Продукція > PMV

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV1-3FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
11+	28.49 грн
100+	24.17 грн
500+	23.57 грн
1000+	21.78 грн
3000+	16.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 3178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
11+	26.85 грн
25+	26.25 грн
50+	24.03 грн
100+	23.47 грн
500+	22.89 грн
1000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-3FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED

на замовлення 35300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 1736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
11+	26.85 грн
25+	26.25 грн
50+	24.03 грн
100+	23.47 грн
500+	22.89 грн
1000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

на замовлення 2505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
11+	28.49 грн
100+	24.24 грн
500+	23.57 грн
1000+	21.78 грн
3000+	19.11 грн
9000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV1-3RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 1222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.27 грн
10+	62.57 грн
25+	61.04 грн
50+	55.91 грн
100+	53.11 грн
500+	51.71 грн
1000+	46.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV1-3RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-3RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3

товар відсутній

PMV1-3RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-4FB-CY

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV1-4RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

товар відсутній

PMV1-4RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4

товар відсутній

PMV1-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV1-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-5FB-CY

Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV1-5FB-CY

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV1-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 5615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
11+	26.85 грн
25+	26.25 грн
50+	24.03 грн
100+	23.47 грн
500+	22.89 грн
1000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV1-5RB-CY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV1-5RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.910" (23.11mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.43 грн
10+	64.17 грн
25+	62.6 грн
50+	57.3 грн
100+	54.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV1-5RB-CY

Ring Tongue Terminal 18-22AWG Copper Red 23.11mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV1-5RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP

товар відсутній

PMV1-5RB-XY

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated

товар відсутній

PMV1-6FB-CY

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV1-6RB-CY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

товар відсутній

PMV1-6RB-XY

Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6

товар відсутній

PMV1-P10-CY

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 0

товар відсутній

PMV1-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG

товар відсутній

PMV100ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.118Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.42 грн
12+	23.72 грн
100+	14.25 грн
500+	12.38 грн
1000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV100ENEAR

MOSFET PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 20644 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

26+	12.28 грн
33+	9.42 грн
100+	7.92 грн
3000+	6.66 грн
24000+	6.59 грн
45000+	6.19 грн
99000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

373+	31.34 грн
579+	20.18 грн
585+	19.98 грн
724+	15.55 грн
1000+	11.09 грн
3000+	9.18 грн
6000+	9.1 грн

Мінімальне замовлення: 373

PMV100ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.24 грн
20+	29.4 грн
25+	29.1 грн
100+	18.07 грн
250+	16.57 грн
500+	12.83 грн
1000+	9.88 грн
3000+	8.53 грн
6000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV100ENEAR

товар відсутній

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 29676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V

на замовлення 20343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.14 грн
12+	25.18 грн
100+	15.11 грн
500+	13.13 грн
1000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV100EPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.4A
On-state resistance: 276mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -9A
Drain-source voltage: -60V

товар відсутній

PMV100EPAR

товар відсутній

PMV100EPAR

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100EPAR

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.09 грн
6000+	8.39 грн
9000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100EPAR

MOSFET PMV100EPA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 85974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.43 грн
12+	27.26 грн
100+	13.19 грн
1000+	8.99 грн
3000+	7.79 грн
9000+	7.06 грн
24000+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV100XPEA,215

Description: 2.4A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV100XPEA215

Description: NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 4.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6693+	2.66 грн

Мінімальне замовлення: 6693

PMV100XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 187mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -10A
Drain-source voltage: -20V

товар відсутній

PMV100XPEAR

товар відсутній

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.83 грн
28+	20.71 грн
29+	20.47 грн
100+	8.51 грн
250+	7.8 грн
500+	7.4 грн
1000+	5.7 грн
3000+	3.26 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1229+	9.5 грн
1241+	9.41 грн
1256+	9.3 грн
1629+	6.91 грн
3000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 1229

PMV100XPEAR

MOSFET PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 77-86 дні (днів)

10+	32.55 грн
15+	21.83 грн
100+	7.92 грн
1000+	5.86 грн
3000+	4.53 грн
9000+	4.06 грн
24000+	4 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV100XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV100XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.1 грн
27+	27.86 грн
100+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15000+	4.1 грн
24000+	4.03 грн
30000+	4 грн

Мінімальне замовлення: 15000

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV100XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
14+	19.98 грн
100+	10.08 грн
500+	7.72 грн
1000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15000+	3.7 грн

Мінімальне замовлення: 15000

PMV100XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.42 грн
24000+	4.35 грн
30000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV10A440

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -20...60°C
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 208...480V AC
Contact actuation delay: 60ms
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Kind of output 1: SPDT
Power supply: from tested wiring system
IP rating: IP20 at terminal side

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2249.35 грн

PMV10A440

на замовлення 11 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2699.22 грн

PMV117EN

PHILILPS

09+

на замовлення 2018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

товар відсутній

PMV117EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB

на замовлення 4607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3206+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 3206

PMV117EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

товар відсутній

PMV120ENEAR

MOSFET PMV120ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 32876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.9 грн
15+	21.52 грн
100+	10.26 грн
1000+	7.33 грн
3000+	6.39 грн
9000+	5.99 грн
24000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.17 грн
6000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV120ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	20.98 грн
34+	17.51 грн
36+	16.13 грн
100+	9.26 грн
250+	8.49 грн
500+	8.07 грн
1000+	5.86 грн
3000+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 28

PMV120ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.65 грн
14+	19.84 грн
100+	11.92 грн
500+	10.35 грн
1000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV120ENEAR

PMV120ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV1216GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV1216GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1414 N4, Eclipse Junior, 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2787.96 грн
5+	2652.75 грн

PMV1216GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV1216GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel, Grey

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV130ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

на замовлення 1262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

32+	11.73 грн
37+	9.5 грн
100+	8.53 грн
120+	6.63 грн
329+	6.27 грн

Мінімальне замовлення: 32

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 705000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV130ENEAR

MOSFET PMV130ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 74745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.47 грн
15+	20.45 грн
100+	11.85 грн
500+	8.72 грн
1000+	6.73 грн
3000+	5.33 грн
6000+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.72 грн
500+	9.36 грн
1000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	24.83 грн
31+	19.1 грн
33+	17.77 грн
100+	12.6 грн
250+	10.78 грн
500+	8.13 грн
1000+	6.42 грн
3000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн
6000+	5.99 грн
9000+	5.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV130ENEAR

на замовлення 1262 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	14.07 грн
25+	11.84 грн
100+	10.24 грн
120+	7.96 грн
329+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV130ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.71 грн
29+	26.37 грн
100+	14.72 грн
500+	9.36 грн
1000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV130ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

611+	19.13 грн
830+	14.08 грн
898+	13 грн
1143+	9.85 грн
1447+	7.2 грн
3000+	5.99 грн

Мінімальне замовлення: 611

PMV130ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
15+	19.63 грн
100+	9.92 грн
500+	8.25 грн
1000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV13XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.6A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV13XNEAR

Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.21 грн
15+	18.8 грн
100+	11.3 грн
500+	9.82 грн
1000+	6.68 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV13XNEAR

PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV13XNEAR

товар відсутній

PMV13XNEAR

MOSFET PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 13707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.43 грн
15+	20.91 грн
100+	10.19 грн
1000+	6.93 грн
3000+	6.66 грн
9000+	5.79 грн
24000+	5.33 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV13XNR

Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.86 грн
11+	25.53 грн
100+	15.32 грн
500+	13.32 грн
1000+	9.05 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 88102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
13+	22.13 грн
25+	20.23 грн
100+	14.15 грн
250+	12.82 грн
500+	10.61 грн
1000+	7.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV15ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV15ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.07 грн
6000+	7.3 грн
15000+	6.83 грн
30000+	5.88 грн
75000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV15ENEAR

MOSFET PMV15ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 8901 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

10+	31.39 грн
14+	23.28 грн
100+	13.65 грн
500+	11.25 грн
1000+	8.46 грн
3000+	7.72 грн
6000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV15ENEAR

PMV15ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV15ENER

MOSFET PMV15ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 14828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
13+	23.89 грн
100+	14.18 грн
1000+	8.26 грн
3000+	6.93 грн
9000+	6.39 грн
24000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

на замовлення 8074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
12+	24.42 грн
100+	16.61 грн
500+	11.69 грн
1000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV15ENER

Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

товар відсутній

PMV15UNEAR

PMV15UNEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

на замовлення 6110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.92 грн
500+	10.2 грн
1000+	7.68 грн
5000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV15UNEAR

MOSFET PMV15UNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 10883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
13+	24.74 грн
100+	14.58 грн
1000+	8.26 грн
3000+	7.53 грн
9000+	6.66 грн
24000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV15UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V SOT23

товар відсутній

PMV15UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV15UNEAR

Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

на замовлення 6110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.21 грн
32+	23.38 грн
100+	12.92 грн
500+	10.2 грн
1000+	7.68 грн
5000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

на замовлення 97356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.65 грн
16+	18.04 грн
100+	9.1 грн
500+	7.57 грн
1000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
кількість в упаковці: 95 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

95+	5.34 грн

Мінімальне замовлення: 95

PMV160UP,215

MOSFET PMV160UP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 53865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.9 грн
19+	16.62 грн
100+	7.72 грн
1000+	6.06 грн
3000+	4.73 грн
9000+	3.73 грн
45000+	3.46 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV160UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.8A; 480mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

28+	13.6 грн
51+	6.87 грн
100+	6.17 грн
172+	4.65 грн
472+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 28

PMV160UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.83 грн
6000+	5.49 грн
9000+	4.86 грн
30000+	4.51 грн
75000+	3.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 324000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV160UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	106.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV160UP,215

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

17+	16.32 грн
31+	8.56 грн
100+	7.41 грн
172+	5.58 грн
472+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 17

PMV160UPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB

товар відсутній

PMV160UPVL

MOSFET PMV160UP/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	3.6 грн

Мінімальне замовлення: 87

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.2 грн
6000+	4.79 грн
9000+	4.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV164ENEAR

MOSFET PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 85439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
15+	21.67 грн
100+	7.79 грн
1000+	5.73 грн
3000+	4.59 грн
9000+	4 грн
24000+	3.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV164ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV164ENEAR

PMV164ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV164ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
15+	19.49 грн
100+	9.83 грн
500+	7.53 грн
1000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

на замовлення 4302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.65 грн
16+	17.9 грн
100+	9.03 грн
500+	6.91 грн
1000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV164ENER

MOSFET PMV164ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 33659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.6 грн
15+	21.37 грн
100+	10.52 грн
1000+	5.39 грн
3000+	4.59 грн
9000+	3.66 грн
24000+	3.46 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV164ENER

Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV16UN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV16UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB

товар відсутній

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.75 грн
6000+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV16XNR

Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 510mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	35.56 грн
27+	28.24 грн
100+	17.18 грн
500+	12 грн
1000+	8.26 грн
3000+	8.13 грн
6000+	7.94 грн
12000+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.5 грн
15000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	23.9 грн
29+	20.12 грн
100+	14.08 грн
250+	12.92 грн
500+	9.6 грн
1000+	7.35 грн
3000+	7.09 грн
6000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 25

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

на замовлення 33389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.93 грн
15+	19.35 грн
100+	11.61 грн
500+	10.09 грн
1000+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

539+	21.67 грн
743+	15.73 грн
749+	15.59 грн
968+	11.63 грн
1264+	8.25 грн
3000+	7.63 грн
6000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 539

PMV16XNR

MOSFET PMV16XN/SOT23/TO-236AB

на замовлення 131787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.03 грн
15+	20.68 грн
100+	9.59 грн
1000+	7.46 грн
3000+	6.46 грн
9000+	6.13 грн
24000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV16XNR

Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 510mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 13950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.66 грн
500+	11.65 грн
1000+	8 грн
5000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV16XNR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.13 грн
6000+	8.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV16XNR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.99 грн
6000+	6.45 грн
9000+	5.81 грн
30000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	9.31 грн

Мінімальне замовлення: 2219

PMV170UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

на замовлення 260243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	9.31 грн

Мінімальне замовлення: 2219

PMV185XN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV185XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV19XNEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.8A; Idm: 24A
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 18.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD

товар відсутній

PMV19XNEAR

MOSFET PMV19XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 15905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
13+	23.74 грн
100+	11.52 грн
1000+	7.79 грн
3000+	6.53 грн
9000+	6.06 грн
45000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.11 грн
27+	28.09 грн
100+	19.8 грн
500+	17.2 грн
1000+	15.43 грн
3000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 3327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
14+	21.3 грн
100+	12.81 грн
500+	11.13 грн
1000+	7.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV19XNEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV19XNEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV19XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.8 грн
500+	17.2 грн
1000+	15.43 грн
3000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV19XNEAR

товар відсутній

PMV2-35RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5

товар відсутній

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 5793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.57 грн
25+	26 грн
50+	23.81 грн
100+	23.25 грн
500+	22.68 грн
1000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV2-3FB-3K

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV2-3FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-3FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.25 грн
10+	69.61 грн
100+	54.67 грн
500+	53.27 грн
1000+	48.95 грн
5000+	46.02 грн
10000+	44.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-3FB-C

Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.840" (21.34mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 1307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	61.95 грн
100+	56.01 грн
1000+	47.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-3FB-C

Fork Terminal 14-16AWG Copper Blue 21.34mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV2-3RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-3RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

товар відсутній

PMV2-3RB-C

Terminals VYL-RING 1.5-2.5MM M3

на замовлення 3177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV2-3RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	61.95 грн
25+	60.43 грн
50+	55.35 грн
100+	52.57 грн
500+	51.19 грн
1000+	46.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-3RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV2-3RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3

товар відсутній

PMV2-4FB-3K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-4FB-C

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-4RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

товар відсутній

PMV2-4RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

товар відсутній

PMV2-4RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4

товар відсутній

PMV2-5FB-3K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-5FB-3K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-5FB-C

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-5FB-C

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-5RB-3K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

товар відсутній

PMV2-5RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV2-5RB-C

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.25 грн
10+	69.61 грн
100+	54.67 грн
500+	53.27 грн
1000+	48.95 грн
5000+	46.02 грн
10000+	44.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-5RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.935" (23.75mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 1947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.71 грн
10+	63.54 грн
25+	62.02 грн
50+	56.78 грн
100+	53.94 грн
500+	52.52 грн
1000+	47.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

PMV2-5RB-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV2-5RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP

товар відсутній

PMV2-6FB-3K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-6FB-C

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV2-6RB-3K

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

товар відсутній

PMV2-6RB-C

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

товар відсутній

PMV2-6RB-X

Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6

товар відсутній

PMV2-P10-C

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 1

товар відсутній

PMV2-P12B-3K

Description: CONN WIRE PIN TERM 14-16AWG
Packaging: Bulk
Color: Blue
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Pin Diameter: Circular - 0.080" (2.03mm) Dia
Length - Overall: 0.890" (22.61mm)
Termination: Crimp
Length - Pin: 0.394" (10.00mm)

товар відсутній

PMV2024GY

HAMMOND

Description: HAMMOND - PMV2024GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 73269098
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3038.97 грн

PMV2024GY

Electrical Enclosure Accessories Vertical Steel Channel, Grey

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV20A240

PMV20A240 Monitoring Relays

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3469.52 грн

PMV20A575

PMV20A575 Monitoring Relays

на замовлення 25 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3025.84 грн

PMV20A600

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17707.96 грн

PMV20A600

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Power supply: from tested wiring system
Kind of output 1: SPDT
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Controlled parameter range: 380...600V AC
Contact actuation delay: 60ms
IP rating: IP20 at terminal side

товар відсутній

PMV20A600

товар відсутній

PMV20A600-LVTO

Lovato Electric

Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17707.96 грн

PMV20EN

Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 3-Pin TO-236AB PMV20ENR TPMV20e
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV20EN215

Description: NEXPERIA PMV20EN - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 176346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	21.3 грн
100+	10.77 грн
500+	8.95 грн
1000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	7.93 грн
6000+	7.45 грн

Мінімальне замовлення: 73

PMV20ENR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

29+	13.15 грн
38+	9.16 грн
100+	8.25 грн
128+	6.25 грн
351+	5.9 грн

Мінімальне замовлення: 29

PMV20ENR

MOSFET PMV20EN/SOT23/TO-236AB

на замовлення 149607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.87 грн
15+	20.68 грн
100+	12.25 грн
500+	9.32 грн
1000+	6.93 грн
3000+	6.33 грн
6000+	5.93 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20ENR

Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.9 грн
6000+	6.5 грн
9000+	5.75 грн
30000+	5.33 грн
75000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV20ENR

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

563+	20.77 грн
738+	15.83 грн
781+	14.95 грн
995+	11.32 грн
1330+	7.84 грн
3000+	7.44 грн
6000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 563

PMV20ENR

на замовлення 2878 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

18+	15.78 грн
25+	11.41 грн
100+	9.91 грн
128+	7.5 грн
351+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV20XN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV20XN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 8397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV20XN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XNE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 212456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV20XNEA,215

Description: 6.3A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M

товар відсутній

PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 125

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.53 грн
13+	23.1 грн
100+	15.71 грн
500+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV20XNEAR

Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 500

PMV20XNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XNEAR

MOSFET PMV20XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 15099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
14+	23.05 грн
100+	10.19 грн
1000+	8.39 грн
3000+	7.19 грн
9000+	6.46 грн
24000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV20XNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV20XNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 24A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 24A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3417 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

16+	17.12 грн
25+	14.87 грн
88+	10.82 грн
242+	10.24 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.19 грн
27+	21.82 грн
30+	19.46 грн
100+	10.91 грн
250+	9.57 грн
500+	8.36 грн
1000+	7.46 грн
3000+	5.58 грн
6000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

на замовлення 29933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
14+	20.67 грн
100+	12.4 грн
500+	10.78 грн
1000+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV20XNER

MOSFET PMV20XNE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 92492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.2 грн
16+	19.83 грн
100+	10.19 грн
1000+	7.53 грн
3000+	6.19 грн
9000+	5.93 грн
24000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV20XNER

Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.47 грн
6000+	6.89 грн
9000+	6.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV20XNER

на замовлення 3417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

27+	14.27 грн
30+	11.93 грн
88+	9.02 грн
242+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 27

PMV20XNER

Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV213APW

на замовлення 5800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV213SN

MOSFET

товар відсутній

PMV213SN

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV213SN T/R

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

товар відсутній

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	24.21 грн
27+	21.84 грн
100+	17.65 грн
500+	14.11 грн
1000+	10.6 грн
3000+	8.81 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 45984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	32.2 грн
50+	26.89 грн
100+	21.59 грн
500+	12.14 грн
1500+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	32.9 грн
21+	28.48 грн
25+	28.18 грн
100+	20.21 грн
250+	18.53 грн
500+	13.92 грн
1000+	10.71 грн
3000+	9.93 грн
6000+	8.4 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV213SN,215

MOSFET PMV213SN/SOT23/TO-236AB

на замовлення 258385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.13 грн
11+	30.33 грн
100+	19.18 грн
500+	15.05 грн
1000+	11.79 грн
3000+	9.59 грн
9000+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

на замовлення 258000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	18.97 грн
25+	16.65 грн
65+	12.77 грн
180+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV213SN,215

N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 50

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 32

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.77 грн
9000+	10.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.65 грн
9000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV213SN,215

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	22.77 грн
25+	20.75 грн
65+	15.32 грн
180+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.98 грн
6000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV213SN,215

на замовлення 45984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.59 грн
500+	12.14 грн
1500+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV213SN,215

Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	30.35 грн
518+	22.57 грн
523+	22.36 грн
668+	16.87 грн
1000+	12.01 грн
3000+	10.7 грн
6000+	9.05 грн

Мінімальне замовлення: 385

PMV213SN,215

Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V

на замовлення 262371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.37 грн
13+	22.13 грн
100+	15.43 грн
500+	11.3 грн
1000+	9.8 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV22EN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV22EN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 994810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV22EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.41 грн
6000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV230ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV230ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.49 грн
17+	16.72 грн
100+	8.44 грн
500+	7.02 грн
1000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV230ENEAR

MOSFET PMV230ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 34045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.73 грн
17+	18.61 грн
100+	7.26 грн
1000+	5.66 грн
3000+	4.86 грн
9000+	4.06 грн
24000+	4 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV230ENEAR

товар відсутній

PMV240SPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -800mA; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 840mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV240SPR

Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A T/R

товар відсутній

PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

товар відсутній

PMV240SPR

MOSFET PMV240SP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 15970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
12+	25.73 грн
100+	15.52 грн
500+	12.12 грн
1000+	9.92 грн
3000+	8.39 грн
9000+	7.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV240SPR

товар відсутній

PMV240SPR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

товар відсутній

PMV250EPEA

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV250EPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.37 грн
6000+	6.05 грн
9000+	5.58 грн
15000+	5.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV250EPEAR

Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

на замовлення 38246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.86 грн
500+	7.14 грн
1000+	4.77 грн
5000+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 40990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	21.3 грн
100+	10.75 грн
500+	8.22 грн
1000+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV250EPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.89W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	11.36 грн
45+	7.84 грн
100+	7.14 грн
150+	5.36 грн
410+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 35

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.91 грн
6000+	5.62 грн
9000+	5.18 грн
15000+	4.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV250EPEAR

на замовлення 38246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.17 грн
27+	28.01 грн
100+	9.86 грн
500+	7.14 грн
1000+	4.77 грн
5000+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV250EPEAR

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.68 грн
6000+	5.23 грн
9000+	4.52 грн
30000+	4.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV250EPEAR

MOSFET PMV250EPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 251593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.95 грн
16+	20.06 грн
100+	8.39 грн
1000+	6.33 грн
3000+	4.86 грн
9000+	4.33 грн
24000+	3.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV250EPEAR

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	13.63 грн
30+	9.77 грн
100+	8.57 грн
150+	6.43 грн
410+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV250EPEAR

Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV25ENEA215

Description: PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV25ENEAR

MOSFET PMV25ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 27998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.47 грн
13+	25.2 грн
100+	14.92 грн
500+	11.12 грн
1000+	8.12 грн
3000+	7.39 грн
6000+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV25ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 22A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
13+	21.5 грн
100+	12.9 грн
500+	11.21 грн
1000+	7.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV25ENEAR

товар відсутній

PMV25ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV25ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV27UPEA,215

Description: 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	25.43 грн
596+	19.6 грн
601+	19.42 грн
746+	15.1 грн
1000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 459

PMV27UPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
13+	22.89 грн
100+	15.9 грн
500+	11.65 грн
1000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV27UPEAR

товар відсутній

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV27UPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.08 грн
25+	23.61 грн
100+	17.55 грн
250+	16.1 грн
500+	12.47 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV27UPEAR

MOSFET PMV27UPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 25139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.77 грн
13+	24.97 грн
100+	16.32 грн
500+	13.39 грн
1000+	10.39 грн
3000+	9.46 грн
6000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.23 грн
25+	29.96 грн
100+	20.02 грн
500+	14.91 грн
1000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPER

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

на замовлення 11978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
12+	23.45 грн
100+	16.28 грн
500+	11.93 грн
1000+	9.7 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV27UPER

MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 11377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.47 грн
12+	26.27 грн
100+	17.11 грн
500+	13.72 грн
1000+	10.59 грн
3000+	9.72 грн
6000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV27UPER

товар відсутній

PMV27UPER

Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.02 грн
500+	14.91 грн
1000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV27UPER

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPER

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.59 грн
6000+	8.77 грн
9000+	8.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV27UPER

товар відсутній

PMV280ENEA

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV280ENEA,215

Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV280ENEA215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV280ENEAR
Код товару: 194408

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 5A
Gate charge: 6.8nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 1078mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1595 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	24.38 грн
25+	12.36 грн
100+	10.65 грн
113+	8.48 грн
309+	8.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7 грн
6000+	6.59 грн
9000+	5.84 грн
30000+	5.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 580
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.21 грн
500+	10.41 грн
1000+	7.36 грн
5000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV280ENEAR

на замовлення 1595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	20.32 грн
35+	9.92 грн
100+	8.88 грн
113+	7.07 грн
309+	6.68 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн
6000+	6.34 грн
9000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

MOSFET PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 237745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.56 грн
13+	25.12 грн
100+	13.59 грн
500+	9.32 грн
1000+	7.19 грн
3000+	6.46 грн
6000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

459+	25.44 грн
678+	17.23 грн
732+	15.96 грн
1009+	11.16 грн
1315+	7.93 грн
3000+	6.15 грн
6000+	5.12 грн

Мінімальне замовлення: 459

PMV280ENEAR

Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 34561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.7 грн
13+	21.64 грн
100+	10.93 грн
500+	9.09 грн
1000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV280ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 580
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.37 грн
26+	29.28 грн
100+	16.21 грн
500+	10.41 грн
1000+	7.36 грн
5000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.89 грн
6000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV280ENEAR

Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.02 грн
23+	25.31 грн
25+	23.63 грн
100+	15.43 грн
250+	13.23 грн
500+	9.21 грн
1000+	7.07 грн
3000+	5.71 грн
6000+	4.75 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.49 грн
16+	18.45 грн
100+	11.08 грн
500+	9.62 грн
1000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV28ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV28ENEAR

MOSFET PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 31343 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.57 грн
16+	19.38 грн
100+	12.19 грн
500+	9.59 грн
1000+	7.19 грн
3000+	5.93 грн
6000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV28ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28ENEAR

PMV28ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
13+	22.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV28ENER

Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV28ENER

MOSFET PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 5718 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.43 грн
15+	21.83 грн
100+	12.92 грн
1000+	7.53 грн
3000+	6.33 грн
9000+	5.79 грн
24000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV28UN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV28UN,215

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 6399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	24.5 грн
32+	18.4 грн
100+	7.94 грн
250+	7.27 грн
500+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28UNEAR

MOSFET PMV28UNEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/

на замовлення 17955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV28UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.21 грн
15+	19.08 грн
100+	11.44 грн
500+	9.94 грн
1000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV28UNEAR

PMV28UNEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV28XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	32.42 грн
30+	25.4 грн
100+	15.39 грн
500+	11.03 грн
1000+	9.09 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV28XPEAR

MOSFET PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 135170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
18+	17.84 грн
100+	11.19 грн
1000+	10.85 грн
3000+	6.26 грн
9000+	5.79 грн
24000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV28XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV28XPEAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV28XPEAR

товар відсутній

PMV28XPEAR

PMV28XPEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV3036GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PMK Series
Accessory Type: Mounting Kit

товар відсутній

PMV3036GY

Electrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray

товар відсутній

PMV30A240

PMV30A240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV30A600

PMV30A600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV30ENEAR

PMV30ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V

на замовлення 11285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.7 грн
12+	23.72 грн
100+	14.23 грн
500+	12.36 грн
1000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV30ENEAR

40 V N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV30ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.56 грн
6000+	7.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

товар відсутній

PMV30UN

07+ROHS SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV30UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV30UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV30UN2

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	11.67 грн
1011+	11.56 грн
1032+	11.31 грн
1363+	8.26 грн
3000+	5.88 грн
6000+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 1000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.9 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

на замовлення 144543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
13+	21.43 грн
100+	10.84 грн
500+	9.01 грн
1000+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 40534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.59 грн
26+	29.21 грн
100+	16.29 грн
500+	10.34 грн
1000+	7.36 грн
3000+	6.6 грн
6000+	6.47 грн
12000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.36 грн
6000+	7.65 грн
12000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 924000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

MOSFET PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 28941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.55 грн
14+	22.44 грн
100+	9.32 грн
1000+	6.06 грн
3000+	5.39 грн
9000+	4.66 грн
45000+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	31.31 грн
25+	23.99 грн
29+	20.57 грн
100+	10.45 грн
250+	9.58 грн
500+	9 грн
1000+	6.82 грн
3000+	5.25 грн
6000+	4.27 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV30UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 7205 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	18.92 грн
25+	10.98 грн
100+	9.41 грн
140+	6.87 грн
384+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

на замовлення 40534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.29 грн
500+	10.34 грн
1000+	7.36 грн
3000+	6.6 грн
6000+	6.47 грн
12000+	6.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.35 грн
6000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн
6000+	6.54 грн
9000+	5.79 грн
30000+	5.37 грн
75000+	4.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

на замовлення 7205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	15.76 грн
40+	8.81 грн
100+	7.84 грн
140+	5.72 грн
384+	5.41 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV30UN2R

Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 924000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5091+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 5091

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.28 грн
6000+	5.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2R

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.61 грн
6000+	6.21 грн
15000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30UN2VL

MOSFET PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30UN2VL

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV30UN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV30UN2VL

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30UN2VL

товар відсутній

PMV30XN

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV30XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.45 грн
6000+	6.88 грн
9000+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30XPAR

MOSFET PMV30XPA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 10492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
14+	22.9 грн
100+	11.05 грн
1000+	7.53 грн
3000+	6.66 грн
9000+	5.99 грн
24000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV30XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
14+	20.6 грн
100+	12.38 грн
500+	10.76 грн
1000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV30XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV30XPAR

товар відсутній

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 6000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 250 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV30XPEAR

MOSFET PMV30XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 232073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	18.8 грн
21+	14.93 грн
100+	8.72 грн
1000+	6.99 грн
3000+	6.46 грн
9000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 17

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.76 грн
9000+	6.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.98 грн
6000+	7.37 грн
9000+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.29 грн
27000+	12.14 грн
54000+	11.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

PMV30XPEAR SMD P channel transistors

на замовлення 2007 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	27.16 грн
85+	11.49 грн
233+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.28 грн
9000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.94 грн
6000+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV30XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 29214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.53 грн
13+	22.13 грн
100+	13.26 грн
500+	11.52 грн
1000+	7.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV31XN

на замовлення 58400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV31XN,215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 32487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV32UP

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV32UP

MOSFET

товар відсутній

PMV32UP,215

Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

на замовлення 6711 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.23 грн
50+	29.96 грн
100+	23.61 грн
500+	13.87 грн
1500+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.54 грн
6000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.68 грн
6000+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.72 грн
9000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

MOSFET PMV32UP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 230821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
12+	26.11 грн
100+	16.98 грн
500+	13.39 грн
1000+	10.32 грн
3000+	8.46 грн
45000+	8.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV32UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 73mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 930mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

22+	17.18 грн
25+	14.29 грн
71+	11.42 грн
195+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV32UP,215
Код товару: 188518

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

PMV32UP,215

на замовлення 6711 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.61 грн
500+	13.87 грн
1500+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV32UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

на замовлення 8855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.46 грн
10+	30.59 грн
100+	21.28 грн
500+	15.59 грн
1000+	12.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.88 грн
9000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

14+	20.62 грн
25+	17.81 грн
71+	13.7 грн
195+	12.95 грн
3000+	12.74 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV32UP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV32UP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV32UP215

Description: NOW NEXPERIA PMV32UP - SMALL SIG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

PMV33UPE,215

MOSFET PMV33UPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 44944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
12+	26.19 грн
100+	17.31 грн
500+	14.45 грн
1000+	11.85 грн
3000+	10.92 грн
9000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

на замовлення 53365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	36.74 грн
10+	30.24 грн
100+	21.03 грн
500+	15.41 грн
1000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV33UPE,215

Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV33UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.39 грн
6000+	11.32 грн
9000+	10.51 грн
30000+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -17A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	31.56 грн
25+	26.45 грн
55+	18.27 грн
145+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	26.3 грн
25+	21.23 грн
55+	15.22 грн
145+	14.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER
Код товару: 187543

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8

очікується 400 шт:

400 шт - очікується

PMV35EPER

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.76 грн
20+	38.62 грн
100+	26 грн
500+	19.01 грн
1000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	21.49 грн
654+	17.85 грн
759+	15.39 грн
1000+	12.13 грн
3000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 544

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV35EPER

MOSFET PMV35EPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 8809 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.95 грн
11+	28.11 грн
100+	18.18 грн
500+	14.78 грн
1000+	11.72 грн
3000+	10.06 грн
9000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV35EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V

на замовлення 6411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	36.74 грн
10+	30.59 грн
100+	21.23 грн
500+	15.55 грн
1000+	12.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV35EPER

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 480mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26 грн
500+	19.01 грн
1000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV35EPER

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	22.33 грн
29+	19.96 грн
100+	16.58 грн
500+	13.78 грн
1000+	10.43 грн
3000+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV37EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.24 грн
6000+	5.88 грн
9000+	5.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37EN2R

MOSFET PMV37EN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 1232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.56 грн
13+	24.97 грн
100+	13.52 грн
500+	9.26 грн
1000+	7.13 грн
3000+	6.19 грн
6000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV37EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 21753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
15+	19.28 грн
100+	9.74 грн
500+	8.1 грн
1000+	6.3 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV37EN2R

товар відсутній

PMV37EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
13+	21.57 грн
25+	19.76 грн
100+	13.79 грн
250+	12.5 грн
500+	10.35 грн
1000+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 14A
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV37ENEAR

товар відсутній

PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

на замовлення 3763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 49

PMV37ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	24.43 грн
50+	18.38 грн
100+	12.33 грн
500+	8.53 грн
1500+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 31

PMV37ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.87 грн
6000+	7.12 грн
15000+	6.66 грн
30000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV37ENEAR

60 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV37ENEAR

MOSFET PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 237451 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
15+	21.83 грн
100+	10.65 грн
1000+	7.99 грн
3000+	6.59 грн
9000+	6.13 грн
24000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37ENER

MOSFET PMV37ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 17587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.9 грн
14+	22.9 грн
100+	13.65 грн
1000+	7.92 грн
3000+	6.66 грн
9000+	6.13 грн
24000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

на замовлення 3609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.53 грн
12+	23.24 грн
100+	15.8 грн
500+	11.12 грн
1000+	8.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV37ENER

Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40A240

PMV40A240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV40A575

PMV40A575 Monitoring Relays

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	6443.76 грн

PMV40A600

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure
Type of module: voltage monitoring relay
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP20 at terminal side
Operating temperature: -20...60°C
Manufacturer series: PMV
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Leads: screw terminals
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Contact actuation delay: 0.1...20s
Kind of output 1: SPDT
Power supply: from tested wiring system
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV40A600

товар відсутній

PMV40UN

на замовлення 58400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV40UN

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

товар відсутній

PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV40UN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV40UN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV40UN2

Description: PMV40UN2 - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV40UN2

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV40UN2,215

Description: NEXPERIA, PMV40UN2 - 30V, N-CHAN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV40UN2215

Description: NOW NEXPERIA PMV40UN2 - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

MOSFET PMV40UN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 331795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	20.2 грн
21+	14.86 грн
100+	7.92 грн
1000+	6.06 грн
3000+	5.39 грн
9000+	4.66 грн
24000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV40UN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	18.02 грн
25+	10.63 грн
100+	9.32 грн
135+	7.03 грн
372+	6.65 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.44 грн
6000+	6.42 грн
15000+	4.73 грн
30000+	4.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	15.02 грн
41+	8.53 грн
100+	7.77 грн
135+	5.85 грн
372+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 25

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.01 грн
6000+	6.92 грн
15000+	5.1 грн
30000+	4.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 48799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.51 грн
500+	10.54 грн
1000+	7.49 грн
5000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

на замовлення 427549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.37 грн
15+	18.73 грн
100+	9.43 грн
500+	7.84 грн
1000+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.02 грн
6000+	6.05 грн
15000+	4.47 грн
30000+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R
Код товару: 175226

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

PMV40UN2R

Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215; PMV40UN2R TPMV40u
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV40UN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV40UN2R

Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 47345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.59 грн
26+	29.21 грн
100+	16.29 грн
500+	10.34 грн
1000+	7.36 грн
3000+	6.6 грн
6000+	5.72 грн
12000+	5.61 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV40UN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V

на замовлення 423000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.04 грн
6000+	5.69 грн
9000+	5.04 грн
30000+	4.67 грн
75000+	3.97 грн
150000+	3.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV41XPAR

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.37 грн
14+	20.39 грн
100+	12.23 грн
500+	10.63 грн
1000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV41XPAR

MOSFET MOSFET PMV41XPA/SOT23

на замовлення 4246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.6 грн
13+	23.66 грн
100+	14.05 грн
1000+	8.19 грн
3000+	6.86 грн
9000+	6.06 грн
24000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV4248GY

Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV4248GY

Electrical Enclosures Vertical Steel Channel

товар відсутній

PMV42ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV42ENER

PMV42ENER SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

на замовлення 12229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.93 грн
15+	19.56 грн
100+	11.7 грн
500+	10.17 грн
1000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV42ENER

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.04 грн
6000+	6.5 грн
9000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV42ENER

MOSFET PMV42ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 76318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.67 грн
15+	21.29 грн
100+	11.59 грн
500+	7.92 грн
1000+	6.13 грн
3000+	5.46 грн
6000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV450ENEA

NXP Semiconductors

товар відсутній

PMV450ENEA215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 16266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1052+	11.1 грн
1124+	10.39 грн
1589+	7.35 грн
2322+	4.85 грн
3000+	4.15 грн
6000+	3.52 грн
15000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 1052

PMV450ENEAR

MOSFET PMV450ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 23406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.77 грн
17+	19.07 грн
100+	8.92 грн
500+	5.93 грн
1000+	4 грн
3000+	3.6 грн
6000+	3.13 грн

Мінімальне замовлення: 14

PMV450ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 323mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	27.79 грн
34+	22.19 грн
100+	10.76 грн
500+	6.58 грн
1000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 27

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 16266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	22.73 грн
31+	18.93 грн
33+	17.83 грн
100+	9.94 грн
250+	8.61 грн
500+	5.85 грн
1000+	4 грн
3000+	3.7 грн
6000+	3.27 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	22.33 грн
19+	15.12 грн
100+	7.37 грн
500+	5.77 грн
1000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.02 грн
6000+	3.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.99 грн
6000+	3.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV450ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.85 грн
6000+	3.44 грн
9000+	2.85 грн
30000+	2.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV450ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 323mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.76 грн
500+	6.58 грн
1000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV450ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EM

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV45EN

07+ SOP16

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV45EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV45EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV45EN2

товар відсутній

PMV45EN2215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EN2R

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 7892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

27+	14.04 грн
46+	7.7 грн
100+	7.01 грн
145+	5.54 грн
398+	5.24 грн

Мінімальне замовлення: 27

PMV45EN2R

на замовлення 7892 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

16+	16.85 грн
28+	9.6 грн
100+	8.41 грн
145+	6.65 грн
398+	6.28 грн

Мінімальне замовлення: 16

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	23.01 грн
30+	19.32 грн
32+	18.53 грн
100+	12.69 грн
250+	11.46 грн
500+	10.26 грн
1000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.82 грн
6000+	7.22 грн
9000+	6.5 грн
30000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EN2R

MOSFET PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 44836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.9 грн
14+	22.06 грн
100+	11.45 грн
1000+	7.33 грн
3000+	6.13 грн
9000+	5.46 грн
24000+	5.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 510mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.07 грн
29+	26.15 грн
100+	16.14 грн
500+	11.52 грн
1000+	8.2 грн
3000+	6.06 грн
6000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV45EN2R
Код товару: 187508

Транзистори > Польові N-канальні

очікується 400 шт:

400 шт - очікується

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

585+	19.96 грн
824+	14.18 грн
845+	13.82 грн
906+	12.43 грн
1510+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 585

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.23 грн
9000+	6.45 грн
24000+	5.85 грн
99000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EN2R

Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

на замовлення 57603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.53 грн
13+	21.64 грн
100+	12.99 грн
500+	11.29 грн
1000+	7.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.71 грн
9000+	5.99 грн
24000+	5.43 грн
99000+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV45EN2R

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN2R

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 510mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.14 грн
500+	11.52 грн
1000+	8.2 грн
3000+	6.06 грн
6000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN2VL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMV45EN2VL

Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMV45EN2VL

товар відсутній

PMV45EN2VL

Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV45EN2VL

Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV45EN2VL

MOSFET PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV48XP

MOSFET

товар відсутній

PMV48XP
Код товару: 143394

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.38 грн
6000+	9.8 грн
9000+	9.17 грн
24000+	8.27 грн
30000+	7.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 25274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.3 грн
10+	29.27 грн
100+	20.34 грн
500+	14.9 грн
1000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XP,215

MOSFET PMV48XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 86935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.83 грн
10+	30.94 грн
100+	19.38 грн
500+	15.38 грн
1000+	12.52 грн
3000+	9.79 грн
9000+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.51 грн
50+	28.24 грн
100+	21.89 грн
500+	13.04 грн
1500+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.16 грн
21000+	12.94 грн
42000+	12.05 грн
63000+	10.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 3120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	18.83 грн
25+	15.75 грн
75+	11.43 грн
195+	10.8 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

696+	16.78 грн
781+	14.95 грн
785+	14.88 грн
881+	12.78 грн
1000+	10.89 грн
3000+	8.17 грн

Мінімальне замовлення: 696

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	16.91 грн
37+	16 грн
38+	15.58 грн
100+	13.38 грн
250+	12.33 грн
500+	10.55 грн
1000+	9.71 грн
3000+	7.59 грн

Мінімальне замовлення: 35

PMV48XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.98 грн
6000+	10.95 грн
9000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.23 грн
6000+	9.66 грн
9000+	9.04 грн
24000+	8.15 грн
30000+	7.39 грн
45000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

на замовлення 13581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.89 грн
500+	13.04 грн
1500+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.81 грн
6000+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.97 грн
6000+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP,215

на замовлення 3120 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	22.59 грн
25+	19.62 грн
75+	13.71 грн
195+	12.96 грн

Мінімальне замовлення: 15

PMV48XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.55 грн
9000+	9.64 грн
18000+	8.97 грн
27000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV48XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV48XP/ZLR

Description: PMV48XP/ZLR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV48XPA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk

товар відсутній

PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.4 грн
6000+	5.91 грн
9000+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 61

PMV48XPA2R

Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.98 грн
500+	6.8 грн
1500+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV48XPA2R

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV48XPA2R

Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.77 грн
16+	17.76 грн
100+	10.64 грн
500+	9.24 грн
1000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV48XPA2R

MOSFET PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB

на замовлення 109313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.03 грн
16+	19.76 грн
100+	9.52 грн
1000+	6.53 грн
3000+	5.73 грн
9000+	5.13 грн
24000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1537+	7.59 грн
1610+	7.25 грн
1676+	6.96 грн
1739+	6.48 грн
1799+	5.79 грн
2500+	5.4 грн
5000+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 1537

PMV48XPA2R

товар відсутній

PMV48XPA2R

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	5.49 грн

Мінімальне замовлення: 57

PMV48XPA2R

на замовлення 1818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	21.74 грн
50+	16.36 грн
100+	10.98 грн
500+	6.8 грн
1500+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 35

PMV48XPAR

Description: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.47 грн
27+	28.16 грн
100+	18.45 грн
500+	13.87 грн
1000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 23

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	20.18 грн
685+	17.06 грн
794+	14.71 грн
1077+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 579

PMV48XPAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

MOSFET PMV48XPA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 21198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.13 грн
10+	30.94 грн
100+	20.04 грн
500+	15.78 грн
1000+	12.19 грн
3000+	11.05 грн
9000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.33 грн
12000+	13.09 грн
24000+	12.18 грн
36000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

PMV48XPAR

товар відсутній

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 7094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

528+	22.13 грн
663+	17.61 грн
673+	17.37 грн
810+	13.91 грн
1349+	7.73 грн
3000+	3.81 грн
6000+	3.77 грн

Мінімальне замовлення: 528

PMV48XPAR

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.45 грн
500+	13.87 грн
1000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	20.01 грн
31+	18.74 грн
100+	15.84 грн
500+	13.17 грн
1000+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 29

PMV48XPAR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.58 грн
10+	28.72 грн
100+	19.94 грн
500+	14.6 грн
1000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.19 грн
6000+	11.08 грн
9000+	10.82 грн
24000+	10.07 грн
30000+	9.32 грн
45000+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV48XPAR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 7094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	22.72 грн
28+	20.69 грн
29+	20.55 грн
100+	15.77 грн
250+	14.4 грн
500+	11.48 грн
1000+	6.89 грн
3000+	3.54 грн
6000+	3.51 грн

Мінімальне замовлення: 26

PMV48XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV48XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV48XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV48XPVL

товар відсутній

PMV48XPVL

MOSFET PMV48XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 9115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.25 грн
11+	28.64 грн
100+	18.58 грн
1000+	14.58 грн
2500+	11.25 грн
10000+	7.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50A240

PMV50A240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50A575

PMV50A575 Monitoring Relays

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	7293.66 грн

PMV50A600

PMV50A600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 5.5A
Pulsed drain current: 5.5A
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV50ENEAR

MOSFET PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 30675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
13+	24.97 грн
100+	14.78 грн
1000+	8.39 грн
3000+	7.46 грн
9000+	6.39 грн
24000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
13+	21.57 грн
100+	12.96 грн
500+	11.26 грн
1000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50ENEAR

товар відсутній

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50ENEAR

Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.42 грн
30+	19.39 грн
31+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV50EPEAR

MOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 118333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.2 грн
16+	19.68 грн
100+	10.19 грн
1000+	6.86 грн
3000+	6.13 грн
9000+	5.99 грн
24000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.51 грн
6000+	6.93 грн
9000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

на замовлення 11330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.83 грн
28+	21.28 грн
30+	19.49 грн
100+	9 грн
250+	8.08 грн
500+	7.55 грн
1000+	5.8 грн
3000+	5.12 грн
6000+	4.36 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV50EPEAR

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
14+	20.81 грн
100+	12.47 грн
500+	10.84 грн
1000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50EPEAR

Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R

товар відсутній

PMV50NA240

PMV50NA240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50NA440

PMV50NA440 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50NA600

PMV50NA600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV50UN

на замовлення 1487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV50UPE,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -12.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV50UPE,215

товар відсутній

PMV50UPE,215

Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

на замовлення 3366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.86 грн
28+	27.19 грн
100+	15.09 грн
500+	10.34 грн
1000+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.82 грн
6000+	6.42 грн
9000+	5.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50UPE,215

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 14925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.55 грн
13+	24.89 грн
100+	13.45 грн
1000+	7.06 грн
3000+	6.39 грн
9000+	5.46 грн
24000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50UPE,215

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

на замовлення 19171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
14+	21.09 грн
100+	10.64 грн
500+	8.85 грн
1000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV50UPE215

Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV50UPEVL

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV50UPEVL

MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV50UPEVL

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4547 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.37 грн
15+	18.52 грн
100+	9.32 грн
500+	7.75 грн
1000+	6.03 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XNEAR

PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV50XNEAR

PMV50XNEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV50XNEAR

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PMV50XNEAR

MOSFET PMV50XNEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 26601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.67 грн
16+	19.91 грн
100+	8.72 грн
500+	7.72 грн
1000+	6.06 грн
3000+	5.33 грн
6000+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XP215

Description: P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 1464000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 2425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
14+	20.95 грн
100+	12.58 грн
500+	10.93 грн
1000+	7.43 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPAR

MOSFET MOS DISCRETES

на замовлення 10368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
13+	24.35 грн
100+	14.45 грн
1000+	8.39 грн
3000+	7.06 грн
9000+	6.53 грн
24000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPAR

Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.99 грн
9000+	6.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

MOSFET PMV50XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 108364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.9 грн
16+	19.83 грн
100+	10.52 грн
1000+	7.39 грн
3000+	6.06 грн
9000+	5.79 грн
24000+	5.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.22 грн
9000+	7.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; Idm: -14.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14.5A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	26.36 грн
25+	15.73 грн
94+	10.23 грн
258+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.25 грн
6000+	6.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV50XPR

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.39 грн
9000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV50XPR

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 8260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.65 грн
14+	20.12 грн
100+	12.06 грн
500+	10.47 грн
1000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV50XPR

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	21.96 грн
28+	12.63 грн
94+	8.53 грн
258+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 18

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.49 грн
16+	18.45 грн
100+	11.08 грн
500+	9.63 грн
1000+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV52ENEAR

30 V, N-channel Trench MOSFET

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV52ENEAR

MOSFET PMV52ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 6693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.73 грн
15+	20.68 грн
100+	10.06 грн
1000+	6.79 грн
3000+	5.93 грн
9000+	5.39 грн
24000+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV52ENEAR

PMV52ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV52ENEAR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.67 грн
6000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV52ENER

MOSFET PMV52ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 5658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.43 грн
14+	21.98 грн
100+	13.05 грн
1000+	7.59 грн
3000+	6.39 грн
9000+	5.86 грн
24000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV52ENER

Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV52ENER

Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V

на замовлення 1838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.21 грн
15+	18.87 грн
100+	11.36 грн
500+	9.87 грн
1000+	6.71 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV52ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV52ENER

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.75 грн
30+	25.03 грн
100+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV55A240

PMV55A240 Monitoring Relays

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	6015.89 грн

PMV55A440

PMV55A440 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV55ENEA

товар відсутній

PMV55ENEA,215

Description: 3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M

товар відсутній

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV55ENEAR

MOSFET PMV55ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 416839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.2 грн
16+	19.99 грн
100+	11.39 грн
1000+	7.53 грн
3000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
12+	23.52 грн
100+	14.1 грн
500+	12.25 грн
1000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV55ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV55ENEAR

PMV55ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV55ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV56XN

на замовлення 52600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV56XN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV56XN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 3.76A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV56XN215

nxp

10+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV6-35RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5

товар відсутній

PMV6-3R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

на замовлення 2206 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.9 грн
10+	85.77 грн
50+	68.59 грн
100+	65.06 грн
250+	64.4 грн
2500+	61.93 грн
5000+	61.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-3R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 1.026" (26.06mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper

на замовлення 817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
50+	74.74 грн
100+	72.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-3R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-3R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP

товар відсутній

PMV6-3RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-3RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3

товар відсутній

PMV6-4F-L

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV6-4FB-2K

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV6-4R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

товар відсутній

PMV6-4R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

товар відсутній

PMV6-4RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4

товар відсутній

PMV6-5F-L

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.040" (26.42mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5F-L

Fork Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.42mm Tin Bottle

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	160.84 грн
100+	135.55 грн

Мінімальне замовлення: 73

PMV6-5F-L

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.9 грн
10+	85.77 грн
50+	68.59 грн
100+	62.53 грн
500+	61.47 грн
1000+	59.14 грн
2500+	58.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5FB-2K

Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-5FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.020" (25.91mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.382" (9.70mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

товар відсутній

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.34 грн
103+	114.31 грн
200+	113.29 грн
400+	105.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV6-5R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.067" (27.10mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active

на замовлення 1341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.84 грн
50+	74.04 грн
100+	72.05 грн
1000+	61.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV6-5R-L

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle

товар відсутній

PMV6-5R-L

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

на замовлення 659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.12 грн
10+	86.54 грн
50+	73.92 грн
100+	69.92 грн
500+	67.93 грн
1000+	64.4 грн
2500+	61.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

PMV6-5R-X

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-5R-X

товар відсутній

PMV6-5RB-2K

Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.7mm Tin T/R

товар відсутній

PMV6-5RB-2K

Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4

товар відсутній

PMV6-5RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.030" (0.76mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.050" (26.67mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.370" (9.40mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete

товар відсутній

PMV6-6F-L

Description: TERM FORK INS

товар відсутній

PMV6-6FB-2K

Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL

товар відсутній

PMV6-6R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

товар відсутній

PMV6-6R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP

товар відсутній

PMV6-6RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6

товар відсутній

PMV6-8R-L

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M8 Stud
Length - Overall: 1.235" (31.37mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.519" (13.18mm)
Contact Material: Copper

товар відсутній

PMV6-8R-X

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

товар відсутній

PMV6-8RB-2K

Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8

товар відсутній

PMV6-P10-L

Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 4

товар відсутній

PMV60EN

2003 SOT-23

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV60EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV60EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V

товар відсутній

PMV60ENEAR

PMV60ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV60ENEAR

Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 615mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	31 грн
31+	24.65 грн
100+	14.94 грн
500+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 25

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 38889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.49 грн
15+	18.59 грн
100+	11.16 грн
500+	9.7 грн
1000+	6.6 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 54

PMV60ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.72 грн
6000+	6.2 грн
9000+	5.58 грн
30000+	5.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV60ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV60ENEAR

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.94 грн
500+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV60ENEAR

MOSFET PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 707-716 дні (днів)

10+	31.08 грн
13+	25.27 грн
100+	14.98 грн
500+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV60ENROSH

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV62XN,215

Description: MOSFET N-CH SOT-23

товар відсутній

PMV62XN215

Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6662+	3.28 грн

Мінімальне замовлення: 6662

PMV65

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65ENEA,215

Description: 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.14 грн
12+	24.76 грн
100+	14.87 грн
500+	12.92 грн
1000+	8.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

MOSFET PMV65ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 11232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.47 грн
11+	30.33 грн
100+	17.91 грн
500+	13.72 грн
1000+	10.26 грн
3000+	9.19 грн
6000+	9.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.7A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

товар відсутній

PMV65ENEAR

Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65ENEAR

товар відсутній

PMV65ENEAR

Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV65UN,215

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UN,215

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV65UN,215

MOSFET N-Chan 20V 2A

на замовлення 1784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PMV65UNE,215

Description: 2.8A, 20V, N CHANNEL MOSFET, TO
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNEAR

PMV65UNEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV65UNEAR

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

товар відсутній

PMV65UNEAR

MOSFET PMV65UNEA/SOT23/TO-236AB

товар відсутній

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNEAR

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 13735 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	15.24 грн
25+	10.37 грн
100+	8.99 грн
135+	7.35 грн
360+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV65UNER

на замовлення 13735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	12.7 грн
45+	8.32 грн
100+	7.49 грн
135+	6.13 грн
360+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 30

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.74 грн
6000+	5.35 грн
9000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

MOSFET PMV65UNE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 49966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.43 грн
16+	20.29 грн
100+	7.53 грн
1000+	5.79 грн
3000+	4.86 грн
9000+	4.73 грн
24000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

на замовлення 6827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.21 грн
17+	17.13 грн
100+	8.66 грн
500+	7.21 грн
1000+	5.61 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV65UNER

Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	31 грн
36+	21.07 грн
100+	12.33 грн
500+	8.12 грн
1000+	5.74 грн
3000+	5.14 грн

Мінімальне замовлення: 25

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

866+	13.49 грн
874+	13.36 грн
1249+	9.35 грн
1636+	6.88 грн
3000+	5.84 грн
6000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 866

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.08 грн
34+	17.33 грн
100+	11.26 грн
500+	7.64 грн

Мінімальне замовлення: 24

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.66 грн
30+	19.64 грн
31+	19.01 грн
100+	12.08 грн
250+	11.08 грн
500+	7.44 грн
1000+	5.68 грн
3000+	5.2 грн
6000+	4.7 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV65UNER

на замовлення 3758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.33 грн
500+	8.12 грн
1000+	5.74 грн
3000+	5.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV65UNER

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV65XP

SOT23

на замовлення 4650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

PHILIPS

06+ SOT-23

на замовлення 351001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

09+ SOP14

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

MOSFET

товар відсутній

PMV65XP

PHILIPS

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP

PHILIPS

09+

на замовлення 15148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

PMV65XP,215

Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	35.48 грн
29+	26.59 грн
100+	14.79 грн
500+	9.43 грн
1000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 624000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.61 грн
156000+	6.95 грн
312000+	6.47 грн
468000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB PMV65XP,215 TPMV65x
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.43 грн

Мінімальне замовлення: 200

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 663000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.07 грн
165000+	4.64 грн
330000+	4.32 грн
495000+	3.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.24 грн
27+	21.84 грн
29+	20.39 грн
100+	9.48 грн
250+	8.28 грн
500+	7.86 грн
1000+	6.32 грн
3000+	4.01 грн
6000+	3.72 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XP,215

MOSFET PMV65XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 106957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
15+	21.44 грн
100+	8.39 грн
1000+	6.46 грн
3000+	4.93 грн
9000+	4.59 грн
24000+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 268447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
15+	19.49 грн
100+	9.82 грн
500+	8.16 грн
1000+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65XP,215

Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.54 грн
9000+	5.92 грн
24000+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1103+	10.58 грн
1169+	9.99 грн
1183+	9.87 грн
1471+	7.65 грн
3000+	4.5 грн
6000+	4 грн

Мінімальне замовлення: 1103

PMV65XP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 833mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32189 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

19+	14.88 грн
32+	8.21 грн
100+	7.08 грн
168+	5.71 грн
461+	5.4 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV65XP,215

на замовлення 32189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

31+	12.4 грн
53+	6.59 грн
100+	5.9 грн
168+	4.76 грн
461+	4.5 грн

Мінімальне замовлення: 31

PMV65XP,215

на замовлення 13430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.79 грн
500+	9.43 грн
1000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.64 грн
6000+	5.02 грн
12000+	4.97 грн
18000+	4.74 грн
30000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.29 грн
6000+	5.92 грн
9000+	5.24 грн
30000+	4.86 грн
75000+	4.13 грн
150000+	3.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 663000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.88 грн
6000+	4.35 грн
12000+	4.31 грн
18000+	4.11 грн
30000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.24 грн
6000+	4.66 грн
12000+	4.62 грн
18000+	4.4 грн
30000+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XP,215 транзистор
Код товару: 58607

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
Монтаж: SMD

товар відсутній

PMV65XP/MI215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XP/MIR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XP/MIR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV65XP1215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XPE

товар відсутній

PMV65XPE215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XPEA,215

Description: 2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

PMV65XPEA215

Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3439+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 3439

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 954000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.01 грн
9000+	6.94 грн
24000+	6.87 грн
45000+	6.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.8 грн
9000+	6.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.28 грн
6000+	7.65 грн
9000+	6.88 грн
30000+	6.36 грн
75000+	5.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 2067 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	20.47 грн
26+	13.46 грн
85+	9.54 грн
232+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 19

PMV65XPEAR

Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.1 грн
25+	30.33 грн
100+	18.45 грн
500+	12.83 грн
1000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 20

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.66 грн
9000+	6.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 879000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.84 грн
219000+	10.82 грн
438000+	10.06 грн
657000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 954000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.51 грн
9000+	6.45 грн
24000+	6.38 грн
45000+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	20.16 грн
37+	15.86 грн
38+	15.53 грн
100+	8.34 грн
250+	7.64 грн
500+	7.26 грн
1000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 29

PMV65XPEAR

MOSFET PMV65XPEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 24092 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.25 грн
12+	25.58 грн
100+	12.39 грн
1000+	8.39 грн
3000+	7.13 грн
9000+	6.66 грн
24000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65XPEAR

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 170662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
13+	22.96 грн
100+	13.76 грн
500+	11.96 грн
1000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.18 грн
9000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

698+	16.73 грн
1254+	9.31 грн
1266+	9.22 грн
1280+	8.79 грн
1579+	6.6 грн

Мінімальне замовлення: 698

PMV65XPEAR

на замовлення 2067 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	24.56 грн
25+	16.77 грн
85+	11.45 грн
232+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XPEAR

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.45 грн
500+	12.83 грн
1000+	8.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV65XPEAR

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.32 грн
9000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPER

Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.06 грн
500+	11.24 грн
1000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

на замовлення 5107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

551+	21.2 грн
816+	14.32 грн
824+	14.18 грн
875+	12.87 грн
1204+	8.66 грн
3000+	5.74 грн

Мінімальне замовлення: 551

PMV65XPER

MOSFET PMV65XPE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 12729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.38 грн
15+	20.83 грн
100+	11.39 грн
1000+	8.32 грн
3000+	7.59 грн
9000+	6.46 грн
24000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV65XPER

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV65XPER

на замовлення 1555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.39 грн
29+	26.45 грн
100+	16.06 грн
500+	11.24 грн
1000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 23

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

на замовлення 5107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.71 грн
28+	21.1 грн
30+	19.69 грн
100+	12.82 грн
250+	11.75 грн
500+	10.62 грн
1000+	7.72 грн
3000+	5.33 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

на замовлення 4100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1257+	9.29 грн
1299+	8.99 грн
2500+	8.72 грн

Мінімальне замовлення: 1257

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

PMV65XPER

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.65 грн
14+	19.84 грн
100+	11.9 грн
500+	10.34 грн
1000+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XPER

товар відсутній

PMV65XPER

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XPVL

Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV65XPVL

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

на замовлення 9085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
15+	19.22 грн
100+	9.69 грн
500+	8.06 грн
1000+	6.27 грн
2000+	5.61 грн
5000+	5.4 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV65XPVL

MOSFET PMV65XP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 25802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
15+	21.67 грн
100+	8.39 грн
1000+	5.86 грн
2500+	5.53 грн
10000+	3.86 грн
20000+	3.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV65XPVL

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V

товар відсутній

PMV65XPVL

товар відсутній

PMV6DW1BBLK

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: On-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1213.09 грн
10+	1047.39 грн
25+	1001.34 грн

PMV6DW1BBLK

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1272.6 грн
10+	1147.21 грн
25+	979.59 грн
50+	911 грн

PMV6DW1BBLK

PMV6DW1BBLK Push Button Switches

товар відсутній

PMV6DW2BBLU

PMV6DW2BBLU Push Button Switches

товар відсутній

PMV6DW2BBLU

Description: E-SWITCH - PMV6DW2BBLU - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLU/CABL
tariffCode: 85365080
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Blue
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: Off-(On)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: -
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: No
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1289.4 грн
5+	1222.16 грн

PMV6DW2BBLU

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Blue
Actuator Marking: No Marking
Voltage Rating - DC: 24 V

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1100.71 грн
20+	950.31 грн
100+	830.23 грн

PMV6DW2BBLU

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1232.98 грн
10+	1121.93 грн
25+	962.94 грн
50+	895.02 грн

PMV6DW3BYEL

Description: SWITCH PB SPST 2A 24V

товар відсутній

PMV6DW3BYEL

Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1250.07 грн
10+	1126.53 грн
25+	944.3 грн
50+	895.02 грн

PMV6DW3BYEL

PMV6DW3BYEL Push Button Switches

товар відсутній

PMV70A240

PMV70A240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV70A575

PMV70A575 Monitoring Relays

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	7897.99 грн

PMV70A600

PMV70A600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV70NA240

PMV70NA240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV70NA440

PMV70NA440 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV70NA600

PMV70NA600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV74EPER

MOSFET 30V P-CHANNEL

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.16 грн
11+	28.57 грн
100+	14.12 грн
500+	9.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

на замовлення 11930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	21.02 грн
100+	10.62 грн
500+	8.84 грн
1000+	6.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV74EPER

30 V, P-channel Trench MOSFET

товар відсутній

PMV74EPER

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.81 грн
6000+	6.41 грн
9000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV75UP

товар відсутній

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.38 грн
6000+	4.95 грн
9000+	4.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV75UP,215

MOSFET PMV75UP/SOT23/TO-236AB

на замовлення 48192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.55 грн
14+	22.44 грн
100+	7.79 грн
1000+	5.99 грн
3000+	4 грн
9000+	3.6 грн
24000+	3.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 9000

PMV75UP,215

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

на замовлення 12645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
14+	20.19 грн
100+	10.18 грн
500+	7.79 грн
1000+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV75UP,215

Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV75UP,215

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -10A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

PMV75UP,215

товар відсутній

PMV75UP/S500R

Description: PMV75UP - 20 V, P-channel Trench
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	3.6 грн

Мінімальне замовлення: 6000

PMV80NA240

PMV80NA240 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV80NA440

PMV80NA440 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV80NA600

PMV80NA600 Monitoring Relays

товар відсутній

PMV88ENEAR

Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23

товар відсутній

PMV88ENEAR

PMV88ENEAR SMD N channel transistors

товар відсутній

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.77 грн
16+	17.69 грн
100+	10.6 грн
500+	9.21 грн
1000+	6.27 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV88ENEAR

MOSFET PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
13+	24.05 грн
100+	14.32 грн
500+	10.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV88ENEAR

Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.38 грн
6000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.3 грн
6000+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV88ENER

MOSFET PMV88ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 28441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.03 грн
15+	20.45 грн
100+	12.12 грн
1000+	7.06 грн
3000+	5.93 грн
9000+	5.46 грн
24000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 12

PMV88ENER

Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V

на замовлення 7399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.05 грн
16+	17.41 грн
100+	10.46 грн
500+	9.09 грн
1000+	6.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV90EN,215

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV90EN,215

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V

товар відсутній

PMV90ENE215

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

PMV90ENER

MOSFET PMV90ENE/SOT23/TO-236AB

на замовлення 3537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.56 грн
13+	24.51 грн
100+	12.05 грн
500+	7.99 грн
1000+	6.13 грн
3000+	5.66 грн
6000+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.01 грн
6000+	5.66 грн
9000+	5.01 грн
30000+	4.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV90ENER

Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

на замовлення 8405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.61 грн
36+	21.22 грн
100+	12.03 грн
500+	7.35 грн
1000+	5.19 грн
3000+	4.8 грн
6000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 27

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

PMV90ENER

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

29+	13.22 грн
50+	7.01 грн
100+	6.31 грн
158+	5.02 грн
434+	4.75 грн

Мінімальне замовлення: 29

PMV90ENER

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 35457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.37 грн
15+	18.59 грн
100+	9.38 грн
500+	7.8 грн
1000+	6.07 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMV90ENER

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

17+	15.87 грн
30+	8.73 грн
100+	7.58 грн
158+	6.02 грн
434+	5.69 грн

Мінімальне замовлення: 17

PMV90ENER

Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	18.61 грн
41+	14.1 грн
45+	12.9 грн
100+	7.75 грн
250+	6.77 грн
500+	5.59 грн
1000+	4.42 грн
3000+	3.46 грн
6000+	3.42 грн

Мінімальне замовлення: 32

PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

товар відсутній

PMV95NA240NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PMV95NA575NFC

Category: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay
Type of module: voltage monitoring relay

товар відсутній

PMVCIR-3-850-PM-L-10-NE

Ascentta

Description: PM circulator, 850nm, 3 port, PM
Packaging: Tape & Box (TB)
Type: Optical Circulator, 3 Port

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	118859.88 грн

PMVF30

PMVF30 Monitoring Relays

товар відсутній

PMVF30D048

PMVF30D048 Monitoring Relays

товар відсутній

PMVF51

PMVF51 Monitoring Relays

товар відсутній

PMVF80