Продукція > WNs

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
WNs
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-032-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.21 грн
14+27.45 грн
100+19.16 грн
500+17.24 грн
1000+15.97 грн
2000+15.57 грн
10000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-0420-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.34 грн
10+57.66 грн
100+40.08 грн
500+37.76 грн
1000+32.01 грн
10000+30.66 грн
25000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-632-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.03 грн
22+17.26 грн
100+12.06 грн
500+10.86 грн
1000+10.06 грн
2000+9.82 грн
10000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-832-0PEMMounting Fixings WELD NUT, STAINLESS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-SET-MFTBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; for multifunctional tables; 2pcs.
Type of tool: clamp
Tools application: for multifunctional tables
Quantity in set/package: 2pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6844.80 грн
3+6374.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNS-SET-MFTBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; for multifunctional tables; 2pcs.
Type of tool: clamp
Tools application: for multifunctional tables
Quantity in set/package: 2pcs.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5704.00 грн
3+5115.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNS14Q575-FC
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CWeenDual power Schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CWeEn SemiconductorsWeEn Semiconductors WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.63 грн
10+62.70 грн
100+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.46 грн
10+63.17 грн
100+36.17 грн
500+28.66 грн
800+26.51 грн
4800+25.23 грн
9600+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.86 грн
10+47.07 грн
100+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.14 грн
15+63.14 грн
100+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeenWNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.83 грн
10+58.66 грн
100+38.22 грн
500+29.74 грн
800+27.74 грн
1600+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeenWNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.99 грн
11+30.78 грн
50+25.35 грн
100+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20H100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 198A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.57 грн
26+35.02 грн
100+31.08 грн
500+20.62 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 8528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.68 грн
50+40.42 грн
100+35.86 грн
500+26.14 грн
1000+23.72 грн
2000+21.69 грн
5000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.50 грн
11+35.53 грн
100+27.46 грн
500+21.32 грн
1000+19.32 грн
2000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.82 грн
17+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+25.26 грн
1600+22.36 грн
2400+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.28 грн
10+55.91 грн
100+32.17 грн
500+25.31 грн
800+22.83 грн
2400+20.84 грн
4800+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.13 грн
10+56.63 грн
100+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeenDual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWeEn SemiconductorsWNS20S100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.98 грн
40+30.24 грн
108+28.54 грн
4800+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS20S100CQ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+67.44 грн
26+34.57 грн
100+31.08 грн
500+21.12 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.91 грн
50+31.62 грн
100+28.38 грн
500+21.17 грн
1000+19.37 грн
2000+17.84 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeenDual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeEn SemiconductorsWNS20S100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.41 грн
42+28.44 грн
115+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.67 грн
11+35.26 грн
100+27.54 грн
500+21.87 грн
1000+19.96 грн
2000+18.36 грн
5000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeenWNS20S100CX/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1142+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 1142
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CXQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.12 грн
10+84.47 грн
100+48.94 грн
500+33.13 грн
800+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.67 грн
10+76.48 грн
100+49.00 грн
500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.22 грн
10+76.51 грн
100+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 330A
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.89 грн
10+61.37 грн
100+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.94 грн
1600+32.04 грн
2400+30.73 грн
4000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDual Power Schottky Diode
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+53.61 грн
1000+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 597
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS30H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 7379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.84 грн
10+61.42 грн
100+46.30 грн
500+37.52 грн
1000+34.17 грн
2000+31.46 грн
5000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 12617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
50+55.90 грн
100+49.85 грн
500+36.82 грн
1000+33.62 грн
2000+30.93 грн
5000+27.55 грн
10000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.67V
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.67V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 330A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS32702
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40100C/TO220/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.70 грн
10+74.92 грн
100+45.59 грн
500+36.88 грн
1000+34.09 грн
2000+31.61 грн
5000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.18 грн
10+48.81 грн
50+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 14995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.09 грн
10+69.36 грн
100+48.63 грн
500+36.90 грн
1000+34.04 грн
2000+31.62 грн
5000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.15 грн
11+39.17 грн
50+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40100CQ
Код товару: 195265
Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CWeEn Semiconductors WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40H100C/SIL3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBWeenplastic single-ended surface-mounted package rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeenWNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD,REEL 13
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.17 грн
10+110.17 грн
100+65.07 грн
500+56.12 грн
800+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.23 грн
10+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.36 грн
10+100.29 грн
100+68.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJ
Код товару: 203131
Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.83 грн
500+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.11 грн
1600+47.20 грн
2400+45.19 грн
4000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNS40H100CBJ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 418
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 710
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.13 грн
10+122.70 грн
100+95.83 грн
500+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.28 грн
10+99.90 грн
100+66.96 грн
500+50.70 грн
800+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CGQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Common Cathode Power Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CGQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; I2PAK; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: I2PAK
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CGQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.78 грн
10+72.35 грн
100+57.00 грн
500+46.38 грн
1000+42.95 грн
2000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.96 грн
10+51.56 грн
50+44.91 грн
100+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 20A TO220E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220E
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.77 грн
50+74.50 грн
100+66.77 грн
500+49.92 грн
1000+45.82 грн
2000+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.68V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.75 грн
10+64.25 грн
50+53.89 грн
100+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010102APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Basic Administration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010103APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Advanced Administration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010104APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Alarm Threshold Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010105APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Alarm Action Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010106APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Alarm Profile Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010107APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Remote Management Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010108APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Network Management Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010109APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Building Management Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010110APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Surveillance Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010111APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Device Identification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010203American Power ConversionData Center Operation Floor Layout Creation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010210American Power ConversionData Center Operation Labeling Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010212American Power ConversionData Center Operation Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010213APC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Additional Module Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010213American Power ConversionData Center Operation Additional Module Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010214American Power ConversionData Center Operation IT Optimize or Power Control Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010215American Power ConversionData Center Expert Standard Support Software Contract
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010216American Power ConversionStruxureWare Portal Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010401APC by Schneider ElectricSoftware Data Center Expert Post Configuration Review
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC010402American Power ConversionData Center Capacity Post Configuration Review
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC0112American Power ConversionIT 5 Rack Management Solution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC0112Schneider ElectricRacks & Rack Cabinets IT 5 Rack Management Solution
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC021200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.87 грн
10+169.85 грн
100+144.50 грн
1000+122.95 грн
2000+117.36 грн
5000+87.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC021200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 10 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.64 грн
10+105.68 грн
100+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200QWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.42 грн
500+50.81 грн
1000+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.01 грн
10+167.10 грн
100+117.36 грн
500+95.80 грн
1000+79.52 грн
3000+75.05 грн
6000+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.08 грн
10+158.34 грн
100+127.23 грн
500+98.10 грн
1000+81.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.08 грн
13+71.20 грн
100+56.42 грн
500+50.81 грн
1000+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC051200Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 13 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.47 грн
10+238.23 грн
100+189.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200QWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.44 грн
10+413.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.43 грн
10+96.72 грн
100+77.02 грн
500+70.11 грн
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.44 грн
10+186.38 грн
100+126.94 грн
500+106.18 грн
1000+93.41 грн
3000+90.21 грн
6000+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.02 грн
500+70.11 грн
1000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08APC by Schneider ElectricSoftware ITA Base Remote Software Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.90 грн
10+236.51 грн
100+193.82 грн
500+154.84 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.08 грн
10+251.56 грн
100+178.83 грн
500+152.49 грн
1000+128.53 грн
3000+122.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC09APC by Schneider ElectricSoftware ITA Base Onsite Software Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.94 грн
5+617.96 грн
10+478.24 грн
50+376.72 грн
100+313.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.05 грн
10+552.70 грн
100+429.51 грн
1000+416.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.06 грн
10+398.54 грн
100+318.83 грн
500+276.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.60 грн
500+143.87 грн
1000+113.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.34 грн
10+238.23 грн
100+183.60 грн
500+143.87 грн
1000+113.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.27 грн
10+284.61 грн
100+202.78 грн
500+172.44 грн
1000+145.30 грн
3000+139.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.90 грн
10+241.46 грн
100+171.65 грн
600+146.10 грн
1200+122.95 грн
5400+122.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.48 грн
10+191.66 грн
100+154.04 грн
500+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12APC by Schneider ElectricSpecialist Controllers Remote System Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.96 грн
10+188.97 грн
100+149.56 грн
500+123.08 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.90 грн
10+194.18 грн
100+142.51 грн
500+112.42 грн
1000+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.56 грн
500+123.08 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeenDiode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+355.80 грн
10+313.99 грн
100+224.34 грн
600+190.81 грн
1200+161.27 грн
3000+154.88 грн
5400+154.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.22 грн
10+226.58 грн
100+180.01 грн
500+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+331.62 грн
10+287.32 грн
100+235.46 грн
500+188.11 грн
1000+165.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC13APC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC14Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.91 грн
10+409.48 грн
100+291.40 грн
480+259.46 грн
1200+236.31 грн
2640+232.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.80 грн
10+288.38 грн
100+250.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.10 грн
10+905.25 грн
100+778.39 грн
480+646.67 грн
1200+604.35 грн
2640+594.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+723.64 грн
5+671.69 грн
10+619.75 грн
50+527.25 грн
100+442.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 220A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.10 грн
10+905.25 грн
100+740.87 грн
3000+578.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.28 грн
5+814.99 грн
10+730.80 грн
50+624.54 грн
100+480.55 грн
250+470.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC208006QWeenWNSC20800/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D001200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0212006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0212006QWeenWNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.67 грн
26+34.75 грн
100+33.58 грн
500+30.10 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeenWNSC2D021200D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.58 грн
500+30.10 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 26A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape
Technology: SiC
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 3A
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 18A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeenWNSC2D03650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.91 грн
500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 4A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.18 грн
10+84.58 грн
100+56.90 грн
500+42.27 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.07 грн
12+81.41 грн
100+53.91 грн
500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.02 грн
11+87.59 грн
100+58.03 грн
500+41.91 грн
1000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 2.2V
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.57 грн
10+89.24 грн
100+51.41 грн
500+42.15 грн
1000+36.88 грн
2000+34.33 грн
5000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeenWNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 10503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.72 грн
10+94.47 грн
100+63.89 грн
500+47.69 грн
1000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeenDiode Schottky SiC 650V 4A 5-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.11 грн
500+39.83 грн
1000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+124.49 грн
12+79.17 грн
100+53.11 грн
500+39.83 грн
1000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.95 грн
50+67.53 грн
100+60.42 грн
500+44.99 грн
1000+41.23 грн
2000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.56 грн
13+73.53 грн
100+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220AC; tube
Technology: SiC
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051400D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 6A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.67 грн
10+114.85 грн
100+78.51 грн
500+59.10 грн
1000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+170.16 грн
10+116.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.00 грн
10+103.89 грн
100+72.01 грн
500+52.14 грн
1000+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.04 грн
10+111.09 грн
100+66.58 грн
500+56.44 грн
1000+47.10 грн
2000+43.51 грн
5000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.81 грн
10+126.90 грн
100+87.22 грн
500+65.94 грн
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.00 грн
100+53.91 грн
500+49.98 грн
1000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.91 грн
500+49.98 грн
1000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.38 грн
18+52.48 грн
100+51.59 грн
500+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 6A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.36 грн
10+137.13 грн
100+94.70 грн
500+71.84 грн
1000+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.35 грн
10+148.73 грн
100+105.38 грн
500+88.62 грн
1000+80.63 грн
2000+78.16 грн
5000+69.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.90 грн
50+102.49 грн
100+93.49 грн
500+72.69 грн
1000+67.80 грн
2000+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.48 грн
10+94.93 грн
100+77.65 грн
500+59.71 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q
Код товару: 203152
Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.06 грн
500+63.12 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.83 грн
12+79.26 грн
100+68.06 грн
500+63.12 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D101200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D1012006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D1012006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200BT26JWeenWNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.89 грн
10+157.00 грн
100+100.59 грн
480+91.81 грн
1200+82.23 грн
2640+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.6V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W-A6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.88V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 72A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+398.54 грн
10+268.68 грн
100+197.03 грн
500+167.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.99 грн
10+326.85 грн
100+229.13 грн
250+217.15 грн
600+204.38 грн
1200+174.84 грн
3000+165.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.39 грн
10+260.13 грн
100+187.08 грн
600+146.91 грн
1200+142.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+221.21 грн
10+142.40 грн
100+102.10 грн
500+85.66 грн
1000+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeenWNSC2D10650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.17 грн
10+154.24 грн
100+95.80 грн
500+76.24 грн
800+68.50 грн
2400+65.07 грн
4800+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 2.2V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.10 грн
500+85.66 грн
1000+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.76 грн
10+172.31 грн
100+120.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.08 грн
10+162.66 грн
100+113.42 грн
500+86.69 грн
1000+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.46 грн
10+145.09 грн
100+109.26 грн
500+88.15 грн
1000+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeenRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.26 грн
500+88.15 грн
1000+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.43 грн
10+132.21 грн
100+83.83 грн
500+71.37 грн
1000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+174.64 грн
10+110.16 грн
100+80.69 грн
500+73.76 грн
1000+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.13 грн
50+119.37 грн
100+109.14 грн
500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.01 грн
500+97.30 грн
1000+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.96 грн
10+160.31 грн
100+120.01 грн
500+97.30 грн
1000+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Technology: SiC
Case: DFN8x8N
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.81 грн
10+176.39 грн
100+123.56 грн
500+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.61 грн
10+120.90 грн
100+95.83 грн
500+82.00 грн
1000+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.17 грн
30+131.26 грн
120+109.47 грн
510+87.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.03 грн
10+143.22 грн
100+99.00 грн
600+83.83 грн
1200+71.37 грн
3000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.09 грн
10+174.64 грн
100+130.76 грн
500+96.47 грн
1000+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.81 грн
10+186.45 грн
100+136.72 грн
500+107.79 грн
1000+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200BT26JWeenWNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.75 грн
30+318.62 грн
120+277.01 грн
510+234.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.86 грн
10+458.54 грн
100+341.22 грн
500+253.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.25 грн
10+445.28 грн
100+323.33 грн
250+315.35 грн
600+285.01 грн
1200+244.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.95V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 102A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+342.85 грн
30+197.68 грн
120+166.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.67 грн
10+288.29 грн
100+199.59 грн
250+197.19 грн
480+178.83 грн
960+158.87 грн
2880+146.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+178.22 грн
10+164.79 грн
100+151.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.66 грн
240+219.43 грн
1200+145.30 грн
2640+137.32 грн
5040+134.92 грн
10080+132.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200-A6QWeEn Semiconductors WNSC2D201200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D2012006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D2012006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200BT26JWeenWNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200CW-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeenRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.43 грн
5+549.89 грн
10+442.42 грн
50+390.86 грн
100+353.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 72A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200TB6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.81 грн
10+246.29 грн
100+192.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 125A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.52 грн
10+461.80 грн
100+342.29 грн
600+285.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+617.06 грн
5+520.34 грн
10+423.61 грн
50+342.63 грн
100+268.68 грн
250+263.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Technology: SiC
Case: SOT1293; TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.18 грн
10+363.57 грн
100+247.49 грн
480+174.84 грн
960+171.65 грн
2880+134.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeenWNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.12 грн
30+220.16 грн
120+186.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.43 грн
10+223.90 грн
100+189.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.49 грн
10+228.61 грн
100+153.28 грн
480+134.92 грн
1200+115.76 грн
2640+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D251200W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D251200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D251700W6QWeEn Semiconductors WNSC2D251700W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CW6QWeenWNSC2D301200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 102A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.46 грн
10+326.89 грн
100+270.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301400CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301400W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.93 грн
30+337.03 грн
120+283.70 грн
510+234.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.07 грн
30+324.64 грн
120+272.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.02 грн
10+284.80 грн
100+221.21 грн
500+201.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWeenWNSC2D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 125A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2068pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 40A
Max. load current: 80A
Max. forward impulse current: 350A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200W6QWeenWNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D401200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D501200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6QWeenWNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.87 грн
5+731.70 грн
10+585.71 грн
50+507.29 грн
100+454.45 грн
250+440.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D501200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 50A
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 420A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D601200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.36 грн
5+560.64 грн
10+463.91 грн
50+395.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M100065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M100065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M100065W6QWeEn Semiconductors WNSC2M100065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M12065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120R6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 152.8A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 1071W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 19.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 321nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120R6QWeenWNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M12120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120B7-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M150120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120B76JWeEn SemiconductorsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 20.3A; Idm: 58A; 231W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20.3A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 231W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120B76JWeenWNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120R6QWeenWNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M150120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120W-A6QWeEn Semiconductors WNSC2M150120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120W6QWeenWNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16.5A; Idm: 46A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M150120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M150120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170B7-AJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M1K0170B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170B7JWeenWNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170B7JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170JQWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170J/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170WQWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170WQWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170WQWeenWNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+228.20 грн
Мінімальне замовлення: 480
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M1K0170WQWeEn SemiconductorsDescription: WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 18V
Power Dissipation (Max): 79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M20065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20065TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M20065TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120B76JWeenWNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120B76JWeEn SemiconductorsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 109.2A; Idm: 300A; 789W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 109.2A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 789W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 27.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6QWeenWNSC2M20120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120TB6JWeen***PLEASE NOTE: Part is not fully released, so DC price not ready yet, and we can accept 90pcs as sample order moment.***
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M25065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M25065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M25065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M25065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M30065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M30065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30065W6QWeEn Semiconductors WNSC2M30065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M30120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120B76JWeenWNSC2M30120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120R6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75.2A; Idm: 200A; 652W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75.2A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 652W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120R6QWeenWNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M30120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M30120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B7-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M40120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120B76JWeenWNSC2M40120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120R6QWeenWNSC2M40120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120TB6JWeEn Semiconductors WNSC2M40120TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120W6QWeenWNSC2M40120W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET in a TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M40140R6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M40140R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M43065B76JWeEn Semiconductors WNSC2M43065B7/TO263-7L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M43065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M43065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M43065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M43065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065B76JWeenN-Channel Silicon Carbide MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M45065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M55065R6QWeEn Semiconductors WNSC2M55065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120B7-A6JWeEn Semiconductors WNSC2M60120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120B76JWeenWNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120R-A6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120W-A6QWeEn Semiconductors WNSC2M60120W-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M60120W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2M60120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M70065R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M70065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M70065W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M70065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120B7-A6JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120B7-A/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120B76JWeenWNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120B76JWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120B7/TO263-7L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120R-A6QWeEn Semiconductors WNSC2M75120R-A/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120R6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120W6QWeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M75120W6QWeenWNSC2M75120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC401200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D401200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC401200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC401200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC401200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 86 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1299.50 грн
5+986.94 грн
10+899.17 грн
50+789.21 грн
100+713.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D046506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D04650D6JWeenWNSC5D04650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D04650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D04650T6JWeenSilicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D066506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650D6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D06650Y6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D086506QWeenWNSC5D08650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D08650D6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D08650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D08650X6QWeenWNSC5D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D106506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650D6JWeenWNSC5D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650W-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D10650X6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D126506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 420pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D126506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D12650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D12650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D12650Y6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D12650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D16650CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.44 грн
10+158.52 грн
100+119.11 грн
500+97.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650CJ6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC5D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWeenWNSC5D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.11 грн
10+183.60 грн
100+140.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.04 грн
5+174.10 грн
25+148.69 грн
100+133.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.37 грн
5+139.71 грн
25+123.91 грн
100+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650X6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D208006QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D20800/SOD59A/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D30650CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D30650CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D30650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC5D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5RACKAmerican Power ConversionStruxure Ware 5 Rack Installation Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D01650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D01650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D01650MBJWeenWNSC6D01650MB/SMB/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D02650D-A6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D02650D-A/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D02650P6XWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D02650P/SOD123/REEL 7" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D046506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.89 грн
10+104.78 грн
100+72.36 грн
500+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.97 грн
10+112.01 грн
100+67.14 грн
500+56.92 грн
1000+47.42 грн
2000+43.83 грн
5000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650D6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650D6JWeenWNSC6D06650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 9011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.75 грн
10+125.78 грн
100+100.59 грн
1000+85.42 грн
2000+70.41 грн
5000+70.33 грн
10000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650QWeenWNSC6D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.09 грн
10+130.76 грн
100+89.11 грн
500+64.37 грн
1000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650Y6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D06650Y6QWeenWNSC6D06650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650QWeenWNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.13 грн
10+128.07 грн
100+94.04 грн
500+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.01 грн
10+156.08 грн
100+126.14 грн
1000+106.18 грн
2000+99.79 грн
5000+95.80 грн
10000+95.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D08650X6QWeenWNSC6D08650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D106506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650BT2-A6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650D6JWeenWNSC6D10650D/TO252/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWeenWNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+318.67 грн
50+143.55 грн
100+131.92 грн
500+101.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.63 грн
10+157.91 грн
100+118.95 грн
500+99.79 грн
1000+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.78 грн
10+154.94 грн
100+134.34 грн
500+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650T6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650T6JWeenWNSC6D10650T/DFN8X8/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650Y6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D10650Y/IITO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D166506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.59 грн
10+263.30 грн
100+211.36 грн
500+187.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D166506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D166506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.76 грн
50+194.90 грн
100+177.63 грн
500+138.30 грн
1000+130.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+153.08 грн
1600+146.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.03 грн
10+259.96 грн
100+186.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.98 грн
30+227.11 грн
120+188.37 грн
510+150.11 грн
1020+143.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D206506QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+187.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+720.05 грн
10+693.19 грн
100+666.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeenWNSC6D20650B/TO263/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.62 грн
10+274.35 грн
100+204.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+666.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650BT2-A6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650BT2-A/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CJ6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CW-A6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D20650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.39 грн
30+241.45 грн
120+204.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650CW6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.20 грн
10+231.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650W6QWeenWNSC6D20650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.20 грн
30+335.31 грн
120+281.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.07 грн
10+355.55 грн
100+299.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650X6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D20650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D30650CW-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D30650CW6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D30650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D30650W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D30650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.23 грн
10+264.41 грн
100+182.82 грн
480+162.07 грн
1200+138.91 грн
2640+130.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D40650CW-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC6D40650CW-A/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D40650CW6QWeenWNSC6D40650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D50650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC6D50650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D60650W6QWeEn Semiconductors WNSC6D60650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCCAPADMAPC by Schneider ElectricDevelopment Software Data Center Capacity Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESOSTRAINAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert On-Site Training Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREALRMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alarm Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREALRTAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Alerting Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREBASEAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Base Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREBMSAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote BMS Integration Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREDAYAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Daily Labor Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREMIGAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote DCE-ITE Migration Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESRETRAINAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Training Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESREVSAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Ecostruxure IT Expert Remote Virtual Sensor Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESSUCOREAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCESSUCORESchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure IT Expert Onboarding Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCISXCADMAPC by Schneider ElectricDevelopment Software Data Center Expert Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCISXOADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans IT Advisor Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120W6QWeenWNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120W6QWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM160120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120WQWeEn SemiconductorsDescription: WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 155W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120WQWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM160120WQWeenWNSCM160120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120R6QWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120R6QWeenWNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120R6QWeEn SemiconductorsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120RQWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120RQWeenWNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120RQWeEn SemiconductorsDescription: WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120W6QWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120W/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120W6QWeenN-Channel Silicon Carbide MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120WQWeEn SemiconductorsDescription: WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 230W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120WQWeEn SemiconductorsMOSFETs WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCM80120WQWeenWNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCRCAPADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Capacity Administration Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCRISXEADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Remote Data Center Expert Administrator Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSCRISXOADMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Remote IT Advisor Administration Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACS10DDFAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Expedited DDF Creation Service 10 DDF Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACS20DDFAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Expedited DDF Creation Service 20 Device Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACS30HRAPC by Schneider ElectricDevelopment Software ACS Professional Custom Software Development 30 Hours
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWACSTPMAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans Technical Project Management Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWDCIMCUSTOMSchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Service
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWDCIMCUSTOMHSchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Custom Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWDCIMCUSTOMRSchneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Service ROW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWSERVICEAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans DCIM Custom Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSWSERVICEHAPC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Custom Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.