Продукція > NTT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTT04TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - NTT04 - Zeitschalter, 168 h, 16 A, Digital
tariffCode: 91070000
Zeit, max.: 168h
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4302.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT050B18.4320MHZ
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT1020
на замовлення 14942 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT448BD
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT479ACNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTT508ACNLPulse Electronics NetworkDescription: TRANSFORMER SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTT548AJT
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT557AFT
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT571AA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT571AANL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTT580AA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.23 грн
6000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.74 грн
10+73.64 грн
100+49.18 грн
500+36.31 грн
1000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LONSEMINTTBC070NP10M5L Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTBC070NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTC040N120M3SON SemiconductorBPAK Top Cool SiC _TD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD1P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 12875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTD4401FR2G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 110895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.42 грн
10+186.81 грн
100+131.65 грн
500+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD018N08LConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.16 грн
10+207.09 грн
25+179.34 грн
100+145.85 грн
250+145.11 грн
500+129.48 грн
1000+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.50 грн
6000+102.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 20890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.00 грн
10+183.55 грн
100+148.49 грн
500+123.86 грн
1000+106.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08CON Semiconductor80V DUAL N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10CONSEMINTTFD022N10C Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10CON SemiconductorMOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiMOSFETs MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.37 грн
10+210.52 грн
100+148.08 грн
500+131.71 грн
1000+113.11 грн
3000+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.88 грн
10+193.86 грн
100+156.81 грн
500+130.82 грн
1000+112.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EONSEMINTTFD2D8N03P1E Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.29 грн
10+122.94 грн
100+88.20 грн
500+70.51 грн
1000+66.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFETs FET 30V 28 MOHM PC33 DUAL SYMM
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.79 грн
10+132.64 грн
100+82.60 грн
500+68.09 грн
1000+66.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 12-Pin WQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.36 грн
10+101.62 грн
100+72.52 грн
500+55.95 грн
1000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.61 грн
10+116.87 грн
100+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMINTTFD4D0N04HLTWG Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiMOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.37 грн
10+122.37 грн
25+105.67 грн
100+76.65 грн
500+63.25 грн
1000+57.82 грн
3000+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiMOSFETs Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A Dual Power MOSFETs, N-Channel, Symmetric, 3x3mm, 30V/4.5mohm, 54A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 20516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.39 грн
100+61.69 грн
500+45.98 грн
1000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.26 грн
6000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiMOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.21 грн
10+115.53 грн
100+75.90 грн
500+62.28 грн
1000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.80 грн
10+182.24 грн
100+145.03 грн
500+115.17 грн
1000+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A 12-Pin WQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 13294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.10 грн
10+68.03 грн
100+45.99 грн
500+38.99 грн
1000+31.85 грн
1500+29.91 грн
3000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.64 грн
3000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGONSEMINTTFS002N04CLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 19046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
10+99.06 грн
100+67.18 грн
500+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiDescription: T6 40V SG NCH U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.19 грн
3000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG-SR01onsemiMOSFETs T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.41 грн
10+99.27 грн
100+66.90 грн
500+56.70 грн
1000+46.14 грн
1500+43.38 грн
3000+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAGONSEMINTTFS002N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, 40 V, 2.4 mOhms, 136 A, Single N-Channel Power MOSFET, 40 V, 2.4 mOhms, 136 A, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.80 грн
3000+20.73 грн
4500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.30 грн
10+42.19 грн
100+27.46 грн
500+21.58 грн
1000+18.98 грн
1500+15.33 грн
3000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.11 грн
10+54.26 грн
100+36.03 грн
500+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.25 грн
10+45.89 грн
100+30.85 грн
500+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 492-501 дні (днів)
4+112.86 грн
10+99.27 грн
100+66.97 грн
500+55.29 грн
1500+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.44 грн
3000+17.58 грн
4500+17.54 грн
7500+16.21 грн
10500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGONSEMINTTFS008N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.54 грн
10+46.51 грн
100+32.19 грн
500+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.77 грн
3000+20.39 грн
7500+19.32 грн
10500+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.34 грн
10+200.34 грн
100+143.58 грн
500+110.85 грн
1000+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.59 грн
10+188.44 грн
100+135.13 грн
500+104.23 грн
1000+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiMOSFETs PFET U8FL -30V 8MO
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.29 грн
10+114.67 грн
100+78.88 грн
500+68.91 грн
1000+67.05 грн
3000+66.97 грн
6000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.59 грн
500+130.22 грн
1000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZONSEMINTTFS008P03P8Z SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGONSEMINTTFS010N10MCLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.65 грн
3000+44.19 грн
4500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 29341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.97 грн
10+77.28 грн
25+66.60 грн
100+52.98 грн
250+52.61 грн
500+50.23 грн
1000+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.33 грн
10+81.62 грн
100+59.37 грн
500+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0122 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.45 грн
10+110.19 грн
100+74.63 грн
500+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGONSEMINTTFS012N10MDTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 45A, 14.4mohm N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 45A, 14.4mohm
на замовлення 12285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.76 грн
10+110.39 грн
100+65.19 грн
500+52.16 грн
1500+45.76 грн
3000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.77 грн
10+98.68 грн
100+67.02 грн
500+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGONSEMINTTFS015N04CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiMOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
8+43.58 грн
10+36.37 грн
100+22.40 грн
500+17.49 грн
1000+16.74 грн
1500+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.10 грн
3000+8.34 грн
4500+8.33 грн
7500+7.51 грн
10500+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 13915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.83 грн
13+25.35 грн
100+18.98 грн
500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.94 грн
10+52.55 грн
100+34.49 грн
500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGONSEMINTTFS015P03P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorP Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFETs PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.28 грн
10+47.92 грн
100+28.72 грн
500+22.85 грн
1500+19.87 грн
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGON SemiconductorP Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 9799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.74 грн
10+52.86 грн
100+34.76 грн
500+25.31 грн
1000+22.05 грн
2000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiMOSFETs PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 7162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
10+57.08 грн
100+33.11 грн
500+25.90 грн
1000+21.65 грн
2500+21.58 грн
5000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS015P03P8ZTWGONSEMINTTFS015P03P8ZTWG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 16380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+45.50 грн
100+29.80 грн
500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.65 грн
3000+11.96 грн
4500+11.35 грн
7500+10.02 грн
10500+9.64 грн
15000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.92 грн
3000+18.45 грн
4500+17.58 грн
7500+15.58 грн
10500+15.04 грн
15000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 27A, 20.3m?ohm in u8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.08 грн
10+34.23 грн
100+19.12 грн
500+14.59 грн
1500+14.51 грн
3000+9.90 грн
9000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGONSEMINTTFS020N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 20.3m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 20109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.28 грн
10+46.66 грн
100+30.48 грн
500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.0171 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.89 грн
10+156.94 грн
100+113.53 грн
500+88.37 грн
1000+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MCONSEMINTTFS022N15MC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.4A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.38 грн
10+181.42 грн
100+125.02 грн
250+115.34 грн
500+104.92 грн
1000+90.04 грн
3000+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.34 грн
10+157.66 грн
100+110.04 грн
500+84.14 грн
1000+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.64 грн
10+42.87 грн
100+27.91 грн
500+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.08 грн
11+28.53 грн
100+19.25 грн
500+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.75 грн
3000+9.70 грн
4500+9.55 грн
7500+8.68 грн
10500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGONSEMINTTFS030N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 29.7m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.54 грн
12+30.81 грн
100+19.42 грн
500+14.88 грн
1000+10.79 грн
1500+9.52 грн
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.60 грн
10+100.15 грн
100+67.98 грн
500+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiMOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.27 грн
10+101.84 грн
100+60.94 грн
500+49.19 грн
1000+49.11 грн
1500+45.24 грн
3000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.32 грн
3000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiMOSFETs Power MOSFET, N Channel, 150V, 27 A, 31m?ohm
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.90 грн
10+115.53 грн
100+71.44 грн
500+58.71 грн
1000+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MCONSEMINTTFS034N15MC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MCON SemiconductorPower MOSFET, N Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 14978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.24 грн
10+107.74 грн
100+75.77 грн
500+57.82 грн
1000+53.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.92 грн
3000+20.51 грн
4500+20.28 грн
7500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiMOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.68 грн
10+59.30 грн
100+34.68 грн
500+27.76 грн
1000+22.10 грн
1500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 10253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+55.19 грн
100+36.36 грн
500+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.64 грн
10+63.56 грн
100+42.28 грн
500+31.09 грн
1000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5ON SemiconductorPower, Single P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiMOSFETs MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5ONSEMINTTFS115P10M5 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5ON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EON Semiconductor
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 41843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.90 грн
10+123.95 грн
100+89.23 грн
500+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin PQFN EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EONSEMINTTFS1D2N02P1E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1EonsemiMOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.09 грн
10+148.05 грн
100+92.27 грн
500+77.39 грн
1000+74.26 грн
3000+65.86 грн
6000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D4N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.81 грн
10+89.85 грн
100+60.80 грн
500+51.49 грн
1000+41.89 грн
1500+39.51 грн
4500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiMOSFETs FET 25V 18 MOHM PC33 SINGLE
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.64 грн
10+166.87 грн
100+110.88 грн
500+90.78 грн
1000+86.32 грн
3000+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EONSEMINTTFS1D8N02P1E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.33 грн
500+86.82 грн
1000+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.61 грн
10+143.40 грн
100+99.55 грн
500+75.81 грн
1000+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.45 грн
10+117.70 грн
100+94.33 грн
500+86.82 грн
1000+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.38 грн
500+68.21 грн
1500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.59 грн
6000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.25 грн
50+106.02 грн
100+77.38 грн
500+68.21 грн
1500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 201998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
10+79.92 грн
100+70.69 грн
500+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.36 грн
10+86.43 грн
100+68.98 грн
3000+64.44 грн
9000+45.17 грн
24000+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMINTTFS2D1N04HLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiMOSFETs 40V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.12 грн
10+83.78 грн
100+51.12 грн
250+51.05 грн
500+44.95 грн
1000+36.46 грн
1500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D8N04HLTAGONSEMINTTFS2D8N04HLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET U8FL 20V 14A 6.7MOHM
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3A08PZTWGON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiMOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.82 грн
10+121.52 грн
100+75.16 грн
500+61.61 грн
1000+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMINTTFS3D7N06HLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.31 грн
500+64.49 грн
1000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.65 грн
10+126.58 грн
100+87.01 грн
500+65.78 грн
1000+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.47 грн
10+118.54 грн
100+84.31 грн
500+64.49 грн
1000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.71 грн
5001+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAG
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTWG
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4821NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
на замовлення 367762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWG
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
на замовлення 39942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4823NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4823NTWG - NTTFS4823NTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.40 грн
10+50.77 грн
100+39.46 грн
500+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.64 грн
12+51.74 грн
100+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4824NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.35 грн
151+16.09 грн
326+12.84 грн
751+11.94 грн
1501+10.66 грн
3001+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4840NTAG - NTTFS4840NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 592
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.35 грн
151+16.09 грн
326+12.84 грн
751+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4840NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4928NTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.8 A, 0.009 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 453600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
на замовлення 453600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1032+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 1032
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4928NTWGON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1134+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 1134
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4929NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1236+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 1236
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGON Semiconductor
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.47 грн
10+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1340+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 1340
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4930NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4930NTWG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGON Semiconductor
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGonsemiMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4932NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 18A, WDFN-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 73565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
на замовлення 73565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 646
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAG
Код товару: 198983
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTWGON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4932NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4937NTWGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1131+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1131
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTAGON Semiconductor
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTWGonsemiMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4939NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTAGON Semiconductor
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4943NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGON Semiconductor
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 47A 8.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4945NTWGonsemiMOSFET 30 V, 34 A, 9 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, u8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4965NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.12 грн
14+44.15 грн
25+43.41 грн
100+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
на замовлення 264267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 541
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 541
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGON Semiconductor
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.47 грн
10+85.96 грн
100+66.86 грн
500+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02Nonsemionsemi AFSM T6 30V NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.53 грн
25+58.12 грн
100+55.65 грн
250+51.17 грн
500+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGONSEMINTTFS4C02NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.30 грн
10+43.95 грн
100+41.15 грн
500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON Semiconductor
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+63.47 грн
194+63.03 грн
195+62.59 грн
197+59.93 грн
250+55.11 грн
500+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.89 грн
10+35.00 грн
100+27.91 грн
500+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.14 грн
3000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.67 грн
10+58.36 грн
100+35.12 грн
500+29.32 грн
1500+24.93 грн
3000+21.06 грн
9000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.55 грн
10+53.56 грн
100+35.96 грн
500+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGONSEMINTTFS4C05NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 19964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.44 грн
10+89.85 грн
100+61.02 грн
500+50.38 грн
1000+38.32 грн
2500+37.13 грн
5000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.56 грн
10000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.62 грн
10+86.66 грн
100+67.54 грн
500+52.36 грн
1000+41.34 грн
2000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGONSEMINTTFS4C06NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 0.0034 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.48 грн
500+29.07 грн
1000+26.76 грн
5000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.02 грн
10+100.98 грн
100+68.68 грн
500+58.19 грн
1000+47.40 грн
1500+44.65 грн
3000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 0.0034 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.16 грн
15+58.43 грн
100+39.48 грн
500+29.07 грн
1000+26.76 грн
5000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.08 грн
10+62.01 грн
100+48.24 грн
500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGONSEMINTTFS4C08NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+35.39 грн
19+32.27 грн
25+32.08 грн
100+29.84 грн
250+26.62 грн
500+24.58 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+34.76 грн
354+34.55 грн
367+33.32 грн
381+30.96 грн
500+27.58 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.44 грн
10+40.99 грн
100+25.67 грн
500+21.43 грн
1500+18.23 грн
3000+15.33 грн
9000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 74MOHM
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.89 грн
12+29.01 грн
100+18.90 грн
500+16.52 грн
1500+15.33 грн
3000+9.67 грн
9000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+46.59 грн
100+31.80 грн
500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGONSEMINTTFS4C10NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.47 грн
10+66.51 грн
100+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+59.56 грн
100+40.26 грн
500+34.08 грн
1000+26.19 грн
5000+24.85 грн
10000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGONSEMINTTFS4C13NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.87 грн
10+43.64 грн
100+26.27 грн
500+21.95 грн
1500+18.60 грн
3000+15.70 грн
9000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.69 грн
10+39.22 грн
100+27.13 грн
500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.14 грн
28+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON Semiconductor
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.60 грн
10+49.81 грн
100+32.37 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.49 грн
10+39.22 грн
100+29.28 грн
500+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.70 грн
10+116.19 грн
100+92.48 грн
500+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.15 грн
10+110.39 грн
100+77.39 грн
250+76.65 грн
500+64.52 грн
1000+63.92 грн
1500+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C53NTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C65NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4D9N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.68 грн
10+44.16 грн
100+26.19 грн
500+21.95 грн
1000+18.60 грн
1500+16.89 грн
4500+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
на замовлення 218180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 507
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON Semiconductor
на замовлення 11110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 18.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4H07NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.66 грн
15+58.60 грн
50+52.09 грн
200+42.32 грн
500+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.58 грн
3000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.58 грн
200+39.69 грн
500+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiMOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 89552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.92 грн
10+62.73 грн
100+40.63 грн
500+32.74 грн
1000+31.85 грн
1500+27.61 грн
3000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+57.83 грн
100+40.28 грн
500+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGONSEMINTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.28 грн
10+50.38 грн
100+34.92 грн
500+26.14 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiMOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 33957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.37 грн
10+56.39 грн
100+33.93 грн
500+28.35 грн
1000+21.51 грн
5000+20.24 грн
10000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGONSEMINTTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans Mosfet N-Ch 40V 16A 8-Pin Wdfn Ep T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTWGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans Mosfet N-Ch 40V 16A 8-Pin Wdfn Ep T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLonsemionsemi NFET U8FL 60V 37A 5.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.67 грн
10+90.16 грн
100+88.49 грн
500+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.03 грн
10+83.86 грн
1000+32.97 грн
1500+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5820NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 60V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGONSEMINTTFS5C453NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 24400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.59 грн
10+43.95 грн
25+39.59 грн
100+32.69 грн
250+30.55 грн
500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON Semiconductor
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.96 грн
10+68.38 грн
25+57.30 грн
100+44.13 грн
250+39.36 грн
500+36.24 грн
1500+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.61 грн
3000+28.64 грн
4500+28.23 грн
7500+26.06 грн
10500+25.80 грн
15000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGONSEMINTTFS5C453NLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.09 грн
10+65.72 грн
100+39.59 грн
500+37.50 грн
1000+29.17 грн
2500+27.76 грн
5000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.25 грн
10+63.33 грн
25+60.09 грн
100+43.30 грн
250+38.27 грн
500+36.26 грн
1000+27.74 грн
2500+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTWGON Semiconductor
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLonsemi T6 40V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGONSEMINTTFS5C454NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiMOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.47 грн
10+59.73 грн
100+34.68 грн
500+31.33 грн
1500+26.79 грн
3000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.42 грн
13+23.95 грн
25+21.46 грн
100+17.49 грн
250+16.23 грн
500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.73 грн
10+131.15 грн
25+111.22 грн
100+83.17 грн
250+72.76 грн
500+66.36 грн
1000+59.99 грн
2500+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C454NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGONSEMINTTFS5C460NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C460NLTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.20 грн
10+103.55 грн
100+70.62 грн
500+57.82 грн
1000+46.43 грн
1500+41.75 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGONSEMINTTFS5C466NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 19949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.21 грн
10+170.45 грн
100+137.04 грн
500+105.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.13 грн
10+40.14 грн
100+26.12 грн
500+20.54 грн
1000+15.85 грн
1500+14.44 грн
3000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.06 грн
10+102.77 грн
25+97.59 грн
100+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C658NLTAGONSEMINTTFS5C658NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C658NLTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.04 грн
10+87.29 грн
100+49.41 грн
250+49.34 грн
500+39.07 грн
1000+34.60 грн
1500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.74 грн
10+159.44 грн
100+111.02 грн
500+82.94 грн
1000+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGON Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 15330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.68 грн
10+165.16 грн
100+115.34 грн
250+101.95 грн
500+97.48 грн
1000+89.30 грн
1500+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 23806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.70 грн
10+154.64 грн
25+145.91 грн
100+109.55 грн
250+95.85 грн
500+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.36 грн
500+103.09 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGONSEMINTTFS5C670NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.82 грн
3000+75.87 грн
7500+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGONSEMINTTFS5C670NLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.94 грн
10+132.55 грн
25+125.05 грн
100+93.89 грн
250+82.16 грн
500+79.81 грн
1000+62.34 грн
2500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.46 грн
3000+14.41 грн
4500+14.18 грн
7500+13.06 грн
10500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGONSEMINTTFS5C673NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGonsemiMOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 198773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.37 грн
10+53.57 грн
100+35.27 грн
250+30.06 грн
500+28.57 грн
1500+24.48 грн
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 13695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
14+23.10 грн
25+20.65 грн
100+16.83 грн
250+15.61 грн
500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C673NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C680NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C680NLTAGON SemiconductorNTTFS5C680NLTAG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C680NLTAGONSEMINTTFS5C680NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C680NLTAGonsemiMOSFET T6 60V LL U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.23 грн
10+38.00 грн
100+24.71 грн
500+19.42 грн
1000+16.22 грн
1500+12.72 грн
9000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS70NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS70NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
10+106.50 грн
25+100.49 грн
100+75.44 грн
250+66.01 грн
500+64.13 грн
1000+50.09 грн
2500+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.01 грн
10+78.21 грн
100+60.83 грн
500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGONSEMINTTFS5D1N06HLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.62 грн
3000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGonsemiMOSFETs 60V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.92 грн
10+85.58 грн
100+55.74 грн
500+49.34 грн
1000+45.02 грн
1500+37.88 грн
3000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAGON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.46 грн
10+126.89 грн
100+90.99 грн
500+76.74 грн
1000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGonsemiMOSFETs T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.51 грн
10+109.54 грн
100+79.62 грн
250+78.88 грн
500+66.01 грн
1000+61.09 грн
3000+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.89 грн
10+107.98 грн
100+81.68 грн
500+63.72 грн
1000+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.99 грн
500+76.74 грн
1000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWGONSEMINTTFS5D9N08HTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.29 грн
3000+27.36 грн
4500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAG
Код товару: 205954
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGONSEMINTTFS6H850NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGonsemiMOSFETs 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel
на замовлення 6762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.84 грн
10+66.15 грн
100+43.61 грн
500+35.87 грн
1000+27.98 грн
1500+26.86 грн
3000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 7269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.86 грн
10+59.69 грн
100+41.69 грн
500+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.66 грн
500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGONSEMINTTFS6H850NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.07 грн
10+74.11 грн
25+52.91 грн
100+43.38 грн
250+38.77 грн
500+34.38 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.30 грн
3000+28.06 грн
4500+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.39 грн
14+59.69 грн
100+43.66 грн
500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+37.37 грн
18+35.18 грн
25+34.83 грн
100+31.41 грн
250+28.79 грн
500+26.19 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+37.89 грн
326+37.51 грн
348+35.07 грн
352+33.48 грн
500+29.38 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
на замовлення 13374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
10+60.85 грн
100+42.49 грн
500+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorPower, Single N-Channel MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGonsemiMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.45 грн
10+59.30 грн
100+35.72 грн
500+29.84 грн
1000+25.38 грн
1500+22.32 грн
3000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V T8 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGONSEMINTTFS6H854NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGONSEMINTTFS6H854NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.60 грн
10+42.10 грн
100+25.23 грн
500+20.02 грн
1000+19.94 грн
1500+16.67 грн
3000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.06 грн
3000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGONSEMINTTFS6H860NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+46.28 грн
100+30.76 грн
500+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H860NTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 33A, 21.1mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.66 грн
10+45.18 грн
100+26.86 грн
500+22.40 грн
1000+19.05 грн
1500+17.34 грн
3000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 80V, 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAGONSEMINTTFS6H880NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.38 грн
10+39.88 грн
100+23.81 грн
500+20.84 грн
1000+14.59 грн
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAGON SemiconductorDescription: SINGLE NCHANNEL POWER MOSFET 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 22A, 32mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.18 грн
10+68.03 грн
100+44.28 грн
500+34.68 грн
1000+26.86 грн
1500+16.97 грн
9000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NLTAGonsemiMOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.95 грн
10+37.91 грн
100+23.14 грн
500+20.17 грн
1000+16.30 грн
1500+15.03 грн
9000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS8D1N08HTAGONSEMINTTFS8D1N08HTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 10874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGonsemiIGBT Transistors NFET U8FL 30V 50A 17
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 50A U8F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 50A U8F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
на замовлення 187500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS002N04HLonsemiMOSFETs 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.32 грн
10+122.37 грн
100+84.83 грн
250+78.13 грн
500+71.44 грн
1000+64.29 грн
3000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS1D1N02P1EonsemiDescription: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+137.59 грн
100+95.02 грн
500+72.08 грн
1000+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS1D1N02P1EONSEMINTTFSS1D1N02P1E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS1D1N02P1EonsemiDescription: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01AF-CAmphenol ProLabs Ciena NTTP01AF Compatible TAA 1000Base-SX SFP Transceiver (MMF, 850nm, 550m, LC, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01AF-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
Part Status: Active
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2149.23 грн
50+1965.80 грн
150+1862.33 грн
1000+1650.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01CF-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
Part Status: Active
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2379.45 грн
50+2176.42 грн
150+2061.87 грн
1000+1827.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP01CFE6-CATGBICSDescription: Compatible SFP 1000Mb
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 1000Mbps
Part Status: Active
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2149.23 грн
50+1965.80 грн
150+1862.33 грн
1000+1650.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP02AD-CATGBICSDescription: Compatible SFP 155Mb
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Mbps
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1692.82 грн
50+1551.92 грн
150+1466.88 грн
1000+1303.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP02BF-CATGBICSDescription: Compatible SFP 155Mb
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 100Mbps
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1692.82 грн
50+1551.92 грн
150+1466.88 грн
1000+1303.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP03FFE6-CProLabsDescription: Ciena NTTP03FFE6 Compatible TAA
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19620.82 грн
100+17949.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP05EF-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-EX 1310nm 40K
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1.25Gbps
на замовлення 6847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2261.12 грн
50+2068.44 грн
150+1959.57 грн
1000+1736.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06AF-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G SX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2351.28 грн
10+1772.44 грн
80+1548.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06AFE6-CATGBICSDescription: FIBER TXRX SFP 1GBPS 850NM
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1668.68 грн
10+1526.72 грн
100+1446.74 грн
1000+1282.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06CF-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 7817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1783.78 грн
50+1631.60 грн
150+1545.72 грн
1000+1370.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06CF-E6-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-LX 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet, Networking
Data Rate: 1000Mbps
на замовлення 9458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1783.78 грн
50+1631.60 грн
150+1545.72 грн
1000+1370.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP06CFE6-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1783.78 грн
50+1631.60 грн
150+1545.72 грн
1000+1370.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP07FFE6-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G ZX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1550nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5960.71 грн
10+4929.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP51BD-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G LX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2294.93 грн
10+1730.51 грн
80+1511.57 грн
440+1301.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP58BD-CAmphenol ProLabsFibre Optic Transmitters, Receivers, Transceivers Ciena NTTP58BD Compatible TAA 1000Base-BX SFP Transceiver (SMF, 1310nmTx/1490nmRx, 10km, LC, DOM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP80BA-CATGBICSDescription: 10GBASE XFP 1310nm 10km
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, XFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
на замовлення 4152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9616.82 грн
50+8799.94 грн
150+8339.03 грн
1000+7393.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTTP80BA-IOIntegra OpticsDescription: XFP 10G LR CIENA
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2ON Semicondu2000
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTTS2P02R2 - NTTS2P02R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2G
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2NOSOP 04+
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2NO04+ SOP
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS2P03R2GON06NOPB
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTS3P03R2ONSSOP-8
на замовлення 598000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTYS009N08HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.89 грн
10+72.94 грн
100+51.28 грн
500+39.07 грн
1000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTYS009N08HLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 9 mohm, 58 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 9 mohm, 58 A
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.72 грн
10+96.70 грн
100+56.78 грн
500+45.02 грн
1000+41.23 грн
3000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.