244.03 грн
250+	239.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	635.36 грн
10+	419.44 грн
100+	310.89 грн
600+	259.18 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	324.56 грн
10+	211.68 грн
100+	143.63 грн
480+	127.59 грн
960+	113.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	308.29 грн
10+	203.36 грн
100+	172.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.35 грн
30+	199.96 грн
120+	169.46 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.60 грн
10+	199.65 грн
100+	133.87 грн
480+	117.83 грн
1200+	105.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D251200W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D251200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D251700W6Q

WNSC2D251700W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.20 грн
10+	296.91 грн
100+	245.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301400CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301400W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	546.72 грн
30+	306.11 грн
120+	257.68 грн
510+	212.82 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	420.55 грн
10+	258.67 грн
100+	200.92 грн
500+	182.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.68 грн
30+	294.86 грн
120+	247.88 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CWQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D501200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	963.93 грн
5+	729.66 грн
10+	575.10 грн
50+	496.26 грн
100+	448.32 грн
250+	437.86 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D601200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D601200W6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	597.07 грн
5+	509.21 грн
10+	421.36 грн
50+	358.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D601700W6Q

WNSC2D601700W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D801200W6Q

WNSC2D801200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M100065B76J

WNSC2M100065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M100065W6Q

WNSC2M100065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12065R6Q

WNSC2M12065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120TB6J

WNSC2M12120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B7-A6J

SiC MOSFETs WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R-A6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120RS6Q

WNSC2M150120RS/TO247-4L NL/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120TB-A6J

WNSC2M150120TB-A/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120TB6J

SiC MOSFETs WNSC2M150120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W-A6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7-AJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M1K0170B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7J

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170JQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20065B76J

WNSC2M20065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20065TB6J

WNSC2M20065TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B7-A6J

SiC MOSFETs WNSC2M20120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R-A6Q

SiC MOSFETs WNSC2M20120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M25065B76J

WNSC2M25065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M25065R6Q

WNSC2M25065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30065B76J

WNSC2M30065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M30065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30065W6Q

WNSC2M30065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120B7-A6J

SiC MOSFETs WNSC2M30120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120TB-A6J

WNSC2M30120TB-A/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120TB6J

SiC MOSFETs WNSC2M30120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B7-A6J

WNSC2M40120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120TB6J

WNSC2M40120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120W6Q

SiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET in a TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40140R6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M40140R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M43065B76J

WNSC2M43065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M43065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M43065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M43065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M43065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065B76J

SiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M55065R6Q

WNSC2M55065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M55065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M55065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B7-A6J

WNSC2M60120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120R-A6Q

SiC MOSFETs WNSC2M60120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120W-A6Q

WNSC2M60120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M70065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M70065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M70065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M70065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B7-A6J

SiC MOSFETs WNSC2M75120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120R-A6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120TB-A6J

WNSC2M75120TB-A/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1565.87 грн
5+	1224.23 грн
10+	985.89 грн
50+	767.42 грн
100+	694.45 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D046506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D066506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D106506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650B6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650W-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D16650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.75 грн
10+	143.98 грн
100+	108.19 грн
500+	88.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.23 грн
10+	166.76 грн
100+	127.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A

на замовлення 844 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3+	169.92 грн
5+	141.00 грн
25+	125.05 грн
100+	112.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D208006Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5RACK

Struxure Ware 5 Rack Installation Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

SiC Schottky Diodes WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D02650D-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D02650P6X

SiC Schottky Diodes WNSC6D02650P/SOD123/REEL 7" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D046506Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.55 грн
10+	97.82 грн
100+	58.64 грн
500+	49.71 грн
1000+	41.42 грн
2000+	38.28 грн
5000+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.86 грн
10+	95.17 грн
100+	65.73 грн
500+	47.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.28 грн
10+	118.76 грн
100+	80.94 грн
500+	58.46 грн
1000+	53.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 9011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.40 грн
10+	109.85 грн
100+	87.85 грн
1000+	74.60 грн
2000+	61.50 грн
5000+	61.43 грн
10000+	61.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.14 грн
10+	116.32 грн
100+	85.41 грн
500+	72.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.94 грн
10+	136.31 грн
100+	110.16 грн
1000+	92.73 грн
2000+	87.15 грн
5000+	83.67 грн
10000+	82.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D106506Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.59 грн
10+	137.91 грн
100+	103.89 грн
500+	87.15 грн
1000+	77.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.44 грн
50+	130.39 грн
100+	119.82 грн
500+	92.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	243.22 грн
10+	140.73 грн
100+	122.02 грн
500+	87.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650TT6J

WNSC6D10650TT/TOLT/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.24 грн
10+	239.97 грн
100+	189.53 грн
500+	163.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.29 грн
10+	241.71 грн
100+	172.74 грн
500+	134.50 грн
1000+	125.63 грн
2000+	118.18 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	145.16 грн
1600+	131.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	200.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.35 грн
10+	246.54 грн
100+	176.39 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.24 грн
10+	248.10 грн
100+	200.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	185.46 грн
10+	164.32 грн
100+	142.35 грн
500+	112.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D16650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.19 грн
10+	172.39 грн
100+	117.83 грн
480+	96.22 грн
1200+	91.34 грн
5040+	86.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.90 грн
10+	254.93 грн
240+	164.49 грн
720+	137.55 грн
1200+	131.17 грн
2160+	125.76 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D206506Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	605.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.23 грн
10+	249.19 грн
100+	185.68 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	654.01 грн
10+	629.60 грн
100+	605.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	170.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CJ6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.29 грн
30+	219.30 грн
120+	186.05 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.97 грн
10+	209.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	521.42 грн
10+	322.94 грн
100+	271.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	545.15 грн
30+	304.55 грн
120+	256.10 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 155A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.33 грн
10+	184.42 грн
100+	125.50 грн
480+	104.59 грн
1200+	96.22 грн
2640+	91.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. load current: 77A
Max. forward impulse current: 215A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D40650CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D40650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D50650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D50650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D60650W6Q

WNSC6D60650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCCAPADM

Development Software Data Center Capacity Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESOSTRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRM

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRT

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBASE

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Base Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBMS

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREDAY

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREMIG

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESRETRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREVS

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESSUCORE

Schneider Electric

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESSUCORE

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXCADM

Development Software Data Center Expert Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXOADM

Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120W6Q

MOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

MOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

MOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

MOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120W6Q

MOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

MOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ