НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PMV05VP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3FB-3KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
11+28.48 грн
25+27.71 грн
50+25.45 грн
100+24.90 грн
250+24.19 грн
500+23.29 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3FB-3KPanduitTerminals RING-TRM VYL RED
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.86 грн
12+28.71 грн
100+23.43 грн
500+22.73 грн
3000+18.96 грн
6000+18.62 грн
9000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3FB-3KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3FB-CYPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED
на замовлення 35300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3FB-CYPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3RB-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal, vinyl insulated, 0.5 1.0mm wire range, M3 stud size
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.86 грн
12+28.71 грн
100+23.78 грн
500+23.22 грн
1000+22.80 грн
6000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.760" (19.30mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3RB-CYPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3RB-CYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+65.11 грн
25+63.27 грн
50+58.08 грн
100+56.84 грн
300+54.91 грн
500+53.15 грн
1000+52.00 грн
2500+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3RB-XYPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-3RB-XYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-4FB-CYPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-4RB-CYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-4RB-XYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5FB-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5FB-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5FB-CYPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.860" (21.84mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5FB-CYPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.880" (22.35mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
11+28.55 грн
25+27.77 грн
50+25.49 грн
100+24.94 грн
250+24.24 грн
500+23.33 грн
1000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-CYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.910" (23.11mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+66.39 грн
25+64.54 грн
50+59.26 грн
100+57.98 грн
300+56.02 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-CYPanduitRing Tongue Terminal 18-22AWG Copper Red 23.11mm Tin Bottle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-CYPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-XYPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-5RB-XYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-6FB-CYPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-6RB-CYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-6RB-XYPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-P10-CYPanduit CorpDescription: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1-P12B-3KPanduit CorpDescription: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.10 грн
19+15.94 грн
100+9.74 грн
500+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+34.66 грн
579+22.32 грн
585+22.10 грн
724+17.19 грн
1000+12.26 грн
3000+10.16 грн
6000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 373
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.24 грн
20+37.51 грн
25+37.13 грн
100+23.06 грн
250+21.14 грн
500+16.37 грн
1000+12.61 грн
3000+10.88 грн
6000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100ENEARNexperiaMOSFETs PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 10181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.73 грн
20+16.76 грн
100+8.85 грн
1000+8.23 грн
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.81 грн
14+22.89 грн
100+13.36 грн
500+11.21 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.94 грн
500+13.22 грн
1500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2815+11.47 грн
10000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 2815
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 60V 2.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.63 грн
50+27.82 грн
100+16.35 грн
500+12.54 грн
1500+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2815+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 2815
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEA,215Rochester Electronics, LLCDescription: 2.4A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEA215NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 4.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6693+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 6693
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperiaMOSFETs PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.42 грн
24+13.55 грн
100+6.07 грн
1000+5.51 грн
3000+4.53 грн
9000+3.56 грн
24000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.89 грн
24000+4.81 грн
30000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.07 грн
28+26.43 грн
29+26.12 грн
100+10.86 грн
250+9.96 грн
500+9.44 грн
1000+7.28 грн
3000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.59 грн
17+18.28 грн
50+13.16 грн
100+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1228+10.51 грн
1240+10.41 грн
1256+10.28 грн
1629+7.64 грн
3000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 1228
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV100XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.88 грн
51+16.11 грн
103+7.96 грн
500+6.88 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.25 грн
24000+5.18 грн
30000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV10A440LOVATO ELECTRICCategory: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure; PMV
Operating temperature: -20...60°C
Mounting: for DIN rail mounting
Contact actuation delay: 60ms
Controlled parameter range: 208...480V AC
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Power supply: from tested wiring system
IP rating: IP20 at terminal side
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Manufacturer series: PMV
Leads: screw terminals
Kind of output 1: SPDT
Type of automation module: voltage monitoring relay
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5673.30 грн
3+5079.23 грн
10+4889.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV117ENPHILILPS09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV117EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.76 грн
34+22.34 грн
36+20.59 грн
100+11.81 грн
250+10.83 грн
500+10.30 грн
1000+7.48 грн
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
15+20.17 грн
100+12.80 грн
500+9.02 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV120ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.096 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 513mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.57 грн
50+34.73 грн
100+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V 2.1A
на замовлення 19247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
18+18.04 грн
100+9.20 грн
500+8.99 грн
1000+8.16 грн
3000+5.51 грн
6000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV120ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1216GYHAMMONDDescription: HAMMOND - PMV1216GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 0
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1414 N4, Eclipse Junior, 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3224.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1216GYHammond ManufacturingElectrical Enclosures Vertical Steel Channel, Grey
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV1216GYHammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+21.16 грн
830+15.57 грн
898+14.38 грн
1143+10.89 грн
1447+7.97 грн
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 611
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
15+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.68 грн
31+24.38 грн
33+22.67 грн
100+16.08 грн
250+13.75 грн
500+10.38 грн
1000+8.19 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.1A
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.37 грн
18+18.20 грн
100+8.16 грн
500+7.04 грн
1000+6.21 грн
3000+4.60 грн
6000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 705000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV13XNEARNexperia USA Inc.Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
15+20.77 грн
100+11.36 грн
500+10.43 грн
1000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV13XNEARNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.09 грн
16+21.25 грн
100+14.85 грн
1000+9.06 грн
3000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV13XNEARNexperia USA Inc.Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV13XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV13XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.3 A, 0.011 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.08 грн
50+18.55 грн
100+12.93 грн
500+8.08 грн
1500+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PMV13XNRNexperia USA Inc.Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.85 грн
11+28.33 грн
100+18.13 грн
500+12.88 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV13XNRNexperia USA Inc.Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 6.2A
на замовлення 16635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.49 грн
31+10.58 грн
100+7.25 грн
500+6.90 грн
1000+6.55 грн
3000+6.14 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENEARNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENERNexperia USA Inc.Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENERNexperiaMOSFETs SOT23 N CHAN 30V
на замовлення 8390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.75 грн
14+23.49 грн
100+10.95 грн
500+10.04 грн
1000+8.92 грн
3000+7.04 грн
6000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENERNexperia USA Inc.Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.36 грн
13+24.85 грн
100+15.82 грн
500+11.19 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15UNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.55 грн
500+9.06 грн
1000+6.83 грн
5000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15UNEARNexperiaMOSFET PMV15UNEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.81 грн
13+25.90 грн
100+15.27 грн
1000+8.65 грн
3000+7.88 грн
9000+6.97 грн
24000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15UNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.70 грн
39+21.39 грн
100+11.55 грн
500+9.06 грн
1000+6.83 грн
5000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15UNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15UNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UP,215NXPTrans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
95+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV160UP,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.96 грн
50+21.88 грн
100+14.97 грн
500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UP,215NexperiaMOSFETs PMV160UP/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UPVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 335mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UPVLNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 1.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.6A
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.22 грн
22+15.15 грн
100+6.00 грн
1000+5.37 грн
3000+4.25 грн
6000+3.63 грн
9000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.39 грн
50+17.33 грн
106+7.73 грн
500+6.65 грн
1500+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.67 грн
20+15.71 грн
100+9.85 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 640mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.33 грн
106+7.73 грн
500+6.65 грн
1500+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.65 грн
6000+4.91 грн
9000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENEARNexperiaMOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENERNexperia USA Inc.Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.17 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENERNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.60 грн
20+16.12 грн
100+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENERNexperia USA Inc.Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.02 грн
18+17.22 грн
50+12.37 грн
100+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV164ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16UNNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.96 грн
500+10.42 грн
1500+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.02 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.12 грн
50+23.43 грн
100+12.36 грн
500+11.18 грн
1500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+38.63 грн
516+25.04 грн
1000+13.16 грн
2000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 6.8A
на замовлення 41905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
16+20.53 грн
100+9.48 грн
500+8.85 грн
1000+6.83 грн
3000+5.79 грн
6000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.79 грн
13+24.40 грн
50+17.63 грн
100+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV16XNRNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1321+6.91 грн
3000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 1321
В кошику  од. на суму  грн.
PMV170UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV185XN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V
на замовлення 260243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
PMV185XN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV19XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV19XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.56 грн
500+18.73 грн
1000+16.80 грн
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV19XNEARNexperiaMOSFET PMV19XNEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
13+24.86 грн
100+12.06 грн
1000+8.16 грн
3000+6.83 грн
9000+6.34 грн
45000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV19XNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.06 грн
11+27.80 грн
50+20.15 грн
100+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV19XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV19XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.84 грн
27+30.59 грн
100+21.56 грн
500+18.73 грн
1000+16.80 грн
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV19XNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-35RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3FB-3KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3FB-3KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3FB-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3FB-CPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.65 грн
10+72.89 грн
100+57.24 грн
500+55.78 грн
1000+51.25 грн
5000+48.18 грн
10000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3FB-CPanduitFork Terminal 14-16AWG Copper Blue 21.34mm Tin Bottle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3FB-CPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.840" (21.34mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3RB-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3RB-CPanduitTerminals VYL-RING 1.5-2.5MM M3
на замовлення 3177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3RB-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.30 грн
10+68.06 грн
25+66.14 грн
50+60.71 грн
100+59.41 грн
300+57.39 грн
500+55.55 грн
1000+54.35 грн
2500+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3RB-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-3RB-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-4FB-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-4FB-CPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-4RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-4RB-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-4RB-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5FB-3KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5FB-3KPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5FB-CPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5FB-CPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M5 BLU
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.920" (23.37mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.340" (8.64mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5RB-3KPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.961" (24.40mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5RB-CPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.65 грн
10+72.89 грн
100+57.24 грн
500+55.78 грн
1000+51.25 грн
5000+48.18 грн
10000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5RB-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.032" (0.81mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 0.935" (23.75mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+65.11 грн
25+63.27 грн
50+58.08 грн
100+56.84 грн
300+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5RB-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-5RB-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-6FB-3KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 14-16AWG M6 BLU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.031" (26.20mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.441" (11.20mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-6FB-CPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-6RB-3KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG M6 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.031" (0.79mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.051" (26.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.429" (10.90mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-6RB-CPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-6RB-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-P10-CPanduit CorpDescription: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2-P12B-3KPanduit CorpDescription: CONN WIRE PIN TERM 14-16AWG
Packaging: Bulk
Color: Blue
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Insulated
Pin Diameter: Circular - 0.080" (2.03mm) Dia
Length - Overall: 0.890" (22.61mm)
Termination: Crimp
Length - Pin: 0.394" (10.00mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2024GYHammondPole Mounting Kit, Vertical Steel Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2024GYHAMMONDDescription: HAMMOND - PMV2024GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL
tariffCode: 73269098
Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Hammond 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMK Series
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3499.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV2024GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20A575LOVATO ELECTRICCategory: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure; PMV
Type of automation module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: PMV
Kind of output 1: SPDT
Operating temperature: -20...60°C
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Leads: screw terminals
Contact actuation delay: 60ms
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Controlled parameter range: 208...575V AC
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6646.72 грн
3+5932.76 грн
10+5692.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20A600Lovato ElectricDescription: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19281.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20A600LOVATO ELECTRICCategory: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay; phase sequence,phase failure; PMV
Mounting: for DIN rail mounting
Leads: screw terminals
Kind of output 1: SPDT
Type of automation module: voltage monitoring relay
Operating temperature: -20...60°C
IP rating: IP20 at terminal side
Power supply: from tested wiring system
Output 1 electrical parameters: 250V AC / 8A
Controlled parameter range: 380...600V AC
Contact actuation delay: 60ms
Controlled parameter: phase failure; phase sequence
Manufacturer series: PMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20A600-LVTOLovato ElectricDescription: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul
Packaging: Retail Package
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19281.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENNXPTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A 3-Pin TO-236AB PMV20ENR TPMV20e
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20EN215NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMV20EN - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.88 грн
500+10.27 грн
1500+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.56 грн
50+23.67 грн
100+11.88 грн
500+10.27 грн
1500+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 6A
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.60 грн
16+20.37 грн
100+8.99 грн
500+8.30 грн
1000+5.86 грн
3000+4.46 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4011+6.44 грн
10000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 4011
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaMOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENRNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XN,215Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 8397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNE-MLMOSLEADERDescription: N 30V 7.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNE215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 212456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEA,215Nexperia USA Inc.Description: 6.3A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.20 грн
6000+10.49 грн
9000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.65 грн
500+12.09 грн
1500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2567+10.06 грн
10000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 2567
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.37 грн
50+27.09 грн
100+17.65 грн
500+12.09 грн
1500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 6.3A
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.97 грн
14+23.41 грн
100+13.39 грн
500+10.11 грн
1000+9.13 грн
3000+8.16 грн
6000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.02 грн
6000+11.27 грн
9000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
538+24.01 грн
1305+9.90 грн
1316+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 538
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.7A
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.85 грн
12+28.71 грн
50+18.13 грн
100+15.90 грн
1000+11.64 грн
3000+9.06 грн
6000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.07 грн
6000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.95 грн
59+13.99 грн
100+9.35 грн
500+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213APW
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SNNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NXPN-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaMOSFETs SOT23 100V 1.9A
на замовлення 199145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
15+22.29 грн
100+15.27 грн
500+11.36 грн
1000+10.53 грн
3000+8.79 грн
6000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+25.97 грн
500+21.50 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2916+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2916
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
880+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 880
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 158369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.26 грн
10+34.37 грн
100+22.26 грн
500+16.00 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2916+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2916
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+20.22 грн
834+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 639
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+15.72 грн
1000+14.39 грн
3000+13.02 грн
6000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 587
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
6000+12.16 грн
9000+11.62 грн
15000+10.32 грн
21000+9.98 грн
30000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV22EN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV22EN,215Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 994810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+29.58 грн
500+29.53 грн
1000+29.49 грн
3000+28.38 грн
6000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.08 грн
6000+5.18 грн
9000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.5A
на замовлення 11839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.87 грн
23+14.43 грн
100+7.74 грн
500+6.90 грн
1000+5.65 грн
3000+4.67 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.76 грн
500+8.23 грн
1500+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.10 грн
21+14.80 грн
100+9.29 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
6000+4.81 грн
9000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1395+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 1395
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+28.30 грн
500+27.12 грн
1000+27.08 грн
3000+27.03 грн
6000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.82 грн
50+16.43 грн
100+9.76 грн
500+8.23 грн
1500+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+9.92 грн
1000+9.14 грн
3000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5273+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 5273
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240ENEARNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.60 грн
29+11.31 грн
100+6.00 грн
500+4.32 грн
1000+3.77 грн
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240ENEARNexperia USA Inc.Description: PMV240ENEA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240SPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 100V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240SPRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 15547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
13+24.02 грн
100+17.18 грн
500+12.22 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240SPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 100V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2484+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 2484
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240SPRNexperiaMOSFETs SOT23 100V 1.2A
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.80 грн
13+26.22 грн
100+16.59 грн
500+12.62 грн
1000+11.09 грн
3000+9.20 грн
6000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240SPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.66 грн
500+14.80 грн
1500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240SPRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
6000+9.00 грн
9000+8.08 грн
15000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV240SPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.06 грн
50+29.69 грн
100+20.66 грн
500+14.80 грн
1500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEANexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEA215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -1A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.89W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.19 грн
50+17.81 грн
100+9.68 грн
500+7.78 грн
1500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+5.68 грн
9000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaP-MOSFET -40В, -1А, 890мВт, SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.84 грн
6000+5.51 грн
9000+4.67 грн
24000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
6000+5.90 грн
9000+5.01 грн
24000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaMOSFETs 40 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 116358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.43 грн
20+16.68 грн
100+7.46 грн
500+6.90 грн
1000+5.79 грн
3000+4.74 грн
6000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.68 грн
500+7.78 грн
1500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
6000+5.64 грн
9000+4.79 грн
24000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+5.95 грн
10000+5.30 грн
100000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 5425
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+6.05 грн
9000+5.13 грн
24000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEA215NXP USA Inc.Description: PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEARNexperiaMOSFETs PMV25ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 19060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.27 грн
13+25.02 грн
100+12.69 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
913+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 913
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
12+26.29 грн
100+15.77 грн
500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 22A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 22A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV25ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+15.16 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEA,215Nexperia USA Inc.Description: 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.55 грн
25+30.13 грн
100+22.39 грн
250+20.55 грн
500+15.91 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+28.12 грн
596+21.67 грн
601+21.48 грн
746+16.70 грн
1000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 12441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.64 грн
11+30.79 грн
100+18.41 грн
500+13.94 грн
1000+12.62 грн
3000+10.81 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.80 грн
500+16.24 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaMOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
12+27.50 грн
100+17.92 грн
500+14.36 грн
1000+11.09 грн
3000+10.18 грн
6000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.38 грн
16+20.09 грн
100+15.52 грн
500+12.62 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.45 грн
25+32.62 грн
100+21.80 грн
500+16.24 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEANexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEA,215Nexperia USA Inc.Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEA215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+28.14 грн
678+19.05 грн
732+17.65 грн
1009+12.34 грн
1315+8.77 грн
3000+6.80 грн
6000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 580
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.65 грн
500+11.33 грн
1000+8.02 грн
5000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
6000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.13 грн
23+32.29 грн
25+30.15 грн
100+19.68 грн
250+16.88 грн
500+11.75 грн
1000+9.02 грн
3000+7.29 грн
6000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR
Код товару: 194408
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 580
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.87 грн
26+31.89 грн
100+17.65 грн
500+11.33 грн
1000+8.02 грн
5000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
6000+8.09 грн
9000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.87 грн
16+20.21 грн
100+11.50 грн
500+8.65 грн
1000+7.39 грн
3000+6.34 грн
6000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.10 грн
16+19.03 грн
100+12.46 грн
500+8.77 грн
1000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperia USA Inc.Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.59 грн
13+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
16+20.53 грн
100+9.97 грн
500+8.99 грн
1000+8.02 грн
3000+5.72 грн
6000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperia USA Inc.Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UN,215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEAR
Код товару: 215734
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 490/6,2
Примітка: 20 V, N-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується 10 шт:
10 шт - очікується 19.05.2026
1+157.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.26 грн
32+23.47 грн
100+10.13 грн
250+9.28 грн
500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.39 грн
50+20.01 грн
100+14.72 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 5A
на замовлення 80461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.10 грн
18+18.52 грн
100+11.23 грн
500+8.79 грн
1000+7.46 грн
3000+6.00 грн
6000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV3036GYHammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PMK Series
Accessory Type: Mounting Kit
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3576.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV3036GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV3036GYHammondPole Mounting Kit, Vertical Steel Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 3.4A; Idm: 19A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 19A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 8.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.55 грн
500+9.52 грн
1500+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.96 грн
50+16.76 грн
100+11.55 грн
500+9.52 грн
1500+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UNNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UNNXP07+ROHS SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2NexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2-MLMOSLEADERDescription: N 20V 5.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNXPTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.19 грн
500+8.31 грн
1000+7.39 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.2A
на замовлення 22824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
18+18.84 грн
100+6.62 грн
1000+6.00 грн
3000+4.04 грн
9000+3.90 грн
24000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 556
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1244000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4894+6.59 грн
10000+5.89 грн
100000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 4894
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.93 грн
38+21.96 грн
100+9.19 грн
500+8.31 грн
1000+7.39 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2VLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2VLNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 5.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2VLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.15 грн
39+20.99 грн
100+11.06 грн
500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
6000+8.21 грн
9000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperiaMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.02 грн
16+21.01 грн
100+9.90 грн
500+9.27 грн
1000+8.51 грн
3000+6.00 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.06 грн
500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.57 грн
13+24.70 грн
100+15.75 грн
500+11.13 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.98 грн
35+8.84 грн
100+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNXPTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.26 грн
77+10.57 грн
100+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.5A
на замовлення 134156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.88 грн
36+9.14 грн
100+7.32 грн
3000+6.48 грн
6000+6.41 грн
9000+6.14 грн
24000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaMOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV31XN
на замовлення 58400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV31XN,215Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 32487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UPNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaMOSFET PMV32UP/SOT23/TO-236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1696+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 1696
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NXPTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215
Код товару: 188518
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV32UP,215 - MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.82 грн
50+32.54 грн
100+25.95 грн
500+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 144010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.59 грн
14+24.38 грн
100+13.60 грн
500+10.25 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1696+19.02 грн
10000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 1696
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.21 грн
20+21.15 грн
22+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP/MI215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP/MIRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMV32UP - SMALL SIG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV33UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
6000+11.85 грн
9000+11.31 грн
15000+10.05 грн
21000+9.71 грн
30000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV33UPE,215NexperiaMOSFETs PMV33UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 33174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.00 грн
12+28.54 грн
100+18.55 грн
500+14.36 грн
1000+11.43 грн
3000+10.18 грн
45000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV33UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 35021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.48 грн
10+33.61 грн
100+21.76 грн
500+15.62 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPE-MLMOSLEADERDescription: P -30V -5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.56 грн
1000+2.41 грн
3000+2.24 грн
6000+2.06 грн
15000+2.00 грн
30000+1.92 грн
75000+1.77 грн
150000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER
Код товару: 187543
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.32 грн
50+26.27 грн
100+21.23 грн
500+13.22 грн
1500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+16.00 грн
1000+13.81 грн
3000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.23 грн
500+13.22 грн
1500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 30V 5.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.94 грн
16+19.87 грн
50+14.31 грн
100+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperiaMOSFETs PMV37EN2/SOT23/TO-236AB
на замовлення 44275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.73 грн
19+17.16 грн
100+7.25 грн
1000+6.00 грн
3000+5.30 грн
9000+4.60 грн
24000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 710mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.44 грн
500+8.38 грн
1500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V 3.5A
на замовлення 64422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.49 грн
32+10.34 грн
100+7.04 грн
500+6.69 грн
1000+6.41 грн
3000+6.00 грн
6000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperiaMOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.43 грн
50+17.41 грн
100+11.31 грн
500+9.06 грн
1500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperia USA Inc.Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
на замовлення 7913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
15+20.77 грн
100+12.46 грн
500+10.83 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaMOSFET PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 17587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.26 грн
14+23.97 грн
100+14.29 грн
1000+8.30 грн
3000+6.97 грн
9000+6.41 грн
24000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperia USA Inc.Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UNNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN
на замовлення 58400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV40UN-T/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV40UN-T/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperiaN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperiaMOSFETs PMV40UN-T/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2Nexperia USA Inc.Description: PMV40UN2 - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2,215NXP USA Inc.Description: NEXPERIA, PMV40UN2 - 30V, N-CHAN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMV40UN2 - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
861+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 861
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
6000+6.09 грн
9000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+5.69 грн
9000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.25 грн
500+9.29 грн
1500+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNXPSOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4894+6.59 грн
10000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 4894
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
6000+6.09 грн
9000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+5.69 грн
9000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.84 грн
50+21.56 грн
100+10.25 грн
500+9.29 грн
1500+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2R
Код товару: 175226
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,49, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 635 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 4,5 В, Rds = 44 мОм @ 3,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 О
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
48000+7.61 грн
72000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2965+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 2965
В кошику  од. на суму  грн.
PMV41XPARNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.81 грн
16+19.26 грн
100+12.98 грн
500+9.46 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV41XPARNexperiaMOSFET MOSFET PMV41XPA/SOT23
на замовлення 9773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.99 грн
13+24.78 грн
100+14.71 грн
1000+8.58 грн
3000+7.18 грн
9000+6.34 грн
24000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV41XPARNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV4248GYHammond ManufacturingElectrical Enclosures Vertical Steel Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV4248GYHammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
14+22.13 грн
100+14.09 грн
500+9.94 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A
на замовлення 28596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.47 грн
12+27.50 грн
50+17.36 грн
100+15.20 грн
1000+11.23 грн
3000+8.65 грн
6000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEA215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4167+3.10 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 4167
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
6000+2.70 грн
9000+2.42 грн
15000+2.26 грн
21000+2.20 грн
30000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.98 грн
1500+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1972+3.77 грн
3000+3.52 грн
6000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 1972
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.61 грн
30+10.35 грн
100+4.83 грн
500+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3145+4.10 грн
3371+3.83 грн
6000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3145
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.23 грн
75+10.90 грн
148+5.52 грн
500+4.98 грн
1500+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45ENNXP07+ SOP16
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2NexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.56 грн
1000+2.41 грн
3000+2.24 грн
6000+2.06 грн
15000+2.00 грн
30000+1.92 грн
75000+1.77 грн
150000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
9000+6.05 грн
24000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.31 грн
50+20.82 грн
100+13.34 грн
500+8.54 грн
1500+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNexperiaMOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 29331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.27 грн
16+20.77 грн
100+11.23 грн
500+9.55 грн
1000+7.53 грн
3000+5.93 грн
6000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
604+15.26 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 604
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNXPTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R
Код товару: 187508
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
907+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 907
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.34 грн
500+8.54 грн
1500+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 13193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
14+22.28 грн
100+11.79 грн
500+9.20 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
9000+6.48 грн
24000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2VLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2VLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2VLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2VLNexperiaMOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP
Код товару: 143394
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+11.50 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A; 930mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 21421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.81 грн
14+22.81 грн
100+14.50 грн
500+10.25 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
9000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
9000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
708+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
6000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.94 грн
500+16.09 грн
1500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
6000+8.08 грн
9000+6.26 грн
15000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
6000+10.73 грн
9000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.65 грн
6000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+19.54 грн
500+19.37 грн
1000+15.58 грн
3000+14.11 грн
6000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.06 грн
50+35.87 грн
100+22.94 грн
500+16.09 грн
1500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215NexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.5A
на замовлення 53469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.21 грн
14+23.41 грн
100+13.74 грн
500+9.97 грн
1000+8.79 грн
3000+7.88 грн
6000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP/MI215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP/MIRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP/ZLRNexperia USA Inc.Description: PMV48XP/ZLR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA2RNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1877+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 1877
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.049 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA2RNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.59 грн
13+24.70 грн
100+13.60 грн
500+10.18 грн
1000+9.20 грн
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA2RNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.6A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.049 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPA2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.88 грн
20+15.71 грн
100+8.87 грн
500+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
9000+12.65 грн
24000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaMOSFETs PMV48XPA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 15576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.73 грн
13+26.06 грн
100+17.50 грн
500+15.13 грн
1000+14.15 грн
3000+10.53 грн
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.59 грн
23+32.85 грн
25+32.48 грн
100+23.57 грн
250+21.60 грн
500+20.12 грн
1000+19.51 грн
3000+18.89 грн
6000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.02 грн
25+33.51 грн
100+22.78 грн
500+17.15 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
857+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 857
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
6000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.76 грн
9000+13.43 грн
24000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+30.31 грн
566+22.81 грн
572+22.58 грн
590+21.12 грн
1000+18.97 грн
3000+17.63 грн
6000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.78 грн
500+17.15 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+16.14 грн
1000+14.39 грн
3000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
14+22.43 грн
100+16.16 грн
500+12.79 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPVLNexperiaMOSFETs 30V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.46 грн
13+25.50 грн
100+15.20 грн
500+11.02 грн
1000+8.65 грн
2500+7.81 грн
5000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPVLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEARNexperiaMOSFETs PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 25995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.81 грн
16+21.33 грн
100+9.76 грн
1000+8.02 грн
3000+6.76 грн
9000+6.34 грн
24000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.93 грн
12+25.76 грн
100+16.43 грн
500+11.63 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.70 грн
30+24.74 грн
31+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50EPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.04 грн
50+16.84 грн
100+11.63 грн
500+9.74 грн
1500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50EPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.78 грн
28+27.15 грн
30+24.87 грн
100+11.49 грн
250+10.31 грн
500+9.63 грн
1000+7.40 грн
3000+6.53 грн
6000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50EPEARNexperiaMOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 115502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.53 грн
16+21.09 грн
100+11.71 грн
1000+7.18 грн
3000+6.41 грн
9000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50EPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UN
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
13+23.57 грн
50+17.04 грн
100+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215NexperiaMOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 14925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
13+26.06 грн
100+14.08 грн
1000+7.39 грн
3000+6.69 грн
9000+5.72 грн
24000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215
Код товару: 215731
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 50 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 24/10,5
Примітка : 20 V, single P-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується 25 шт:
25 шт - очікується 19.05.2026
1+97.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE215Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPEVLNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPEVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.10 грн
50+16.68 грн
100+10.25 грн
500+7.12 грн
1500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEARNexperia USA Inc.Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
16+19.49 грн
100+9.81 грн
500+8.16 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.25 грн
500+7.12 грн
1500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.4A
на замовлення 6774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.37 грн
21+15.39 грн
100+7.95 грн
500+7.32 грн
1000+6.34 грн
3000+5.23 грн
6000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEARNexperia USA Inc.Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
6000+5.92 грн
9000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XP215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 1464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPARNexperia USA Inc.Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.36 грн
13+25.15 грн
100+16.02 грн
500+11.33 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPARNexperiaMOSFETs MOS DISCRETES
на замовлення 6976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.99 грн
14+23.73 грн
100+11.50 грн
1000+7.81 грн
3000+7.11 грн
9000+6.14 грн
24000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPARNexperia USA Inc.Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4088+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 4088
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.048 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.68 грн
500+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
9000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRTECH PUBLICTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin TO-236AB PMV50XPR; PMV50XPR TECH PUBLIC TPMV50x
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNXP SemiconductorsTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4088+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 4088
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV50XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.048 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.52 грн
32+25.79 грн
100+16.68 грн
500+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperiaMOSFETs PMV50XP/SOT23/TO-236AB
на замовлення 78964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.55 грн
15+22.85 грн
100+10.74 грн
1000+8.92 грн
3000+7.67 грн
9000+6.55 грн
24000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPRNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.71 грн
9000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.2A
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.25 грн
15+21.65 грн
100+9.90 грн
500+8.99 грн
1000+7.74 грн
3000+5.65 грн
6000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.94 грн
15+20.39 грн
100+10.71 грн
500+9.13 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.57 грн
30+27.25 грн
100+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1799+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 1799
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperiaMOSFET PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.71 грн
14+23.01 грн
100+13.67 грн
1000+7.95 грн
3000+6.69 грн
9000+6.14 грн
24000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperia USA Inc.Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperia USA Inc.Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
на замовлення 4613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.22 грн
13+23.42 грн
100+14.88 грн
500+10.49 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.06 грн
30+24.64 грн
33+22.60 грн
100+13.37 грн
250+11.89 грн
500+11.30 грн
1000+7.62 грн
3000+7.06 грн
6000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEA,215Nexperia USA Inc.Description: 3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEARNexperiaMOSFET 60V N-CHANNEL Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV55ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 478mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.39 грн
50+16.92 грн
100+10.98 грн
500+10.12 грн
1500+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V 3.1A
на замовлення 359870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.87 грн
22+15.07 грн
100+10.25 грн
500+8.79 грн
1000+7.25 грн
3000+6.55 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
18+17.15 грн
100+10.33 грн
500+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV56XN
на замовлення 52600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV56XN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV56XN215nxp10+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-35RB-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-3R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M3 Stud
Length - Overall: 1.026" (26.06mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-3R-LPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.11 грн
10+89.00 грн
50+69.72 грн
100+67.42 грн
2500+62.75 грн
5000+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-3R-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-3R-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-3RB-2KPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-3RB-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-4F-LPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-4FB-2KPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-4R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-4R-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-4RB-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5F-LPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.040" (26.42mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.64 грн
10+83.62 грн
25+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5F-LPanduitFork Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.42mm Tin Bottle
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5F-LPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.17 грн
10+89.80 грн
50+68.12 грн
100+65.47 грн
500+64.84 грн
1000+61.91 грн
2500+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5FB-2KPanduitTerminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5FB-2KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.020" (25.91mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.382" (9.70mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5R-LPanduitRing Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5R-LPanduitRing Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+120.81 грн
115+113.01 грн
200+110.99 грн
400+99.11 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.067" (27.10mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Active
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.64 грн
10+83.62 грн
25+81.52 грн
50+74.47 грн
100+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5R-LPanduitRing Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5R-LPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.17 грн
10+85.79 грн
50+68.75 грн
100+67.42 грн
250+66.80 грн
500+65.47 грн
1000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5R-XPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5R-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.067" (27.10mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5RB-2KPanduitTerminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-5RB-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.030" (0.76mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M5 Stud
Length - Overall: 1.050" (26.67mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.370" (9.40mm)
Contact Material: Copper
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-6F-LPanduit CorpDescription: TERM FORK INS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-6FB-2KPanduit CorpDescription: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Butted Seam
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Terminal Type: Standard
Stud/Tab Size: M6 Stud
Length - Overall: 1.130" (28.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.433" (11.00mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-6R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-6R-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-6RB-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-8R-LPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam, Serrated Termination
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Insulated
Thickness: 0.040" (1.02mm)
Terminal Type: Circular
Stud/Tab Size: M8 Stud
Length - Overall: 1.235" (31.37mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.519" (13.18mm)
Contact Material: Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-8R-XPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-8RB-2KPanduit CorpDescription: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-M16HEXNUTE-Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-M16ORINGE-Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6-P10-LPanduit CorpDescription: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENPH2003 SOT-23
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60EN T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60EN,215NexperiaMOSFETs N-CH TRENCH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+13.35 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 686
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.88 грн
17+18.28 грн
100+9.22 грн
500+8.10 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1036+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 1036
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 615mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.04 грн
500+7.19 грн
1500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 40V 3A
на замовлення 35821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.60 грн
17+19.48 грн
100+8.51 грн
500+7.95 грн
1000+7.46 грн
3000+5.51 грн
6000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
6000+5.71 грн
9000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 615mW
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.47 грн
50+16.76 грн
100+12.04 грн
500+7.19 грн
1500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
PMV60ENROSH
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV62XN,215NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV62XN215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEA,215Nexperia USA Inc.Description: 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UN,215NexperiaMOSFET N-Chan 20V 2A
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNE,215NXP USA Inc.Description: 2.8A, 20V, N CHANNEL MOSFET, TO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNE-MLMOSLEADERDescription: N 20V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.53 грн
1000+2.38 грн
3000+2.22 грн
6000+2.04 грн
15000+1.98 грн
30000+1.90 грн
75000+1.75 грн
150000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.8A
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.71 грн
11+29.59 грн
50+20.29 грн
100+17.78 грн
500+11.78 грн
1000+8.44 грн
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.70 грн
51+16.11 грн
101+8.10 грн
500+7.38 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+18.29 грн
709+18.21 грн
1000+18.12 грн
3000+17.39 грн
6000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 706
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
на замовлення 7064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.73 грн
16+19.87 грн
50+14.35 грн
100+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.38 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
470+19.60 грн
500+19.51 грн
1000+19.42 грн
3000+18.63 грн
6000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 470
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.25 грн
6000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNERNexperiaMOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 25430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.00 грн
21+15.64 грн
100+6.55 грн
3000+5.65 грн
9000+4.74 грн
24000+4.60 грн
45000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPPHILIPS06+ SOT-23
на замовлення 351001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
9000+5.75 грн
24000+5.65 грн
45000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 1336
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaMOSFETs PMV65XP/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.11 грн
50+22.29 грн
100+10.74 грн
500+8.46 грн
1500+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaMOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
9000+6.28 грн
24000+6.19 грн
45000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
9000+4.86 грн
24000+3.68 грн
45000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 833mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.46 грн
36000+6.81 грн
54000+6.34 грн
72000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
906+11.03 грн
1000+9.36 грн
3000+5.91 грн
9000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 906
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3379+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3379
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.74 грн
500+8.46 грн
1500+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
9000+5.21 грн
24000+3.95 грн
45000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
890+10.35 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 890
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215 транзистор
Код товару: 58607
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP-TRNexperia USA Inc.Description: PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP-TRNexperia USA Inc.Description: PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP-TRNexperiaMOSFETs PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP-TRNexperiaP-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP/MI215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP/MIRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP1215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPENexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPE215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEA
Код товару: 215732
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,3 A
Rds(on),Om: 67 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 618/5
Примітка : 20 V, P-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується 30 шт:
30 шт - очікується 19.05.2026
1+41.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEA,215Nexperia USA Inc.Description: 2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEA215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.72 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1798+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 1798
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.25 грн
30+27.25 грн
100+14.72 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNXP SemiconductorsTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1798+17.95 грн
10000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 1798
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEARNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.36 грн
500+9.37 грн
1500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1765+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 1765
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.14 грн
50+20.25 грн
100+12.36 грн
500+9.37 грн
1500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+10.07 грн
1429+9.03 грн
1610+8.02 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 1283
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1176+7.84 грн
3000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 1176
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.83 грн
23+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVLNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVLNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVLNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW1BBLKE-SwitchDescription: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: On-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 24 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1320.91 грн
10+1140.49 грн
25+1090.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW1BBLKE-SwitchPushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(On), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1267.34 грн
20+1007.09 грн
60+835.29 грн
100+794.15 грн
260+746.74 грн
500+739.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW1BBLKE-SWITCHDescription: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK - Vandalensicherer Schalter, PMV6 Series, 16 mm, SPST, Ein-(Ein), Rund, kuppelförmig, Schwarz
tariffCode: 85365080
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Anschlussdrähte
Betätiger-/Kappenfarbe: Schwarz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: Ein-(Ein)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: -
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: -
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panelmontage
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: No
Druckknopf-Betätiger: Rund, kuppelförmig
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.41 грн
5+1197.39 грн
10+1123.36 грн
20+974.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW1BBLK.E-SWITCHDescription: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLK/CABL
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1561.81 грн
5+1491.04 грн
10+1421.90 грн
25+1270.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW2BBLUE-SwitchDescription: SWITCH PB SPST 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST
Type: Anti-Vandal
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Blue
Actuator Marking: No Marking
Voltage Rating - DC: 24 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.80 грн
20+1049.24 грн
100+916.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW2BBLUE-SwitchPushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1290.93 грн
10+1174.67 грн
25+1008.20 грн
50+937.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW2BBLU.E-SWITCHDescription: E-SWITCH - PMV6DW2BBLU. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLU/CABL
tariffCode: 85365080
rohsCompliant: YES
Schalteranschlüsse: Wire Leaded
Betätiger-/Kappenfarbe: Blue
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Plattenausschnitt (H x B): -
Schalterfunktion: Off-(On)
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
AC-Kontaktstrom, max.: 0
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 2A
Kontaktspannung V DC: 24V
Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated
Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm
Schaltermontage: Panel Mount
Produktpalette: PMV6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckknopf-Betätiger: Round Flat
Kontaktkonfiguration: SPST
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW2BREDE-SwitchDescription: SWITCH PB SPST-NO 2A 24V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Front
Circuit: SPST-NO
Type: Anti-Vandal
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Red
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW3BREDE-SwitchDescription: Switches
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2A (DC)
Mounting Type: Panel Mount, Snap-In
Circuit: SPST-NO
Type: Anti-Vandal
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Termination Style: Wire Leads
Actuator Type: Round, Button, Domed
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia
Color - Actuator/Cap: Red
Voltage Rating - DC: 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW3BREDE-SwitchPushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(Off), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1379.60 грн
10+1187.50 грн
20+987.29 грн
60+935.69 грн
100+901.53 грн
260+846.44 грн
500+823.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW3BYELE-SwitchPushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(Off), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1284.42 грн
10+1227.59 грн
20+886.88 грн
60+863.87 грн
100+835.99 грн
260+786.48 грн
500+753.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW3BYELE-SWITCHDescription: E-SWITCH - PMV6DW3BYEL - ANTI-VANDAL SW, SPST, 2A, 24V, YELLOW
tariffCode: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.15 грн
5+1465.01 грн
10+1396.68 грн
25+1247.82 грн
50+1101.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV6DW3BYELE-SwitchDescription: SWITCH PB SPST 2A 24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 10985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
15+20.55 грн
100+10.36 грн
500+9.17 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPERNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.37 грн
15+22.85 грн
100+10.39 грн
500+9.69 грн
1000+8.37 грн
3000+6.07 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
6000+5.96 грн
9000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UPNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.96 грн
23+13.29 грн
100+8.32 грн
500+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UP,215NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.72 грн
25+13.15 грн
100+7.18 грн
500+5.37 грн
1000+4.95 грн
3000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3695+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3695
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV75UP/S500RNexperia USA Inc.Description: PMV75UP - 20 V, P-channel Trench
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENEARNexperiaMOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENEARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.6A; Idm: 8.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8.9A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 254mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V 2.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENERNexperia USA Inc.Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.65 грн
14+22.21 грн
100+10.62 грн
500+9.90 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENERNexperiaMOSFET PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 28441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
15+21.41 грн
100+12.69 грн
1000+7.39 грн
3000+6.21 грн
9000+5.72 грн
24000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENERNexperia USA Inc.Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV88ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENE215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.09 грн
15+22.69 грн
50+14.15 грн
100+12.41 грн
1000+8.85 грн
3000+6.90 грн
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.15 грн
36+23.10 грн
100+13.10 грн
500+8.01 грн
1000+5.65 грн
3000+5.23 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
19+16.62 грн
100+10.45 грн
500+7.32 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.57 грн
6000+7.45 грн
9000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER
Код товару: 215730
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,7 A
Rds(on), Ohm: 54 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/3,6
Примітка: 30 V, N-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується 25 шт:
25 шт - очікується 19.05.2026
1+90.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+6.95 грн
9000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV95NA575NFCLOVATO ELECTRICCategory: Monitoring Relays
Description: Voltage monitoring relay
Type of automation module: voltage monitoring relay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMVCIR-3-850-PM-L-10-NEAscenttaDescription: PM circulator, 850nm, 3 port, PM
Packaging: Tape & Box (TB)
Type: Optical Circulator, 3 Port
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+129424.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMVIS-532-PM-L-10-FAAscenttaDescription: 532nm PM Isolator, Polarization
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+113736.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.