Продукція > NTT

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTT04TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - NTT04 - Zeitschalter, 168 h, 16 A, Digital
tariffCode: 91070000
Zeit, max.: 168h
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4151.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT050B18.4320MHZ
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT1020
на замовлення 14942 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2012N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 12MOHM
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.28 грн
10+566.05 грн
100+421.11 грн
500+392.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.27 грн
10+313.36 грн
25+289.81 грн
100+247.65 грн
250+236.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 23MOHM
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.30 грн
10+411.24 грн
800+357.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+249.03 грн
1600+234.44 грн
2400+231.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTT448BD
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT479ACNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTT508ACNLPulse Electronics NetworkDescription: TRANSFORMER SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTT548AJT
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT557AFT
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT571AA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT571AANL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT580AA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTA03AA-CATGBICSDescription: Compatible QSFP28 100G
Packaging: Tray
Connector Type: MPO-12
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, QSFP28
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Gbps
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6948.54 грн
50+6356.95 грн
150+6022.38 грн
1000+5337.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTA03AA-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTA03AA Compatible TAA 100GBase-SR10 CFP Transceiver (MMF, 850nm, 150m, MPO, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LONN
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+71.05 грн
100+47.45 грн
500+35.04 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 9.5/-5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 14/10W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70/186mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6/7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.10 грн
6000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 12875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 110895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.02 грн
10+180.24 грн
100+127.02 грн
500+108.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LCONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiMOSFETs 80V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.16 грн
10+209.59 грн
100+129.09 грн
500+110.45 грн
1000+104.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
10+177.10 грн
100+143.26 грн
500+119.50 грн
1000+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.62 грн
6000+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 11288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
10+177.47 грн
100+125.20 грн
500+107.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.12 грн
10+188.95 грн
100+117.36 грн
500+107.00 грн
1000+105.62 грн
3000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD1D8N02P1EonsemiMOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+98.44 грн
100+58.13 грн
500+46.46 грн
1000+42.59 грн
6000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, 2V @ 310µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+92.36 грн
100+62.75 грн
500+47.02 грн
1000+43.20 грн
3000+38.35 грн
6000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+118.61 грн
100+85.09 грн
500+68.03 грн
1000+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH Power Clip
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.13 грн
10+120.67 грн
100+76.63 грн
500+66.48 грн
1000+60.54 грн
3000+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+98.05 грн
100+69.97 грн
500+53.98 грн
1000+50.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiMOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+117.50 грн
100+69.72 грн
500+67.65 грн
1000+56.33 грн
3000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.30 грн
500+65.96 грн
1000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.92 грн
10+103.09 грн
100+80.30 грн
500+65.96 грн
1000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
на замовлення 20516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.17 грн
100+59.52 грн
500+44.36 грн
1000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.81 грн
6000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiMOSFETs Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiMOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.91 грн
10+124.64 грн
100+74.56 грн
500+61.16 грн
1000+60.54 грн
3000+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+110.34 грн
100+87.79 грн
500+70.75 грн
1000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
10+175.82 грн
100+139.93 грн
500+111.11 грн
1000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.79 грн
500+70.75 грн
1000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 142A
Pulsed drain current: 706A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.03 грн
3000+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+185.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 13170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+58.35 грн
100+39.49 грн
500+31.48 грн
1000+26.58 грн
1500+23.82 грн
3000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 19046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+95.58 грн
100+64.82 грн
500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01ON SemiconductorNTTFS002N04CLTAG-SR01
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+89.15 грн
500+80.23 грн
1000+73.99 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+140.52 грн
100+84.22 грн
500+71.80 грн
1000+59.99 грн
1500+39.76 грн
3000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.94 грн
3000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+40.57 грн
100+22.92 грн
500+17.60 грн
1000+14.01 грн
1500+13.94 грн
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+38.07 грн
100+24.72 грн
500+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+44.27 грн
100+29.77 грн
500+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.65 грн
3000+16.96 грн
4500+16.92 грн
7500+15.64 грн
10500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.16 грн
10+41.20 грн
100+25.34 грн
500+22.02 грн
1000+16.84 грн
1500+14.01 грн
3000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS007P02P8onsemiMOSFETs PT8P 20_8V FROM VANGUARD
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+52.16 грн
100+37.55 грн
500+36.04 грн
1000+34.79 грн
3000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.70 грн
100+22.47 грн
500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.22 грн
3000+13.36 грн
4500+12.71 грн
7500+11.23 грн
10500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.37 грн
500+64.39 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+109.86 грн
100+75.11 грн
500+56.55 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiMOSFETs PFET U8FL -30V 8MO
на замовлення 9311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+118.29 грн
100+70.41 грн
500+56.33 грн
1000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.55 грн
10+120.81 грн
100+85.37 грн
500+64.39 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.01 грн
3000+42.64 грн
4500+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 28109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.36 грн
10+109.56 грн
100+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+78.75 грн
100+57.28 грн
500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]