Продукція > NTT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTT04TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - NTT04 - Zeitschalter, 168 h, 16 A, Digital
tariffCode: 91070000
Zeit, max.: 168h
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4105.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT050B18.4320MHZ
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT1020
на замовлення 14942 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.62 грн
10+309.92 грн
25+286.63 грн
100+244.93 грн
250+233.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3SonsemiSiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 23MOHM
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.88 грн
10+310.93 грн
100+234.19 грн
500+228.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+246.30 грн
1600+231.86 грн
2400+229.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTT448BD
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT479ACNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTT508ACNLPulse Electronics NetworkDescription: TRANSFORMER SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTT548AJT
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT557AFT
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT571AA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT571AANL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT580AA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTA03AA-CATGBICSDescription: Compatible QSFP28 100G
Packaging: Tray
Connector Type: MPO-12
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, QSFP28
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Gbps
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6872.22 грн
50+6287.13 грн
150+5956.23 грн
1000+5279.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTA03AA-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTA03AA Compatible TAA 100GBase-SR10 CFP Transceiver (MMF, 850nm, 150m, MPO, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.27 грн
100+46.93 грн
500+34.65 грн
1000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.76 грн
6000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LONN
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 12875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 110895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.89 грн
10+178.26 грн
100+125.62 грн
500+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LCONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LCONN
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.61 грн
10+190.01 грн
25+164.54 грн
100+133.82 грн
250+133.14 грн
500+118.80 грн
1000+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 20890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.61 грн
10+175.15 грн
100+141.69 грн
500+118.19 грн
1000+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.45 грн
6000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 11288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.52 грн
10+175.52 грн
100+123.83 грн
500+105.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.30 грн
10+186.87 грн
100+116.07 грн
500+105.83 грн
1000+104.46 грн
3000+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 21A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, 2V @ 310µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.24 грн
10+91.35 грн
100+62.06 грн
500+46.50 грн
1000+42.72 грн
3000+37.93 грн
6000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFETs MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH Power Clip
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.28 грн
10+119.35 грн
100+75.79 грн
500+65.75 грн
1000+59.88 грн
3000+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.21 грн
10+117.31 грн
100+84.16 грн
500+67.28 грн
1000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.42 грн
500+65.24 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.24 грн
10+96.97 грн
100+69.20 грн
500+53.39 грн
1000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.41 грн
10+101.96 грн
100+79.42 грн
500+65.24 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiMOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.90 грн
10+112.28 грн
25+96.95 грн
100+70.32 грн
500+58.03 грн
1000+53.05 грн
3000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.37 грн
6000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiMOSFETs Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 20516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.10 грн
10+87.21 грн
100+58.87 грн
500+43.88 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.38 грн
10+109.13 грн
100+86.82 грн
500+69.97 грн
1000+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.37 грн
10+173.89 грн
100+138.39 грн
500+109.89 грн
1000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.82 грн
500+69.97 грн
1000+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiMOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.75 грн
10+106.00 грн
100+69.64 грн
500+57.15 грн
1000+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+168.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 13170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.64 грн
10+57.71 грн
100+39.05 грн
500+31.13 грн
1000+26.29 грн
1500+23.56 грн
3000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.55 грн
3000+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+181.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 19046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.48 грн
10+94.53 грн
100+64.11 грн
500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01ON SemiconductorNTTFS002N04CLTAG-SR01
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+81.36 грн
500+73.22 грн
1000+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.49 грн
3000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.57 грн
10+138.98 грн
100+83.30 грн
500+71.01 грн
1000+59.33 грн
1500+39.33 грн
3000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.59 грн
3000+12.00 грн
4500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.60 грн
10+35.73 грн
100+21.92 грн
500+16.25 грн
1000+12.08 грн
1500+11.54 грн
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+33.80 грн
100+23.37 грн
500+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.50 грн
10+40.75 грн
100+25.06 грн
500+21.78 грн
1000+16.66 грн
1500+13.86 грн
3000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+43.79 грн
100+29.44 грн
500+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.42 грн
3000+16.77 грн
4500+16.74 грн
7500+15.47 грн
10500+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+34.32 грн
100+22.22 грн
500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.05 грн
3000+13.22 грн
4500+12.57 грн
7500+11.11 грн
10500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.43 грн
500+63.68 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiMOSFETs PFET U8FL -30V 8MO
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.33 грн
10+105.21 грн
100+72.37 грн
500+63.22 грн
1000+61.52 грн
3000+61.45 грн
6000+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.67 грн
10+119.48 грн
100+84.43 грн
500+63.68 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.84 грн
10+100.82 грн
100+68.95 грн
500+51.92 грн
1000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.52 грн
3000+42.17 грн
4500+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
10+77.89 грн
100+56.65 грн
500+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 29071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.43 грн
10+56.30 грн
100+41.65 грн
1000+41.51 грн
1500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.62 грн
10+94.22 грн
100+56.74 грн
500+45.27 грн
1000+40.49 грн
1500+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0144 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.57 грн
10+105.14 грн
100+72.41 грн
500+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 4021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.58 грн
10+89.65 грн
100+60.92 грн
500+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.10 грн
13+24.19 грн
100+18.11 грн
500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.75 грн
12+26.77 грн
100+15.70 грн
500+12.90 грн
1000+9.76 грн
1500+6.90 грн
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.68 грн
3000+7.96 грн
4500+7.95 грн
7500+7.16 грн
10500+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.96 грн
10+50.15 грн
100+32.91 грн
500+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.54 грн
10+48.13 грн
100+28.54 грн
500+21.78 грн
1000+16.80 грн
1500+16.59 грн
3000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiMOSFETs PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.54 грн
10+51.04 грн
100+29.77 грн
500+23.21 грн
1000+19.25 грн
2500+19.19 грн
5000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 9799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+50.44 грн
100+33.17 грн
500+24.15 грн
1000+21.04 грн
2000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.02 грн
3000+11.41 грн
4500+10.83 грн
7500+9.56 грн
10500+9.20 грн
15000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 16380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.20 грн
10+43.42 грн
100+28.43 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 32A, 16.3mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
11+29.29 грн
100+16.39 грн
500+12.43 грн
1000+10.58 грн
1500+9.49 грн
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
11+27.07 грн
100+17.42 грн
500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.88 грн
10+150.45 грн
100+105.00 грн
500+80.28 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.12 грн
10+166.46 грн
100+114.70 грн
250+105.83 грн
500+96.27 грн
1000+82.61 грн
3000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.22 грн
10+156.12 грн
100+113.11 грн
500+99.85 грн
1000+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
11+27.59 грн
100+17.72 грн
500+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.85 грн
3000+10.36 грн
4500+9.83 грн
7500+8.67 грн
10500+8.33 грн
15000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 27A, 29.7m?ohm in u8FL
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.46 грн
12+27.48 грн
100+16.32 грн
500+12.36 грн
1000+11.95 грн
1500+8.67 грн
3000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
на замовлення 28372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
11+27.59 грн
100+17.74 грн
500+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.84 грн
3000+10.35 грн
4500+9.82 грн
7500+8.65 грн
10500+8.32 грн
15000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.33 грн
10+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiMOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+94.22 грн
100+54.69 грн
500+44.24 грн
1000+43.56 грн
1500+38.71 грн
3000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, N Channel, 150V, 27 A, 31m?ohm
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.72 грн
10+106.00 грн
100+65.54 грн
500+53.87 грн
1000+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.53 грн
10+102.81 грн
100+72.30 грн
500+55.18 грн
1000+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiMOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.65 грн
10+48.97 грн
100+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.85 грн
10+60.65 грн
100+40.34 грн
500+29.67 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5ON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiMOSFETs Power MOSFET, P Channel, -100V, -13 A, 120mohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.55 грн
10+64.38 грн
100+37.28 грн
500+29.15 грн
1000+26.63 грн
3000+23.28 грн
6000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EON Semiconductor
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiMOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.06 грн
10+123.27 грн
100+75.79 грн
500+62.81 грн
1000+61.04 грн
3000+55.58 грн
6000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2278 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+84.80 грн
100+50.52 грн
500+42.81 грн
1000+35.78 грн
1500+32.98 грн
3000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2278 pF @ 20 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.74 грн
10+77.81 грн
100+52.48 грн
500+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.19 грн
10+145.77 грн
100+104.35 грн
500+73.52 грн
1000+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, Power33, 25V, 152 A
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.39 грн
10+142.12 грн
100+88.76 грн
500+73.74 грн
1000+71.69 грн
3000+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.14 грн
10+136.84 грн
100+94.99 грн
500+72.34 грн
1000+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.35 грн
500+73.52 грн
1000+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.87 грн
10+81.66 грн
100+48.54 грн
500+38.51 грн
1000+35.84 грн
3000+31.13 грн
6000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.38 грн
6000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.26 грн
500+52.29 грн
1500+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONN
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 9457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.43 грн
10+76.55 грн
100+51.60 грн
500+38.39 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.67 грн
50+86.03 грн
100+68.26 грн
500+52.29 грн
1500+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V
на замовлення 39161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.43 грн
10+76.55 грн
100+51.51 грн
500+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.96 грн
3000+32.97 грн
4500+31.64 грн
7500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiMOSFETs 40V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.79 грн
10+71.61 грн
100+43.36 грн
500+37.55 грн
1000+31.48 грн
1500+30.25 грн
3000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET U8FL 20V 14A 6.7MOHM
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0039 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.87 грн
10+121.08 грн
100+87.62 грн
500+69.75 грн
1000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.07 грн
10+116.21 грн
100+72.37 грн
500+60.77 грн
1000+57.90 грн
3000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.33 грн
10+120.79 грн
100+83.03 грн
500+62.77 грн
1000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0039 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.62 грн
500+69.75 грн
1000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.32 грн
5001+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAG
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTWG
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
на замовлення 367762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4823NTWG - NTTFS4823NTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWG
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
на замовлення 39942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.96 грн
12+63.29 грн
100+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 592
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.45 грн
151+19.68 грн
326+15.71 грн
751+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.45 грн
151+19.68 грн
326+15.71 грн
751+14.61 грн
1501+13.04 грн
3001+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4840NTAG - NTTFS4840NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4928NTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.8 A, 0.009 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 453600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
на замовлення 453600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1032+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 1032
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 134039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+32.60 грн
1076+30.06 грн
10000+26.80 грн
100000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 993
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1134+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1134
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGON Semiconductor
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.48 грн
10+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1236+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 1236
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4930NTWG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1340+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 1340
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
на замовлення 73565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 646
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGonsemiMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAG
Код товару: 198983
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGON Semiconductor
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4932NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 18A, WDFN-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 73565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTWGON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGONN
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON Semiconductor
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1131+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 1131
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTWGonsemiMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTAGON Semiconductor
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGON Semiconductor
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 47A 8.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTWGonsemiMOSFET 30 V, 34 A, 9 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 11782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 124330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.77 грн
14+54.02 грн
25+53.11 грн
100+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGON Semiconductor
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.46 грн
10+82.03 грн
100+63.80 грн
500+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02Nonsemionsemi AFSM T6 30V NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
10+41.94 грн
100+39.27 грн
500+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.60 грн
25+71.10 грн
100+68.08 грн
250+62.60 грн
500+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.35 грн
10+32.11 грн
100+25.60 грн
500+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+67.29 грн
194+66.83 грн
195+66.36 грн
197+63.54 грн
250+58.43 грн
500+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON Semiconductor
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.49 грн
10+51.11 грн
100+34.31 грн
500+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.17 грн
10+32.27 грн
100+19.53 грн
500+15.77 грн
1000+15.70 грн
1500+11.95 грн
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.20 грн
3000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 19964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.99 грн
10+82.44 грн
100+55.99 грн
500+46.22 грн
1000+35.16 грн
2500+34.07 грн
5000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+82.69 грн
100+64.45 грн
500+49.96 грн
1000+39.45 грн
2000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.70 грн
10000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.53 грн
10+34.55 грн
100+20.76 грн
500+15.64 грн
1000+15.16 грн
1500+12.97 грн
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.70 грн
21+39.19 грн
100+26.53 грн
500+18.94 грн
1000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.98 грн
10+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.53 грн
500+18.94 грн
1000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 9351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.46 грн
10+31.14 грн
100+20.09 грн
500+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
10+37.61 грн
100+23.56 грн
500+19.66 грн
1500+16.73 грн
3000+14.06 грн
9000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.29 грн
19+39.48 грн
25+39.24 грн
100+36.50 грн
250+32.56 грн
500+30.07 грн
1000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.51 грн
3000+11.85 грн
4500+11.25 грн
7500+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+36.85 грн
354+36.63 грн
367+35.33 грн
381+32.82 грн
500+29.24 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.39 грн
13+25.75 грн
100+15.70 грн
500+14.88 грн
1500+11.61 грн
3000+7.65 грн
9000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.20 грн
10+44.45 грн
100+30.35 грн
500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.46 грн
10+63.46 грн
100+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.39 грн
10+54.65 грн
100+36.94 грн
500+31.27 грн
1000+24.03 грн
5000+22.80 грн
10000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.53 грн
28+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+37.43 грн
100+25.89 грн
500+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.68 грн
10+40.04 грн
100+24.10 грн
500+20.14 грн
1500+17.07 грн
3000+14.41 грн
9000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.77 грн
10+45.70 грн
100+29.70 грн
500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON Semiconductor
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.32 грн
10+37.43 грн
100+27.94 грн
500+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.39 грн
10+118.56 грн
100+71.01 грн
500+57.49 грн
1000+53.05 грн
1500+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.50 грн
10+112.13 грн
100+77.03 грн
500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C53NTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4D9N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.57 грн
10+43.34 грн
100+24.58 грн
500+18.98 грн
1000+17.14 грн
1500+15.50 грн
3000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4D9N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLN-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.94 грн
3000+15.81 грн
4500+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4D9N04XMTAGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLN-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668 pF @ 20 V
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+40.09 грн
100+26.18 грн
500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
на замовлення 218180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 507
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 18.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON Semiconductor
на замовлення 11110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.26 грн
10+55.18 грн
100+38.44 грн
500+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiMOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 61009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.01 грн
10+52.37 грн
100+33.25 грн
500+27.52 грн
1000+27.31 грн
1500+22.46 грн
3000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.23 грн
3000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.21 грн
14+58.47 грн
50+51.86 грн
200+41.94 грн
500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.45 грн
200+37.87 грн
500+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGONN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.74 грн
10+48.08 грн
100+33.32 грн
500+24.95 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiMOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 33957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.98 грн
10+51.74 грн
100+31.13 грн
500+26.01 грн
1000+19.73 грн
5000+18.57 грн
10000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTWGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLonsemionsemi NFET U8FL 60V 37A 5.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.43 грн
10+76.95 грн
1000+30.25 грн
1500+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.20 грн
10+86.03 грн
100+84.43 грн
500+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 60V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.71 грн
11+27.52 грн
25+24.65 грн
100+20.18 грн
250+18.77 грн
500+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.80 грн
10+44.99 грн
25+35.78 грн
100+28.40 грн
250+28.33 грн
500+23.69 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON Semiconductor
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.67 грн
3000+17.44 грн
4500+17.16 грн
7500+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+60.43 грн
25+57.34 грн
100+41.32 грн
250+36.52 грн
500+34.60 грн
1000+26.47 грн
2500+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.57 грн
10+60.30 грн
100+36.32 грн
500+34.41 грн
1000+26.76 грн
2500+25.47 грн
5000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGON Semiconductor
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLonsemi T6 40V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 17265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+22.12 грн
25+19.73 грн
100+16.10 грн
250+14.94 грн
500+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.81 грн
3000+13.81 грн
4500+13.58 грн
7500+12.51 грн
10500+12.38 грн
15000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.94 грн
10+54.81 грн
100+31.82 грн
500+28.74 грн
1500+24.58 грн
3000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.85 грн
10+125.15 грн
25+106.13 грн
100+79.36 грн
250+69.43 грн
500+63.32 грн
1000+57.25 грн
2500+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.53 грн
10+95.01 грн
100+64.79 грн
500+53.05 грн
1000+42.60 грн
1500+38.30 грн
3000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 19949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.19 грн
10+162.65 грн
100+130.76 грн
500+100.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+92.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.92 грн
10+36.82 грн
100+23.96 грн
500+18.84 грн
1000+14.54 грн
1500+13.25 грн
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.08 грн
10+125.72 грн
25+119.39 грн
100+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C658NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.65 грн
10+80.09 грн
100+45.34 грн
250+45.27 грн
500+35.84 грн
1000+31.75 грн
1500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGON Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.81 грн
10+152.14 грн
100+105.94 грн
500+79.14 грн
1000+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 14675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.49 грн
10+97.49 грн
25+88.82 грн
100+74.45 грн
250+70.20 грн
500+67.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 15330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.21 грн
10+151.54 грн
100+105.83 грн
250+93.54 грн
500+89.44 грн
1000+81.93 грн
1500+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.35 грн
3000+67.05 грн
4500+66.23 грн
7500+61.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.13 грн
500+98.37 грн
1000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.94 грн
10+126.48 грн
25+119.32 грн
100+89.59 грн
250+78.40 грн
500+76.16 грн
1000+59.49 грн
2500+57.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.96 грн
3000+12.07 грн
4500+11.87 грн
7500+10.93 грн
10500+10.81 грн
15000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGONN
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 26209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
16+19.53 грн
25+17.40 грн
100+14.14 грн
250+13.11 грн
500+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 198773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.98 грн
10+49.15 грн
100+32.36 грн
250+27.58 грн
500+26.22 грн
1500+22.46 грн
3000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C680NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C680NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V LL U8FL
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.39 грн
13+24.58 грн
100+13.66 грн
500+10.51 грн
1000+10.10 грн
1500+7.37 грн
9000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS70NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS70NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+101.63 грн
25+95.89 грн
100+71.99 грн
250+62.99 грн
500+61.19 грн
1000+47.80 грн
2500+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGonsemiMOSFETs 60V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.18 грн
10+78.52 грн
100+51.14 грн
500+45.27 грн
1000+41.31 грн
1500+34.75 грн
3000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.48 грн
10+74.63 грн
100+58.05 грн
500+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.62 грн
3000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.82 грн
500+73.23 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 8654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.20 грн
10+110.87 грн
100+76.24 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.70 грн
10+121.08 грн
100+86.82 грн
500+73.23 грн
1000+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGonsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 84 A, 5.9 mohm
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.02 грн
10+91.87 грн
100+62.81 грн
500+55.99 грн
1000+54.35 грн
3000+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAG
Код товару: 205954
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.39 грн
10+61.91 грн
100+41.24 грн
500+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGonsemiMOSFETs 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel
на замовлення 6762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.60 грн
10+60.69 грн
100+40.01 грн
500+32.91 грн
1000+25.67 грн
1500+24.65 грн
3000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.13 грн
3000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.66 грн
500+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.11 грн
10+42.79 грн
25+37.14 грн
100+29.90 грн
500+27.65 грн
1000+27.58 грн
1500+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.72 грн
18+43.04 грн
25+42.61 грн
100+38.42 грн
250+35.22 грн
500+32.04 грн
1000+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.00 грн
10+64.87 грн
100+43.31 грн
500+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.47 грн
14+56.95 грн
100+41.66 грн
500+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+40.17 грн
326+39.77 грн
348+37.19 грн
352+35.50 грн
500+31.15 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGonsemiMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.72 грн
10+54.41 грн
100+32.77 грн
500+27.38 грн
1000+23.28 грн
1500+20.48 грн
3000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 40 V
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.65 грн
10+48.37 грн
100+31.82 грн
500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
на замовлення 12629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.94 грн
100+27.44 грн
500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.60 грн
10+38.63 грн
100+23.15 грн
500+18.37 грн
1000+18.30 грн
1500+15.29 грн
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.85 грн
3000+16.62 грн
4500+15.84 грн
7500+14.04 грн
10500+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 33A, 21.1mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.39 грн
10+41.46 грн
100+24.65 грн
500+20.55 грн
1000+17.48 грн
1500+15.91 грн
3000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.22 грн
10+37.57 грн
100+24.45 грн
500+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.67 грн
3000+14.66 грн
4500+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 22A, 29m?ohm
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.02 грн
10+33.76 грн
100+20.21 грн
500+17.27 грн
1000+12.36 грн
1500+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 22A, 32mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.65 грн
10+62.42 грн
100+40.62 грн
500+31.82 грн
1000+24.65 грн
1500+15.57 грн
9000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAGONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 14A, 50mohm
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.80 грн
10+39.81 грн
100+23.69 грн
500+18.64 грн
1000+15.50 грн
1500+12.77 грн
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 10874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 790
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGonsemiIGBT Transistors NFET U8FL 30V 50A 17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 50A U8F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
на замовлення 187500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS002N04HLonsemiMOSFETs 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.43 грн
10+113.06 грн
100+70.32 грн
500+59.33 грн
1000+54.55 грн
3000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS1D1N02P1EonsemiDescription: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS1D1N02P1EonsemiDescription: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.46 грн
10+131.29 грн
100+90.67 грн
500+68.78 грн
1000+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSSCH1D3N04XLONN
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSSCH4D0N08XLTWGONN
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSSCH4D0N08XLTWGONN
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01AF-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
Part Status: Active
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1924.10 грн
50+1763.20 грн
150+1667.38 грн
1000+1480.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01AF-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP01AF Compatible TAA 1000Base-SX SFP Transceiver (MMF, 850nm, 550m, LC, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01CF-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
Part Status: Active
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2056.21 грн
50+1884.58 грн
150+1782.36 грн
1000+1582.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01CFE6-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
Part Status: Active
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1924.10 грн
50+1763.20 грн
150+1667.38 грн
1000+1480.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP02AD-CATGBICSDescription: Compatible SFP 155Mb
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Mbps
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1615.32 грн
50+1480.86 грн
150+1399.72 грн
1000+1243.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP02BF-CATGBICSDescription: Compatible SFP 155Mb
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Mbps
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1615.32 грн
50+1480.86 грн
150+1399.72 грн
1000+1243.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP03FFE6-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP03FFE6 Compatible TAA OC-48-LR2 SFP Transceiver (SMF, 1550nm, 80km, LC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP03FFE6-CProLabsDescription: Ciena NTTP03FFE6 Compatible TAA
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18722.52 грн
100+17127.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP05EF-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-EX 1310nm 40K
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1.25Gbps
на замовлення 6847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.60 грн
50+1973.74 грн
150+1869.86 грн
1000+1657.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06AF-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G SX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2243.63 грн
10+1691.30 грн
80+1477.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06AFE6-CATGBICSDescription: FIBER TXRX SFP 1GBPS 850NM
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1592.28 грн
10+1456.82 грн
100+1380.51 грн
1000+1223.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06CF-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 7817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1702.12 грн
50+1556.90 грн
150+1474.96 грн
1000+1307.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06CF-E6-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-LX 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet, Networking
Data Rate: 1000Mbps
на замовлення 9458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1702.12 грн
50+1556.90 грн
150+1474.96 грн
1000+1307.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06CFE6-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP06CFE6 Compatible TAA Compliant 1000Base-LX SFP Transceiver (SMF, 1310nm, 10km, LC, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06CFE6-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1702.12 грн
50+1556.90 грн
150+1474.96 грн
1000+1307.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP07FFE6-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G ZX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1550nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5687.81 грн
10+4704.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP51BD-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G LX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2189.86 грн
10+1651.28 грн
80+1442.36 грн
440+1241.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP58BD-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP58BD Compatible TAA 1000Base-BX SFP Transceiver (SMF, 1310nmTx/1490nmRx, 10km, LC, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP80BA-CATGBICSDescription: 10GBASE XFP 1310nm 10km
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, XFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
на замовлення 4152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9176.53 грн
50+8397.05 грн
150+7957.25 грн
1000+7054.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP80BA-IOIntegra OpticsDescription: XFP 10G LR CIENA
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTTS2P02R2 - NTTS2P02R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2ON Semicondu2000
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2G
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2NO04+ SOP
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2NOSOP 04+
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2GON06NOPB
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS3P03R2ONSSOP-8
на замовлення 598000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.77 грн
10+69.60 грн
100+48.93 грн
500+37.28 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTYS009N08HLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 9 mohm, 58 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 9 mohm, 58 A
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.62 грн
10+88.72 грн
100+52.09 грн
500+41.31 грн
1000+37.82 грн
3000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.