Продукція > WNS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WNs | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| WNS-032-0 | PEM | Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS-0420-0 | PEM | Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS-632-0 | PEM | Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS-832-0 | PEM | Mounting Fixings WELD NUT, STAINLESS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS14Q575-FC | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| WNS20H100C | Ween | Dual power Schottky diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20H100C | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20H100CB | Ween | plastic single-ended surface-mounted package rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 198A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 750mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.7V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 180A Kind of package: reel; tape | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13 | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | Ween | WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 198A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 750mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20H100CQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 8628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.7V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 180A Kind of package: tube | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | на замовлення 4345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20H100CQ | Ween | WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20H100CQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 198A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 750mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13 | на замовлення 6799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | Ween | Dual Power Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20S100CQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.8V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | на замовлення 3844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CQ | Ween | Dual Power Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20S100CQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 5861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CXQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20S100CXQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS20S100CXQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220FP; Ufmax: 0.95V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220FP Max. forward voltage: 0.95V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 120A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20S100CXQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS20S100CXQ | Ween | WNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS30H100C | Ween | plastic single-ended surface-mounted package rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS30H100CB | Ween | plastic single-ended surface-mounted package rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Dual Power Schottky Diode | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape Max. off-state voltage: 100V Max. load current: 30A Max. forward voltage: 0.67V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 330A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: D2PAK | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13 | на замовлення 4568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 5562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS30H100CQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.67V Max. off-state voltage: 100V Max. load current: 30A Max. forward voltage: 0.67V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 330A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Case: TO220AB | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS30H100CQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | на замовлення 7374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS30H100CQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 12632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS32702 | на замовлення 481 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| WNS40100CQ Код товару: 195265
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WNS40100CQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.64V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 330A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultrafast switching | на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40100CQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 3155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40100CQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 14995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100C | WeEn Semiconductors | WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100C | Ween | plastic single-ended surface-mounted package rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100C,127 | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100C,127 | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100CB | Ween | plastic single-ended surface-mounted package rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100CB | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.68V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 380A Kind of package: reel; tape | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 418 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 710 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13 | на замовлення 4703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 4843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ Код товару: 203131
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | Ween | WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CGQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100CGQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-262 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100CGQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; I2PAK; Ufmax: 0.68V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: I2PAK Max. forward voltage: 0.68V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 380A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNS40H100CQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.68V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.68V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 380A Kind of package: tube | на замовлення 733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNS40H100CQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220E Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V | на замовлення 2846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC010102 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Basic Administration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010103 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Advanced Administration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010104 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Alarm Threshold Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010105 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Alarm Action Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010106 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Alarm Profile Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010107 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Remote Management Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010108 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Network Management Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010109 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Building Management Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010110 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Surveillance Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010111 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Device Identification | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010203 | American Power Conversion | Data Center Operation Floor Layout Creation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010210 | American Power Conversion | Data Center Operation Labeling Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010212 | American Power Conversion | Data Center Operation Installation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010213 | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Additional Module Installation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010213 | American Power Conversion | Data Center Operation Additional Module Installation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010214 | American Power Conversion | Data Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010215 | American Power Conversion | Data Center Expert Standard Support Software Contract | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010216 | American Power Conversion | StruxureWare Portal Configuration | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010401 | APC by Schneider Electric | Software Data Center Expert Post Configuration Review | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC010402 | American Power Conversion | Data Center Capacity Post Configuration Review | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC0112 | Schneider Electric | Racks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC0112 | American Power Conversion | IT 5 Rack Management Solution | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC021200Q | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC021200Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC021200Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC04650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC04650T6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC04650T6J | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC04650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC04650T6J | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC051200Q | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC051200Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC06650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC06650T6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC06650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC06650T6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC06650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC08 | APC by Schneider Electric | Software ITA Base Remote Software Installation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC08650T6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC08650T6J | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | на замовлення 2876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC08650T6J | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC09 | APC by Schneider Electric | Software ITA Base Onsite Software Installation | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200CWQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC101200CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200CWQ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC101200Q | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200WQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200WQ | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC101200WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC101200WQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC10650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC10650T6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC10650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC10650T6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC10650WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC10650WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC10650WQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC12 | APC by Schneider Electric | Specialist Controllers Remote System Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC12650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC12650T6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC12650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC12650T6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC12650TJ | Ween | Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC12650TJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC12650TJ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Diode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC12650WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC12650WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2 | на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC12650WQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC12650WQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC13 | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC14 | Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC16650CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC16650CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC16650CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC16650CWQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC16650CWQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 48A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC201200CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC201200CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC201200CWQ | WeEn Semiconductors | Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC201200CWQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC201200CWQ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC201200WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 52nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC201200WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC201200WQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 220A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 20A Max. forward voltage: 1.4V Max. load current: 40A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC201200WQ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC201200WQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC208006Q | Ween | WNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D001200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D0212006Q | Ween | WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D0212006Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | Ween | WNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D021200D6J | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 26A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D03650MBJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D03650MBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D03650MBJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape Technology: SiC Case: SMB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 18A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 3A Max. load current: 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D03650MBJ | Ween | WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D03650MBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 4667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650DJ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650DJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650DJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V Technology: SiC Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A Max. forward voltage: 2.2V Max. load current: 8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650Q | Ween | WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Technology: SiC Case: DFN8x8N Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | Ween | Diode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 10503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650XQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650XQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D04650XQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube Technology: SiC Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D04650XQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D0512006Q | Ween | Silicon Carbide Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D0512006Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube Technology: SiC Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 5A Max. load current: 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D0512006Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D0512006Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D051200D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D051200D6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D051200D6J | Ween | Silicon Carbide Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D051200D6J | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 45A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 5A Max. load current: 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D051400D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650DJ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650DJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650DJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 36A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650DJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 6497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: NO Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650TJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Technology: SiC Case: DFN8x8N Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 36A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650TJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650XQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650XQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650XQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Technology: SiC Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D06650XQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D06650XQ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D08650DJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D08650DJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 48A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D08650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 7463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D08650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D08650Q Код товару: 203152
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WNSC2D08650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: NO Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D08650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D08650Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D08650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D08650TJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D08650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D08650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D08650TJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Technology: SiC Case: DFN8x8N Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 48A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D08650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D101200-A6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2D101200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D1012006Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D1012006Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200BT26J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200BT26J | Ween | WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200CW6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D101200D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200D6J | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 80A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200D6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200W-A6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200W6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200WQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 72A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A Max. forward voltage: 1.88V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D101200WQ | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D101200WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D101200WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D101200WQ | WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650BJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 8768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650BJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650BJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Technology: SiC Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A Max. forward voltage: 2.2V Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650BJ | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | на замовлення 4736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650BJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650BJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650BJ | Ween | WNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650DJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650DJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 7085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650DJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650DJ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650DJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650DJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: NO Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650TJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650TJ | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Technology: SiC Case: DFN8x8N Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650WQ | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D10650XQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650XQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube Technology: SiC Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650XQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D10650XQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D12650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D12650TJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D12650TJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D151200BT26J | Ween | WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D151200BT26J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D151200W6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D151200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D151200WQ | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D151200WQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 102A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 15A Max. forward voltage: 1.95V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D151200WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 35nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D151200WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V | на замовлення 4259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D16650CJQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-3PF Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D16650CJQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D16650CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D16650CWQ | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D16650CWQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 48A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 8A x2 Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 16A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D16650CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200-A6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2D201200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D2012006Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D2012006Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200BT26J | Ween | WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200BT26J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CW-A6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D201200CW-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CW6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CW6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 80A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CWQ | Ween | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200CWQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 72A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200TB6J | WeEn Semiconductors | WNSC2D201200TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200W-A6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D201200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200W-B6Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D201200W-B6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200W6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200WQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 20A Max. forward voltage: 2.1V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200WQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D201200WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 39nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D201200WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CJQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-3PF Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CJQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CJQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF Technology: SiC Case: SOT1293; TO3PF Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CJQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-3PF Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CWQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CWQ | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D20650CWQ | Ween | WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D251200W6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2D251200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200CW6Q | Ween | WNSC2D301200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200CWQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 102A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 15A x2 Max. load current: 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200W6Q | Ween | Silicon Carbide Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200W6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301400CW6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D301400W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D30650CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D30650CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D30650WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 48nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D30650WQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D30650WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D30650WQ | Ween | WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200CW6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200CWQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 20A x2 Max. load current: 40A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200W6Q | Ween | WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200W6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D401200W6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 350A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 40A Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 80A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D501200CW6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2D501200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D501200W6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 420A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.2kV Type of diode: Schottky rectifying Load current: 50A Max. forward voltage: 2.5V Max. load current: 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D501200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D501200W6Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 125nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2D501200W6Q | Ween | WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2D601200W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M12120R6Q | Ween | WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M12120R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M12120R6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 152.8A Pulsed drain current: 430A Power dissipation: 1071W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 19.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 321nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120B7-A6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120B76J | Ween | WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120B76J | WeEn Semiconductors | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20.3A; Idm: 58A; 231W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20.3A Pulsed drain current: 58A Power dissipation: 231W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 233mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120B76J | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120R6Q | Ween | WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120W6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120W6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16.5A; Idm: 46A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16.5A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 233mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M150120W6Q | Ween | WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170B7-AJ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M1K0170B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170B7J | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170B7J | Ween | WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170JQ | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170WQ | WeEn Semiconductors | Description: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V Power Dissipation (Max): 79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170WQ | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170WQ | Ween | WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC2M1K0170WQ | WeEn Semiconductors | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 79W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20065B76J | WeEn Semiconductors | WNSC2M20065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20065TB6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M20065TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120B7-A6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M20120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120B76J | Ween | WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120B76J | WeEn Semiconductors | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 109.2A; Idm: 300A; 789W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 109.2A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 789W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 27.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 215nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120B76J | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120R6Q | Ween | WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120R6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 94A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 750W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -12...22V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M20120TB6J | Ween | ***PLEASE NOTE: Part is not fully released, so DC price not ready yet, and we can accept 90pcs as sample order moment.*** | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M25065R6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M25065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M30065R6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M30065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M30065W6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M30065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M30120B7-A6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M30120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M30120B76J | Ween | WNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M30120R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M30120R6Q | Ween | WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120B7-A6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M40120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120B76J | Ween | WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120B76J | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120B76J | WeEn Semiconductors | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 61A; Idm: 170A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 61A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 500W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120R6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 52A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 405W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -12...22V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120R6Q | Ween | WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120TB6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M40120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120W6Q | Ween | WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40120W6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M40140R6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers N-Channel Silicon Carbide MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M43065B76J | WeEn Semiconductors | WNSC2M43065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M43065R6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M43065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M43065W6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M43065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M45065B76J | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M45065B76J | WeEn Semiconductors | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 181A; 484W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Pulsed drain current: 181A Power dissipation: 484W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M45065B76J | Ween | N-Channel Silicon Carbide MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M45065R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M45065W6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M55065R6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M55065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M60120B7-A6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M60120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M60120B76J | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M60120B76J | Ween | WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M60120R-A6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M60120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M60120R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M60120W-A6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M60120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M60120W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M70065R6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M70065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M70065W6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M70065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120B7-A6J | WeEn Semiconductors | WNSC2M75120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120B76J | Ween | WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120B76J | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120R-A6Q | WeEn Semiconductors | WNSC2M75120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120R6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120R6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38.1A; Idm: 100A; 366W Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 38.1A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 366W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 62nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120W6Q | Ween | WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC2M75120W6Q | WeEn Semiconductors | SiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC401200CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 86nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC401200CWQ | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC401200CWQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 40A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D046506Q | WeEn Semiconductors | WeEn Semiconductors WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D04650D6J | Ween | WNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D04650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D04650T6J | Ween | Silicon Carbide Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D066506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D06650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D06650X6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D06650X6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D06650Y6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D086506Q | Ween | WNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D08650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D08650X6Q | Ween | WNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D106506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D10650D6J | Ween | WNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D10650D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D10650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D126506Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D126506Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D12650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D12650Y6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D16650CW6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D206506Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D206506Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC5D20650CJ6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D20650W6Q | Ween | WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D20650W6Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC5D20650W6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D20650W6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 40A Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D20650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D20650X6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 40A Max. forward voltage: 2.2V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220FP-2 | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC5D208006Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D30650CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D30650CW6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5D30650W6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC5RACK | American Power Conversion | Struxure Ware 5 Rack Installation Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D01650MBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D01650MBJ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D01650MBJ | Ween | WNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D02650D-A6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D02650P6X | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D02650P/SOD123/REEL 7" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D046506Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D046506Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.55V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 36A Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D04650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D04650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D06650D6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D06650D6J | Ween | WNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D06650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D06650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 9011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D06650Q | Ween | WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D06650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D06650Y6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D06650Y6Q | Ween | WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D08650D6J | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D08650Q | Ween | WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D08650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D08650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D08650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D08650X6Q | Ween | WNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D10650BT2-A6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D10650D6J | Ween | WNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D10650Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D10650Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D10650Q | Ween | WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D10650Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D10650T6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D10650T6J | Ween | WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D10650T6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D166506Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D166506Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D166506Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D16650B6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D16650B6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D16650B6J | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 16A; reel,tape Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 32A Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 110A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Case: D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D16650CW6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 32A Max. forward voltage: 1.65V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 110A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D16650CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650-A6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650B6J | Ween | WNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650B6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D20650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650B6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650B6J | WeEn Semiconductors | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 40A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Case: D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650B6J | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V | на замовлення 4518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650BT2-A6J | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D20650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650CJ6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650CW-A6Q | WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650CW6Q | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650CW6Q | WeEn Semiconductors | Description: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650W6Q | Ween | WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650WQ | WeEn Semiconductors | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650WQ | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 155A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D20650WQ | WEEN SEMICONDUCTORS | Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 65nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D20650X6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D30650CW-A6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D30650CW6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D30650W6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WNSC6D40650CW-A6Q | WeEn Semiconductors | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 140A Kind of package: tube Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D40650CW-A6Q | WeEn Semiconductors | SiC Schottky Diodes WNSC6D40650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSC6D40650CW6Q | Ween | WNSC6D40650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCCAPADM | APC by Schneider Electric | Development Software Data Center Capacity Administrator Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESOSTRAIN | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESREALRM | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESREALRT | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESREBASE | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Base Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESREBMS | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESREDAY | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESREMIG | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESRETRAIN | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESREVS | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCESSUCORE | Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCISXCADM | APC by Schneider Electric | Development Software Data Center Expert Administrator Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCISXOADM | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM160120W6Q | WeEn Semiconductors | MOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM160120W6Q | Ween | WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM160120WQ | WeEn Semiconductors | MOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM160120WQ | Ween | WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM160120WQ | WeEn Semiconductors | Description: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 155W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120R6Q | Ween | WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120R6Q | WeEn Semiconductors | MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120RQ | WeEn Semiconductors | MOSFET WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120RQ | WeEn Semiconductors | Description: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 270W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120RQ | Ween | WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120W6Q | Ween | N-Channel Silicon Carbide MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120W6Q | WeEn Semiconductors | MOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120WQ | WeEn Semiconductors | MOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120WQ | Ween | WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCM80120WQ | WeEn Semiconductors | Description: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 230W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCRCAPADM | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Capacity Administration Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCRISXEADM | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Remote Data Center Expert Administrator Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSCRISXOADM | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Administration Training | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWACS10DDF | Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Expedited DDF Creation Service 10 DDF Pack | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWACS20DDF | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Expedited DDF Creation Service 20 Device Pack | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWACS30HR | APC by Schneider Electric | Development Software ACS Professional Custom Software Development 30 Hours | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWACSTPM | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans Technical Project Management Services | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWDCIMCUSTOM | Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Service | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWDCIMCUSTOMH | Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Custom Services | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWDCIMCUSTOMR | Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Service ROW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWSERVICE | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Services | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| WNSWSERVICEH | APC by Schneider Electric | Calibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Custom Services | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |