Продукція > WNS

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.49 грн
13+	27.43 грн
100+	19.10 грн
500+	17.21 грн
1000+	15.93 грн
2000+	15.55 грн
10000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNS-0420-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.85 грн
10+	54.52 грн
100+	37.90 грн
500+	35.71 грн
1000+	30.27 грн
10000+	28.99 грн
25000+	28.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS-632-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

на замовлення 1005 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	22.72 грн
22+	16.32 грн
100+	11.40 грн
500+	10.27 грн
1000+	9.51 грн
2000+	9.29 грн
10000+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

WNS-832-0

Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS-SET-MFT

BESSEY

WNS-SET-MFT Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	6029.74 грн

В кошику од. на суму грн.

WNS14Q575-FC

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100C

WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100C

Dual power Schottky diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.68 грн
10+	49.78 грн
40+	23.67 грн
108+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

на замовлення 479 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	88.41 грн
10+	62.03 грн
40+	28.40 грн
108+	26.89 грн
1600+	26.61 грн
2400+	25.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

на замовлення 173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.40 грн
15+	59.70 грн
100+	40.39 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.99 грн
10+	59.29 грн
100+	39.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.88 грн
10+	59.73 грн
100+	34.20 грн
500+	27.10 грн
800+	25.06 грн
4800+	23.85 грн
9600+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 8528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.11 грн
50+	37.71 грн
100+	33.46 грн
500+	24.39 грн
1000+	22.14 грн
2000+	20.24 грн
5000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 4345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.88 грн
11+	33.60 грн
100+	25.97 грн
500+	20.16 грн
1000+	18.27 грн
2000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

WNS20H100CQ THT Schottky diodes

на замовлення 133 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	40.75 грн
43+	25.86 грн
119+	24.44 грн
1000+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20H100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.14 грн
27+	31.42 грн
100+	26.93 грн
500+	19.27 грн
1000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	23.88 грн
1600+	21.15 грн
2400+	20.20 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 6699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.31 грн
10+	52.87 грн
100+	30.42 грн
500+	23.93 грн
800+	21.59 грн
2400+	19.70 грн
4800+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	58.94 грн
10+	50.47 грн
25+	43.60 грн
40+	28.31 грн
108+	26.80 грн
500+	25.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	49.12 грн
10+	40.50 грн
25+	36.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 3054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.01 грн
10+	53.55 грн
100+	35.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
50+	29.90 грн
100+	26.84 грн
500+	20.02 грн
1000+	18.32 грн
2000+	16.87 грн
5000+	15.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	68.51 грн
16+	55.89 грн
100+	32.35 грн
500+	21.94 грн
1000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 3844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.88 грн
11+	33.34 грн
100+	26.04 грн
500+	20.68 грн
1000+	18.87 грн
2000+	17.36 грн
5000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

WNS20S100CQ THT Schottky diodes

на замовлення 213 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	71.44 грн
42+	26.70 грн
115+	25.29 грн
2000+	25.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CQ

Dual Power Schottky Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

WNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1142+	27.11 грн

Мінімальне замовлення: 1142

В кошику од. на суму грн.

WNS20S100CXQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 5562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.86 грн
10+	73.60 грн
100+	49.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.09 грн
10+	64.95 грн
26+	35.62 грн
72+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Dual Power Schottky Diode

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

597+	51.89 грн
1000+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 597

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	132.11 грн
10+	80.94 грн
26+	42.75 грн
72+	40.48 грн
500+	40.29 грн
800+	38.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	34.59 грн
1600+	30.84 грн
2400+	29.58 грн
4000+	26.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.99 грн
10+	83.60 грн
100+	48.46 грн
500+	32.76 грн
800+	29.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 7379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	104.80 грн
10+	58.08 грн
100+	43.78 грн
500+	35.48 грн
1000+	32.31 грн
2000+	29.74 грн
5000+	26.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 12632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.59 грн
50+	53.80 грн
100+	47.98 грн
500+	35.44 грн
1000+	32.36 грн
2000+	29.77 грн
5000+	26.52 грн
10000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS30H100CQ

WNS30H100CQ THT Schottky diodes

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	304.86 грн
29+	38.97 грн
79+	36.80 грн

В кошику од. на суму грн.

WNS32702

на замовлення 481 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 3155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.57 грн
10+	70.84 грн
100+	43.26 грн
500+	34.95 грн
1000+	32.23 грн
2000+	29.89 грн
5000+	29.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

WNS40100CQ THT Schottky diodes

на замовлення 984 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	67.17 грн
25+	44.54 грн
69+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 14995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	65.58 грн
100+	45.99 грн
500+	34.89 грн
1000+	32.19 грн
2000+	29.90 грн
5000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40100CQ
Код товару: 195265

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C

WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100C,127

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CB

plastic single-ended surface-mounted package rectifier

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CB

Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	33.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.70 грн
10+	94.13 грн
100+	63.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ
Код товару: 203131

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.72 грн
10+	116.02 грн
100+	90.61 грн
500+	51.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	30.80 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	49.88 грн
1600+	44.33 грн
2400+	42.44 грн
4000+	37.84 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	152.43 грн
10+	94.66 грн
100+	59.64 грн
500+	47.28 грн
800+	44.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	127.03 грн
10+	75.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.61 грн
500+	51.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13

на замовлення 4683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.69 грн
10+	104.18 грн
100+	61.52 грн
500+	46.28 грн
800+	40.84 грн
2400+	39.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CGQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

на замовлення 2107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.23 грн
10+	68.41 грн
100+	53.90 грн
500+	43.86 грн
1000+	40.61 грн
2000+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.66 грн
50+	66.38 грн
100+	60.15 грн
500+	46.01 грн
1000+	42.59 грн
2000+	39.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNS40H100CQ

WNS40H100CQ THT Schottky diodes

на замовлення 733 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	78.25 грн
21+	53.79 грн
58+	50.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC010102

Software Data Center Expert Basic Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010103

Software Data Center Expert Advanced Administration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010104

Software Data Center Expert Alarm Threshold Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010105

Software Data Center Expert Alarm Action Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010106

Software Data Center Expert Alarm Profile Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010107

Software Data Center Expert Remote Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010108

Software Data Center Expert Network Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010109

Software Data Center Expert Building Management Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010110

Software Data Center Expert Surveillance Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010111

Software Data Center Device Identification

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010203

Data Center Operation Floor Layout Creation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010210

Data Center Operation Labeling Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010212

Data Center Operation Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010213

Data Center Operation Additional Module Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010213

Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Additional Module Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010214

Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010215

Data Center Expert Standard Support Software Contract

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010216

StruxureWare Portal Configuration

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010401

Software Data Center Expert Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC010402

Data Center Capacity Post Configuration Review

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC0112

Schneider Electric

Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.43 грн
10+	160.60 грн
100+	136.64 грн
1000+	116.25 грн
2000+	110.97 грн
5000+	82.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.23 грн
10+	91.46 грн
100+	72.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

WNSC021200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.67 грн
10+	158.00 грн
100+	110.97 грн
500+	90.59 грн
1000+	75.19 грн
3000+	70.96 грн
6000+	70.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.12 грн
10+	149.72 грн
100+	120.30 грн
500+	92.76 грн
1000+	77.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.45 грн
13+	67.32 грн
100+	53.35 грн
500+	48.05 грн
1000+	44.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC04650T6J

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.35 грн
500+	48.05 грн
1000+	44.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	520.81 грн
10+	512.34 грн
100+	486.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC051200Q

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	452.39 грн
10+	390.97 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.83 грн
500+	66.29 грн
1000+	61.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.51 грн
10+	190.12 грн
100+	132.11 грн
500+	110.97 грн
1000+	106.44 грн
3000+	105.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC06650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.09 грн
10+	91.46 грн
100+	72.83 грн
500+	66.29 грн
1000+	61.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC08

Software ITA Base Remote Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.62 грн
10+	237.87 грн
100+	169.10 грн
500+	144.19 грн
1000+	121.54 грн
3000+	116.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC08650T6J

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 2876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.04 грн
10+	223.64 грн
100+	183.27 грн
500+	146.41 грн
1000+	128.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC09

Software ITA Base Onsite Software Installation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	722.35 грн
5+	584.32 грн
10+	452.21 грн
50+	356.22 грн
100+	296.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	590.08 грн
10+	522.61 грн
100+	406.13 грн
1000+	394.06 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200Q

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	504.72 грн
10+	373.46 грн
100+	305.71 грн
500+	262.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC101200WQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	279.46 грн
10+	235.42 грн
100+	189.69 грн
500+	141.54 грн
1000+	119.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.73 грн
10+	269.12 грн
100+	191.74 грн
500+	163.06 грн
1000+	137.39 грн
3000+	132.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650T6J

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	189.69 грн
500+	141.54 грн
1000+	119.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.05 грн
10+	228.32 грн
100+	162.30 грн
600+	138.15 грн
1200+	116.25 грн
5400+	115.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.96 грн
10+	199.85 грн
100+	160.90 грн
500+	126.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12

Specialist Controllers Remote System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	141.42 грн
500+	116.38 грн
1000+	94.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.01 грн
10+	183.61 грн
100+	134.75 грн
500+	106.30 грн
1000+	105.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Max. forward impulse current: 57A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650T6J

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	219.33 грн
10+	178.68 грн
100+	141.42 грн
500+	116.38 грн
1000+	94.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650TJ

Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	336.43 грн
10+	296.90 грн
100+	212.13 грн
600+	180.42 грн
1200+	152.49 грн
3000+	146.45 грн
5400+	145.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	322.65 грн
10+	214.25 грн
100+	170.21 грн
500+	154.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC12650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

на замовлення 1197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	313.57 грн
10+	271.68 грн
100+	222.64 грн
500+	177.87 грн
1000+	156.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC13

Calibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC14

Schneider Electric

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	326.03 грн
10+	272.68 грн
100+	237.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.71 грн
10+	387.19 грн
100+	275.54 грн
480+	245.34 грн
1200+	223.45 грн
2640+	219.67 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC16650CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	684.25 грн
5+	635.13 грн
10+	586.01 грн
50+	498.55 грн
100+	418.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	961.74 грн
10+	855.98 грн
100+	736.02 грн
480+	611.47 грн
1200+	571.46 грн
2640+	562.40 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200CWQ

Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	961.74 грн
10+	855.98 грн
100+	700.54 грн
3000+	546.55 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 220A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	613.96 грн
5+	573.31 грн
10+	532.66 грн
50+	453.72 грн
100+	380.35 грн
250+	364.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC208006Q

WNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D001200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0212006Q

WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0212006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 26A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

WNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D021200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape
Technology: SiC
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 3A
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 18A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D03650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 4561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.66 грн
10+	79.97 грн
100+	53.80 грн
500+	39.97 грн
1000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.87 грн
10+	84.38 грн
100+	48.62 грн
500+	39.86 грн
1000+	34.88 грн
2000+	32.46 грн
5000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.22 грн
500+	37.67 грн
1000+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 10503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.35 грн
10+	89.33 грн
100+	60.42 грн
500+	45.09 грн
1000+	41.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.71 грн
12+	74.86 грн
100+	50.22 грн
500+	37.67 грн
1000+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650TJ

Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.40 грн
10+	87.22 грн
100+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D04650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.00 грн
50+	63.85 грн
100+	57.13 грн
500+	42.54 грн
1000+	38.98 грн
2000+	35.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D0512006Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D051400D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 5198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.57 грн
10+	108.60 грн
100+	74.24 грн
500+	55.88 грн
1000+	51.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.90 грн
10+	110.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.45 грн
10+	105.04 грн
100+	62.96 грн
500+	53.37 грн
1000+	44.54 грн
2000+	41.14 грн
5000+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.58 грн
12+	75.28 грн
100+	58.94 грн
500+	48.12 грн
1000+	42.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.72 грн
10+	120.00 грн
100+	82.47 грн
500+	62.35 грн
1000+	57.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	51.06 грн
100+	50.98 грн
500+	47.26 грн
1000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.98 грн
500+	47.26 грн
1000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D06650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.47 грн
18+	49.62 грн
100+	48.78 грн
500+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	63.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 7463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.42 грн
10+	129.67 грн
100+	89.54 грн
500+	67.93 грн
1000+	62.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.26 грн
10+	140.64 грн
100+	99.65 грн
500+	83.79 грн
1000+	76.24 грн
2000+	73.90 грн
5000+	65.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.00 грн
10+	137.19 грн
100+	110.09 грн
500+	73.52 грн
1000+	61.19 грн
2000+	59.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.18 грн
50+	96.91 грн
100+	88.40 грн
500+	68.74 грн
1000+	64.11 грн
2000+	63.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650Q
Код товару: 203152

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	90.61 грн
12+	74.95 грн
100+	64.36 грн
500+	59.68 грн
1000+	55.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.36 грн
500+	59.68 грн
1000+	55.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D08650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200-A6Q

WNSC2D101200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D1012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200BT26J

WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.51 грн
10+	148.45 грн
100+	95.12 грн
480+	86.81 грн
1200+	77.75 грн
2640+	73.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	381.92 грн
10+	267.60 грн
100+	199.01 грн
500+	166.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	372.54 грн
10+	309.05 грн
100+	216.66 грн
250+	205.33 грн
600+	193.25 грн
1200+	165.32 грн
3000+	156.26 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

на замовлення 2277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.78 грн
10+	245.97 грн
100+	176.90 грн
600+	138.92 грн
1200+	135.12 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D101200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.88V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 72A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

на замовлення 4704 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.99 грн
10+	145.85 грн
100+	90.59 грн
500+	72.09 грн
800+	64.77 грн
2400+	61.52 грн
4800+	59.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.54 грн
500+	80.99 грн
1000+	66.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 2.2V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	209.17 грн
10+	134.65 грн
100+	96.54 грн
500+	80.99 грн
1000+	66.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650BJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 8768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.86 грн
10+	162.93 грн
100+	113.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	78.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.58 грн
500+	71.79 грн
1000+	60.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.37 грн
10+	116.02 грн
100+	83.58 грн
500+	71.79 грн
1000+	60.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650DJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 7081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.98 грн
10+	153.81 грн
100+	107.24 грн
500+	81.98 грн
1000+	75.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	205.78 грн
10+	115.17 грн
100+	105.01 грн
500+	81.78 грн
1000+	74.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.92 грн
10+	125.01 грн
100+	79.26 грн
500+	66.88 грн
1000+	56.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.76 грн
50+	112.87 грн
100+	103.20 грн
500+	80.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.92 грн
10+	149.04 грн
100+	117.71 грн
500+	97.51 грн
1000+	79.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.71 грн
500+	97.51 грн
1000+	79.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.58 грн
10+	166.78 грн
100+	116.84 грн
500+	89.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.48 грн
30+	124.11 грн
120+	103.51 грн
510+	82.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.75 грн
10+	137.16 грн
100+	95.12 грн
600+	79.26 грн
1200+	67.49 грн
3000+	64.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	202.39 грн
10+	170.21 грн
100+	104.16 грн
500+	83.35 грн
1000+	76.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.99 грн
10+	160.90 грн
100+	143.96 грн
500+	103.01 грн
1000+	82.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D10650XQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.58 грн
10+	176.30 грн
100+	129.28 грн
500+	101.92 грн
1000+	100.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D12650TJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200BT26J

WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	359.06 грн
10+	223.57 грн
100+	201.55 грн
500+	166.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	528.34 грн
30+	301.28 грн
120+	261.93 грн
510+	221.36 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	497.60 грн
10+	421.04 грн
100+	305.73 грн
250+	298.18 грн
600+	269.50 грн
1200+	231.00 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D151200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.95V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 102A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.73 грн
10+	272.59 грн
100+	188.72 грн
250+	186.46 грн
480+	169.10 грн
960+	150.22 грн
2880+	138.90 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	324.19 грн
30+	186.92 грн
120+	157.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.52 грн
10+	155.82 грн
100+	143.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D16650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.36 грн
240+	207.48 грн
1200+	137.39 грн
2640+	129.84 грн
5040+	127.58 грн
10080+	125.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200-A6Q

WNSC2D201200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D2012006Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200BT26J

WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200BT26J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D201200CW-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	685.94 грн
5+	519.96 грн
10+	418.34 грн
50+	369.58 грн
100+	334.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 72A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200CWQ

Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200TB6J

SiC Schottky Diodes WNSC2D201200TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D201200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-B6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W-B6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	329.42 грн
10+	242.20 грн
100+	194.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 125A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	707.11 грн
5+	616.50 грн
10+	525.89 грн
50+	449.01 грн
100+	307.04 грн
250+	271.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D201200WQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

на замовлення 2391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	661.44 грн
10+	436.66 грн
100+	323.65 грн
600+	269.83 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CJQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.29 грн
10+	343.78 грн
100+	234.02 грн
480+	165.32 грн
960+	163.81 грн
2880+	127.58 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	320.95 грн
10+	211.71 грн
100+	179.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.49 грн
30+	208.17 грн
120+	176.42 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.63 грн
10+	216.16 грн
100+	144.94 грн
480+	127.58 грн
1200+	109.46 грн
2640+	103.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D20650CWQ

WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D251200W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC2D251200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D251700W6Q

WNSC2D251700W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CW6Q

WNSC2D301200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 102A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301400CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D301400W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650CWQ

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	569.17 грн
30+	318.68 грн
120+	268.26 грн
510+	221.56 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	550.38 грн
30+	306.97 грн
120+	258.06 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D30650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	478.46 грн
10+	418.34 грн
100+	347.20 грн
500+	288.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CWQ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200CWQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 125A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 40A
Max. load current: 80A
Max. forward impulse current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D401200W6Q

Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200CW6Q

WNSC2D501200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	973.02 грн
5+	738.44 грн
10+	597.02 грн
50+	531.57 грн
100+	480.52 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D501200W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 50A
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 420A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2D601200W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M100065B76J

WNSC2M100065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M100065W6Q

WNSC2M100065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12065R6Q

WNSC2M12065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 152.8A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 1071W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 19.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 321nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M12120TB6J

WNSC2M12120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B7-A6J

WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20.3A; Idm: 58A; 231W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20.3A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 231W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R6Q

WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120TB6J

WNSC2M150120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W-A6Q

WNSC2M150120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16.5A; Idm: 46A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M150120W6Q

WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7-AJ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M1K0170B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7J

WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170B7J

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170JQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

SiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

480+	215.77 грн

Мінімальне замовлення: 480

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M1K0170WQ

Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20065B76J

WNSC2M20065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20065TB6J

WNSC2M20065TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B7-A6J

WNSC2M20120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120B76J

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 109.2A; Idm: 300A; 789W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 109.2A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 789W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 27.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R-A6Q

WNSC2M20120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M20120TB6J

***PLEASE NOTE: Part is not fully released, so DC price not ready yet, and we can accept 90pcs as sample order moment.***

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M25065B76J

WNSC2M25065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M25065R6Q

WNSC2M25065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30065B76J

WNSC2M30065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30065R6Q

WNSC2M30065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30065W6Q

WNSC2M30065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120B7-A6J

WNSC2M30120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120B76J

WNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M30120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75.2A; Idm: 200A; 652W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75.2A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 652W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B7-A6J

WNSC2M40120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B76J

WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120TB6J

WNSC2M40120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120W6Q

SiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET in a TO-247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40120W6Q

WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M40140R6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M40140R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M43065B76J

WNSC2M43065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M43065R6Q

WNSC2M43065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M43065W6Q

WNSC2M43065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065B76J

SiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065B76J

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M45065W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M55065R6Q

WNSC2M55065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B7-A6J

WNSC2M60120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120B76J

WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120R-A6Q

WNSC2M60120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120W-A6Q

WNSC2M60120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M60120W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M70065R6Q

WNSC2M70065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M70065W6Q

WNSC2M70065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B7-A6J

SiC MOSFETs WNSC2M75120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B76J

WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120B76J

SiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120R-A6Q

WNSC2M75120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120R6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120W6Q

WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC2M75120W6Q

SiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC401200CWQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1228.76 грн
5+	933.22 грн
10+	850.23 грн
50+	746.25 грн
100+	675.05 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D046506Q

WeEn Semiconductors WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650D6J

WNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650T6J

Silicon Carbide Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D04650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D066506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650X6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D06650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D086506Q

WNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D08650X6Q

WNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D106506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. load current: 19A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650D6J

WNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650W-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D10650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D126506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D12650Y6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D16650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.99 грн
10+	148.20 грн
100+	117.71 грн
500+	84.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D206506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650CJ6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650W6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.16 грн
10+	165.13 грн
100+	131.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.21 грн
5+	132.11 грн
25+	117.17 грн
100+	105.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D20650X6Q

на замовлення 924 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	191.05 грн
5+	164.63 грн
25+	140.60 грн
100+	126.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D208006Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650CW6Q

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC5RACK

Struxure Ware 5 Rack Installation Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D01650MBJ

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D02650D-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D02650P6X

SiC Schottky Diodes WNSC6D02650P/SOD123/REEL 7" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D046506Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.34 грн
10+	105.91 грн
100+	63.49 грн
500+	53.82 грн
1000+	44.84 грн
2000+	41.44 грн
5000+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D04650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	118.56 грн
10+	98.23 грн
100+	78.33 грн
500+	65.50 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650D6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650D6J

WNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.73 грн
10+	116.86 грн
100+	107.55 грн
500+	89.64 грн
1000+	70.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 9011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.44 грн
10+	118.93 грн
100+	95.12 грн
1000+	80.77 грн
2000+	66.58 грн
5000+	66.51 грн
10000+	66.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Y6Q

WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D06650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650D6J

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.67 грн
10+	147.58 грн
100+	119.27 грн
1000+	100.40 грн
2000+	94.36 грн
5000+	90.59 грн
10000+	89.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.21 грн
10+	141.42 грн
100+	131.26 грн
500+	103.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D08650X6Q

WNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D106506Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D106506Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 85A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.65V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650D6J

WNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.32 грн
50+	135.74 грн
100+	124.74 грн
500+	96.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	253.20 грн
10+	146.50 грн
100+	127.03 грн
500+	91.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.57 грн
10+	149.32 грн
100+	112.48 грн
500+	94.36 грн
1000+	83.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Q

WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650T6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650X6Q

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Y6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D10650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D10650Y6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. load current: 18A
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.65 грн
50+	184.29 грн
100+	167.96 грн
500+	130.77 грн
1000+	123.37 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D166506Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.10 грн
10+	276.92 грн
100+	239.66 грн
500+	207.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	144.75 грн
1600+	138.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	382.98 грн
10+	245.81 грн
100+	175.90 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Max. load current: 32A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D16650CW6Q

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.23 грн
30+	214.75 грн
120+	178.11 грн
510+	141.94 грн
1020+	135.44 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D206506Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	630.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	385.43 грн
10+	259.42 грн
100+	193.30 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	680.86 грн
10+	655.45 грн
100+	630.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 40A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.30 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650B6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650BT2-A6J

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CJ6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW-A6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V

на замовлення 451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	392.78 грн
30+	228.30 грн
120+	193.68 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650CW6Q

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.82 грн
10+	218.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650W6Q

WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 155A
Kind of package: tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.32 грн
10+	296.39 грн
100+	290.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650WQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	567.53 грн
30+	317.06 грн
120+	266.61 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D20650X6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650CW6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D30650W6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	382.23 грн
10+	250.02 грн
100+	172.87 грн
480+	153.24 грн
1200+	131.35 грн
2640+	123.80 грн

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D40650CW-A6Q

SiC Schottky Diodes WNSC6D40650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D40650CW6Q

WNSC6D40650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D50650W6Q

Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D50650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSC6D60650W6Q

WNSC6D60650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCCAPADM

Development Software Data Center Capacity Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESOSTRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRM

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREALRT

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBASE

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Base Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREBMS

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREDAY

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREMIG

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESRETRAIN

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESREVS

Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESSUCORE

Schneider Electric

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCESSUCORE

Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXCADM

Development Software Data Center Expert Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCISXOADM

Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120W6Q

MOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120W6Q

WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM160120WQ

MOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

MOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120R6Q

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

MOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120RQ

Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120W6Q

MOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120W6Q

N-Channel Silicon Carbide MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

MOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCM80120WQ

Description: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCRCAPADM

Calibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Capacity Administration Training

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

WNSCRISXEADM