Продукція > PMV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV05VP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV1-3FB-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED Features: Butted Seam Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-3FB-3K | Panduit | Terminals RING-TRM VYL RED | на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1-3FB-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED Features: Butted Seam Packaging: Cut Tape (CT) Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1-3FB-CY | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-3FB-CY | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M3 RED | на замовлення 35300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-3RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP Packaging: Cut Tape (CT) Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.031" (0.79mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.760" (19.30mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-3RB-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal, vinyl insulated, 0.5 1.0mm wire range, M3 stud size | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1-3RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.031" (0.79mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.760" (19.30mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-3RB-CY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M3 CRIMP Packaging: Bulk Features: Butted Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.820" (20.83mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1-3RB-CY | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-3RB-XY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-3RB-XY | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-4FB-CY | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-4RB-CY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-4RB-XY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5FB-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5FB-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5FB-CY | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5FB-CY | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 18-22AWG M5 RED Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Butted Seam Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.860" (21.84mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.031" (0.79mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.880" (22.35mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP Packaging: Cut Tape (CT) Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.031" (0.79mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.880" (22.35mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper | на замовлення 6301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-CY | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-CY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Butted Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.910" (23.11mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-CY | Panduit | Ring Tongue Terminal 18-22AWG Copper Red 23.11mm Tin Bottle | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-XY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG M5 CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-5RB-XY | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-6FB-CY | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-6RB-CY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-6RB-XY | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 18-22AWG #M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-P10-CY | Panduit Corp | Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 0 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1-P12B-3K | Panduit Corp | Description: CONN WIRE PIN TERM 18-20AWG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100ENEAR | Nexperia | MOSFETs PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 10181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 60V 2.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEA,215 | Rochester Electronics, LLC | Description: 2.4A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100XPEA215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 4.45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV100XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 463mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia | MOSFETs PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 6530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV100XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV10A440 | LOVATO ELECTRIC | PMV10A440 Monitoring Relays | на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV117EN | PHILILPS | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV117EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 147 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV120ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV120ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 2.1A | на замовлення 19247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV120ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV120ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV120ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV120ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.1 A, 0.096 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 513mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV120ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1216GY | Hammond Manufacturing | Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV1216GY | HAMMOND | Description: HAMMOND - PMV1216GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL tariffCode: 0 Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Zur Verwendung mit: Hammond 1414 N4, Eclipse Junior, 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures usEccn: EAR99 Produktpalette: PMK Series | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV1216GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosures Vertical Steel Channel, Grey | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 705000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.1A | на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV13XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV13XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.3 A, 0.011 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV13XNEAR | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV13XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV13XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7.3A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV13XNR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV13XNR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV13XN/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V | на замовлення 2069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV15ENEAR | Nexperia | 30 V, N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 6.2A | на замовлення 16635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV15ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V | на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV15ENER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N CHAN 30V | на замовлення 8390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV15ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV15ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV15ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15UNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV15UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 7A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15UNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV15UNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV15UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV15UNEAR | Nexperia | MOSFET PMV15UNEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 10883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV160UP,215 | NEXPERIA | PMV160UP.215 SMD P channel transistors | на замовлення 697 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV160UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV160UP,215 | Nexperia | MOSFETs PMV160UP/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV160UP,215 | NXP | Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u кількість в упаковці: 95 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV160UP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV160UP,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 335mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV160UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 335mW (Ta), 2.17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV160UPVL | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 1.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV160UPVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 335mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV164ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV164ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV164ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV164ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.6A | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV164ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV164ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.218 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 640mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV164ENER | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 10561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV164ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV164ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV164ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV164ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV164ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16UN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV16UN | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV16UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V | на замовлення 2216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 6.8A | на замовлення 41905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.02 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV170UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV185XN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V | на замовлення 260243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV185XN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV19XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV19XNEAR | Nexperia | MOSFET PMV19XNEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 15905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV19XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV19XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV19XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV19XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV19XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV19XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV2-35RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3.5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3FB-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU Packaging: Cut Tape (CT) Features: Butted Seam Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm) Contact Material: Copper | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3FB-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3FB-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Butted Seam Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.232" (5.90mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3FB-C | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV2-3FB-C | Panduit | Fork Terminal 14-16AWG Copper Blue 21.34mm Tin Bottle | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3FB-C | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M3 BLU Packaging: Bulk Features: Butted Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.840" (21.34mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3RB-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3RB-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M3 CRIMP Packaging: Bulk Features: Butted Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 0.810" (20.57mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | на замовлення 5284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV2-3RB-C | Panduit | Terminals VYL-RING 1.5-2.5MM M3 | на замовлення 3177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3RB-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-3RB-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-4FB-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-4FB-C | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-4RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-4RB-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-4RB-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5FB-3K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5FB-3K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5FB-C | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5FB-C | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M5 BLU Packaging: Bulk Features: Butted Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.920" (23.37mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.340" (8.64mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.031" (0.79mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.961" (24.40mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5RB-3K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5RB-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Butted Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.032" (0.81mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 0.935" (23.75mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.350" (8.89mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV2-5RB-C | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV2-5RB-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M5 CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-5RB-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-6FB-3K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 14-16AWG M6 BLU Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Butted Seam Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M6 Stud Length - Overall: 1.031" (26.20mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.441" (11.20mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-6FB-C | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-6RB-3K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG M6 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.031" (0.79mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M6 Stud Length - Overall: 1.051" (26.70mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.429" (10.90mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-6RB-C | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-6RB-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 14-16AWG #M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-P10-C | Panduit Corp | Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2-P12B-3K | Panduit Corp | Description: CONN WIRE PIN TERM 14-16AWG Packaging: Bulk Color: Blue Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Insulated Pin Diameter: Circular - 0.080" (2.03mm) Dia Length - Overall: 0.890" (22.61mm) Termination: Crimp Length - Pin: 0.394" (10.00mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2024GY | Hammond | Pole Mounting Kit, Vertical Steel Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2024GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV2024GY | HAMMOND | Description: HAMMOND - PMV2024GY - POLE MOUNTING KIT, VERTICAL, STEEL tariffCode: 73269098 Art des Zubehörs: Pole Mounting Kit productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Zur Verwendung mit: Hammond 1418 N4 & EN4SD Series Enclosures usEccn: EAR99 Produktpalette: PMK Series | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20A575 | LOVATO ELECTRIC | PMV20A575 Monitoring Relays | на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20A600 | Lovato Electric | Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul Packaging: Retail Package | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20A600-LVTO | Lovato Electric | Description: Phase SequeN/Ce/Phase Loss Modul Packaging: Retail Package | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20EN | NXP | Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A 3-Pin TO-236AB PMV20ENR TPMV20e кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20EN215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PMV20EN - SMALL SIGNAL Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 6A | на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V | на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20ENR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV20XN,215 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | на замовлення 8397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNE | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNE-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 7.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNE215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 212456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 6.3A, 20V, N CHANNEL, SILICON, M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 6.3A | на замовлення 10354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | NEXPERIA | PMV20XNER SMD N channel transistors | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.7A | на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV20XNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V | на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213APW | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV213SN | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV213SN | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV213SN T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | NXP | N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | NEXPERIA | PMV213SN.215 SMD N channel transistors | на замовлення 1984 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | MOSFETs SOT23 100V 1.9A | на замовлення 199145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V | на замовлення 158369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 65831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV213SN,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV22EN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV22EN,215 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | на замовлення 994810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV230ENEA | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.5A | на замовлення 11839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV230ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV240ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV240ENEA/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV240ENEAR | Nexperia | MOSFETs PMV240ENEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 3008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV240SPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia | MOSFETs SOT23 100V 1.2A | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 15547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV240SPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV240SPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.28 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV240SPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 100V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEA | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV250EPEA215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 29214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | MOSFETs 40 V, P-channel Trench MOSFET | на замовлення 116358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 29214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV250EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV25ENEA215 | NXP USA Inc. | Description: PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV25ENEAR | Nexperia | MOSFETs PMV25ENEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 19060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPEAR | Nexperia | MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET | на замовлення 12441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 490 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 490 Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 11377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 490 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 6184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEA | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEA215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 580 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR Код товару: 194408
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 580 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 580 Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A | на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28UN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV28UN,215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | на замовлення 6399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.7A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR Код товару: 215734
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Idd,A: 4,7 A Rds(on), Ohm: 24 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 490/6,2 Примітка: 20 V, N-channel Trench MOSFET Монтаж: SMD | товару немає в наявності очікується 10 шт: 10 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 19A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 19A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 5A | на замовлення 80461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV3036GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV3036GY | Hammond | Pole Mounting Kit, Vertical Steel Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV3036GY | Hammond Manufacturing | Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: PMK Series Accessory Type: Mounting Kit | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30ENEA | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 3.4A; Idm: 19A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 19A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 8.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN | NXP | 07+ROHS SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2 | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2-ML | MOSLEADER | Description: N 20V 5.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1244000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | на замовлення 24968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | NXP | Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.2A | на замовлення 22824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2VL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2VL | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 5.4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2VL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XN | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV30XN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P CHAN 20V | на замовлення 6590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEA | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.5A | на замовлення 134156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | NXP | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV31XN | на замовлення 58400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV31XN,215 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 32487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV32UP | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV32UP | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | NXP | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | Nexperia | MOSFETs PMV32UP/SOT23/TO-236AB | на замовлення 170406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2521 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV32UP,215 Код товару: 188518
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності очікується 200 шт: 200 шт - очікується | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV32UP/MI215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV32UP/MIR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV32UP215 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PMV32UP - SMALL SIG Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV33UPE,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 35021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV33UPE,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV33UPE,215 | Nexperia | MOSFETs PMV33UPE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 33174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV35EPE-ML | MOSLEADER | Description: P -30V -5.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV35EPER Код товару: 187543
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 30 V Id,A: 5,3 A Rds(on),Om: 35 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 30V 5.3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV35EPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37EN2R | Nexperia | MOSFETs PMV37EN2/SOT23/TO-236AB | на замовлення 44275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37EN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37EN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37EN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37EN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 710mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 28383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENEAR | Nexperia | 60 V, N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 3.5A | на замовлення 64422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV37ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | Nexperia | MOSFET PMV37ENE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 17587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V | на замовлення 7913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV37ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40A575 | LOVATO ELECTRIC | PMV40A575 Monitoring Relays | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN | на замовлення 58400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV40UN | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2 | Nexperia USA Inc. | Description: PMV40UN2 - 30 V, N-CHANNEL TRENC Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2,215 | NXP USA Inc. | Description: NEXPERIA, PMV40UN2 - 30V, N-CHAN Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2215 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PMV40UN2 - SMALL SI Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R Код товару: 175226
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.7A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.3A Power dissipation: 1W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 78mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV40UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV41XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV41XPAR | Nexperia | MOSFET MOSFET PMV41XPA/SOT23 | на замовлення 9773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV41XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV4248GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosures Vertical Steel Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV4248GY | Hammond Manufacturing | Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV42ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV42ENER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V | на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV42ENER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV42ENER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A | на замовлення 28596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEA | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV450ENEA215 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD- Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V .8A | на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 323mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 323mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV450ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 34380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV45EN | NXP | 07+ SOP16 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV45EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV45EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV45EN2 | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV45EN2-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 5.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Nexperia | MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 29331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | NXP | Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R Код товару: 187508
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V | на замовлення 13193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2VL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV45EN2VL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.115W Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV45EN2VL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV45EN2VL | Nexperia | MOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XP Код товару: 143394
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV48XP | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.5A | на замовлення 53469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 21421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV48XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XP/MI215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XP/MIR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XP/ZLR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV48XP/ZLR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XPA215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 4A | на замовлення 84791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV48XPA2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPA2R | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | NEXPERIA | PMV48XPAR SMD P channel transistors | на замовлення 2582 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | MOSFETs PMV48XPA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 15576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV48XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV48XPVL | Nexperia | MOSFETs 30V, N-channel Trench MOSFET | на замовлення 5568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV48XPVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50A575 | LOVATO ELECTRIC | PMV50A575 Monitoring Relays | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50ENEAR | Nexperia | MOSFETs PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 25995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50EPEAR | Nexperia | MOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 115502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50EPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50EPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50EPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 11330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50EPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50UN | на замовлення 1487 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV50UPE,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V | на замовлення 4531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50UPE,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 955mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50UPE,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50UPE,215 | Nexperia | MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 14925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50UPE,215 Код товару: 215731
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Id,A: 3,7 A Rds(on),Om: 50 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 24/10,5 Примітка : 20 V, single P-channel Trench MOSFET Монтаж: SMD | товару немає в наявності очікується 25 шт: 25 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
| PMV50UPE215 | Rochester Electronics, LLC | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD- | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50UPEVL | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.7A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50UPEVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.4A | на замовлення 6774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XP215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET | на замовлення 1464000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPAR | Nexperia | MOSFETs MOS DISCRETES | на замовлення 6976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV50XPA/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.048 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV50XPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.048 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | NEXPERIA | PMV50XPR SMD P channel transistors | на замовлення 721 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV50XPR | Nexperia | MOSFETs PMV50XP/SOT23/TO-236AB | на замовлення 78964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.2A | на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | MOSFET PMV52ENE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 5658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 630mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 630mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV52ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 630mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 630mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV52ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV52ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V | на замовлення 4613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55A240 | LOVATO ELECTRIC | PMV55A240 Monitoring Relays | на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEA | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 3.1A, 60V, N CHANNEL, SILICON, M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | NEXPERIA | PMV55ENEAR SMD N channel transistors | на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 3.1A | на замовлення 359870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV55ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 478mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV55ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV56XN | на замовлення 52600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV56XN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 3.76A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA (Min) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV56XN215 | nxp | 10+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-35RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP Packaging: Bulk Features: Brazed Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M3 Stud Length - Overall: 1.026" (26.06mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.230" (5.84mm) Contact Material: Copper | на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-L | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3RB-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-3RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4F-L | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4FB-2K | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-4RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5F-L | Panduit | Fork Terminal 10-12AWG Copper Yellow 26.42mm Tin Bottle | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5F-L | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5F-L | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL Packaging: Bulk Features: Brazed Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.040" (26.42mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.380" (9.65mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5FB-2K | Panduit | Terminals Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5FB-2K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M5 YEL Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Butted Seam Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.020" (25.91mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.382" (9.70mm) Contact Material: Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Brazed Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.067" (27.10mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm) Contact Material: Copper Part Status: Active | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Ring Tongue Terminal 10-12AWG Copper Yellow 27.1mm Tin Bottle | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-L | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-X | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Bulk Features: Brazed Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.067" (27.10mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.374" (9.50mm) Contact Material: Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5RB-2K | Panduit | Terminals Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-5RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M5 CRIMP Packaging: Tape & Reel (TR) Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.030" (0.76mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M5 Stud Length - Overall: 1.050" (26.67mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.370" (9.40mm) Contact Material: Copper Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6F-L | Panduit Corp | Description: TERM FORK INS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6FB-2K | Panduit Corp | Description: CONN SPADE TERM 10-12AWG M6 YEL Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Butted Seam Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Terminal Type: Standard Stud/Tab Size: M6 Stud Length - Overall: 1.130" (28.70mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.433" (11.00mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M6 CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-6RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-8R-L | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG M8 CRIMP Packaging: Bulk Features: Brazed Seam, Serrated Termination Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Insulated Thickness: 0.040" (1.02mm) Terminal Type: Circular Stud/Tab Size: M8 Stud Length - Overall: 1.235" (31.37mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.519" (13.18mm) Contact Material: Copper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-8R-X | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-8RB-2K | Panduit Corp | Description: CONN RING CIRC 10-12AWG #M8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6-M16HEXNUT | E-Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV6-M16ORING | E-Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV6-P10-L | Panduit Corp | Description: METRIC PIN TERM VINYL INSULATE 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN | PH | 2003 SOT-23 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN,215 | Nexperia | MOSFETs N-CH TRENCH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 615mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 615mW Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 40V 3A | на замовлення 35821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV60ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV60ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 615mW Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV60ENROSH | на замовлення 2509 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV62XN,215 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV62XN215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FET Packaging: Bulk | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV65ENEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.7A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UN,215 | Nexperia | MOSFET N-Chan 20V 2A | на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UNE,215 | NXP USA Inc. | Description: 2.8A, 20V, N CHANNEL MOSFET, TO Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UNE-ML | MOSLEADER | Description: N 20V 3.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.8A | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V | на замовлення 7064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 25430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | NEXPERIA | PMV65UNER SMD N channel transistors | на замовлення 9029 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP | PHILIPS | 06+ SOT-23 | на замовлення 351001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP | NXP | 09+ SOP14 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV65XP | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP | PHILIPS | 09+ | на замовлення 15148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP | NXP | SOT23 | на замовлення 4650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | MOSFETs PMV65XP/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 833mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XP,215 транзистор Код товару: 58607
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Id,A: 4,3 A Rds(on),Om: 0,058 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7 Монтаж: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 833mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 833mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia | MOSFETs PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia | P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP/MI215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP/MIR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XP1215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPE | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPE215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPEA Код товару: 215732
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Id,A: 3,3 A Rds(on),Om: 67 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 618/5 Примітка : 20 V, P-channel Trench MOSFET Монтаж: SMD | товару немає в наявності очікується 30 шт: 30 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPEA215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -120mA Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 34890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -120mA Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV65XPVL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST 2A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST Type: Anti-Vandal Switch Function: On-Mom Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Termination Style: Wire Leads Actuator Type: Round, Button, Domed Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Color - Actuator/Cap: Black Actuator Marking: No Marking Part Status: Active Voltage Rating - DC: 24 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK | E-Switch | Pushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(On), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK - Vandalensicherer Schalter, PMV6 Series, 16 mm, SPST, Ein-(Ein), Rund, kuppelförmig, Schwarz tariffCode: 85365080 rohsCompliant: YES Schalteranschlüsse: Anschlussdrähte Betätiger-/Kappenfarbe: Schwarz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Plattenausschnitt (H x B): - Schalterfunktion: Ein-(Ein) IP-Schutzart: IP67 usEccn: EAR99 AC-Kontaktstrom, max.: - euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 2A Kontaktspannung V DC: 24V Farbe der Beleuchtung: - Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm Schaltermontage: Panelmontage Produktpalette: PMV6 Series productTraceability: No Druckknopf-Betätiger: Rund, kuppelförmig Kontaktkonfiguration: SPST Kontaktspannung V AC: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK. | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLK/CABL tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW2BBLU | E-Switch | Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW2BBLU | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST 2A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST Type: Anti-Vandal Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Termination Style: Wire Leads Actuator Type: Round, Button, Domed Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Color - Actuator/Cap: Blue Actuator Marking: No Marking Voltage Rating - DC: 24 V | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW2BBLU. | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW2BBLU. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLU/CABL tariffCode: 85365080 rohsCompliant: YES Schalteranschlüsse: Wire Leaded Betätiger-/Kappenfarbe: Blue hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Plattenausschnitt (H x B): - Schalterfunktion: Off-(On) IP-Schutzart: IP67 usEccn: EAR99 AC-Kontaktstrom, max.: 0 euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 2A Kontaktspannung V DC: 24V Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm Schaltermontage: Panel Mount Produktpalette: PMV6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckknopf-Betätiger: Round Flat Kontaktkonfiguration: SPST Kontaktspannung V AC: - directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6DW2BRED | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST-NO 2A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST-NO Type: Anti-Vandal Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Termination Style: Wire Leads Actuator Type: Round, Button, Domed Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Color - Actuator/Cap: Red Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6DW3BRED | E-Switch | Description: Switches Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Snap-In Circuit: SPST-NO Type: Anti-Vandal Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Termination Style: Wire Leads Actuator Type: Round, Button, Domed Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Color - Actuator/Cap: Red Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6DW3BRED | E-Switch | Pushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(Off), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW3BYEL | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST 2A 24V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV6DW3BYEL | E-Switch | Pushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(Off), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV6DW3BYEL | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW3BYEL - ANTI-VANDAL SW, SPST, 2A, 24V, YELLOW tariffCode: 0 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV70A575 | LOVATO ELECTRIC | PMV70A575 Monitoring Relays | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV74EPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV74EPER | Nexperia | MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET | на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV74EPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V | на замовлення 10985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV75UP | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | MOSFETs PMV75UP/SOT23/TO-236AB | на замовлення 22761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV75UP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV75UP/S500R | Nexperia USA Inc. | Description: PMV75UP - 20 V, P-channel Trench Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV88ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV88ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV88ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V 2.2A | на замовлення 16609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | MOSFET PMV88ENE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 28441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV88ENE/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V | на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV88ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV90EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV90EN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.09W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV90ENE215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | NEXPERIA | PMV90ENER SMD N channel transistors | на замовлення 384 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER Код товару: 215730
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 30 V Idd,A: 3,7 A Rds(on), Ohm: 54 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 160/3,6 Примітка: 30 V, N-channel Trench MOSFET Монтаж: SMD | товару немає в наявності очікується 25 шт: 25 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV90ENER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V | на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMVCIR-3-850-PM-L-10-NE | Ascentta | Description: PM circulator, 850nm, 3 port, PM Packaging: Tape & Box (TB) Type: Optical Circulator, 3 Port | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMVIS-532-PM-L-10-FA | Ascentta | Description: 532nm PM Isolator, Polarization Packaging: Retail Package Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|